可以由专用集成电路 (ASIC)、可编程逻辑器件（PLD)、现场可编程逻辑器件（FPLD)、现场可编程门阵列（FPGA)、 离散的逻辑等来实施）。例如，用于补偿老化方法的特性关联曲线的组成部分的任一者或全 部能够由软件、硬件和/或固件来实施。此外，可以手动地实施所描绘的机器可读指令的一 些或全部。
[0074] 图5是用于确定和更新显示器系统（例如，图1中的显示器系统100)的特性关联 曲线的过程的流程图。选择应力条件，以提供用于对有源像素的应力条件的范围进行关联 的充分的基准（500)。然后，为每个应力条件选择一组参考像素（502)。然后，在每个应力条 件处对与该应力条件相对应的每个组的参考像素加应力，并且存储基准的光学特性和电学 特性（504)。以周期性间隔测量并记录每个组中的每个像素的亮度水平（506)。然后，通过 对每个应力条件下的像素组中的每个像素的所测量的亮度求平均来确定亮度特性（508)。 确定每组中的每个像素的电学特性（510)。确定组中的每个像素的平均值，以确定平均电学 特性（512)。然后，使用每组的平均亮度特性和平均电学特性来更新对应的预定应力条件下 的特性关联曲线（514)。一旦确定和更新关联曲线，控制器可以使用经更新的特性关联曲线 来补偿经受不同应力条件的有源像素的老化效应。
[0075] 参考图6,示出了使用如在图5中的过程中获得的用于显示器系统100的适当的预 定特性关联曲线来确定给定时刻处的有源像素的补偿因子的过程的流程图。基于最高亮度 和编程电压来确定有源像素发出的亮度(600)。基于先前的应力条件、所确定的亮度以及平 均补偿因子测量特定有源像素的应力条件(602)。从存储器读取适当的预定应力特性关联 曲线（604)。在该示例中，两个特性关联曲线对应于预定应力条件，其中，有源像素的所测量 的应力条件落在这些预定应力条件之间。然后，控制器112通过使用从有源像素测量的电 流或电压变化并根据每个预定应力条件来确定系数(606)。然后，控制器确定修改后的系 数，以计算补偿电压并将其添加到有源像素的编程电压(608)。将所确定的应力条件存储在 存储器中（610)。然后，控制器112存储新的补偿因子，然后可以在测量参考像素130之后 的每个帧时段期间采用该新的补偿因子来修改有源像素的编程电压（612)。
[0076] 能够基于OLED电学变化与效率劣化之间的相关性曲线（例如，图7中的相关性曲 线）来计算OLED效率劣化。这里，检测OLED电学参数的变化，并使用这个值来从曲线提取 效率劣化。接着，可相应地调节像素电流，以补偿劣化。主要挑战在于，相关性曲线是应力 条件的函数。因此，为了实现更精确的补偿，一种需要就是考虑不同应力条件的影响。在一 种方法中，使用每个像素（像素组）的应力条件在不同的相关性曲线之中进行选择，以针对 每个具体情形提取适当的效率损失。现在，将描述多个用于确定应力条件的方法。
[0077] 首先，可以创建每个像素（像素组）的应力历史。简单地，应力历史可以是应力条 件的移动平均。为了提高计算精确度，可以使用加权的应力历史。这里，如在图8中描述的 示例中，每个应力的影响可具有基于应力强度或周期的不同权重。例如，在OLED相关性曲 线的选择方面，低强度应力的影响小。因此，可以使用在小强度下具有小权重的曲线，例如 图8中的曲线。还可以使用子采样（sub-sampling)来计算应力历史，以降低存储器传递活 动（memory transfer activity)。在一种情况下，可以假定应力历史在时间上是低频的。 在这种情况下，不需要对每帧的像素条件进行采样。可以基于内容帧速率（content frame rate)修改不同应用的采样速率。这里，在每个帧期间，仅选择少量的像素来获得更新的应 力历史。
[0078] 在另一种情况下，可以假定应力历史在空间上是低频的。在这种情况下，不需要对 所有像素进行采样。这里，使用像素子集来计算应力历史，并接着可以使用插值技术来计算 所有像素的应力历史。
[0079] 在另一种情况下，可以组合时间上的低采样速率和空间上的低采样速率。
