（Mw)可以为IX 103至IX 10 8,且优选为IX 104至 1X107。
[0148] 本文任何地方所述的聚合物适宜地为非晶态聚合物。
[0149] 发光层
[0150] 0LED的发光层可以是未图案化的，或者可以是图案化的以形成离散的像素。每个 像素可以进一步分为子像素。发光层可包含单一发光材料，例如对于单色显示器或其它单 色器件，或者可包含发出不同颜色的材料，特别地对于全色显示器而言包含红色、绿色和蓝 色发光材料。
[0151] 可以提供包含式（I)重复单元的聚合物作为发光层中的发光材料，或者作为荧光 或磷光掺杂剂的主体。
[0152] 如果将包含式（I)重复单元的聚合物用作荧光或磷光掺杂剂的主体材料，那么该 聚合物的最低单线态激发态能级或最低三线态激发态能级分别地优选至少等同于、或不低 于掺杂剂的相应能级。
[0153] 从发光层发射的光（或者从包含式（I)重复单元的聚合物、与包含式（I)重复单 元的主体聚合物结合使用的发光掺杂剂，或者另一发光材料）可以是红色、绿色或蓝色。
[0154] 蓝色发光材料可具有峰值在不大于490nm范围内、任选地在420-480nm范围内的 光致发光光谱。
[0155] 绿色发光材料可具有峰值在大于490nm直至580nm、任选地大于490nm直至540nm 的范围内的光致发光光谱。
[0156] 红色发光材料可任选地在其光致发光光谱中具有大于580nm直至630nm、任选地 在585-625nm内的峰值。
[0157] 发光层可包含多于一种发光材料的混合物，例如共同提供白色发光的发光材料的 混合物。
[0158] 发白光的0LED可包含单一的白光发射层或者可包含发射不同颜色的两个或更多 个层，这些不同颜色结合产生白光。可以由提供在单一发光层中或者分布在两个或更多个 发光层内的红色、绿色和蓝色发光材料的组合产生白光。
[0159] 由发白光的0LED发射的光可以具有与黑体在2500-9000K范围内的温度下发射的 光相当的CIE X坐标以及在所述黑体发射光的CIE y坐标的0.05或0.025之内的CIE y 坐标，任选地具有与黑体在2700-4500K范围内的温度下发射的光相当的CIE X坐标。
[0160] 示例性的磷光发光材料包括金属络合物，该金属络合物包括取代或未取代的式 (X)的络合物：
[0161] MLWs
[0162] (X)
[0163] 其中Μ是金属；各L1、L2和L 3是配位基团；q为整数；r和s各自独立地为0或整 数；并且（a. q) + (b. r) + (c. s)的总和等于Μ上可用配位点的数目，其中a是L1上的配位点 数目，b是L2上的配位点数目，并且c是L 3上的配位点数目。
[0164] 重元素 Μ引发强烈的自旋轨道耦合从而允许快速的系统间蹿跃（crossing)以及 从三重态或更高态的发射。合适的重金属Μ包括d-区金属，特别是第2行和第3行中的那 些金属，即39到48号元素和72到80号元素，特别是钌、铑、钯、铼、锇、铱、铂和金。特别优 选铱。
[0165] 示例性的配体L1、L2和L 3包括碳或氮的供体，例如卟啉或式（XI)的二齿配体：
[0167] 其中Ar5和Ar 6可以相同或不同，并且独立地选自取代或未取代的芳基或杂芳基； X1和Y1可以相同或不同，并且独立地选自碳或氮；并且Ar 5和Ar 6可以稠合在一起。其中X 1是碳并且Y1是氮的配体是优选的，特别是其中Ar 5为单环或仅为N和C原子的稠合杂芳族 的配体，例如吡啶基或异喹啉，并且Ar6为单环或稠合芳族，例如苯基或萘基。
[0168] 二齿配体的实例如下所示，其各自可以是未取代的或者用一个或多个取代基取 代：
[0170] Ar5和Ar 6各自可带有一个或多个取代基。这些取代基中的两个或更多个可连接 形成环，例如芳族环。
[0171] 适合与d区元素一起使用的其它配体包括二酮化物（diketonate)，特别是乙酰丙 酮化物（acac)、三芳基膦和吡啶，它们各自可以被取代。
[0172] 示例性取代基包括基团R13,如上文关于式（IX)所述。特别优选的取代基包括： 氟或三氟甲基，它们可用于使络合物的发射蓝移，例如WO 02/45466、W0 02/44189、US 2002-117662和US 2002-182441中所公开的；烷基或烷氧基，例如Q 2。烷基或烷氧基，其可 以是如JP 2002-324679中所公开的；咔唑，当用作发光材料时，其可用于辅助空穴传输到 络合物，例如W0 02/81448中所公开的；和树突（dendron)，其可用于获得或增强金属络合 物的溶液加工性，例如W0 02/66552中所公开的。
[0173] 发光的树枝状聚合物（dendrimer)典型地包含与一个或多个树突结合的发光核 心，其中每个树突包含分支点和两个或更多个树枝状分支。优选地，树突至少部分地共辄， 并且分支点和树枝状分支中的至少之一包含芳基或杂芳基基团，例如苯基基团。在一种设 置中，分支点基团和分支基团都是苯基，并且每个苯基可独立地取代有一个或多个取代基， 例如烷基或烷氧基。
[0174] 树突可以具有任选取代的式（XII):
[0176] 其中BP表示用于连接到核心的分支点，并且Gjf表第一代分支基团。
[0177] 树突可以是第一、第二、第三或更高代树突。&可以被两个或更多个第二代分支基 团62取代，如此继续，正如在任选取代的式（Xlla)中：
