导体薄膜晶体管。请参照图2C，氧化物半导体薄膜晶体管包含源极250a及漏极250b、氧化物半导体结构SE、栅极220与门介电层230。如图2C所示，栅极220位于基材210上。栅介电层230位于氧化物半导体结构SE与栅极220之间。氧化物半导体结构SE具有第一部分SE1、第二部分SE2及第三部分SE3。第一部分SE1接触源极250a并位于源极250a的下方。第二部分SE2接触漏极250b并位于漏极250b的下方。第三部分SE3设置于源极250a与漏极250b之间的栅介电层230上，并直接连接第一部分SE1及第二部分SE2，且延伸覆盖源极250a的侧表面S1及漏极250b的侧表面S2。源极250a的侧表面S1及漏极250b的侧表面S2彼此相对。在一实施例中，第三部分SE3更延伸覆盖源极250a的上表面与漏极250b的上表面。在一实施例中，第一部分SE1与第二部分SE2由同一氧化物半导体层制成，但第一部分SE1与第三部分SE3由不同的氧化物半导体层制成。
[0062]在另一实施例中，如图2D所示，氧化物半导体薄膜晶体管更包含保护层270及像素电极280。保护层270设置于氧化物半导体结构SE、源极250a及漏极250b上。保护层270具有一接触窗270a露出漏极250b的一部分。像素电极280设置于保护层270上并通过接触窗270a以与漏极250b的该部分电性连接。
[0063]在又一实施例中，如图3C所示，源极250a除了接触第一部分SE1的上表面之外，更接触第一部分SE1之中远离漏极250b —端的侧表面S3。漏极250b除了接触第二部分SE2的上表面之外，更接触第二部分SE2之中远离源极250a —端的侧表面S4。
[0064]以下提供另一种氧化物半导体薄膜晶体管。请参照图f5D，氧化物半导体薄膜晶体管包含源极250a、氧化物半导体结构SE、绝缘层290、漏极250b、栅极220与门介电层230。如图f5D所示，栅极220位于基材210上。栅介电层230位于氧化物半导体结构SE与栅极220之间。氧化物半导体结构SE具有第一部分SE1及第四部分SE4。第一部分SE1接触源极250a并位于源极250a的下方。第四部分SE4直接连接第一部分SE1，且延伸覆盖源极250a的侧表面S1。绝缘层290设置于氧化物半导体结构SE上。绝缘层290具有一开口290a暴露出第四部分SE4的一部分。漏极250b设置于绝缘层290上并通过开口 290a以与第四部分SE4的该部分电性连接。源极250a的侧表面S1与漏极250b彼此相对。在一实施例中，第四部分SE4更延伸覆盖源极250a的上表面。在一实施例中，第一部分SE1与第四部分SE4由不同的氧化物半导体层制成。
[0065]在另一实施例中，如图5E所示，氧化物半导体薄膜晶体管更包含保护层270及像素电极280。保护层270设置于设置于绝缘层290及漏极250b上。保护层270具有一接触窗270a露出漏极250b的一部分。像素电极280设置于保护层270上并通过接触窗270a以与漏极250b的该部分电性连接。
[0066]在又一实施例中，如图6D所示，源极250a除了接触第一部分SE1的上表面之外，更接触第一部分SE1之中远离漏极250b —端的侧表面S3。
[0067]综上所述，依照本发明的制造方法所制得的氧化物半导体薄膜晶体管具有完整的通道，而使氧化物半导体薄膜晶体管的开路电流高且电性稳定度佳。此外，由于通道长度不受限于蚀刻阻障层，故依此方法所形成的像素结构的面积较小，开口率较高。由此可知，本发明的制造方法确实可克服共平面、背信道蚀刻及蚀刻阻障层方式的所有缺点。
[0068]虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，但这些相应的更动与润饰都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包含下列步骤: 于一基材上依序提供一第一氧化物半导体层及一导体层，该导体层位于该第一氧化物半导体层上； 形成一图案化光阻于该导体层上； 移除暴露于该图案化光阻外的该导体层及其下方的该第一氧化物半导体层，以形成一源极、一漏极及一图案化第一氧化物半导体层于该源极及该漏极的下方； 形成一图案化第二氧化物半导体层于该源极与该漏极之间，以接触该图案化第一氧化物半导体层、该源极及该漏极； 提供一栅极；以及 提供位于该图案化第一氧化物半导体层及该图案化第二氧化物半导体层与该栅极之间的一栅介电层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，提供该栅介电层步骤是于依序提供该第一氧化物半导体层及该导体层步骤前进行，且于形成该图案化第二氧化物半导体层步骤之后，更包含: 形成一保护层于该图案化第二氧化物半导体层、该源极及该漏极上，其中该保护层具有一接触窗露出该漏极的一部分；以及 形成一像素像素电极于该保护层上，以使该像素电极通过该接触窗与该漏极的该部分电性连接。