到T1-6A1-4V粉末中，通过它们化学反应造孔，从而得到多孔T1-Al-V金属间化合物(如图2)。
[0041 ] 实施例2
[0042]本实施例的一种多孔T1-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法，具体步骤如下:
[0043]一、按质量百分含量分别称取34.0 %的纯铝块和66.0 %的球形Ti_6Al_4V粉末，用来制备T1、Al和V摩尔百分数分别是50.9%、47.0%和2.1%的多孔T1-Al-V金属间化合物；
[0044]二、多孔Ti预制体的制备:将纯铝块置于坩祸底部，再将ΙΟΟμπι的球形T1-6A1_4V粉末直接松散堆积到坩祸中纯铝块上面，并且在松装体上面盖上石墨垫，而松装体孔隙率被控制在46% ；
[0045]三、下置式高温无压反应浸渗造孔:将整个坩祸放入真空炉中，然后抽真空到0.0lMPa后，升温至1100°C，保温3.5h，借助毛细管力使高温液态A1无压浸渗到T1-6A1-4V粉末中，通过它们化学反应造孔，从而得到多孔T1-Al-V金属间化合物。
[0046]实施例3
[0047]本实施例的一种多孔T1-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法，具体步骤如下:
[0048]一、按质量百分含量分别称取34.0%的纯铝块和66.0%的球形Ti_6Al_4V粉末，用来制备T1、Al和V摩尔百分数分别是50.9%、47.0%和2.1%的多孔T1-Al-V金属间化合物；
[0049]二、多孔Ti预制体的制备:将纯铝块置于坩祸底部，再将ΙΟΟμπι的球形T1-6A1_4V粉末直接松散堆积到坩祸中纯铝块上面，并且在松装体上面盖上石墨垫，而松装体孔隙率被控制在46% ；
[0050]三、下置式高温无压反应浸渗造孔:将整个坩祸放入真空炉中，然后抽真空到0.0lMPa后，升温至1100°C，保温3.5h，借助毛细管力使高温液态A1无压浸渗到T1-6A1-4V粉末中，通过它们化学反应造孔，从而得到多孔T1-Al-V金属间化合物。
[0051 ] 实施例4
[0052]本实施例的一种多孔T1-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法，具体步骤如下:
[0053]一、按质量百分含量分别称取31.0 %的纯铝块和69.0 %的球形Ti_6Al_4V粉末，用来制备T1、Al和V摩尔百分数分别是50.9%、47.0%和2.1%的多孔T1-Al-V金属间化合物；
[0054]二、多孔Ti预制体的制备:将纯铝块置于坩祸底部，再将ΙΟΟμπι的球形T1-6A1_4V粉末直接松散堆积到坩祸中纯铝块上面，并且在松装体上面盖上石墨垫，而松装体孔隙率被控制在45%;
[0055]三、下置式高温无压反应浸渗造孔:将整个坩祸放入真空炉中，然后抽真空到0.0lMPa后，升温至1100°C，保温3h，借助毛细管力使高温液态A1无压浸渗到T1-6A1-4V粉末中，通过它们化学反应造孔，从而得到多孔T1-Al-V金属间化合物。
[0056]实施例5
[0057]本实施例的一种多孔T1-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法，具体步骤如下:
[0058]一、按质量百分含量分别称取32.0 %的纯铝块和68.0 %的球形Ti_6Al_4V粉末，用来制备T1、Al和V摩尔百分数分别是50.9%、47.0%和2.1%的多孔T1-Al-V金属间化合物；
[0059]二、多孔Ti预制体的制备:将纯铝块置于坩祸底部，再将ΙΟΟμπι的球形T1-6A1_4V粉末直接松散堆积到坩祸中纯铝块上面，并且在松装体上面盖上石墨垫，而松装体孔隙率被控制在47% ；
[0060]三、下置式高温无压反应浸渗造孔:将整个坩祸放入真空炉中，然后抽真空到0.0lMPa后，升温至1150°C，保温3.5h，借助毛细管力使高温液态A1无压浸渗到T1-6A1-4V粉末中，通过它们化学反应造孔，从而得到多孔T1-Al-V金属间化合物。
[0061]以上实施例提供了多孔T1-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备法，借助毛细管力使高温液态A1无压浸渗到T1-6A1-4V合金粉末中进行反应造孔获得多孔T1-A1-V金属间化合物，该发明工序简单，易于操作，能耗少，污染小和造价低，该方法简化了多孔T 1-A 1金属间化合物的制备工艺，极易推广到实际生产中。
