专利名称：高分子化合物、发光材料及发光元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及高分子化合物及含有高分子化合物的发光材料以及发光元件。
背景技术：
已知作为发光元件的发光层中所用的发光材料，在发光层中使用了显示来自三重态激发态的发光的化合物(以下有时称作磷光发光性化合物)的元件的发光效率高。在将磷光发光性化合物用于发光层中的情况下，通常来说，将向该化合物中添加基质而成的组合物作为发光材料使用。作为基质，已知可以合适地使用聚乙烯咔唑之类的高分子，因其可以利用涂布来形成薄膜(例如参照专利文献1)。
但是，此种元件具有驱动电压高的问题。另一方面，如果将聚芴等共轭系高分子化合物作为基质使用，则虽然可以实现低驱动电压，但是由于此种共轭系高分子化合物一般来说最低三重态激发能量小，因此被认为不适于作为基质使用(例如参照专利文献2)。实际上，例如由作为共轭系高分子化合物的聚芴和磷光发光性化合物构成的发光材料(非专利文献1)是发光效率极低的材料。另外，已知此种性能降低一般来说会随着来自磷光发光性化合物的发光波长变短而变得明显，特别是尚不知晓适于显示比绿色更短波长的发光波长的磷光发光性化合物的共轭系高分子化合物。即，本发明的目的在于，提供可以用于含有显示比绿色更短波长的发光波长的磷光发光性化合物的发光材料的基质中的共轭系高分子及含有它们的发光材料。
专利文献1特开2002-50483号公报 专利文献2特开2002-241455号公报 非专利文献1APPLIED PHYSICS LETTERS、80，13，2308(2002) 所以，本发明人等进行了深入研究，结果发现，在有关高分子的最低三重态激发能量的特定的系数，尤其是表示高分子的重复单元之间的共轭的程度的系数(电子共轭链系数或共轭链系数)与发光性能之间有明显的相关性，在这些系数处于特定的范围的高分子中可以获得在包括蓝色的宽广波长区域中发光的发光材料，从而完成了本发明。
发明内容
即，本发明如下所示。
1.一种组合物，是含有高分子和至少一种磷光发光性化合物的发光性的组合物，其特征是，该高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Ze为以下的范围。
0＜Ze≤2.00 (1) [这里，电子共轭链系数Ze定义为利用最小二乘法来线性近似函数Tm＝Tm(1/ne)时的斜率，其中，ne表示重复最小单元中所含的共轭电子数，Tm表示在对将重复最小单元结合而得的m聚体使数m从1到3逐一变化时的各m聚体的最低三重态激发能量。这里，共轭电子数仅考虑存在于重复最小单元的主链内的共轭电子。但是，在可以看到多个主要的重复最小单元的情况下，使用最小的Ze。]。
2.根据1.所述的组合物，是由高分子和至少一种磷光发光性化合物构成的发光性的组合物，该高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Ze为(1)的范围。
3.根据1.或2.所述的组合物，其特征是，高分子的主要的重复最小单元在主链上不会连续地具有2个以上可以断开主链的单键。(这里，所谓可以断开主链是指在将该单键切断的情况下，该主链断开。)。
4.根据1.～3.中任意一项所述的组合物，其中，高分子的最低三重态激发能量T1在2.7eV以上。(高分子的最低三重态激发能量T1使用利用最小二乘法来线性近似函数Tm＝Tm(1/ne)时ne为∞的外插值，其中所述Tm表示在对将重复最小单元结合而得的m聚体使数m从1到3逐一变化时各m聚体的最低三重态激发能量)。
5.根据1.～4.中任意一项所述的组合物，其中，高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Ze为0＜Ze≤2.00，并且高分子的最低三重态激发能量T1在2.8eV以上。
6.根据1.～4.中任意一项所述的组合物，其中，高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Ze为0＜Ze≤2.00，并且高分子的最低三重态激发能量T1在2.9eV以上。
7.根据1.～4.中任意一项所述的组合物，其中，高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Ze为0＜Ze≤2.00，并且高分子的最低三重态激发能量T1在3.0eV以上。
8.根据1.～4.中任意一项所述的组合物，其中，高分子的最低三重态激发能量T1(eV)为2.7≤T1≤5.0。
9.由高分子和磷光发光性化合物构成的8.所述的组合物，其特征是，所述高分子是含有由一种基本结构单元构成的片段的高分子，该基本结构单元的最低三重态激发能量TM1为3.6eV≤TM1≤5.5eV，该片段的最低三重态激发能量T1及该基本结构单元的如下定义的共轭链系数Z为2.7eV≤T1≤5.0eV，并且0.00＜Z≤0.50。(这里，基本结构单元的共轭链系数Z定义为利用最小二乘法来线性近似函数Tm＝Tm(1/m)时的斜率，其中，Tm表示在使基本结构单元数m从1到3逐一变化时m聚体的最低三重态激发能量。)。
10.根据9.所述的组合物，其中，构成该组合物的高分子中所含的片段的基本结构单元中所含的共轭电子数ne为ne≤6。
11.由高分子和磷光发光性化合物构成的8.所述的组合物，其特征是，所述高分子是含有由一种基本结构单元构成的片段的高分子，该基本结构单元的最低三重态激发能量TM1为3.2eV≤TM1＜3.6eV，该片段的最低三重态激发能量T1、最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO及该基本结构单元的共轭链系数Z为2.7eV≤T1≤5.0eV、1.4eV＜ELUMO≤5.0eV，并且0.00＜Z≤0.25。
12.由高分子和磷光发光性化合物构成的8.所述的组合物，其特征是，所述高分子是含有由一种基本结构单元构成的片段的高分子，该基本结构单元的最低三重态激发能量TM1为2.9eV≤TM1＜3.2eV，该片段的最低三重态激发能量T1、最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO及该基本结构单元的共轭链系数Z为2.7eV≤T1≤5.0eV、1.4eV＜ELUMO≤5.0eV，并且0.00＜Z≤0.13。
13.由高分子和磷光发光性化合物构成的8.所述的组合物，其特征是，所述高分子是含有由至少两种基本结构单元构成的片段的高分子，该片段的最低三重态激发能量T1及最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO满足2.7eV≤T1≤5.0eV及1.4eV＜ELUMO≤5.0eV的条件，并且如下定义的共轭链系数Z满足0.00＜Z≤0.40的条件。(这里，共轭链系数Z定义为利用最小二乘法来线性近似函数Tm＝Tm(1/m)时的斜率，其中，Tm表示在假想具有与构成该片段的各基本结构单元的组成比相同的基本结构单元组成比的最小单元的情况下，在使该最小单元的数m从1到3逐一变化时该最小单元的m聚体的最低三重态激发能量。) 14.一种发光性材料，其含有将发光性化合物作为局部结构含在同一分子内的发光性高分子，还含有主要的重复最小单元的电子共轭链系数Ze在1.～8.的任意一项所述的范围内的高分子，或上述发光性高分子的Ze在1.～8.的任意一项所述的范围内。
15.根据1.～14.中任意一项所述的组合物，其中，高分子的上述重复最小单元含有芳香环、包含杂原子的五元环以上的杂环、芳香族胺或以下述式(1)表示的结构的某种(这里，在该芳香环上或该杂环上，也可以带有从由烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、取代羧基及氰基构成的组中选择的取代基。) [化1]
(式中，P环及Q环分别独立地表示芳香环，然而P环也可以不存在。两个结合手在P环存在的情况下，分别存在于P环及/或Q环上，在P环不存在的情况下，分别存在于含有Y的五元环或六元环上及/或Q环上。另外，在芳香环上及/或含有Y的五元环或六元环上也可以带有从由烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、取代羧基及氰基构成的组中选择的取代基；Y表示-O-、-S-、-Se-、-B(R1)-、-Si(R2)(R3)-、-P(R4)-、-PR5(＝O)-、-C(R6)(R7)-、-N(R8)-、-C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-、-O-C(R13)(R14)-、-S-C(R15)(R16)-、-N-C(R17)(R18)-、-Si(R19)(R20)-C(R21)(R22)-、-Si(R23)(R24)-Si(R25)(R26)-、C(R27)＝C(R28)-、-N＝C(R29)-或-Si(R30)＝C(R31)-，R1～R31分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅氧基、取代甲硅氧基、1价的杂环基或卤原子。)。
16.根据15.所述的组合物，其中，高分子的上述重复最小单元由芳香环、包含杂原子的五元环以上的杂环、芳香族胺或以上述式(1)表示的结构构成。
17.根据1.～16.中任意一项所述的组合物，其中，在将组合物中所含的该磷光发光性化合物的最低三重态激发能量设为ETT的情况下， ETT＞T1-0.2(eV)。
18.一种上述组合物，是含有高分子和至少一种磷光发光性化合物的发光性的组合物，其特征是，该高分子的主要的重复最小单元以下述式(2)表示。
[化2]
(这里，R表示烷基。)。
19.一种组合物，是含有高分子和至少一种磷光发光性化合物的发光性的组合物，其特征是，该高分子的主要的重复最小单元以下述式(4)表示。
[化3]
(这里，R表示烷基，R1分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅氧基、取代甲硅氧基、1价的杂环基或卤原子。) 20.一种组合物，是含有高分子和至少一种磷光发光性化合物的发光性的组合物，其特征是，该高分子的主要的重复最小单元以下述式(5)表示。
[化4]
(这里，R表示烷基。)。
21.一种墨液组合物，其特征是，含有1.～20.中任意一项所述的组合物。
22.根据21.所述的墨液组合物，其粘度在25℃为1～100mPa·s。
23.一种发光性薄膜，其特征是，含有1.～20.中任意一项所述的组合物。
24.一种有机半导体薄膜，其特征是，含有1.～20.中任意一项所述的组合物。
25.一种光电元件，其特征是，含有1.～20.中任意一项所述的组合物。
26.一种光电元件，其特征是，在由阳极及阴极构成的电极之间，具有含有1.～20.中任意一项所述的组合物的层。
27.根据26.所述的光电元件，其中，在由阳极及阴极构成的电极之间，还含有电荷输送层或电荷阻止层。
28.根据25.～27.所述的光电元件，其中，光电元件为发光元件。
29.一种面状光源，其特征是，使用了28.中所述的发光元件。
30.一种分段显示装置，其特征是，使用了28.中所述的发光元件。
31.一种点矩阵显示装置，其特征是，使用了28.中所述的发光元件。
32.一种液晶显示装置，其特征是，将28.中所述的发光元件作为背光灯。
33.一种照明，其特征是，使用了28.中所述的发光元件。
这里，本发明的所谓共轭电子仅为一般来说在有机化学中被称作π共轭电子的电子，本发明中，不包含孤立电子。例如，具体来说，吡咯、噻吩、呋喃在每一个结构中具有4个共轭电子，苯或吡啶在每一个结构中具有6个共轭电子，萘、蒽、并四苯、并五苯分别在每一个结构中具有10个、14个、18个、22个共轭电子，芴或咔唑在每一个结构中具有12个共轭电子，三苯基胺在每一个结构中具有18个共轭电子， 电子共轭链系数Ze优选为0＜Ze≤2.00，更优选为0＜Ze≤2.00，并且该高分子的最低三重态激发能量T1(以下也称作T1能量)在2.8eV以上，进一步优选0＜Ze≤2.00，并且T1在2.9eV以上，特别优选0＜Ze≤2.00并且T1在3.0eV以上。
