间。第一金属层120可采用铝（Al)、钼（Mo)、铜（Cu)、银（Ag) 等材料，厚度可以在3000至5000A之间。
[0069] S12:在第一金属层上覆盖光刻胶，并利用半色调掩膜版、灰色调掩模版或单狭缝 掩膜版进行曝光、显影。
[0070] 曝光、显影后，一部分区域的光刻胶全部保留，对应于扫描线、公共电极线和栅极； 一部分区域的光刻胶被部分去除，对应于第一像素电极；其余区域的光刻胶被全部去除。
[0071] S13:对第一金属层和透明电极层进行蚀刻，形成扫描线、公共电极线、薄膜晶体管 的栅极。
[0072] 扫描线、公共电极线和栅极均是由第一金属层和透明电极层组成的双层结构经过 蚀刻形成的。另外，此时第一像素电极的形状也已形成，但第一像素电极上仍覆盖有第一金 属层。
[0073] S14 :对光刻胶进行灰化。
[0074] 利用灰化工艺，将第一像素电极对应区域的光刻胶全部去除。同时，扫描线、公共 电极线和栅极对应区域的光刻胶也会被部分去除。
[0075] S15 :对第一金属层进行蚀刻，形成第一像素电极。
[0076] 将第一像素电极上覆盖的第一金属层蚀刻掉，即可形成第一像素电极层。
[0077] S16 :剥离剩余的光刻胶。
[0078] 如图2b所示，经过第一次掩膜版构图工艺，即可形成第一像素电极101、扫描线、 公共电极线102和栅极103。
[0079] S2 :如图2c所示，在完成上述步骤的基础上，覆盖一层栅极绝缘层104。
[0080] 栅极绝缘层104的材料可以采用氧化硅（SiOx)、氮化硅（SiNx)或二者的混合物， 厚度可以在2000至5_()A之间。
[0081] S3:在栅极绝缘层上形成氧化物半导体图形、数据线和薄膜晶体管的源极。
[0082] 其中，氧化物半导体图形包括薄膜晶体管的有源层和第二像素电极图形。本实施 例中，氧化物半导体图形、数据线和源极也可以在一次掩膜版构图工艺中形成，具体为：
[0083] S31 :如图2d所示，在栅极绝缘层104上依次形成氧化物半导体层150和第二金属 层 170。
[0084] 氧化物半导体层150可以采用ZnO基、SnO2基、In2O 3基等透明氧化物半导体材料， 厚度可以在200至.20Q.0A之间。第二金属层170的材料、厚度可以与第一金属层相同。
[0085] S32:在第二金属层上覆盖光刻胶，并利用半色调掩膜版、灰色调掩模版或单狭缝 掩膜版进行曝光、显影。
[0086] 曝光、显影后，一部分区域的光刻胶全部保留，对应于数据线和源极；一部分区域 的光刻胶被部分去除，对应于氧化物半导体图形；其余区域的光刻胶被全部去除。
[0087] S33:对第二金属层和氧化物半导体层进行蚀刻，形成数据线和薄膜晶体管的源 极。
[0088] 所形成的数据线和源极均是由第二金属层经过蚀刻形成的。另外，此时氧化物半 导体图形的形状也已形成，但氧化物半导体图形上仍覆盖有第二金属层。
[0089] S34 :对光刻胶进行灰化。
[0090] 利用灰化工艺，将氧化物半导体图形对应区域的光刻胶全部去除。同时，数据线和 源极对应区域的光刻胶也会被部分去除。
[0091] S35 :对第二金属层进行蚀刻，形成氧化物半导体图形。
[0092] 将氧化物半导体图形上覆盖的第二金属层蚀刻掉，即可形成氧化物半导体图形。
[0093] S36 :剥离剩余的光刻胶。
[0094] 如图2e所示，经过第二次掩膜版构图工艺，即可形成氧化物半导体图形、数据线 和源极107。其中，氧化物半导体图形包括薄膜晶体管的有源层105和第二像素电极图形 160〇
[0095] S4 :如图2f所示，在完成上述步骤的基础上，覆盖一层钝化层108。
[0096] 钝化层108的材料可以采用氧化硅（SiOx)、氮化硅（SiNx)或二者的混合物，厚度 可以在2000至5?〇A之间。
[0097] S5 :对钝化层进行蚀刻，露出氧化物半导体图形中的第二像素电极图形。具体包 括：
[0098] S51 :在钝化层上覆盖光刻胶，并利用掩膜版进行曝光、显影。
[0099] 曝光、显影后，一部分区域光刻胶被去除，对应于第二像素电极图形，其余区域的 光刻胶保留。
[0100] S52:对钝化层进行蚀刻，露出氧化物半导体图形中的第二像素电极图形。
[0101] 利用六氟化硫（SF6)，对第二像素电极图形对应区域的钝化层进行蚀刻，使第二像 素电极图形暴露出来。
[0102] S53 :剥离剩余的光刻胶。
[0103] 如图2g所示，经过第三次掩膜版构图工艺，即可形成钝化层108的图形，并且露出 第二像素电极图形160。
[0104] S6 :对氧化物半导体图形中的第二像素电极图形进行等离子体处理，形成第二像 素电极。
[0105] 可以利用SF6、N2、Ar、He等作为等离子体，对第二像素电极图形进行等离子体处 理，以提高透明金属氧化物半导体的电导率，使其电导率达到像素电极的要求，从而形成第 二像素电极。其中，SF 6既可以对钝化层进行蚀刻，也可以对第二像素电极图形进行等离子 体处理，并且为了提高等离子体处理的效果，在SF 6中加入了 N 2、Ar、He。
[0106] 如图1所示，经过上述步骤，即可形成本发明实施例提供的阵列基板。本发明实施 例提供的阵列基板的制造方法中，仅使用了三次掩膜版构图工艺，从而解决了现有的阵列 基板的制造过程过于复杂的技术问题，并且能够提高生产效率，降低生产成本。