[0062]最后应当说明的是，以上实施例仅是对本发明较佳实施方案的描述并不限制本发明的保护范围，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域技术人员应当理解，可以对本发明技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
【主权项】
1.一种多孔T1-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的: 一、按质量百分含量分别称取30.4?34.9%的纯铝块和69.6?65.1 %的100?300μπι球形 T1-6A1-4V 粉末； 二、多孔钛预制体的制备:将纯铝块置于坩祸底部，再将100?300μπι的球形T1-6A1-4V粉末直接堆积到坩祸中纯铝块上面，并盖上石墨垫，形成松装体；其中，松装体孔隙率为42.2?47.1% ; 三、下置式高温无压反应浸渗造孔:将步骤二的整个坩祸放入真空炉中，然后抽真空到0.01?0.0OlMPa后，升温至1000?1200°C，保温2?4h，使熔化的纯铝无压浸渗到T1-6A1-4V粉末中，并反应得到多孔T1-Al-V金属间化合物。2.根据权利要求1所述的一种多孔T1-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法，其特征在于所述的多孔T1-Al-V金属间化合物中的T1、Al和V摩尔百分数分别是53.8?49.0%、44.0?49.0%和2.2?2.0%。3.根据权利要求1所述的一种多孔T1-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法，其特征在于按质量百分含量分别称取30.4?34%的纯铝块和69.6?66%的100?300μπι 球形 T1-6A1-4V 粉末。4.根据权利要求3所述的一种多孔T1-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法，其特征在于按质量百分含量分别称取30.4?33%的纯铝块和69.6?67%的100?300μπι 球形 T1-6A1-4V 粉末。5.根据权利要求4所述的一种多孔T1-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法，其特征在于按质量百分含量分别称取30.4?32%的纯铝块和69.6?68%的100?300μπι 球形 T1-6A1-4V 粉末。6.根据权利要求5所述的一种多孔T1-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法，其特征在于按质量百分含量分别称取30.4?31%的纯铝块和69.6?69%的100?300μπι 球形 T1-6A1-4V 粉末。7.根据权利要求1所述的一种多孔T1-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法，其特征在于松装体孔隙率为43?46%。8.根据权利要求7所述的一种多孔T1-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法，其特征在于松装体孔隙率为45?46%。9.根据权利要求1所述的一种多孔T1-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法，其特征在于加热温度1100?1200°C，保温2?4h。10.根据权利要求9所述的一种多孔T1-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法，其特征在于升温至1150?1200°C，保温2?4h。
【专利摘要】一种多孔Ti-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法，它涉及一种多孔Ti-Al-V金属间化合物及其下置式无压反应浸渗制备方法。本发明的方法：一、称取纯铝块和球形Ti-6Al-4V粉末；二、多孔钛预制体的制备；三、下置式高温无压反应浸渗造孔；得到多孔Ti-Al-V金属间化合物。本发明的方法借助毛细管力使高温液态Al无压浸渗到Ti-6Al-4V合金粉末中进行反应造孔获得多孔Ti-Al-V金属间化合物，本发明工序简单，易于操作，能耗少，污染小和造价低，该方法简化了多孔Ti-Al金属间化合物的制备工艺，极易推广到实际生产中。
【IPC分类】C22C14/00, C22C1/08
【公开号】CN105483417
【申请号】CN201511017179
【发明人】李爱滨, 甘维琛, 屈伟, 张学习, 宋洋, 耿林
【申请人】哈尔滨工业大学
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年12月29日