这里，高分子的最低三重态激发能量T1使用利用最小二乘法来线性近似函数Tm＝Tm(1/ne)时ne为∞的外插值，其中所述Tm表示在对将重复最小单元结合而得的m聚体使数m从1到3逐一变化时各m聚体的最低三重态激发能量。
对本发明的主要的重复最小单元进行说明。所谓主要的重复最小单元是指在高分子中可以看到的重复单元当中具有最大的重量百分率的重复单元，并且是在具有相同的重量百分率的重复单元当中具有最小的质量的重复单元。作为重量百分率虽然没有特别限制，但是从磷光发光的方面考虑，优选在50％以上，更优选在70％以上，进一步优选在80％以上，特别优选在90％以上。此种主要的重复最小单元一般来说可以通过详细地分析高分子的结构来看出，然而一般来说在特定的合成方法的情况下，可以根据所用的单体的结构和合成方法的公知的性质来确定。
另外，本发明提供一种由上述高分子和磷光发光性化合物构成的组合物，其特征是，是含有由一种基本结构单元构成的片段的高分子，该基本结构单元的最低三重态激发能量TM1为3.6eV≤TM1≤5.5eV，该片段的最低三重态激发能量T1及该基本结构单元的如下定义的共轭链系数Z为2.7eV≤T1≤5.0eV，并且0.00＜Z≤0.50。
(这里，基本结构单元的共轭链系数Z定义为利用最小二乘法来线性近似函数Tm＝Tm(1/m)时的斜率，其中，Tm表示在使基本结构单元数m从1到3逐一变化时的m聚体的最低三重态激发能量。)。
该高分子中所含的片段的基本结构单元中所含的共轭电子数ne优选为ne≤6。
另外，最好该基本结构单元的最低三重态激发能量TM1为3.2eV≤TM1＜3.6eV，该片段的最低三重态激发能量T1、最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO及该基本结构单元的如下定义的共轭链系数Z为2.7eV≤T1≤5.0eV、1.4eV＜ELUMO≤5.0eV，并且0.00＜Z≤0.25。
另外，最好该基本结构单元的最低三重态激发能量TM1为2.9eV≤TM1＜3.2eV，该片段的最低三重态激发能量T1、最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO及该基本结构单元的如下定义的共轭链系数Z为2.7eV≤T1≤5.0eV、1.4eV＜ELUMO≤5.0eV，并且0.00＜Z≤0.13。
另外，本发明提供一种由高分子和磷光发光性化合物构成的组合物，其特征是，是含有由至少两种基本结构单元构成的片段的高分子，该片段的最低三重态激发能量T1及最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO满足2.7eV≤T1≤5.0eV及1.4eV＜ELUMO≤5.0eV的条件，并且如下定义的共轭链系数Z满足0.00＜Z≤0.40的条件。
(这里，共轭链系数Z定义为利用最小二乘法来线性近似函数Tm＝Tm(1/m)时的斜率，其中，Tm是表示在设想具有与构成该片段的各基本结构单元的组成比相同的基本结构单元组成比的最小单元的情况下，在使该最小单元的数m从1到3逐一变化时该最小单元的m聚体的最低三重态激发能量。) 构成本发明的高分子中所含的片段的基本结构单元可以如下所示的指定。
例如，对在主链中具有亚芳基及/或2价的杂环的片段的情况进行说明。这里，在亚芳基中，包括具有苯环、稠环的亚芳基；将2个独立的苯环或稠环直接或像以芴例示的那样利用跨环结合了的亚芳基。所谓2价的杂环是指从杂环化合物中去除了2个氢原子的剩下的原子团。这里，所谓杂环化合物是指，具有环式结构的有机化合物当中的构成环的元素不仅是碳原子，还在环内包含氧、硫、氮、磷、硼等杂原子。
1)在存在有将片段的主链内存在的亚芳基及/或2价的杂环之间直接连结的单键的情况下，在该全部单键的位置上将片段切断。将如此得到的各个部分称为「结构单元」。
2)将上述结构单元中的、在主链部分不含有以-X-[X表示2价的杂原子(-O-、-S-、)、-(CO)-、-CR＝CR-、-C≡C-等。这里，R表示取代基。]表示的基的结构单元直接作为基本结构单元。
3)对于上述结构单元中的、在主链部分含有以上述-X-表示的基的结构单元，将通过在属于该-X-的2个结合手中的任意一个结合手处切断而生成的结构(分割单元结构)作为基本结构单元。但是，所切断的结合手以使分割单元结构的种类达到最少的方式来选择。
在并非如此的情况下，将上述结构单元作为基本结构单元。
以下将举例进行具体说明。
[例1]片段由 [化5]
表示的情况。(上述↑表示切断位置。以下相同。) 结构单元是苯，由于苯在主链部分不含有以上述-X-表示的基，因此基本结构单元就成为苯。
[例2]片段由 [化6]
表示的情况。(上述↓表示切断位置。以下相同。) 结构单元是苯及1，4-甲氧基-苯，由于苯及1，4-甲氧基-苯在主链部分不含有以上述-X-表示的基，因此基本结构单元就成为苯和1，4-甲氧基-苯。
[例3]片段由 [化7]
表示的情况。
结构单元是9，9’二辛基-芴和苯，由于它们都不含有以上述-X-表示的基，因此9，9’二辛基-芴和苯就成为基本结构单元。
[例4]片段由 [化8]
表示的情况。
结构单元是 [化9]
。由于在该结构单元中不含有以上述-X-表示的基，因此基本结构单元就与结构单元相同。
[例10]片段由 [化10]
表示的情况。(上述虚线箭头表示可以切断的位置。) 结构单元与上述片段相同。
由于在主链部分含有属于以上述-X-表示的基的-O-，因此选择各-O-的两个结合手中的一个切断，在向上的虚线箭头(或向下的虚线箭头)的位置切断的情况下，由于 [化11]
全都成为分割结构单元，分割结构单元的种类最少，因此该分割单元就成为基本结构单元。
[例11]片段由 [化12]
表示的情况。
结构单元与上述片段相同。
由于在主链部分含有属于以上述-X-表示的基的-O-，因此通过使分割单元的种类达到最少地选择切断位置，基本结构单元就成为 [化13]
和 [化14]
两种。
本发明的发光性的组合物可以发出绿色～蓝色的波长的光。所以，通过将含有本发明的高分子的发光材料用于电致发光元件等光电元件中，就可以提供特性更为优良的元件。
图1是表示本发明的实施例及比较例的电子共轭链系数Ze与PL量子收率(PLQY)(％)关系的图。
具体实施例方式 虽然也有利用实测来确定上述的最低三重态激发能量或最低未占分子轨道能量的方法，然而在本发明中，利用计算科学方法来确定。作为计算科学方法，已知有基于半经验方法及非经验方法的分子轨道法或密度泛函数法等。例如，为了实现结构最佳化或求得激发能量，也可以使用Hartree-Fock(HF)法或密度泛函数法。
本发明中，使用量子化学计算程序Gaussian98或Gaussian03，利用HP法，针对重复最小单元、构成片段的基本结构单元或满足各基本结构单元的组成比的最小单元，将重复最小单元、基本结构单元数或最小单元数设为m(其中，这里用于计算的m的值是1到3的整数。)，将重复最小单元、基本结构单元或最小单元的m聚体进行结构最佳化。此时，作为基函数，使用了6-31G*。另外，对于m聚体的最低未占分子轨道能量及最低三重态激发能量，在结构最佳化后，使用与上述相同的基底，使用了B3P86水平的时间依赖密度泛函数法。
另外，在(共轭系)高分子的重复单元中，例如含有链长度长的侧链等的情况下，可以将作为计算对象的化学结构的侧链部分简化为更短的侧链而进行计算(作为例子，在作为侧链具有辛基的情况下，对于与结合位置不相邻的侧链看作甲基计算，对于与结合位置相邻的侧链，看作丙基计算。在作为侧链具有辛氧基的情况下，看作甲氧基来计算)。
连结了n个重复最小单元或1种基本结构单元的片段，即由1种重复最小单元或基本结构单元组成的片段的最低三重态激发能量(Tn)可以使用如下得到的值，即，对在将重复最小单元数或基本结构单元数设为m时的m聚体的T1能量(Tm)，使用m聚体中所含的共轭电子数(ne)，设为1/(ne)的函数Tm＝Tm(1/(ne))，而使用利用最小二乘法进行线性近似后的(1/(ne))的该函数的外插值，电子共轭链系数Ze被定义为该线性近似直线的斜率。另外，连结了m个重复最小单元或基本结构单元的片段的最低未占分子轨道能量也可以利用相同的方法求得。特别是，1/(ne)＝0的最低三重态激发能量的值及最低未占分子轨道能量的绝对值相当于ne＝∞，从而赋予对于任意的ne的下限值。这里，在利用最小二乘法进行线性近似时或定义电子共轭链系数Ze时的m的值在本发明中为1～3的整数。
共轭链系数Z可以如下所示地求得。连结了n个1种基本结构单元的片段，即由1种基本结构单元组成的片段的最低三重态激发能量(Tn)可以使用如下得到的值，即，对在将基本结构单元数设为m时的该基本结构单元的m聚体的T1能量(Tm)设为1/m的函数Tm＝Tm(1/m)，使用利用最小二乘法进行线性近似后的(1/n)的该函数的外插值，电子共轭链系数Z被定义为该线性近似直线的斜率。另外，连结了n个基本结构单元的片段的最低未占分子轨道能量也可以利用相同的方法求得。特别是，1/(n)＝0的最低三重态激发能量的值及最低未占分子轨道能量的绝对值相当于n＝∞，从而赋予对于任意的n的下限值。这里，在利用最小二乘法进行线性近似时或定义电子共轭链系数Z时的m的值在本发明中为1到3的整数。
对于上述的电子共轭链系数Ze及共轭链系数Z，在由1种基本结构单元组成的片段的情况下，可以通过使用基本结构单元的共轭电子数ne利用以下的式子来变换。
Ze＝neZ 在由至少2种基本结构单元组成的片段的情况下，可以求出构成该片段的各基本结构单元的组成比。设想具有与该组成比相同的基本结构单元组成比的最小单元(即满足各基本结构单元的组成比的最小单元)，当将该片段中的该最小单元的数设为m时，则可以将片段看作该「最小单元」的m聚体。所以，在由至少2种基本结构单元组成的片段的情况下，在将满足构成该片段的各基本结构单元的组成比的最小单元的数设为m后，如果将该最小单元的m聚体的T1能量(Tm)设为1/m的函数Tm＝Tm(1/m)，则对于最小单元的n聚体的T1能量(Tn)可以作为利用最小二乘法来线性近似该函数后的(1/n)的外插值来求得。另外，共轭链系数Z可以利用该线性近似直线的斜率来定义。另外，对于作为最小单元的n聚体的片段的最低未占分子轨道能量，也可以利用相同的方法求得。这里，在利用最小二乘法进行线性近似时或定义电子共轭链系数Z时的m的值为1到3的整数。
本发明的组合物中所含的高分子也可以是在同一分子内作为局部结构含有磷光发光性化合物的高分子。
在本发明的组合物中所含的高分子中，作为局部结构加入了磷光发光性化合物的情况下，作为在同一分子内具有高分子(A)的结构、磷光发光性化合物(B)的结构的高分子的例子，可以举出 在高分子(A)的主链中具有发光性化合物(B)的结构的高分子； 在高分子(A)的末端具有发光性化合物(B)的结构的高分子； 在高分子(A)的侧链中具有发光性化合物(B)的结构的高分子。
作为磷光发光性化合物，使用显示来自三重态激发态的发光的化合物。