[0107] 应当说明的是，在其他实施方式中，也可以单独通过一次掩膜版构图工艺形成第 一像素电极，再单独通过一次掩膜版构图工艺形成扫描线、公共电极线和栅极。则阵列基 板的制造过程中共使用四次掩膜版构图工艺，但相比于现有技术中使用六次掩膜版构图工 艺，仍然能够有效简化阵列基板的制造过程。
[0108] 虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采 用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本 发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化， 但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1. 一种阵列基板的制造方法，包括： 在衬底基板上形成扫描线、公共电极线、薄膜晶体管的栅极和第一像素电极； 覆盖一层栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体图形、数据线和薄膜晶体管的源极，其中，所述 氧化物半导体图形包括薄膜晶体管的有源层和第二像素电极图形； 覆盖一层钝化层； 对所述钝化层进行蚀刻，露出所述氧化物半导体图形中的第二像素电极图形； 对所述氧化物半导体图形中的第二像素电极图形进行等离子体处理，形成第二像素电 极。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述氧化物半导体图形中的第二像素 电极图形进行等离子体处理，具体为： 利用SF6、N2、Ar或He，对所述氧化物半导体图形中的第二像素电极图形进行等离子体 处理。3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成扫描线、公共电极线、 薄膜晶体管的栅极和第一像素电极，具体为： 在衬底基板上依次形成透明电极层和第一金属层； 在所述第一金属层上覆盖光刻胶，并利用半色调掩膜版、灰色调掩模版或单狭缝掩膜 版进行曝光、显影； 对所述第一金属层和所述透明电极层进行蚀刻，形成扫描线、公共电极线和薄膜晶体 管的栅极； 对光刻胶进行灰化； 对所述第一金属层进行蚀刻，形成第一像素电极； 剥离剩余的光刻胶。4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体 图形、数据线和薄膜晶体管的源极，具体为： 在栅极绝缘层上依次形成氧化物半导体层和第二金属层； 在所述第二金属层上覆盖光刻胶，并利用半色调掩膜版、灰色调掩模版或单狭缝掩膜 版进行曝光、显影； 对所述第二金属层和所述氧化物半导体层进行蚀刻，形成数据线和薄膜晶体管的源 极； 对光刻胶进行灰化； 对所述第二金属层进行蚀刻，形成氧化物半导体图形； 剥离剩余的光刻胶。5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述钝化层进行蚀刻，露出所述氧化物 半导体图形中的第二像素电极图形，具体为： 在所述钝化层上覆盖光刻胶，并利用掩膜版进行曝光、显影； 对所述钝化层进行蚀刻，露出所述氧化物半导体图形中的第二像素电极图形； 剥离剩余的光刻胶。6. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述钝化层进行蚀刻，具体为： 利用六氟化硫，对所述钝化层进行蚀刻。7. -种阵列基板，包括形成于衬底基板上的多个子像素单元，每个所述子像素单元中 包括薄膜晶体管和第二像素电极； 所述薄膜晶体管的有源层和所述第二像素电极位于同一图层； 所述有源层的材料为氧化物半导体，所述第二像素电极的材料为经等离子体处理的透 明氧化物半导体。8. 根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极形成于所述 衬底基板上，所述有源层位于所述栅极上方，且所述有源层与所述栅极之间形成有栅极绝 缘层； 所述薄膜晶体管的源极形成于所述有源层上。9. 根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括公共电极线、扫描线和数据 线； 所述公共电极线和所述扫描线均与所述栅极位于同一图层； 所述数据线与所述源极位于同一图层。10. 根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括形成于所述衬底基板上的第 一像素电极。
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，属于显示技术领域，解决了现有的阵列基板的制造过程过于复杂的技术问题。该阵列基板包括形成于衬底基板上的多个子像素单元，每个所述子像素单元中包括薄膜晶体管和第二像素电极；所述薄膜晶体管的有源层和所述第二像素电极位于同一图层；所述有源层的材料为氧化物半导体；所述第二像素电极的材料为经等离子体处理的氧化物半导体。本发明可用于IPS型或FFS型液晶显示器中。
【IPC分类】G02F1/1362, H01L27/12, H01L21/77, G02F1/1343, G02F1/1368
【公开号】CN105137672
【申请号】CN201510487237
【发明人】刘洋
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年8月10日