专利名称：一种封装牢靠的半导体元件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种封装牢靠的半导体元件。
背景技术：
半导体是一种导电能力介于导体与非导体之间的材料，半导体元件根据半导体材料的特性，属于固态元件，其体积可以缩小到很小的尺寸，因此耗电量少，集成度高，在电子技术领域获得了广泛的应用。由于半导体元件的尺寸不断地缩微，是的超大规模集成电路的运行速度越来越快，但是最近以来半导体缩微由于技术上和物理上的限制而变得困难重重，其速度和整合都受到了影响。尤其是目前方块状和圆柱状的各种半导体元件在上下两块封装结构中具有同样的横截面积，这样的元件焊接到底板时容易出现封装不牢靠的问题，影响了半导体元件的使用性能和效果。
实用新型内容本实用新型的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种封装牢靠的半导体元件。本实用新型的目的通过以下技术措施实现。一种封装牢靠的半导体元件，包括封装外壳、半导体核心、引线框架和基座，所述封装外壳将所述半导体核心和基座封装于内，所述引线框架的接脚与所述半导体核心由金线连接，所述基座的外沿向外突出；所述基座包括第一半导体材料层和第二半导体材料层， 所述第一半导体材料层和第二半导体材料层相互堆叠。所述基座的外沿向一侧、双侧或者四侧向外突出。所述第一半导体材料层设置有金属氧化物层。所述第二半导体材料层设置有金属氧化物层。所述基座底部设置有沉积层。本实用新型由于采用包括第一半导体材料层和第二半导体材料层的基座，突出的外沿能够封装牢靠地固定于封装外壳，使半导体元件封装更稳牢靠。
利用附图对本实用新型做进一步说明，但附图中的内容不构成对本实用新型的任何限制。图1是本实用新型的一个实施例的结构示意图。图2是图1的右视图。图3是图1的仰视图。图4是图1的A处局部放大图。附图标记封装外壳1，引脚2。
具体实施方式
结合以下实施例对本实用新型作进一步说明。实施例1本实施例的封装牢靠的半导体元件如图1-4所示，包括封装外壳、半导体核心、引线框架和基座，所述封装外壳将所述半导体核心和基座封装于内，所述引线框架的接脚与所述半导体核心由金线连接，所述基座的外沿向外突出；所述基座包括第一半导体材料层和第二半导体材料层，所述第一半导体材料层和第二半导体材料层相互堆叠。实施例2本实施例参照图1-4，在实施例1的基础上，所述基座的外沿向一侧、双侧或者四侧向外突出。所述第一半导体材料层设置有金属氧化物层。所述第二半导体材料层设置有金属氧化物层。所述基座底部设置有沉积层。最后应当说明的是，以上实施例仅用于说明本实用新型的技术方案而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
权利要求1.一种封装牢靠的半导体元件，其特征在于包括封装外壳、半导体核心、引线框架和基座，所述封装外壳将所述半导体核心和基座封装于内，所述引线框架的接脚与所述半导体核心由金线连接，所述基座的外沿向外突出；所述基座包括第一半导体材料层和第二半导体材料层，所述第一半导体材料层和第二半导体材料层相互堆叠。
2.根据权利要求1所述的封装牢靠的半导体元件，其特征在于所述基座的外沿向一侧、双侧或者四侧向外突出。
3.根据权利要求1所述的封装牢靠的半导体元件，其特征在于所述第一半导体材料层设置有金属氧化物层。
4.根据权利要求1所述的封装牢靠的半导体元件，其特征在于所述第二半导体材料层设置有金属氧化物层。
5.根据权利要求1所述的封装牢靠的半导体元件，其特征在于所述基座底部设置有沉积层。
专利摘要一种封装牢靠的半导体元件，包括封装外壳、半导体核心、引线框架和基座，所述封装外壳将所述半导体核心和基座封装于内，所述引线框架的接脚与所述半导体核心由金线连接，所述基座的外沿向外突出；所述基座包括第一半导体材料层和第二半导体材料层，所述第一半导体材料层和第二半导体材料层相互堆叠。所述基座的外沿向一侧、双侧或者四侧向外突出。所述第一半导体材料层设置有金属氧化物层。所述第二半导体材料层设置有金属氧化物层。所述基座底部设置有沉积层。本实用新型由于采用包括第一半导体材料层和第二半导体材料层的基座，突出的外沿能够封装牢靠地固定于封装外壳，使半导体元件封装更稳牢靠。
文档编号H01L23/00GK202275813SQ20112032367
公开日2012年6月13日 申请日期2011年8月31日 优先权日2011年8月31日
发明者席伍霞 申请人:杰群电子科技(东莞)有限公司