作为具有显示来自三重态激发态的发光的金属络合物结构的物质，例如可以举出以往被作为低分子系的EL发光性材料使用的物质。它们例如被公布于Nature，(1998)，395，151、Appl.Phys.Lett.(1999)，75(1)，4、Proc.SPIE-Int.Soc.Opt.Eng.(1001)，4105(Organic Light-EmittingMaterials and Devices IV)，119、J.Am.Chem.Soc.，(2001)，123，4304、Appl.Phys.Lett.，(1997)，71(18)，2596、Syn.Met.，(1998)，94(1)，103、Syn.Met.，(1999)，99(2)，1361、Syn.Met.，(1999)，11(10)，852、Inorg.Chem.，(2003)，42，8609、Inorg.Chem.，(2004)，43，6513、Journal of the SID11/1、161(2003)、WO2002/066552、WO2004/020504、WO2004/020448等中。其中，从获得高效率的观点考虑，最好金属络合物的最高占有分子轨道(HOMO)中，中心金属的最外层d轨道的轨道系数的平方之和在全部原子轨道系数的平方之和中所占的比例在1/3以上，例如可以举出中心金属为属于第6周期的过渡金属的原金属化络合物等。
作为三重态发光络合物的中心金属，通常来说为原子编号在50以上的原子，是与在该络合物中有自旋-轨道相互作用，可以引起单重态与三重态之间的项间蹿跃的金属，例如优选金、铂、铱、锇、铼、钨、铕、铽、铥、镝、钐、镨、钆、镱原子，更优选金、铂、铱、锇、铼、钨原子，进一步优选金、铂、铱、锇、铼原子，最优选金、铂、铱、铼。
作为三重态发光络合物的配位体，例如可以举出8-羟基喹啉及其衍生物、苯并喹啉及其衍生物、2-苯基-吡啶及其衍生物等。
从发光效率的方面考虑，在将显示来自三重态激发态的发光的化合物(磷光发光性化合物)的最低三重态激发能量设为ETT的情况下，最好 ETT＞T1-0.2(eV)。
本发明的组合物中的显示来自三重态激发态的发光的发光材料(磷光发光性化合物)的量由于随着所组合的高分子的种类、想要最佳化的特性而不同，因此没有特别限定，然而在将组合物整体量设为100重量份后，则通常为0.01～80重量份，优选0.1～60重量份，更优选0.1～30质量份，进一步优选0.1～10质量份，特别优选0.1～5质量份。另外，也可以含有2种以上的金属络合物。
本发明的组合物中所含的高分子只要该高分子满足上述的电子共轭链系数Ze或共轭链系数Z所具有的特定的关系，就没有特别限定，然而优选使用主要的重复最小单元在主链上不连续地具有2个以上可以断开主链的单键的共轭系高分子。这里，所谓可以断开主链是指，在将该单键切断的情况下，重复最小单元的主链即断开，该主链被中断。
更具体来说，优选在主链中具有亚芳基或2价的杂环的物质，优选含有芳香环、含有杂原子的五元环以上的杂环、芳香族胺或以下述式(1)表示的结构的某种。
这里，在芳香环化合物基上、杂环化合物基上或芳香族胺化合物基上，带有从由烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、取代羧基及氰基构成的组中选择的取代基。
[化15]
式(1) 这里，P环及Q环分别独立地表示芳香环，然而P环也可以不存在。两个结合手在P环存在的情况下，分别存在于P环及/或Q环上，在P环不存在的情况下，分别存在于含有Y的五元环或六元环上及/或Q环上。另外，在芳香环上及/或含有Y的五元环或六元环上也可以带有从由烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、取代羧基及氰基构成的组中选择的取代基。Y表示-O-、-S-、-Se-、-B(R1)-、-Si(R2)(R3)-、-P(R4)-、-PR5(＝O)-、-C(R6)(R7)-、-N(R8)-、-C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-、-O-C(R13)(R14)-、-S-C(R15)(R16)-、-N-C(R17)(R18)-、-Si(R19)(R20)-C(R21)(R22)-、-Si(R23)(R24)-Si(R25)(R26)-、C(R27)＝C(R28)-、-N＝C(R29)-或-Si(R30)＝C(R31)-，R1～R31分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅氧基、取代甲硅氧基、1价的杂环基或卤原子。其中，优选烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、1价的杂环基，更优选烷基、烷氧基、芳基、1价的杂环基，特别优选烷基、芳基。
作为芳香族胺，可以举出以下述的式表示的结构。
[化16]
(式中，Ar6、Ar7、Ar8及Ar9分别独立地表示亚芳基或2价的杂环基团。Ar10、Ar11及Ar12分别独立地表示芳基或1价的杂环基。Ar6、Ar7、Ar8及Ar9、和Ar10也可以带有取代基。x及y分别独立地表示0或1，0≤x+y≤1。) 作为以上述式(1)表示的结构，可以举出以下述式(1-1)、(1-2)或(1-3)表示的结构 [化17]
(式中，A环、B环及C环分别独立地表示芳香环。式(1-1)、(1-2)及(1-3)分别也可以带有从由烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、取代羧基及氰基构成的组中选择的取代基。Y表示与上述相同的意思。)；及 以下述式(1-4)或(1-5)表示的结构 [化18]
(式中，D环、E环、F环及G环分别独立地表示也可以带有从由烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、取代羧基及氰基构成的组中选择的取代基的芳香环。Y表示与上述相同的意思。)。
从获得高发光效率的观点考虑，上述式(1-4)或(1-5)中，Y优选为C原子、N原子、O原子或S原子。
上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)、(1-4)及(1-5)中，A环、B环、C环、D环、E环、F环及G环分别独立地表示芳香环。作为该芳香环，可以举出苯环、萘环、蒽环、并四苯环、并五苯环、芘环、菲环等芳香族烃类；吡啶环、联吡啶、菲咯啉环、喹啉环、异喹啉环、噻吩环、呋喃环、吡咯环等杂芳香环。
本发明的组合物中所含的高分子只要该高分子的上述的电子共轭链系数Ze或共轭链系数Z满足上述的关系，就没有特别限定，然而例如在此种高分子的优选的结构之一，可以举出重复最小单元含有从芳香环、含有杂原子的五元环以上的杂环、芳香族胺或以上述式(1)表示的结构中选择的某种结构的高分子。虽然没有特别限定，然而作为具体例，可以举出如下所示的例子。这里，下式(3-1)～(3-13)中，R表示取代基，R1表示氢原子或取代基。作为R、R1的取代基，可以例示出卤原子、烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酸酰亚胺基、亚胺残基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅氧基、取代甲硅烷基硫基、取代甲硅烷基氨基、1价的杂环基、杂芳基氧基、杂芳基硫基、芳基链烯基、芳基乙炔基、取代羧基或氰基。多个R、R1既可以相同也可以不同。作为R，优选烷基、芳基、芳基烷基、1价的杂环基。
[化19]
[化20-1]
[化20-2]
[化20-3]
另外，作为本发明的高分子，作为更为优选的结构，例如可以具体地举出以下所示的结构。
本发明的组合物也可以还含有副成分。例如，也可以作为含有本发明的高分子；和从空穴输送材料、电子输送材料及发光材料中选择的至少一种材料的组合物使用。
作为电荷输送性材料，可以举出空穴输送材料及电子输送材料。作为空穴输送材料，可以举出芳香族胺、咔唑衍生物、聚对亚苯衍生物等迄今为止在有机EL元件中作为空穴输送材料使用的材料，作为电子输送材料也可以同样地举出迄今为止在有机EL元件中作为电子输送材料使用的噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二苯酚合苯醌衍生物或8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物。作为电荷输送材料的低分子有机化合物，可以举出在低分子有机EL元件中所用的主体化合物、电荷注入输送化合物，具体来说，例如可以举出「有机EL显示器」(时任静士、安达千波矢、村田英幸合著、Ohm公司)107页、月刊显示器、vol9、No9、2003年26-30页、特开2004-244400、特开2004-277377等中记载的化合物。
另外，作为电荷输送性材料也可以使用高分子。作为高分子，可以举出非共轭系高分子、共轭系高分子。作为非共轭系高分子，可以举出聚乙烯咔唑等。作为共轭系高分子，只要不明显地妨碍发光，则也可以含有1或2所述的共轭系高分子，例如可以举出聚芴、聚二苯并噻吩、聚二苯并呋喃、polydibenzosilole等。
本发明的组合物中所用的高分子的聚苯乙烯换算的数均分子量优选为103～108，更优选为104～106。聚苯乙烯换算的重均分子量优选为103～108，更优选为5×104～5×106。
另外，本发明的组合物除了电荷输送性材料以外，也可以还含有发光材料，作为该发光材料，例如可以例示出与上述的发光性化合物相同的化合物。
在本发明的组合物含有显示来自三重态激发态的发光的磷光发光性分子的情况下，在将该组合物中所含的高分子及显示来自三重态激发态的发光的发光材料的最低三重态激发能量分别设为ETP及ETT的情况下，最好 ETT＞ETP-0.2(eV) (4)。
作为与高分子组合使用的显示来自三重态激发态的发光的发光材料，只要是满足上述式(4)的关系的化合物，就没有特别限定，然而优选具有金属络合物结构的化合物。作为其具体例，可以举出上述的例子。
本发明的墨液组合物的特征是，含有本发明的高分子或组合物。作为墨液组合物，只要含有从本发明的共轭系高分子或组合物中选择的1种以上的物质即可，除此以外也可以还含有空穴输送材料、电子输送材料、发光材料、溶剂、稳定剂等添加剂。
该墨液组合物中的含有本发明的共轭系高分子或组合物的固体物质的比例相对于除去溶剂以外的组合物的总重量通常来说为20wt％～100wt％，优选40wt％～100wt％。
另外，在墨液组合物中含有溶剂时的溶剂的比例相对于组合物的总重量来说为1wt％～99.9wt％，优选60wt％～99.5wt％，更优选80wt％～99.0wt％。
墨液组合物的粘度根据印刷法而不同，在喷墨法等墨液组合物经由喷出装置的情况下，为了防止喷出时的堵塞或飞行弯曲，粘度优选在25℃下为1～20mPa·s的范围。
本发明的墨液组合物(以下也简称为溶液或本发明的溶液)除了本发明的高分子或组合物以外，也可以含有用于调节粘度及/或表面张力的添加剂。作为该添加剂，只要将用于提高粘度的高分子量的高分子化合物(增稠剂)或不良溶剂、用于降低粘度的低分子量的化合物、用于降低表面张力的表面活性剂等适当地组合使用即可。
作为上述的高分子量的高分子化合物(增稠剂)，只要是在与本发明的共轭系高分子或组合物相同的溶剂中是可溶性的，不会妨碍发光或电荷输送的物质即可。例如可以使用高分子量的聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯等。重均分子量优选在50万以上，更优选在100万以上。
也可以将不良溶剂作为增稠剂使用。即，通过少量添加相对于溶液中的固体成分的不良溶剂，就可以提高粘度。在出于该目的添加不良溶剂时，只要在溶液中的固体成分不析出的范围内选择溶剂的种类和添加量即可。如果还考虑保存时的稳定性，则不良溶剂的量相对于溶液整体优选在50wt％以下，更优选在30wt％以下。
另外，为了改善保存稳定性，本发明的溶液也可以除了本发明的共轭系高分子或组合物以外，还含有抗氧化剂。作为抗氧化剂，只要是在与本发明的共轭系高分子或组合物相同的溶剂中是可溶性的，不会妨碍发光或电荷输送的物质即可，可以例示出酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂等。
