含有具有苯基生色团的硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物的制作方法

技术特征：

1.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)所示的水解性硅烷，该硅烷全体中硫原子相对于硅原子的比例为7摩尔％以上，

R¹_aR²_bSi(R³)_4-(a+b) 式(1)

式(1)中，R¹表示式(2)所示的有机基团，并且R¹通过Si-C键与硅原子结合，

式(2)中，X和Y分别表示氧原子或硫原子，但X和Y不同时表示同一种原子，R⁶表示可被取代的碳原子数1～10的烷基，R⁴表示可被取代的碳原子数1～10的亚烷基，R⁵表示可被取代的碳原子数1～10的烷基，n表示0～4的整数，

R²表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，并且R²通过Si-C键与硅原子结合，R³表示烷氧基、酰氧基或卤素基，a表示整数1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。

2.如权利要求1所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，硅烷全体中硫原子相对于硅原子的比例为7～50摩尔％。

3.如权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，该水解性硅烷为式(1)所示的水解性硅烷与其它水解性硅烷的组合，其它水解性硅烷为选自式(3)和式(4)中的至少1种水解性硅烷，

R⁷_cSi(R⁸)_4-c 式(3)

式(3)中，R⁷表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基团，并且R⁷通过Si-C键与硅原子结合，R⁸表示烷氧基、酰氧基或卤素基，c表示0～3的整数，

式(4)中，R⁹表示烷基，并且R⁹通过Si-C键与硅原子结合，R¹⁰表示烷氧基、酰氧基或卤素基，Y^R表示亚烷基或亚芳基，d表示整数0或1，e表示整数0或1。

4.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，作为下层膜形成用聚合物含有水解性硅烷的水解缩合物，所述水解性硅烷含有由权利要求1中记载的式(1)所示的水解性硅烷和权利要求3中记载的式(3)所示的水解性硅烷的组合。

5.如权利要求1～4的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，还含有酸作为水解催化剂。

6.如权利要求1～5的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，还含有水。

7.一种抗蚀剂下层膜，是通过将权利要求1～6的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上并烧成而得到的。

8.一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：将权利要求1～6的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上并烧成而形成抗蚀剂下层膜的工序，在所述下层膜上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜的工序，使所述抗蚀剂膜曝光的工序，在曝光后使抗蚀剂显影而得到抗蚀剂图案的工序，通过所述抗蚀剂图案来蚀刻抗蚀剂下层膜的工序，以及通过被图案化了的抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。

9.一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序，在有机下层膜上涂布权利要求1～6的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物并烧成而形成抗蚀剂下层膜的工序，在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜的工序，使所述抗蚀剂膜曝光的工序，在曝光后使抗蚀剂显影而得到抗蚀剂图案的工序，通过所述抗蚀剂图案来蚀刻抗蚀剂下层膜的工序，通过被图案化了的抗蚀剂下层膜来蚀刻有机下层膜的工序，以及通过被图案化了的有机下层膜对半导体基板进行加工的工序。

10.式(1’)所示的硅烷，

R¹_aR²_bSi(R³)_4-(a+b) 式(1’)

式(1’)中，R¹表示式(2’)所示的有机基团，并且R¹通过Si-C键与硅原子结合，

式(2’)中，X和Y分别表示氧原子或硫原子，但X和Y不同时表示同一种原子，R⁶表示可被取代的碳原子数1～10的烷基，R⁴表示可被取代的碳原子数1～10的亚烷基，R⁵表示可被取代的碳原子数1～10的烷基，n表示0～4的整数，

R²表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，并且R²通过Si-C键与硅原子结合，R³表示烷氧基、酰氧基或卤素基，a表示整数1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。