4，集成电路器件13可以包括逻辑区域410和SRAM区域420。第一场效应晶体管(FET1)411可以设置在逻辑区域410中，第二场效应晶体管(FET2)421可以设置在SRAM区域420中。
[0221]在本发明构思的一些实施例中，第一晶体管411和第二晶体管421可以具有彼此不同的结构。例如，第一晶体管411的源极/漏极可以具有A形沟槽(例如，图21的162)，第二晶体管421的源极/漏极可以具有V形沟槽(例如，图21的163)，但是第一晶体管411和第二晶体管421不限于此。
[0222]在图24中，逻辑区域410和SRAM区域420作为示例示出，但是本发明构思的方面不限于此。例如，本发明构思还可以被应用于逻辑区域410以及其他存储器区域(例如，DRAM, MRAM、RRAM 或 PRAM)。
[0223]参照图25，集成电路器件14可以包括逻辑区域410。第一场效应晶体管(FET1)412和第二场效应晶体管(FET2)422可以具有彼此不同的结构并可以设置在逻辑区域410中。
[0224]在本发明构思的一些实施例中，第一晶体管411和第二晶体管422可以具有彼此不同的结构。例如，第一晶体管412的源极/漏极可以形成在A形沟槽(图22的162)中，第二晶体管422的源极/漏极可以形成在U形沟槽(图22的165)中，但是不限于此。
[0225]图26是包括根据本发明构思的一些实施例的集成电路器件的芯片上系统(SoC)的框图。
[0226]参照图26，SoC系统1000可以包括应用处理器1001和DRAM 1060。
[0227]应用处理器1001可以包括中央处理器(CPU) 1010、多媒体系统1020、多级互连总线1030、存储系统1040和外围电路(PERIPHERAL) 1050。
[0228]CPU 1010可以进行操作以驱动SoC系统1000。在一些实施例中，CPUlO 10可以包括包含多个芯的多芯处理器。
[0229]当SoC系统1000进行各种多媒体功能时，可以使用多媒体系统1020。多媒体系统1020可以包括例如3D引擎模块、视频编解码、显示系统、照相机系统和/或后处理器。
[0230]当CPU 1010、多媒体系统1020、存储系统1040和外围电路1050进行相互的数据通信时，可以使用多级互连总线1030。在一些实施例中，多级互连总线1030可以具有多层结构。例如，多级互连总线1030可以包括多层高级高性能总线(AHB)或多层高级可扩展接口(AXI)，但是不限于此。
[0231]存储系统1040可以提供连接到外存储器(例如，DRAM 1060)的应用处理器1001的高速运转所需的环境。在本发明构思的一些实施例中，存储系统1040可以包括用于控制外存储器(例如，DRAM 1060)的单独的控制器(例如，DRAM控制器)。
[0232]外围电路1050可以提供与外部装置(例如，主板)的平稳连接所需的环境。因此，外围电路1050可以包括允许连接到SoC系统1000的外部装置被兼容地使用的各种接口。
[0233]DRAM 1060可以用作工作存储器以操作应用处理器1001。在本发明构思的一些实施例中，如所示的，DRAM 1060可以在应用处理器1001外面。例如，DRAM 1060可以以层叠封装(PoP)的形式与应用处理器1001封装。
[0234]SoC系统1000的各种部件中的至少一个可以包括根据本发明构思的一些实施例的集成电路器件。
[0235]图27是包括根据本发明构思的一些实施例的集成电路器件的电子系统的框图。
[0236]参照图27，根据本发明构思的一些实施例的电子系统1100可以包括控制器1110、输入/输出器件(I/O) 1120、存储器1130、接口 1140和总线1150。控制器1110、1/0 1120、存储器1130和/或接口 1140可以通过总线1150连接到彼此。总线1150可以对应于数据通过其传输的路径。
[0237]控制器1110可以包括微处理器、数字信号处理器、微控制器、能够进行与这些元件类似的功能的逻辑元件中的至少一个。I/o 1120可以包括例如键区、键盘或显示装置。存储器1130可以存储数据和/或命令。接口 1140可以发送数据到通信网络或从通信网络接收数据。接口 1140可以是有线或无线的。例如，接口 1140可以包括天线或有线/无线收发器。