作为由溶液进行的成膜中所用的溶剂，优选可以将空穴输送性材料溶解或均一地分散的溶剂。作为该溶剂可以例示出氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂；四氢呋喃、二噁烷等醚系溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂；环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪族烃系溶剂；丙酮、甲乙酮、环己酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂；乙二醇、乙二醇单丁醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三甘醇单乙醚、丙三醇、1，2-己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等醇系溶剂；二甲亚砜等亚砜系溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂。另外，这些有机溶剂可以单独或组合多种使用。上述溶剂当中，优选含有一种以上如下的有机溶剂，其具有至少含有一个以上的苯环的结构，并且熔点在0℃以下，沸点在100℃以上。
作为溶剂的种类，从向有机溶剂中的溶解性、成膜时的均一性、粘度特性等观点考虑，优选芳香族烃系溶剂、脂肪族烃系溶剂、酯系溶剂、酮系溶剂，优选甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、正丙苯、异丙苯、正丁苯、异丁苯、仲丁苯、苯甲醚、乙氧基苯、1-甲基萘、环己烷、环己酮、环己基苯、联环己烷、环己烯环己酮、正庚基环己烷、正己基环己烷、2-丙基环己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-辛酮、2-壬酮、2-癸酮、二环己基酮，更优选含有二甲苯、苯甲醚、环己基苯、联环己烷中的至少一种。
溶液中的溶剂的种类从成膜性的观点或元件特性等观点考虑，优选为2种以上，更优选为2～3种，进一步优选为2种。
在溶液中含有2种溶剂的情况下，其中的1种溶剂在25℃下也可以是固体状态。从成膜性的观点考虑，优选1种溶剂是沸点在180℃以上的溶剂，另一种溶剂是沸点在180℃以下的溶剂，更优选1种溶剂是沸点在200℃以上的溶剂，另一种溶剂是沸点在180℃以下的溶剂。另外，在作为组合物使用高分子化合物的情况下，从粘度的观点考虑，最好2种溶剂在60℃下都溶解1wt％以上的高分子化合物，优选在2种溶剂中的1种溶剂中，在25℃溶解1wt％以上的高分子化合物。
在溶液中含有3种溶剂的情况下，其中的1～2种溶剂在25℃下也可以是固体状态。从成膜性的观点考虑，优选3种溶剂中的至少1种溶剂是沸点在180℃以上的溶剂，至少1种溶剂是沸点在180℃以下的溶剂，更优选3种溶剂中的至少1种溶剂是沸点在200℃以上300℃以下的溶剂，至少1种溶剂是沸点在180℃以下的溶剂。另外，从粘度的观点考虑，最好在3种溶剂中的2种溶剂中，在60℃下溶解1wt％以上的高分子化合物，优选在3种溶剂中的1种溶剂中，在25℃溶解1wt％以上的高分子化合物。
在溶液中含有2种以上的溶剂的情况下，从粘度及成膜性的观点考虑，沸点最高的溶剂优选为溶液中的全部溶剂的重量的40～90wt％，更优选50～90wt％，进一步优选65～85wt％。
作为本发明的溶液，从粘度及成膜性的观点考虑，优选由苯甲醚及联环己烷构成的溶液、由苯甲醚及环己基苯构成的溶液、由二甲苯及联环己烷构成的溶液、由二甲苯及环己基苯构成的溶液。
在作为组合物使用高分子化合物的情况下，从高分子化合物向溶剂中的溶解性的观点考虑，溶剂的溶解度参数与高分子化合物的溶解度参数的差优选在10以下，更优选在7以下。
溶剂的溶解度参数和高分子化合物的溶解度参数可以利用「溶剂手册(讲谈社刊、1976年)」中记载的方法来求得。
本发明的墨液组合物最好粘度在25℃为1～100mPa·s。
而且，本发明的共轭系高分子或组合物不仅可以作为发光性薄膜的发光材料使用，还可以作为有机半导体材料、光学材料或者利用掺杂而作为导电性材料使用。
下面，对本发明的光电元件进行说明。本发明的光电元件的特征是，在由阳极及阴极构成的电极之间，具有含有本发明的金属络合物或本发明的组合物的层，例如可以作为发光元件、开关元件、光电转换元件使用。在该元件为发光元件的情况下，含有本发明的共轭系高分子或组合物的层优选为发光层。
另外，作为本发明的光电元件，在由阳极及阴极构成的电极之间，也可以还含有电荷输送层或电荷阻止层。所谓电荷输送层是指空穴输送层或电子输送层，所谓电荷阻止层是指空穴阻止层或电子阻止层。可以举出如下的发光元件等，即，在阴极与光电层之间，设置了电子输送层或空穴阻止层的发光元件；在阳极与光电层之间，设置了空穴输送层或电子阻止层的发光元件；在阴极与光电层之间，设置了电子输送层或空穴阻止层，并且在阳极与光电层之间，设置了空穴输送层或电子阻止层的发光元件。这里，电子输送层和空穴阻止层可以像「有机EL大全」162页(城户淳二著、日本实业出版)中记载的那样，使用具有相同的功能，例如构成电子输送层和空穴阻止层的材料相同的层，有时利用材料的特性，更强地反映某种功能。空穴输送层和电子阻止层也相同。在本发明的发光元件中，例如可以举出专利文献(Jourual of the SID 11/1，161-166，2003)中记载的元件结构的例子。
另外，作为本发明的光电元件，还可以举出在上述至少一方的电极与光电层之间与该电极相邻地设置了含有导电性高分子的层的发光元件；在至少一方的电极与光电层之间与该电极相邻地设置了平均膜厚在2nm以下的缓冲层的发光元件。
具体来说，可以例示出以下的a)～d)的结构。
a)阳极/光电层/阴极 b)阳极/空穴输送层/光电层/阴极 c)阳极/光电层/电子输送层/阴极 d)阳极/空穴输送层/光电层/电子输送层/阴极 (这里，/表示各层被相邻地层叠。以下相同。) 这里，所谓光电层是具有光电功能的层，即，是具有发光性、导电性、光电转换功能的薄膜，所谓空穴输送层是具有输送空穴的功能的层，所谓电子输送层是具有输送电子的功能的层。而且，将电子输送层和空穴输送层总称为电荷输送层。
光电层、空穴输送层、电子输送层也可以分别独立地使用2层以上。
另外，对于与电极相邻地设置的电荷输送层当中的、具有改善从电极中的电荷注入效率的功能并具有降低元件的驱动电压的效果的层，一般来说有时特别称作电荷注入层(空穴注入层、电子注入层)。
另外，为了提高与电极的密接性或改善从电极中的电荷注入，也可以与电极相邻地设置上述的电荷注入层或膜厚在2nm以下的绝缘层，另外，为了提高界面的密接性或防止混合等，也可以在电荷输送层或光电层的界面插入薄的缓冲层。
另外，为了输送电子并且关入空穴，也可以在与光电层的界面插入空穴阻止层。
对于所层叠的层的顺序或数目以及各层的厚度，可以考虑发光效率或元件寿命而适当地使用。
本发明中，作为设置了电荷注入层(电子注入层、空穴注入层)的发光元件，可以举出与阴极相邻地设置了电荷注入层的发光元件、与阳极相邻地设置了电荷注入层的发光元件。
例如，具体来说，可以举出以下的e)～p)的结构。
e)阳极/电荷注入层/光电层/阴极 f)阳极/光电层/电荷注入层/阴极 g)阳极/电荷注入层/光电层/电荷注入层/阴极 h)阳极/电荷注入层/空穴输送层/光电层/阴极 i)阳极/空穴输送层/光电层/电荷注入层/阴极 j)阳极/电荷注入层/空穴输送层/光电层/电荷注入层/阴极 k)阳极/电荷注入层/光电层/电荷输送层/阴极 l)阳极/光电层/电子输送层/电荷注入层/阴极 m)阳极/电荷注入层/光电层/电子输送层/电荷注入层/阴极 n)阳极/电荷注入层/空穴输送层/光电层/电荷输送层/阴极 o)阳极/空穴输送层/光电层/电子输送层/电荷注入层/阴极 p)阳极/电荷注入层/空穴输送层/光电层/电子输送层/电荷注入层/阴极 作为电荷注入层的具体的例子，可以例示出如下的层等，即，含有导电性高分子的层；设于阳极与空穴输送层之间，并含有具有阳极材料与空穴输送层中所含的空穴输送材料的中间的值的离子化势的材料的层；设于阴极与电子输送层之间，并含有具有阴极材料与电子输送层中所含的电子输送材料的中间的值的电子亲和力的材料的层。
在上述电荷注入层是含有导电性高分子的层的情况下，该导电性高分子的电导率优选在10-5S/cm以上103S/cm以下，为了减小发光像素之间的漏电流，更优选在10-5S/cm以上102S/cm以下，进一步优选在10-5S/cm以上101S/cm以下。
通常来说，为了将该导电性高分子的电导率设为10-5S/cm以上103S/cm以下，要在该导电性高分子中掺杂适量的离子。
对于所掺杂的离子的种类，如果是空穴注入层，则为阴离子，如果是电子注入层，则为阳离子。作为阴离子的例子，可以例示出聚苯乙烯磺酸根离子、烷基苯磺酸根离子、樟脑磺酸根离子等，作为阳离子的例子，可以例示出锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子等。
作为电荷注入层的膜厚，例如为1nm～100nm，优选2nm～50nm。
电荷注入层中所用的材料只要利用与电极或相邻的层的材料的关系适当地选择即可，可以例示出聚苯胺及其衍生物、聚氨基苯及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚亚噻吩基亚乙烯基及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主链或侧链中含有芳香族胺结构的聚合物等导电性高分子、金属酞菁(铜酞菁等)、碳等。
膜厚在2nm以下的绝缘层具有使得电荷注入更为容易的功能。作为上述绝缘层的材料，可以举出金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。作为设置了膜厚在2nm以下的绝缘层的发光元件，可以举出与阴极相邻地设置了膜厚在2nm以下的绝缘层的发光元件、与阳极相邻地设置了膜厚在2nm以下的绝缘层的发光元件。
具体来说，例如可以举出以下的q)～ab)的结构。
q)阳极/膜厚在2nm以下的绝缘层/光电层/阴极 r)阳极/光电层/膜厚在2nm以下的绝缘层/阴极 s)阳极/膜厚在2nm以下的绝缘层/光电层/膜厚在2nm以下的绝缘层/阴极 t)阳极/膜厚在2nm以下的绝缘层/空穴输送层/光电层/阴极 u)阳极/空穴输送层/光电层/膜厚在2nm以下的绝缘层/阴极 v)阳极/膜厚在2nm以下的绝缘层/空穴输送层/光电层/膜厚在2nm以下的绝缘层/阴极 w)阳极/膜厚在2nm以下的绝缘层/光电层/电子输送层/阴极 x)阳极/光电层/电子输送层/膜厚在2nm以下的绝缘层/阴极 y)阳极/膜厚在2nm以下的绝缘层/光电层/电子输送层/膜厚在2nm以下的绝缘层/阴极 z)阳极/膜厚在2nm以下的绝缘层/空穴输送层/光电层/电子输送层/阴极 aa)阳极/空穴输送层/光电层/电子输送层/膜厚在2nm以下的绝缘层/阴极 ab)阳极/膜厚在2nm以下的绝缘层/空穴输送层/光电层/电子输送层/膜厚在2nm以下的绝缘层/阴极 空穴阻止层是具有输送电子并且将由阳极输送的空穴关入的作用的层，被设于光电层的阴极侧的界面上，由具有比光电层的离子化势更大的离子化势的材料，例如Bathocuproine、8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物等构成。
作为空穴阻止层的膜厚，例如为1nm～100nm，优选2nm～50nm。
具体来说，例如可以举出以下的ac)～an)的结构。