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，依序提供该第一氧化物半导体层及该导体层步骤更包含图案化该第一氧化物半导体层于提供该导体层之前。4.一种氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包含下列步骤: 于一基材上依序提供一第一氧化物半导体层及一导体层，该导体层位于该第一氧化物半导体层上； 形成一图案化光阻于该导体层上； 移除暴露于该图案化光阻外的该导体层及其下方的该第一氧化物半导体层，以形成一源极及一图案化第一氧化物半导体层于该源极的下方； 形成一图案化第二氧化物半导体层于该源极及该图案化第一氧化物半导体层上，并接触该源极及该图案化第一氧化物半导体层； 形成一绝缘层于该图案化第二氧化物半导体层及该源极上，其中该绝缘层具有一开口暴露出该图案化第二氧化物半导体层的一部分； 形成一漏极于该绝缘层上，以使该漏极通过该开口与该图案化第二氧化物半导体层的该部分电性连接； 提供一栅极；以及 提供位于该图案化第一氧化物半导体层及该图案化第二氧化物半导体层与该栅极之间的一栅介电层。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，提供该栅介电层步骤是于依序提供该第一氧化物半导体层及该导体层步骤前进行，且于形成该漏极步骤之后，更包含: 形成一保护层于该绝缘层及该漏极上，其中该保护层具有一接触窗露出该漏极的一部分；以及 形成一像素电极于该保护层上，以使该像素电极通过该接触窗与该漏极的该部分电性连接。6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，依序提供该第一氧化物半导体层及该导体层步骤更包含图案化该第一氧化物半导体层于提供该导体层之前。7.一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，包含: 一源极及一漏极； 一氧化物半导体结构，该氧化物半导体结构具有一第一部分、一第二部分及一第三部分，该第一部分接触该源极并位于该源极的下方，该第二部分接触该漏极并位于该漏极的下方，该第三部分设置于该源极与该漏极之间，并连接该第一部分及该第二部分，且延伸覆盖该源极的侧表面及该漏极的侧表面，该源极的该侧表面及该漏极的该侧表面彼此相对； 一栅极；以及 一栅介电层，设置于该氧化物半导体结构与该栅极之间。8.如权利要求7所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，更包含: 一保护层，设置于该氧化物半导体结构、该源极及该漏极上，其中该保护层具有一接触窗露出该漏极的一部分；以及 一像素电极，设置于该保护层上且通过该接触窗以与该漏极的该部分电性连接。9.一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，包含: 一源极； 一氧化物半导体结构，该氧化物半导体结构具有一第一部分及一第四部分，该第一部分接触该源极并位于该源极的下方，该第四部分连接该第一部分，且延伸覆盖该源极的侧表面； 一绝缘层，设置于该氧化物半导体结构上，该绝缘层具有一开口暴露出该第四部分的一部分; 一漏极，设置于该开口内，以与该第四部分的该部分电性连接，该源极的该侧表面与该漏极彼此相对； 一栅极；以及 一栅介电层，设置于该氧化物半导体结构与该栅极之间。10.如权利要求9所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，更包含: 一保护层，设置于该绝缘层及该漏极上，其中该保护层具有一接触窗露出该漏极的一部分；以及 一像素电极，设置于该保护层上且通过该接触窗以与该漏极的该部分电性连接。
【专利摘要】本发明提供一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法，该氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，包含于一基材上依序提供第一氧化物半导体层及导体层，导体层位于第一氧化物半导体层上。形成图案化光阻于导体层上。移除暴露于图案化光阻外的导体层及其下方的第一氧化物半导体层，以形成源极、漏极及图案化第一氧化物半导体层于源极及漏极的下方。形成图案化第二氧化物半导体层于源极与漏极之间，以接触图案化第一氧化物半导体层、源极及漏极。提供栅极。提供位于图案化第一氧化物半导体层及图案化第二氧化物半导体层与栅极之间的栅介电层。
【IPC分类】H01L21/336, H01L29/786
【公开号】CN105374881
【申请号】CN201410682479
【发明人】吕雅茹, 吴国伟, 曹文光, 苏正芳, 高金字
【申请人】中华映管股份有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2014年11月24日