[0178]
[0179] 其中u为0或1 ;如果u为0则v为0，或者如果u为1则v可以是0或1 ;BP表示 用于连接到核心的分支点，并且G^GjP G 3代表第一代、第二代和第三代树突分支基团。在 一个优选实施方案中，BP和Gi、Gy Gn各自为苯基，并且每个苯基BP、G i、Gy Gn i为3, 5-连 接的苯基。
[0180] 优选的树突是式（Xllb)的取代或未取代的树突：
[0182] 其中*代表树突与核心的连接点。
[0183] BP和/或任何基团G可以取代有一个或多个取代基，例如一个或多个Q 2。烷基或 烷氧基基团。
[0184] 可以在具有主体材料的发光层中提供磷光发光材料。该主体材料可以是本发明的 主体聚合物。
[0185] 该磷光发光材料可以与主体材料物理混合或可与其共价结合。如果使用包含式 (I)重复单元的聚合物作为主体材料，那么该磷光发光材料可被提供在该聚合物的侧链、主 链或端基中。当在聚合物侧链中提供磷光材料时，该磷光材料可以直接结合到聚合物的主 干或通过间隔基团与其间隔开，例如C12。烷基间隔基团，其中一个或多个非相邻C原子可被 0或S替换。因此将意识到本发明的组合物可由本发明的聚合物构成或者可包含本发明的 聚合物，所述聚合物包含式（I)重复单元以及结合到该聚合物的磷光发光材料。
[0186] 电荷传输和电荷阳.挡层
[0187] 可在0LED的阳极和一个或多个发光层之间提供空穴传输层。同样地，可在阴极和 一个或多个发光层之间提供电子传输层。
[0188] 类似地，可在阳极和发光层之间提供电子阻挡层，以及可在阴极和发光层之间提 供空穴阻挡层。传输层和阻挡层可结合使用。根据其HOMO和LUM0能级，单一层可既传输 空穴和电子之一，又阻挡空穴和电子中的另一者。
[0189] 电荷传输层或电荷阻挡层可以被交联，特别是如果从溶液来沉积覆盖该电荷传输 或电荷阻挡层的层的话。用于这种交联的可交联基团可以是包含反应性双键的可交联基团 例如乙烯基或丙烯酸酯基团，或者苯并环丁烷基团。
[0190] 如果存在，则位于阳极和发光层之间的空穴传输层的HOMO能级优选为小于或等 于5. 5eV，更优选为约4. 8-5. 5eV或5. 1-5. 3eV，通过循环伏安法测量。可选择空穴传输层 的HOMO能级以便在邻近层（例如发光层）的0. 2eV之内，任选地在0. leV之内，以便在这 些层之间提供小的空穴传输势皇。
[0191] 如果存在，则位于发光层和阴极之间的电子传输层的LUM0能级优选为约 2. 5-3. 5eV，通过循环伏安法测量。例如，可在最接近阴极的发光层与阴极之间提供厚度在 0. 2-2nm范围内的一氧化硅或二氧化硅的层或其它薄介电层。可使用循环伏安法测量Η0Μ0 和LUM0能级。
[0192] 空穴传输层可以含有包含式（I)重复单元的聚合物。该聚合物的重复单元中的一 个或多个可以取代有可交联基团。
[0193] 包含式（I)重复单元的示例性空穴传输聚合物包括：
[0194] -包含一个或多个式（I)重复单元（其中每个m是0)以及一个或多个式（IX)的 胺共聚重复单元的共聚物；以及
[0195] -包含一个或多个式（I)重复单元的均聚物或共聚物，其中每个m是1。
[0196] 苧穴沣入层
[0197] 可由导电性有机材料或无机材料形成的导电性空穴注入层，其可提供于如图1 所示的0LED的阳极101和发光层103之间以辅助从阳极到一层或多层半导体聚合物中 的空穴注入。掺杂的有机空穴注入材料的实例包括任选取代的、掺杂的聚（乙烯二氧 噻吩）（PEDT)，尤其是用下列掺杂的PEDT :电荷平衡聚酸（polyacid)，如EP 0901176和 EP 0947123中所公开的聚苯乙烯磺酸（PSS)、聚丙烯酸或氟化磺酸，例如Naf ion?; 如US 5723873和US 5798170中公开的聚苯胺；和任选取代的聚噻吩或聚（噻吩并噻 吩）。导电性无机材料的实例包括过渡金属氧化物，如Journal of Physics D:Applied Physics (1996)，29 (11)，2750-2753 中所公开的 V0x、MoOx 和 RuOx。
[0198] 阴极
[0199] 阴极105选自于具有容许电子注入到0LED的发光层内的功函数的材料。其它因 素影响阴极的选择，例如在阴极与发光材料之间的有害相互作用的可能性。阴极可以由单 一材料例如铝层构成。作为替代，其可以包含多种导电材料如金属，例如低功函数材料和 高功函数材料的双层，例如W0 98/10621中公开的钙和铝。阴极可以包含单质钡，如在TO 98/57381、Appl.Phys. Lett. 2002, 81 (4) ,634 和 TO 02/84759 中所公开的。阴极可在器件 的有机层与一个或多个导电阴极层之间包含金属化合物（特别是碱金属或碱土金属的氧 化物或氟化物）的薄层（例如l_5nm)，以协助电子注入，例如在W0 00/48258中公开的氟化 锂；如在Appl. Phys. Lett. 2001，79(5)，2001中公开的氟化钡；以及氧化钡。为了提供电子 向器件内的高效注入，阴极优选地具有小于3. 5eV、更优选地小于3. 2eV、最优选地小于3eV 的功函数。金属的功函数可以参见例如Michaelson，J. Appl. Phy