ac)阳极/电荷注入层/光电层/空穴阻止层/阴极 ad)阳极/光电层/空穴阻止层/电荷注入层/阴极 ae)阳极/电荷注入层/光电层/空穴阻止层/电荷注入层/阴极 af)阳极/电荷注入层/空穴输送层/光电层/空穴阻止层/阴极 ag)阳极/空穴输送层/光电层/空穴阻止层/电荷注入层/阴极 ah)阳极/电荷注入层/空穴输送层/光电层/空穴阻止层/电荷注入层/阴极 ai)阳极/电荷注入层/光电层/空穴阻止层/电荷输送层/阴极 aj)阳极/光电层/空穴阻止层/电荷输送层/电荷注入层/阴极 ak)阳极/电荷注入层/光电层/空穴阻止层/电子输送层/电荷注入层/阴极 al)阳极/电荷注入层/空穴输送层/光电层/空穴阻止层/电荷输送层/阴极 am)阳极/空穴输送层/光电层/空穴阻止层/电子输送层/电荷注入层/阴极 an)阳极/电荷注入层/空穴输送层/光电层/空穴阻止层/电子输送层/电荷注入层/阴极 在制作本发明的光电元件之时，不仅是在由溶液将含有电荷输送材料的光电材料成膜的情况下，在涂布该溶液后利用干燥将溶剂除去，另外在混合了电荷输送材料或发光材料的情况下，也可以应用相同的方法，在制造上非常有利。作为由溶液进行的成膜方法，可以使用旋转涂覆法、浇注法、微型凹版印刷涂覆法、凹版印刷涂覆法、棒涂法、辊涂法、拉丝锭涂覆法、浸涂法、喷涂法、网板印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨法等涂布法。另外，在含有电荷输送材料的发光材料是比较低的分子的情况下，也可以使用真空蒸镀法来形成光电层。
本发明的发光元件中，也可以在光电层即发光层中混合使用本发明的光电材料以外的发光材料。另外，本发明的光电元件中，也可以将含有本发明以外的发光材料的发光层与含有本发明的发光材料的光电层层叠。
作为该发光材料，可以使用公知的材料。如果是低分子化合物，则可以使用例如萘衍生物、蒽或其衍生物、苝或其衍生物、聚次甲基系、呫吨系、香豆素系、花青系等色素类、8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯或其衍生物或者四苯基丁二烯或其衍生物等。
具体来说，例如可以使用记载于特开昭57-51781号、相同的59-194393号公报中的材料等公知的材料。
在本发明的光电元件具有空穴输送层的情况下，作为所使用的空穴输送材料，可以例示出聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚氨基苯或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物或聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物等。
具体来说，作为该空穴输送材料，可以例示出特开昭63-70527号公报、相同的63-175860号公报、特开平2-135359号公报、相同的2-135361号公报、相同的2-209988号公报、相同的3-37992号公报、相同的3-152184号公报中记载的材料等。
它们当中，作为空穴输送层中所用的空穴输送材料，优选聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中具有芳香族胺化合物基的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚氨基苯或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物或聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物等高分子空穴输送材料，更优选聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物。在低分子的空穴输送材料的情况下，最好分散于高分子粘合剂中使用。
聚乙烯咔唑或其衍生物例如可以由乙烯基单体利用阳离子聚合或自由基聚合获得。
作为聚硅烷或其衍生物，可以例示出化学综述(Chem.Rev.)第89卷、1359页(1989年)、英国专利GB2300196号公开说明书中记载的化合物等。合成方法虽然也可以使用它们中所记载的方法，然而特别优选使用Kipping法。
聚硅氧烷或其衍生物由于在硅氧烷骨架结构中基本上没有空穴输送性，因此优选使用在侧链或主链上具有上述低分子空穴输送材料的结构的物质。特别是可以例示出在侧链或主链上具有空穴输送性的芳香族胺的物质。
对于空穴输送层的成膜的方法没有限制，然而如果是低分子空穴输送材料，则可以例示出由与高分子粘合剂的混合溶液进行成膜的方法。另外，如果是高分子空穴输送材料，则可以例示出利用由溶液进行成膜的方法。
作为由溶液进行成膜中所用的溶剂，只要是可以溶解空穴输送材料的溶剂，就没有特别限制。作为该溶剂，可以例示出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂；四氢呋喃等醚系溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂；丙酮、甲乙酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂。
作为由溶液进行的成膜方法，可以使用由溶液进行的旋转涂覆法、浇注法、微型凹版印刷涂覆法、凹版印刷涂覆法、棒涂法、辊涂法、拉丝锭涂覆法、浸涂法、喷涂法、网板印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨法等涂布法。
作为所混合的高分子粘合剂，优选不会极度地阻碍电荷输送的粘合剂，另外优选使用对可见光的吸收不强的粘合剂。作为该高分子粘合剂，可以例示出聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。
作为空穴输送层的膜厚，最佳值根据所用的材料而各异，只要以使得驱动电压与发光效率达到适度的值的方式来选择即可，至少需要不会产生针孔的厚度，如果太厚，则元件的驱动电压变高，因此不够理想。所以，作为该空穴输送层的膜厚，例如为1nm到1μm，优选2nm～500nm，进一步优选5nm～200nm。
在本发明的光电元件具有电子输送层的情况下，作为所用的电子输送材料，可以使用公知的材料，可以例示出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二苯酚合苯醌衍生物或8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。
具体来说，可以例示出特开昭63-70527号公报、相同的63-175860号公报、特开平2-135359号公报、相同的2-135361号公报、相同的2-209988号公报、相同的3-37992号公报、相同的3-152184号公报中记载的材料等。
它们当中，优选氨基噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物或8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物，更优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝、聚喹啉。
作为电子输送层的成膜法没有特别限制，然而如果是低分子电子输送材料，则可以例示出由粉末进行的真空蒸镀法或由溶液或熔融状态进行的成膜的方法，如果是高分子电子输送材料，则可以例示出由溶液或熔融状态进行的成膜的方法。在由溶液或熔融状态进行成膜时，也可以并用高分子粘合剂。
作为由溶液进行的成膜中所用的溶剂，只要是可以溶解电子输送材料及/或高分子粘合剂的溶剂，就没有特别限制。作为该溶剂，可以例示出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂；四氢呋喃等醚系溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂；丙酮、甲乙酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂。
作为由溶液或熔融状态进行的成膜方法，可以使用旋转涂覆法、浇注法、微型凹版印刷涂覆法、凹版印刷涂覆法、棒涂法、辊涂法、拉丝锭涂覆法、浸涂法、喷涂法、网板印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨法等涂布法。
作为所混合的高分子粘合剂，优选不会极度地阻碍电荷输送的粘合剂，另外优选使用对可见光的吸收不强的粘合剂。作为该高分子粘合剂，可以例示出聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚氨基苯或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯或聚硅氧烷等。
作为电子输送层的膜厚，最佳值根据所用的材料而各异，只要以使得驱动电压与发光效率达到适度的值的方式来选择即可，至少需要不会产生针孔的厚度，如果太厚，则元件的驱动电压变高，因此不够理想。所以，作为该电子输送层的膜厚，例如为1nm到1μm，优选2nm～500nm，进一步优选5nm～200nm。
形成本发明的光电元件的基板只要是形成电极并在形成该光电元件的各层之时不会变化的基板即可，例如可以例示出玻璃、塑料、高分子膜、硅基板等。在不透明的基板的情况下，相反的电极最好是透明或半透明的。
通常来说，最好由阳极及阴极构成的电极中的至少一方是透明或半透明的，阳极侧是透明或半透明的。
作为该阳极的材料，可以使用导电性的金属氧化物膜、半透明的金属薄膜等。具体来说，可以使用利用由氧化铟、氧化锌、氧化锡及作为它们的复合体的铟·锡氧化物(ITO)、铟·锌氧化物等构成的导电性玻璃制成的膜(NESA等)或金、铂、银、铜等，优选ITO、铟·锌氧化物、氧化锡。作为制作方法，可以举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、镀膜法等。另外，作为该阳极，也可以使用聚苯胺或其衍生物、聚氨基苯或其衍生物等有机的透明导电膜。
阳极的膜厚可以考虑光的透过性和电导率而适当地选择，例如为10nm到10μm，优选20nm～1μm，更优选50nm～500nm。
另外，在阳极上，为了使电荷注入更为容易，也可以设置由酞菁衍生物、导电性高分子、碳等构成的层或由金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等构成的平均膜厚在2nm以下的层。
作为本发明的发光元件中所用的阴极的材料，优选功函数小的材料。例如可以使用锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属；及它们中的2种以上的合金；或它们中的一种以上与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的一种以上的合金；石墨或石墨层间化合物等。作为合金的例子，可以举出镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。也可以将阴极设为2层以上的叠层结构。
阴极的膜厚可以考虑电导率或耐久性而适当地选择，例如为10nm到10μm，优选20nm～1μm，更优选50nm～500nm。
作为阴极的制作方法，可以使用真空蒸镀法、溅射法或将金属薄膜热压接的层压法等。另外，在阴极与有机物层之间，也可以设置由导电性高分子构成的层；或由金属氧化物或金属氟化物、有机绝缘材料等构成的平均膜厚在2nm以下的层，在阴极制作后，也可以安装保护该发光元件的保护层。为了长期稳定地使用该发光元件，最好安装保护层及/或保护罩，以保护元件免受外部损害。
