技术总结
本发明提供使用对KrF光也具有吸收的水解性硅烷的水解缩合物、用于形成能够作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)所示的水解性硅烷，该硅烷全体中硫原子相对于硅原子的比例为7摩尔％以上，本发明还是将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上并烧成而得到的抗蚀剂下层膜。式(1)中，R1表示式(2)所示的有机基团，并且R1通过Si‑C键与硅原子结合，R3表示烷氧基、酰氧基或卤素基，a表示整数1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。
技术研发人员：中岛诚;柴山亘;武田谕;高濑显司
受保护的技术使用者：日产化学工业株式会社
文档号码：201580031938
技术研发日：2015.06.16
技术公布日：2017.02.22