[0080] 在一些情况下，可能不能包含应力历史所需的存储器和计算模块。这里，如图9A 和9B所示，可以使用OLED电学参数的变化速率来提取应力条件。图9A示出在低、中和高 应力条件下的A Vimd随时间的变化，且9B示出了相同应力条件下的变化速率与时间的相关 性。
[0081] 如图10所示，可以将电学参数的变化速率用作应力条件的指示器。例如，如图10 所示，针对不同应力条件，可以对基于电学参数变化的电学参数变化速率进行建模，或者通 过实验来提取。还可使用变化速率来基于所测量的变化与电学参数变化速率的比较提取应 力条件。这里，使用为电学参数的变化和变化速率建立的函数。可替代地，可以使用应力条 件、相关性曲线和所测量的变化参数。
[0082] 图11是用于基于OLED电学参数的变化和变化速率的测量来补偿OLED效率劣化 的过程的流程图。在这个过程中，在步骤1101中提取OLED参数（例如，OLED电压）的变 化，并接着在步骤1102中基于先前提取的值来计算OLED参数的变化速率。接着，步骤1103 使用参数的变化和变化速率来识别应力条件。最后，步骤1104根据应力条件、所测量的参 数和相关性曲线来计算效率劣化。
[0083] 虽然已经示出和描述了本发明的特定实施例、方面和应用，但是应当理解，本发明 不限于在本申请中公开的精确的配置和布局，并且在不脱离如所附权利要求所限定的本发 明的精神和范围的情况下各种修改、改变和变化可以根据上述说明而变得明显。
【主权项】
1. 一种用于确定基于阵列的半导体器件中的有机发光器件（OLED)的效率劣化的方 法，所述半导体器件具有像素的阵列，且所述像素包括0LED，所述方法包括： 针对至少一个应力条件，确定所述OLED的电学运行参数的变化与所述OLED的所述效 率劣化之间的关系； 测量所述OLED的所述电学运行参数的变化； 确定所述半导体器件中的至少一个像素或像素组的应力条件；以及 通过使用所确定的关系和所确定的应力条件，确定所述OLED的与所述OLED的所述电 学运行参数的所测量的变化相对应的所述效率劣化。2. 如权利要求1所述的方法，其中，使用所确定的应力条件来选择所确定的关系，以用 于确定所述OLED的与所述OLED的所述电学运行参数的所测量的变化相对应的所述效率劣 化。3. 如权利要求1所述的方法，其中，所述电学运行参数是OLED电压。4. 如权利要求1所述的方法，其中，所述OLED的应力条件是根据所述OLED的应力历史 确定的。5. 如权利要求4所述的方法，其中，所述应力历史是所述OLED经受的应力条件的移动 平均。6. 如权利要求1所述的方法，其中，所述OLED的应力条件是根据所述OLED的所述电学 运行参数的随时间的变化速率确定的，所述OLED的所述电学运行参数的所述随时间的变 化速率是所述OLED经受的应力的函数。7. 如权利要求1所述的方法，其中，针对不同的应力条件，确定所述OLED的所述电学运 行参数的变化与所述OLED的所述效率劣化之间的所述关系。
【专利摘要】本发明涉及用于确定基于阵列的半导体器件中的有机发光器件(OLED)的效率劣化的系统，所述半导体器件具有像素的阵列，且所述像素包括OLED。在所述系统中，针对至少一个应力条件，确定所述OLED的电学运行参数的变化与所述OLED的所述效率劣化之间的关系；测量所述OLED的所述电学运行参数的变化；确定所述半导体器件中的至少一个像素或像素组的应力条件；以及通过使用所确定的关系和所确定的应力条件，确定所述OLED的与所述OLED的所述电学运行参数的所测量的变化相对应的所述效率劣化。
【IPC分类】H01L21/66, H01L27/32
【公开号】CN105097872
【申请号】CN201510267035
【发明人】戈尔拉玛瑞扎·恰吉
【申请人】伊格尼斯创新公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年5月22日
【公告号】DE102015209517A1