作为该保护层，可以使用高分子化合物、金属氧化物、金属氟化物、金属硼化物等。另外，作为保护罩，可以使用玻璃板、对表面实施了低透水率处理的塑料板等，优选使用将该罩利用热固化树脂或光固化树脂与元件基板贴合而密闭的方法。如果使用间隔件来维持空间，则很容易防止元件受到损伤。如果向该空间中封入氮气或氩气之类的惰性气体，则可以防止阴极的氧化，另外通过在该空间内设置氧化钡等干燥剂，就很容易抑制在制造工序中吸附的水分对元件造成损伤的情况。优选采用它们当中的任意一个以上的对策。
本发明的发光元件可以用于面状光源、分段显示装置、点矩阵、液晶显示装置的背光灯或照明中。
为了使用本发明的发光元件获得面状的发光，只要将面状的阳极与阴极重合地配置即可。另外，为了获得图案状的发光，有在上述面状的发光元件的表面设置设有图案状的窗的掩模的方法、极厚地形成非发光部的有机物层而实质上变为不发光的方法、将阳极或阴极的任意一方或双方的电极制成图案状的方法。通过利用它们中的某种方法来形成图案，以能够独立地开/关的方式来配置若干个电极，就可以获得能够显示数字或文字、简单的记号等的分段型的显示元件。另外，为了制成点矩阵元件，只要将阳极和阴极都以条纹状形成而正交地配置即可。利用分涂多种发光颜色不同的发光材料的方法、使用滤色片或发光变换滤片的方法，就可以实现局部彩色显示、多色显示。点矩阵元件既可以是无源驱动，也可以与TFT等组合而进行有源驱动。这些显示元件可以作为计算机、电视、移动终端、移动电话、导航装置、摄像机的取景器等显示装置使用。
另外，上述面状的发光元件是自发光薄型的，可以适于作为液晶显示装置的背光灯用的面状光源或者面状的照明用光源使用。另外，如果使用柔性的基板，则也可以作为曲面状的光源或显示装置使用。
下面，作为本发明的其他的方式，对光电元件进行说明。
作为光电元件，例如有光电转换元件，可以例示出在至少一方为透明或半透明的两组电极之间夹持了含有本发明的金属络合物或组合物的层的元件、在基板上成膜的含有本发明的高分子化合物或高分子组合物的层上形成的具有梳形电极的元件。为了提高特性，也可以混合富勒烯或碳纳米管等。
作为光电转换元件的制造方法，可以例示出日本专利第3146296号公报中记载的方法。具体来说，可以例示出在具有第一电极的基板上形成高分子薄膜并在其上形成第二电极的方法、在形成于基板上的一组梳形电极上形成高分子薄膜的方法。第一或第二电极中的一方为透明或半透明的。
对于高分子薄膜的形成方法或混合富勒烯或碳纳米管的方法没有特别限制，然而可以合适地使用在发光元件中所例示的方法。
实施例 下面，为了进一步详细说明本发明而给出实施例，然而本发明并不受它们限定。
而且，下述实施例中，光致发光测定是使用堀场制作所公司制的Fluorolog或(株)Optel公司制有机EL发光特性评价装置IES-150，在激发波长350nm下测定的。另外，聚苯乙烯换算的数均分子量是将四氢呋喃作为溶剂，利用凝胶渗透色谱(GPCHLC-8220GPC、Tosoh制或SCL-10A、岛津制作所制)来求出的。
(合成例1) 化合物M-2的合成 [化21]
在氩气气氛下，在500ml三口烧瓶中，混合化合物M-1(16.11g，35mmol)、频那醇二硼烷(pinacolatediborane)(12.83g，84mmol)、PdCl2(dppf)(1.7g，2.1mmol)、乙酸钾(20.6g，210mmol)及二噁烷(200ml)，回流11小时。反应后冷却到室温，进行沸石过滤后，浓缩。通过应用3次硅胶柱色谱(己烷∶甲苯＝1∶1)而得到化合物M-2(3.76g，19％)。
1H NMR；δ0.88(6H，t)，1.34(12H，s)，1.12-1.55(24H，m)，2.55(6H，t)，2.81(4H，t)，7.52(2H，s). 化合物M-1是利用Macromol.Phys.，1997，198，3827-3843.中记载的方法合成的。
(合成例2) 化合物M-3的合成 [化22]
在氩气气氛下，在500ml三口烧瓶中，混合化合物M-2(4.44g，8.05mmol)、对溴碘苯(6.79g，24mmol)、Pd(PPh3)4(550mg，0.48mmol)、氢氧化钾(6.73g，90mmol)、溴化四丁基铵(1.29mg，4.0mmol)、甲苯(200ml)及水(100ml)，加温为40℃、18小时。反应后冷却到室温，用水(100ml×2)洗涤有机层后，浓缩干燥固化。用硅胶柱色谱(甲苯∶己烷＝1∶1)精制后通过将有机层浓缩干燥固化，进行升华，去除了作为原料的对溴碘苯。通过将所得的残渣用硅胶柱色谱(己烷)精制，得到了目的物M-3(2.8g，57％)。
LC-MS(APCI法)；m/z 611.2([M+H]+). (实施例1) 高分子化合物(P-1)的合成 在惰性气氛下，将化合物M-3(0.800g)及2，2’-联吡啶(0.551g)溶解于预先用氩气进行了鼓泡脱水的四氢呋喃45mL中，然后添加双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)2}(0.970g)搅拌。将该溶液升温到60℃后，反应3小时。
将反应液冷却到室温，向25％氨水2mL/甲醇48mL/离子交换水50mL混合溶液中滴加，搅拌1小时后，过滤析出的沉淀，进行减压干燥。接下来，将该沉淀溶解于20mL甲苯中，向溶液中添加Radiolite 0.08g，搅拌30分钟，过滤了不溶物后，将滤液穿过氧化铝柱精制，然后添加4％氨水40mL，搅拌2小时后，除去水层。继而向有机层中添加离子交换水约40mL，搅拌1小时后，除去水层。其后，将有机层注入70m甲醇中，搅拌0.5小时。过滤析出的沉淀，通过进行减压干燥，得到了0.050g高分子化合物P-1。
另外，聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝2.1×104、Mw＝3.5×104。
[化23]
上述高分子化合物(P-1)的电子共轭链系数Ze为0.17。作为n＝∞的外插值的最低三重态激发能量T(1/n＝0)及最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO(1/n＝0)为T(1/n＝0)＝3.3eV及ELUMO(1/n＝0)＝1.5eV。
计算是利用记载于发明的详细的说明中的方法实施的。具体来说，将高分子化合物(P-1)的下述重复最小单元(M-3a)简化为(M-3b)，利用HF法进行了结构最佳化。此时，作为基函数，使用了6-31G*。其后，使用相同的基底，利用B3P86水平的时间倚赖密度泛函数法，算出了最低未占分子轨道能量及最低三重态激发能量。将化学结构简化的妥当性在特开2005-126686中记载的方法中，根据烷基侧链长度对于最低三重态激发能量及最低未占分子轨道能量的依赖性较小而确认。
[化24]
(实施例2) 配制了向上述高分子化合物(P-1)中添加了2wt％的下述磷光发光性化合物(T-1)的混合物的0.8wt％甲苯溶液。在石英基板上使用上述甲苯溶液利用旋转涂覆机以1500rpm的转速成膜而制作了元件。
向其射入400nm的光，测定了发光光谱，其结果是，观测到在480nm附近具有峰的来自下述磷光发光性化合物(T-1)的蓝色发光。
(实施例3) 高分子化合物(P-2)的合成 在惰性气氛下，将化合物M-1(0.934g)及化合物M-4(1.061g)溶解于预先用氩气进行了鼓泡的脱水甲苯22mL中。然后将反应物料升温到45℃，添加乙酸钯(1.0mg)及磷配位体(8mg)，搅拌5分钟，添加7.6ml碱，在114℃加热24小时。继而向反应物料中添加溴苯(0.345g)，在114℃搅拌1小时后，冷却为65℃，添加苯基硼酸(0.268g)，再次在114℃搅拌1小时。冷却反应混合物，通过向甲醇(889ml)中注入，得到了高分子化合物(P-2)。
另外，聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝2.5×104、Mw＝7.0×104。
高分子化合物(P-2)是利用特表2005-506439号公报中记载的方法制造的。
[化25]
上述高分子化合物(P-2)的共轭链系数Z为0.07，电子共轭链系数Ze为1.34。作为n＝∞的外插值的最低三重态激发能量T(1/n＝0)及最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO(1/n＝0)为T(1/n＝0)＝3.1eV及ELUMO(1/n＝0)＝1.5eV。而且，将作为计算对象的构成高分子化合物(P-2)的最小单元及重复最小单元如(M-5)所示地简化。
[化26]
(实施例4) 配制了向上述高分子化合物(P-2)中添加了5wt％下述磷光发光性化合物(T-2)的混合物的1.2wt％甲苯溶液。利用溅射法，以150nm的厚度，在带有ITO膜的玻璃基板上，使用聚(亚乙基二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸的溶液(Bayer公司，BaytronP)利用旋转涂覆机以50nm的厚度成膜，在加热平板上以200℃干燥10分钟。在所得的膜上，使用上述配制的甲苯溶液，利用旋转涂覆机以700rpm的转速成膜。膜厚约为90nm。继而，将其在减压下以80℃干燥1小时后，作为阴极缓冲层，蒸镀约4nm的LiF，作为阴极，蒸镀约5nm的钙，然后蒸镀约80nm的铝，制作了EL元件。而且，在真空度到达1×10-4Pa后，开始了金属的蒸镀。
通过对所得的元件施加电压，得到在505nm具有峰的绿色的EL发光。该元件的最大发光效率为2.5cd/A。
配制了向上述高分子化合物(P-2)中添加了2wt％磷光发光性化合物T-2的混合物的0.8wt％甲苯溶液。将该溶液利用旋转涂覆机涂布于石英基板上，测定了光致发光量子收率，其结果是，量子收率为43.1％。
(磷光发光性化合物) 磷光发光性化合物(T-1)是从アメリカンダイソス-社得到的，磷光发光性化合物(T-2)是依照Journal of American Chemical Society，Vol.107，1431-1432、(1985)中记载的方法合成的。
[化27]
(比较例1) 配制了向下述高分子化合物(R1)中添加了5wt％上述磷光发光性化合物(T-2)的混合物的0.8wt％甲苯溶液，与实施例2相同地制作了元件。通过对所得的元件施加电压，得到了在530nm具有峰的EL发光，然而该元件的最大发光效率极低，为0.06cd/A。
配制了向下述高分子化合物(R1)中添加了2wt％磷光发光性化合物T-2的混合物的0.8wt％甲苯溶液，将该溶液利用旋转涂覆机涂布于石英基板上，测定了光致发光量子收率，其结果是，量子收率为5.4％这样的很低的值。
而且，高分子化合物(R1)是利用US6512083号公报所述的方法合成的。
高分子化合物(R1)实质上由下述的重复单元构成的均聚物 [化28]
上述高分子化合物(R1)的共轭链系数Z为0.61，电子共轭链系数Ze为7.37。作为n＝∞的外插值的最低三重态激发能量T(1/n＝0)及最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO(1/n＝0)为T(1/n＝0)＝2.6eV及ELUMO(1/n＝0)＝2.1eV。而且，将作为计算对象的构成高分子化合物(R1)的最小单元及重复最小单元如(M-6)所示地简化。
[化29]
(实施例5) 1，4-二己基-2，5-硼酸频那醇酯的合成 向300ml四口烧瓶中，加入1，4-二己基-2，5-二溴苯8.08g(20.0mmol)、双(频那醇)二硼酸酯12.19g(48.0mmol)及乙酸钾11.78g(120.0mmol)，进行了氩气置换。加入脱水1，4-二噁烷100ml，用氩气脱气。加入[1，1’-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯钯(II)0.98g(1.2mmol)，继而用氩气脱气。加热回流6小时，成为深茶色的料浆。添加甲苯、离子交换水，分液，将有机层用离子交换水洗涤。添加无水硫酸钠及活性碳，用预涂了沸石的漏斗过滤。将滤液浓缩，得到了深茶色的晶体11.94g。用正己烷重结晶，用甲醇洗涤晶体。将所得的晶体减压干燥，得到了4.23g的白色针状晶体。收率为42.4％。