[0238]电子系统1100还可以包括高速DRAM和/或SRAM作为工作存储器以改善控制器1110的操作。在一些实施例中，电子系统1100的工作存储器可以包括根据本发明构思的一些实施例的集成电路器件。存储器1130、控制器1110和/或I/O 1120的一些部件可以包括根据本发明构思的一些实施例的集成电路器件。
[0239]电子系统1100可以是个人数字助理(PDA)、便携式计算机、网络本(webtablet)、无线电话、移动电话、数字音乐播放器、存储卡或能够在无线环境中发送和/或接收信息的任何类型的电子设备。
[0240]图28、29和30是包括根据本发明构思的一些实施例的集成电路器件的电子设备。图28示出平板PC 1200，图29示出笔记本电脑1300，图30示出蜂窝电话1400(例如，智能电话)。平板PC、笔记本电脑1300和智能电话1400可以包括根据本发明构思的一些实施例的集成电路器件。
[0241]将理解，这里没有示出的其他的电子设备可以包括根据本发明构思的一些实施例的集成电路器件。例如，根据一些实施例的集成电路器件可以被包括在计算机、超级移动个人计算机(UMPC)、工作站、笔记本(net-book)、个人数字助理(PDA)、便携式计算机、无线电话、移动电话、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、便携式游戏机、导航装置、黑盒子、数字摄像机、三维(3D)电视、数字录音机、数字音频播放器、数字图像记录器、数字图像播放器、数字录像机或数字视频播放器中。
[0242]以上公开的主题应被认为是说明性的，而不是限制性的，权利要求书旨在涵盖落在本发明构思的实际精神和范围内的所有这样的修改、改善和其他实施例。因此，为了达到法律所允许的最大程度，本发明的范围将由以下权利要求及其等同物的最宽可允许解释确定，而不应被以上详细说明限制或限定。
[0243]本申请要求享有于2014年2月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2014-0019114的优先权，其公开通过引用整体结合于此。
【主权项】
1.一种半导体器件，包括: 有源鳍，在第一方向上从基板突出并在交叉所述第一方向的第二方向上延伸； 栅极电极，设置在所述有源鳍上并在交叉所述第二方向的第三方向上延伸； 沟槽，在邻近所述栅极电极的所述有源鳍中；以及 半导体图案，在所述沟槽中，其中: 所述半导体图案包括第一段和第二段，所述第一段设置在所述栅极电极和所述第二段之间； 所述第一段具有在所述第二方向上的第一最大宽度，所述第一最大宽度不同于所述第二段在所述第二方向上的第二最大宽度；并且 所述第一段具有在所述第一方向上的第一最大厚度，所述第一最大厚度不同于所述第二段在所述第一方向上的第二最大厚度。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一最大宽度小于所述第二最大宽度。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一最大厚度小于所述第二最大厚度。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一最大厚度大于所述第二最大厚度。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一最大宽度大于所述第二最大宽度。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中: 所述半导体图案还包括设置在所述第二段下面的第三段，所述第二段设置在所述第一段和所述第三段之间；并且 所述第三段具有在所述第二方向上的第三最大宽度，该第三最大宽度不同于所述第二段的所述第二最大宽度。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一最大宽度小于所述第二最大宽度，所述第二最大宽度小于所述第三最大宽度。
8.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一最大宽度大于所述第二最大宽度，所述第二最大宽度大于所述第三最大宽度。
