，其中所述多个离子注入操作在该漏极区域内形成相应的多个分立的注入层，并且其中所述注入层中的每一个形成在该漏极区域内的不同深度处。2.根据权利要求1所述的方法，其中该氧化物层具有20纳米-500纳米的厚度。3.根据任一前述权利要求所述的方法，其中使该半导体衬底倾斜包括使该半导体衬底倾斜以使得离子束以偏离垂线3度-10度的角度撞击在该氧化物层上。4.根据任一前述权利要求所述的方法，其中该氧化物层是第一氧化物层，其中形成该第一氧化物层包括使用热氧化工艺形成该第一氧化物层，并且其中该方法还包括使用低温氧化物沉积工艺在该第一氧化物层的顶部上沉积第二氧化物层。5.根据任一前述权利要求所述的方法，其中该氧化物层是第一氧化物层，其中该方法还包括在该第一氧化物层的顶部上形成第二氧化物层，其中该第一氧化物层具有20纳米-500纳米的厚度，且其中该第二氧化物层具有0.1微米-2微米的厚度。6.根据权利要求5所述的方法，还包括: 执行蚀刻处理以暴露该半导体衬底的在该主体区域的顶部上方的表面； 在该主体区域的顶部上方形成一个栅极氧化物层，其中该栅极氧化物层邻接该第一氧化物层和该第二氧化物层；以及 在该栅极氧化物层的顶部以及该第二氧化物层的一部分上方形成一个栅极电极，其中该栅极电极的在该第二氧化物层的所述一部分上方的部分位于所述注入层的靠近该主体区域的多个部分的顶部上方。7.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述多个分立的注入层中的每个注入层具有0.1微米_2微米的厚度。8.根据任一前述权利要求所述的方法，其中该漏极区域包括一个η型阱，其中执行所述多个离子注入操作包括执行三个离子注入操作以形成三个分立的Ρ型注入层，其中所述Ρ型注入层的第一层形成在该半导体衬底的邻接该氧化物层的表面处，其中所述Ρ型注入层的第二层形成在所述Ρ型注入层的所述第一层的下方，并且其中所述Ρ型注入层的第三层形成在所述Ρ型注入层的所述第二层的下方。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一ρ型注入层和所述第二 ρ型注入层通过η型阱的第一 η型区域分开，该第一 η型区域具有0.5微米-3微米的厚度，并且其中所述第二 Ρ型注入层和所述第三Ρ型注入层通过所述η型阱的第二 η型区域分开，该第二 η型区域具有0.5微米_3微米的厚度。10.根据任一前述权利要求所述的方法，其中该漏极区域包括一个η型阱，其中执行所述多个离子注入操作包括执行三个离子注入操作以在所述η型阱内形成三个分立的ρ型注入层，其中所述P型注入层的第一层埋藏在该衬底的表面下方使得所述η型阱的一个η型区域设置在该氧化物层和所述第一 Ρ型注入层之间，其中所述Ρ型注入层的第二层形成在所述Ρ型注入层的第一层的下方，并且其中所述Ρ型注入层的第三层形成在所述Ρ型注入层的所述第二层的下方。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一ρ型注入层通过η型阱的第一 η型区域与该氧化物层分开，该第一 η型区域具有0.05微米-2微米的厚度，其中所述第一 ρ型注入层和所述第二 Ρ型注入层通过该η型阱的第二 η型区域分开，该第二 η型区域具有0.5微米_3微米的厚度，并且其中所述第二 ρ型注入层和所述第三ρ型注入层通过该η型阱的第三η型区域分开，该第三η型区域具有0.5微米-3微米的厚度。12.一种用于制造高压场效应晶体管的方法，该方法包括: 在半导体衬底中形成一个主体区域； 在该半导体衬底中形成一个源极区域；以及 在该半导体衬底中形成一个漏极区域，该漏极区域通过该主体区域与该源极区域分开，其中形成该漏极区域包括: 在该半导体衬底的在该漏极区域上方的表面上形成一个氧化物层；以及 穿过该氧化物层执行三个离子注入操作以在该漏极区域内形成三个分立的注入层，其中所述注入层中的每一个被沉积在该漏极区域内的不同深度处，并且其中所述三个注入层中的第一层位于该半导体的邻接该氧化物层的表面处。13.根据权利要求12所述的方法，其中执行三个离子注入操作包括使该半导体衬底倾斜以使得离子束以偏离垂线的一个角度撞击在该氧化物层上。14.根据权利要求12-13中的任一项所述的方法，其中该氧化物层是第一氧化物层，其中该方法还包括在该第一氧化物层的顶部上形成第二氧化物层，其中该第一氧化物层具有20纳米-500纳米的厚度，且其中该第二氧化物层具有0.1微米-2微米的厚度。15.根据权利要求14所述的方法，还包括: 执行蚀刻处理以暴露该半导体衬底的在该主体区域的顶部上方的表面； 在该主体区域的顶部上方形成一个栅极氧化物层，其中该栅极氧化物层邻接该第一氧化物层和该第二氧化物层；以及 在该栅极氧化物层的顶部上方形成一个栅极电极。