1H NMR(300MHz/CDCl3)； δ0.95(t，6H)，1.39～1.42(bd，36H)，1.62(m，4H)，2.88(t，4H)，7.59(bd，2H). LC-MS(ESI posi添加KCl)[M+H]+573 高分子化合物(P-3)的合成 向反应管中，加入9，9-二(4-(2-乙氧基乙氧基)苯基)-2，7-二溴芴0.4984g(1.00mmol)、1，4-二己基-2，5-硼酸频那醇酯0.6481g(0.99mmol)及Aliquat336(Aldrich制)0.147g(0.36mmol)，进行了氮气置换。加入甲苯8.5ml。加热、升温，加入反式-二氯-双(三苯基膦)钯(II)1.4mg(0.002mmol)及2M碳酸钠水溶液2.1ml。利用GPC确认反应的进行，追加了1，4-二己基-2，5-硼酸频那醇酯0.02g(0.04mmol)。加热回流10小时。加入4-叔丁基苯基硼酸0.05g(0.28mmol)及甲苯2ml，再加热、回流4小时。除去水层，向有机层中加入二乙基二硫代氨基甲酸三水合物0.6g/水6ml，在80℃加热2小时。除去水层，用水、3％醋酸水、水洗涤，将有机层浓缩后，用甲醇进行再沉淀。将所得的共聚物过滤减压干燥后，溶解于甲苯中，穿过氧化铝、硅胶的柱子，用甲苯洗涤。将有机层用甲醇再沉淀，得到了共聚物。将所得的共聚物过滤、减压干燥后，溶解于甲苯中，用甲醇再沉淀，得到了共聚物。继而，将所得的共聚物过滤、减压干燥，得到了0.32g的共聚物(高分子化合物P-3)。高分子化合物P-3的聚苯乙烯换算的平均分子量及重均分子量分别为Mn3.4×104、Mw5.0×104(移动相四氢呋喃)。
[化30]
上述高分子化合物(P-3)的共轭链系数Z为0.10，电子共轭链系数Ze为1.86。作为n＝∞的外插值的最低三重态激发能量T(1/n＝0)及最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO(1/n＝0)为T(1/n＝0)＝2.99eV及ELUMO(1/n＝0)＝1.6eV。而且，将作为计算对象的构成高分子化合物(P-3)的最小单元及重复最小单元如(M-7)所示地简化。
[化31]
配制了向上述高分子化合物(P-3)中添加了5wt％磷光发光性化合物(T-2)的混合物的1.6wt％甲苯溶液，与实施例2相同地制作了元件。MI063溶液的旋转涂覆转速为2100rpm。通过对所得的元件施加电压，得到了在510nm具有峰的绿色的EL发光。该元件的最大发光效率为5.0cd/A。
配制了向上述高分子化合物(P-3)中添加了2wt％磷光发光性化合物T-2的混合物的0.8wt％甲苯溶液。将该溶液利用旋转涂覆机涂布于石英基板上，测定了光致发光量子收率，其结果是，量子收率为35.1％。
(实施例6) 高分子化合物(P-4)的合成 在惰性气氛下，将1，4-二己基-2，5-二溴苯(0.400g)及1，4-二己基-2，5-硼酸频那醇酯(0.498g)溶解于预先用氩气鼓泡了的脱水甲苯7.7mL中。然后将反应物料升温到80℃，添加乙酸钯(0.45mg)及磷配位体(7mg)，加热、回流，添加碱2.1ml，继而加热、回流7小时。向反应物料中，添加4-叔丁基苯基硼酸(50mg)，再搅拌3小时。将反应混合物冷却，通过注入到甲醇(155ml)，得到了高分子化合物(P-4)。
另外，聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝3.2×103、Mw＝5.6×103。
高分子化合物(P-4)是利用特表2004-506439号公报所述的方法制造的。
[化32]
上述高分子化合物(P-4)的共轭链系数Z为0.16，电子共轭链系数Ze为0.94。作为n＝∞的外插值的最低三重态激发能量T(1/n＝0)及最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO(1/n＝0)为T(1/n＝0)＝3.61eV及ELUMO(1/n＝0)＝0.84eV。而且，将作为计算对象的构成高分子化合物(P-4)的最小单元及重复最小单元如(M-8)所示地简化。
[化33]
(实施例7) 配制了向上述高分子(P-4)中添加了2wt％磷光发光性化合物(T-1)的混合物的0.2wt％氯仿溶液。
将该溶液利用旋转涂覆机涂布于石英基板上。
使用上述基板，进行了光致发光测定，其结果是，观测到在480nm具有最大峰的来自磷光发光性化合物(T-1)的发光。
另外，配制了向上述高分子(P-4)中添加了2wt％磷光发光性化合物(T-2)的混合物的1wt％氯仿溶液。将该溶液向1cm2的面积的石英基板上滴下0.1ml而风干，形成了涂膜。使用上述基板，用463nm的激发波长进行了光致发光测定，其结果是，观测到在507nm具有最大峰的来自(T-2)的发光，其在507nm的强度是在实施例3中合成的(P-2)中进行了相同的测定的情况下的大约16倍。
(实施例8) 化合物M-10的合成 [化34] 化合物M-10的合成
将1-氨基-5，6，7，8-四氢萘2.94g(20mmol)加入300ml四口烧瓶中，进行了Ar置换。在Ar气氛下，加入氯仿20ml，用冰水浴冷却。在冷却下，用大约1个半小时滴下在50ml氯仿中溶解了三溴化四正丁基铵9.84g(20.4mmol)的溶液。反应物料成为黄绿色的料浆。在冰浴下保温1小时。在冷却下，滴下5％Na2S2O5水溶液50ml。然后，用10％NaOH水溶液、离子交换水洗涤、分液。用无水芒硝脱水后，过滤、浓缩，得到7.43g淡褐色油。用甲苯50ml稀释，用离子交换水洗涤、分液。用无水芒硝脱水后，过滤、浓缩，得到了3.88g的褐色油。
进行硅胶柱精制(洗脱液甲苯)，得到了褐色油1.18g。由1H-NMR、LC/MS确认了1-氨基-4-溴-5，6，7，8-四氢萘的生成。
1H NMR(300MHz/CDCl3) δ1.79(s，4H)，2.43(s，2H)，2.71(s，2H)，3.56(s，2H)，6.42(d，H)，7.19(d，H). LC-MS(APPI posi)[M]+226 向50ml茄形烧瓶中加入1-氨基-4-溴-5，6，7，8-四氢萘0.90g(4mmol)、48％HBF4水溶液3.86g(20mmol)。在冰浴中冷却，将在1ml离子交换水中溶解了0.32g(4.6mmol)NaNO2的液体冷却、滴下。在0℃保温30分钟后，将所得的重氮化物料抽吸过滤，将重氮化物用5％HBF4水溶液、冰冷了的离子交换水洗涤。向100ml茄形烧瓶中加入1.12g(5mmol)CuBr2、10ml二甲亚砜，在室温下强烈搅拌，向其中添加先前的重氮化合物。在室温下搅拌30分钟，添加离子交换水，进一步搅拌。将有机层分液，用无水芒硝脱水后，过滤、浓缩，得到了0.90g的红褐色油。进行柱精制(洗脱液正己烷)，得到了0.66g的透明油。由1H NMR、LC/MS确认了化合物M-10的生成。
1H NMR(300MHz/CDCl3) δ1.80(s，4H)，2.74(s，4H)，7.26(s，2H) GC-MS(EI-MS)[M]+288 高分子化合物(P-6)的合成 在惰性气氛下，将化合物M-10(0.289g)及化合物M-4(0.530g)溶解于预先用氩气鼓泡了的脱水甲苯8.5mL中。然后将反应物料升温到80℃，加入乙酸钯(0.67mg)及磷配位体(7.4mg)，加热、回流，加入2.7ml碱，再加热、回流8小时。向反应物料中加入苯基硼酸(12mg)，再搅拌3小时。将反应混合物冷却，通过注入到甲醇(155ml)中，得到了高分子化合物(P-6)。
另外，聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝5.2×104、Mw＝1.1×105。
高分子化合物(P-6)是利用特表2005-506439号公报所述的方法制造的。
[化35]
上述高分子化合物(P-6)的共轭链系数Z为0.07，电子共轭链系数Ze为1.18。作为n＝∞的外插值的最低三重态激发能量T(1/n＝0)及最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO(1/n＝0)为T(1/n＝0)＝3.06eV及ELUMO(1/n＝0)＝1.56eV。而且，将作为计算对象的构成高分子化合物(P-6)的最小单元及重复最小单元如(M-11)所示地简化。
[化36]
配制了向上述高分子化合物(P-6)中添加了2wt％的磷光发光性化合物T-2的混合物的0.8wt％甲苯溶液。
将该溶液利用旋转涂覆机涂布于石英基板上，测定了光致发光量子收率，其结果是，观测到在510nm具有最大峰的来自磷光发光性化合物T-2的较强的发光。
(实施例9) 下述高分子化合物(P-7)的共轭链系数Z为0.11，电子共轭链系数Ze为0.68。作为n＝∞的外插值的最低三重态激发能量T1(1/n＝0)及最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO(1/n＝0)为T1(1/n＝0)＝3.64eV及ELUMO(1/n＝0)＝0.62eV。而且，在作为计算对象的构成高分子化合物(P-7)的最小单元及最小重复单元中，使用了下述(M-12)。
[化37]
(实施例10) 下述高分子化合物(P-8)的共轭链系数Z为0.21，电子共轭链系数Ze为1.28。作为n＝∞的外插值的最低三重态激发能量T1(1/n＝0)及最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO(1/n＝0)为T1(1/n＝0)＝3.54eV及ELUMO(1/n＝0)＝1.04eV。而且，在作为计算对象的构成高分子化合物(P-8)的最小单元及最小重复单元中，使用了下述(M-13)。
[化38]
(合成例10) 2-(9-溴-7，7-二辛基-7H-苯并[c]芴-5-基)-4，4，5，5-四甲基-[1，3，2]二噁borolane(M-14)的合成 在惰性气氛下，向将5，9-二溴-7，7-二辛基-7H-苯并[c]芴(M-15)70.00g(0.117mol)溶解于脱水了的四氢呋喃1170mL及脱水了的二乙醚1170mL中而得的溶液中，在-70℃下用30分钟滴下73mL的正丁基锂的己烷溶液(1.6mol/L)，再在-70℃下搅拌50分钟。然后，在-78℃下用10分钟滴下2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-dioxaborolane，再在-78℃下搅拌1小时。向该溶液中在室温下用15分钟滴下盐酸水溶液，从有机层中除去水层。在向上述有机层中加入蒸馏水1170mL搅拌后除去水层，加入5％碳酸氢钠水溶液1170mL，搅拌后除去水层，加入蒸馏水1170mL，搅拌后除去水层，浓缩干燥固化，得到油状物。将该油状生成物溶于四氢呋喃中，加入甲醇，将析出的固体过滤、干燥。继而，将该固体从四氢呋喃和甲醇中实施2次重结晶，得到所需的2-(9-溴-7，7-二辛基-7H-苯并[c]芴-5-基)-4，4，5，5-四甲基-[1，3，2]dioxaborolane(M-14)57.7g(收率76％)。
1H NMR(CDCl3，299.4MHz，rt)d 0.50(br，4H)，0.80(t，6H，J＝7.3Hz)，0.90-1.28(m，24H)，1.45(s，12H)，1.93-2.19(m，4H)，7.50-7.67(m，4H)，8.03(s，1H)，8.19(d，1H，J＝9.0Hz)，8.67(d，1H，J＝8.4Hz)，8.92(d，1H，J＝8.3Hz). LC-MS(APPI)m/z＝644(M+) (NMR) 装置Varian公司制INOVA300核磁共振装置 测定溶剂氘化氯仿 样品浓度约1重量％ 测定温度25℃ [化39]