9.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一最大宽度大于所述第二最大宽度，所述第二最大宽度小于所述第三最大宽度。
10.如权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述栅极电极和所述有源鳍之间的栅极绝缘层，其中所述栅极绝缘层覆盖所述栅极电极的侧面。
11.一种半导体器件，包括: 基板，包括第一区域和第二区域； 第一有源鳍，在第一方向上从所述基板突出并在交叉所述第一方向的第二方向上延伸，所述第一有源鳍设置在所述第一区域中； 第二有源鳍，在所述第一方向上从所述基板突出并在所述第二方向上延伸，所述第二有源鳍设置在所述第二区域中； 第一沟槽，在所述第一有源鳍中； 第二沟槽，在所述第二有源鳍中； 第一半导体图案，在所述第一沟槽中；以及 第二半导体图案，在所述第二沟槽中，其中: 所述第一半导体图案包括沿所述第一方向设置的第一多个段； 所述第二半导体图案包括沿所述第一方向设置的第二多个段；并且 所述第一半导体图案和所述第二半导体图案具有不同的形状。
12.如权利要求11所述的半导体器件，其中: 所述第一多个段中的各段在所述第二方向上的最大宽度从所述第一有源鳍的顶表面到底表面单调地增大；并且 所述第二多个段中的各段在所述第二方向上的最大宽度从所述第二有源鳍的顶表面到底表面单调地减小。
13.如权利要求11所述的半导体器件，其中: 所述第一多个段中的各段在所述第二方向上的最大宽度从所述第一有源鳍的顶表面到底表面单调地增大；并且 所述第二多个段中的各段在所述第二方向上的最大宽度从所述第二有源鳍的顶表面到底表面单调地增大。
14.如权利要求11所述的半导体器件，其中: 所述第一多个段中的各段在所述第二方向上的最大宽度从所述第一有源鳍的顶表面到底表面单调地增大；并且 所述第二多个段中的各段在所述第二方向上的最大宽度基本上彼此相等。
15.如权利要求11所述的半导体器件，其中: 所述第一多个段中的各段在所述第二方向上的最大宽度从所述第一有源鳍的顶表面到底表面单调地减小；并且 所述第二多个段中的各段在所述第二方向上的最大宽度基本上彼此相等。
16.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述第一半导体图案和所述第二半导体图案具有不同的导电类型。
17.如权利要求11所述的半导体器件，还包括: 第一栅极电极，在邻近所述第一沟槽的所述第一有源鳍上，所述第一栅极电极在交叉所述第二方向的第三方向上延伸；和 第二栅极电极，在邻近所述第二沟槽的所述第二有源鳍上，所述第二栅极电极在所述第三方向上延伸，其中所述第一栅极电极和所述第二栅极电极具有不同的栅极间距。
18.一种集成电路器件，该器件包括: 栅极结构，在基板的表面上；和 源极/漏极区，在邻近所述栅极结构的所述基板中，所述源极/漏极区包括沿基本上垂直于所述基板的表面的方向设置的多个段，所述多个段中的每个具有沿所述方向非单调地变化的宽度。
19.如权利要求18所述的集成电路器件，其中所述多个段中的每个具有凸起的侧壁。
20.如权利要求18所述的集成电路器件，其中所述多个段中的第一段具有第一最大宽度，所述多个段中的第二段具有第二最大宽度，所述第二最大宽度大于所述第一最大宽度。
21.如权利要求20所述的集成电路器件，其中所述多个段中的所述第一段具有第一厚度，所述多个段中的所述第二段具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
【专利摘要】本公开提供了具有包括多个段的源极/漏极区的集成电路器件。集成电路器件可以包括在基板上的栅极结构以及在邻近栅极结构的基板中的源极/漏极区。源极/漏极区可以包括侧壁，该侧壁包括多个弯曲的侧壁部分。
【IPC分类】H01L29-78, H01L29-08, H01L29-06, H01L29-10
【公开号】CN104851909
【申请号】CN201510063625
【发明人】郑荣钟, 李正允, 金东贤, 李馥英
【申请人】三星电子株式会社
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2015年2月6日
【公告号】US20150236015