16.根据权利要求12-15中的任一项所述的方法，其中所述三个注入层中的每一个均具有0.1微米_2微米的厚度。17.根据权利要求12-16中的任一项所述的方法，其中该漏极区域包括一个η型阱，其中所述三个注入层是Ρ型注入层，其中所述Ρ型注入层的第二层形成在所述Ρ型注入层的第一层的下方，并且其中所述Ρ型注入层的第三层形成在所述Ρ型注入层的第二层的下方。18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一ρ型注入层和所述第二 ρ型注入层通过所述η型阱的第一 η型区域分开，该第一 η型区域具有0.5微米-3微米的厚度，并且其中所述第二 Ρ型注入层和所述第三Ρ型注入层通过所述η型阱的第二 η型区域分开，该第二 η型区域具有0.5微米-3微米的厚度。19.一种高压场效应晶体管(HVFET)，包括: 一个主体区域，其在一个半导体衬底中； 一个源极区域，其在该半导体衬底中； 一个漏极区域，其在该半导体中，该漏极区域通过该主体区域与该源极区域分开，其中该漏极区域包括三个分立的注入层，其中所述注入层中的每一个处于该漏极区域内的不同深度处，并且其中所述三个注入层的第一层位于该半导体衬底的一个表面处；以及 一个氧化物层，其在该半导体衬底的在该漏极区域上方的表面上并且邻接该漏极区域中的所述第一注入层。20.根据权利要求19所述的HVFET，其中该氧化物层是第一氧化物层，其中该HVFET还包括在该第一氧化物层的顶部上的第二氧化物层，其中该第一氧化物层具有20纳米-500纳米的厚度，且其中该第二氧化物层具有0.1微米-2微米的厚度。21.根据权利要求20所述的HVFET，还包括: 一个栅极氧化物层，其在该主体区域的顶部上方的表面的顶部上，其中该栅极氧化物层邻接该第一氧化物层和该第二氧化物层；以及一个栅极电极，其在该栅极氧化物层的顶部上方。22.根据权利要求19-21中的任一项所述的HVFET，其中所述三个注入层中的每一个均具有0.1微米_2微米的厚度。23.根据权利要求19-22中的任一项所述的HVFET，其中该漏极区域包括一个η型阱，其中所述三个注入层是Ρ型注入层，其中所述Ρ型注入层的第二层位于所述Ρ型注入层的所述第一层的下方，并且其中所述Ρ型注入层的第三层位于所述Ρ型注入层的所述第二层的下方。24.根据权利要求23所述的HVFET，其中所述第一ρ型注入层和所述第二 ρ型注入层通过所述η型阱的第一 η型区域分开，该第一 η型区域具有0.5微米-3微米的厚度，并且其中所述第二 Ρ型注入层和所述第三Ρ型注入层通过所述η型阱的第二 η型区域分开，该第二 η型区域具有0.5微米-3微米的厚度。25.一种用于制造高压场效应晶体管的方法，该方法包括: 在半导体衬底中形成一个主体区域； 在该半导体衬底中形成一个源极区域；以及 在该半导体衬底中形成一个漏极区域，该漏极区域通过该主体区域与该源极区域分开，其中形成该漏极区域包括: 在半导体衬底的在该漏极区域上方的表面上形成第一氧化物层，其中该第一氧化物层具有20纳米-500纳米的厚度；以及 穿过该氧化物层执行三个离子注入操作以在该漏极区域内形成三个分立的注入层，其中所述注入层中的每一个被沉积在该漏极区域内的不同深度处，并且其中所述三个分立的注入层中的每一个均具有0.1微米-2微米的厚度； 在该第一氧化物层的顶部上方形成第二氧化物层，其中该第二氧化物层具有0.1微米-2微米的厚度； 在该半导体衬底的在该漏极区域的顶部上方的表面上形成一个栅极氧化物层，其中该栅极氧化物层邻接该第一氧化物层和该第二氧化物层；以及 在该栅极氧化物层的顶部以及该第二氧化物层的一部分上方形成一个栅极电极。
【专利摘要】一种用于制造高压场效应晶体管的方法，包括在半导体衬底中形成一个主体区域、一个源极区域和一个漏极区域。该漏极区域通过该主体区域与该源极区域分开。形成该漏极区域包括：在半导体衬底的在该漏极区域上方的表面上形成一个氧化物层；以及在使该半导体衬底倾斜的同时穿过该氧化物层执行多个离子注入操作使得离子束以偏离垂线的角度撞击在该氧化物层上。所述多个注入操作在该漏极区域内形成相应的多个分立的注入层。所述注入层中的每一个形成在该漏极区域内的不同深度处。
【IPC分类】H01L21/335, H01L29/78
【公开号】CN105378934
【申请号】CN201480039829
【发明人】V·帕塔萨拉蒂, S·班纳吉
【申请人】电力集成公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2014年6月28日
【公告号】DE112014003246T5, US20150014770, WO2015006074A1