(合成例11) 高分子化合物(P-11)的合成 在惰性气氛下，将上述(M-14)1.08g(1.67mmol)溶解于甲苯37mL中，加入乙酸钯1mg、三(邻甲氧基苯基)膦7mg、30％碳酸双(四乙基铵)水溶液7.5mL，在115℃搅拌20小时。然后，加入4-甲基溴苯0.16g，在115℃搅拌2小时，加入4-叔丁基苯基硼酸0.16g，在115℃搅拌12小时。然后，加入二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在65℃搅拌8小时。冷却后，将水层从有机层中除去，将该有机层用2当量盐酸水溶液37ml洗涤2次，用10％乙酸钠水溶液37ml洗涤2次，用水37ml洗涤6次，将所得的甲苯溶液向甲醇740ml中滴下，搅拌后，将所得的固体过滤、干燥。在搅拌的同时，向甲醇中滴下将该固体溶解于甲苯中而得的溶液，过滤析出的固体，干燥，将该操作重复2次，得到了高分子化合物(P-9)0.63g。高分子化合物(P-9)的聚苯乙烯换算的数均分子量为8.4×104，聚苯乙烯换算的重均分子量为2.8×105。
这里，对于数均分子量及重均分子量，利用GPC(岛津制作所制LC-10Avp)求出聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量。将所测定的聚合物溶解于四氢呋喃中，达到大约0.5wt％的浓度，向GPC中注入50μL。GPC的移动相使用四氢呋喃，以0.6mL/min的流速流动。柱子是将2根TSKgel Super HM-H(Tosoh制)与1根TSKgel SuperH2000(Tosoh制)串联地连接。在检测器方面使用了示差折射率检测器(岛津制作所制RID-10A)。
[化40]
(比较例2) 上述高分子化合物(P-9)的共轭链系数Z为0.15，电子共轭链系数Ze为2.46。作为n＝∞的外插值的最低三重态激发能量T1(1/n＝0)及最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO(1/n＝0)为T1(1/n＝0)＝2.42eV及ELUMO(1/n＝0)＝2.13eV。而且，作为计算对象的构成高分子化合物(P-9)的最小单元及重复最小单元使用了下述(M-16)。
[化41]
配制了向上述高分子化合物(P-9)中添加了2wt％的磷光发光性化合物T-2的混合物的0.8wt％甲苯溶液。
将该溶液利用旋转涂覆机涂布于石英基板上，测定了光致发光量子收率，其结果是，量子收率为3.8％，是低的值。
工业上的利用可能性 本发明的发光性的组合物可以发出绿色～蓝色的波长的光。所以，通过将本发明的含有共轭系高分子的发光材料用于电致发光元件等光电元件中，可以提供特性更为优良的元件。
权利要求
1.一种组合物，是含有高分子和至少一种磷光发光性化合物的发光性的组合物，其特征是，该高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Ze为以下的范围，
0＜Ze≤2.00(1)
这里，电子共轭链系数Ze定义为利用最小二乘法对函数Tm＝Tm(1/ne)线性近似时的斜率，其中，ne表示重复最小单元中所含的共轭电子数，Tm表示在对将重复最小单元结合而得的m聚体使数m从1到3逐一变化时各m聚体的最低三重态激发能量，这里，共轭电子数仅考虑存在于重复最小单元的主链内的共轭电子，但是，在可以看到多个主要的重复最小单元的情况下，使用最小的Ze。
2.根据权利要求1所述的组合物，是由高分子和至少一种磷光发光性化合物构成的发光性的组合物，该高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Ze为(1)的范围。
3.根据权利要求1或2所述的组合物，其特征是，高分子的主要的重复最小单元在主链上没有连续地具有2个以上可以断开主链的单键，这里，所谓可以断开主链是指在将该单键切断的情况下，该主链断开。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的组合物，其中，高分子的最低三重态激发能量T1在2.7eV以上，
这里，作为高分子的最低三重态激发能量T1使用利用最小二乘法对函数Tm＝Tm(1/ne)线性近似时ne为∞的外插值，其中所述Tm表示在对将重复最小单元结合而得的m聚体使数m从1到3逐一变化时各m聚体的最低三重态激发能量。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的组合物，其中，高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Ze为0＜Ze≤2.00，并且高分子的最低三重态激发能量T1在2.8eV以上。
6.根据权利要求1～4中任意一项所述的组合物，其中，高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Ze为0＜Ze≤2.00，并且高分子的最低三重态激发能量T1在2.9eV以上。
7.根据权利要求1～4中任意一项所述的组合物，其中，高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Ze为0＜Ze≤2.00，并且高分子的最低三重态激发能量T1在3.0eV以上。
8.根据权利要求1～4中任意一项所述的组合物，其中，高分子的最低三重态激发能量T1(eV)为2.7≤T1≤5.0。
9.根据权利要求8所述的组合物，其由高分子和磷光发光性化合物构成，其特征是所述高分子是含有由一种基本结构单元构成的片段的高分子，该基本结构单元的最低三重态激发能量TM1为3.6eV≤TM1≤5.5eV，该片段的最低三重态激发能量T1及该基本结构单元的如下定义的共轭链系数Z为2.7eV≤T1≤5.0eV，并且0.00＜Z≤0.50，
这里，基本结构单元的共轭链系数Z定义为利用最小二乘法来线性近似函数Tm＝Tm(1/m)时的斜率，其中，Tm表示在使基本结构单元数m从1到3逐一变化时m聚体的最低三重态激发能量。
10.根据权利要求9所述的组合物，其中，构成该组合物的高分子中所含的片段的基本结构单元中所含的共轭电子数ne为ne≤6。
11.根据权利要求8所述的组合物，其由高分子和磷光发光性化合物构成，其特征是，所述高分子是含有由一种基本结构单元构成的片段的高分子，该基本结构单元的最低三重态激发能量TM1为3.2eV≤TM1＜3.6eV，该片段的最低三重态激发能量T1、最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO及该基本结构单元的共轭链系数Z为2.7eV≤T1≤5.0eV、1.4eV＜ELUMO≤5.0eV，并且0.00＜Z≤0.25。
12.权利要求8所述的组合物，其由高分子和磷光发光性化合物构成，其特征是，所述高分子是含有由一种基本结构单元构成的片段的高分子，该基本结构单元的最低三重态激发能量TM1为2.9eV≤TM1＜3.2eV，该片段的最低三重态激发能量T1、最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO及该基本结构单元的共轭链系数Z为2.7eV≤T1≤5.0eV、1.4eV＜ELUMO≤5.0eV，并且0.00＜Z≤0.13。
13.根据权利要求8所述的组合物，其由高分子和磷光发光性化合物构成的，其特征是，所述高分子是含有由至少两种基本结构单元构成的片段的高分子，该片段的最低三重态激发能量T1及最低未占分子轨道能量的绝对值ELUMO满足2.7eV≤T1≤5.0eV及1.4eV＜ELUMO≤5.0eV的条件，并且如下定义的共轭链系数Z满足0.00＜Z≤0.40的条件，
这里，共轭链系数Z定义为利用最小二乘法来线性近似函数Tm＝Tm(1/m)时的斜率，其中，Tm表示在设想具有与构成该片段的各基本结构单元的组成比相同的基本结构单元组成比的最小单元的情况下，在使该最小单元的数m从1到3逐一变化时该最小单元的m聚体的最低三重态激发能量。
14.一种发光性材料，其含有将发光性化合物作为局部结构含在同一分子内的发光性高分子，还含有主要的重复最小单元的电子共轭链系数Ze在权利要求1～8中任意一项所述的范围内的高分子，或上述发光性高分子的Ze在权利要求1～8中任意一项所述的范围内。
15.根据权利要求1～14中任意一项所述的组合物，其中，高分子的上述重复最小单元含有芳香环、包含杂原子的五元环以上的杂环、芳香族胺或以下述式(1)表示的结构的某种
这里，在该芳香环上或该杂环上，也可以带有从由烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、取代羧基及氰基构成的组中选择的取代基；
[化1]
式中，P环及Q环分别独立地表示芳香环，然而P环也可以不存在。两个结合手在P环存在的情况下，分别存在于P环及/或Q环上，在P环不存在的情况下，分别存在于含有Y的五元环或六元环上及/或Q环上。另外，在芳香环上及/或含有Y的五元环或六元环上也可以带有从由烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、取代羧基及氰基构成的组中选择的取代基；Y表示-O-、-S-、-Se-、-B(R1)-、-Si(R2)(R3)-、-P(R4)-、-PR5(＝O)-、-C(R6)(R7)-、-N(R8)-、-C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-、-O-C(R13)(R14)-、-S-C(R15)(R16)-、-N-C(R17)(R18)-、-Si(R19)(R20)-C(R21)(R22)-、-Si(R23)(R24)-Si(R25)(R26)-、C(R27)＝C(R28)-、-N＝C(R29)-或-Si(R30)＝C(R31)-，R1～R31分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅氧基、取代甲硅氧基、1价的杂环基或卤原子。
16.根据权利要求15所述的组合物，其中，高分子的上述重复最小单元包括芳香环、包含杂原子的五元环以上的杂环、芳香族胺或以上述式(1)表示的结构。
17.根据权利要求1～16中任意一项所述的组合物，其中，在将组合物中所含的磷光发光性化合物的最低三重态激发能量设为ETT的情况下，
ETT＞T1-0.2(eV)。
18.一种组合物，是含有高分子和至少一种磷光发光性化合物的发光性的组合物，其特征是，该高分子的主要的重复最小单元以下述式(2)表示，
[化2]
这里，R表示烷基。
19.一种组合物，是含有高分子和至少一种磷光发光性化合物的发光性的组合物，其特征是，该高分子的主要的重复最小单元以下述式(4)表示，
[化3]
这里，R表示烷基，R1分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅氧基、取代甲硅氧基、1价的杂环基或卤原子。
20.一种组合物，是含有高分子和至少一种磷光发光性化合物的发光性的组合物，其特征是，该高分子的主要的重复最小单元以下述式(5)表示，
[化4]
这里，R表示烷基。
21.一种墨液组合物，其特征是，含有权利要求1～20中任意一项所述的组合物。
22.根据权利要求21所述的墨液组合物，其粘度在25℃为1～100mPa·s。
23.一种发光性薄膜，其特征是，含有权利要求1～20中任意一项所述的组合物。
24.一种有机半导体薄膜，其特征是，含有权利要求1～20中任意一项所述的组合物。
25.一种光电元件，其特征是，含有权利要求1～20中任意一项所述的组合物。
26.一种光电元件，其特征是，在由阳极及阴极构成的电极之间，具有含有权利要求1～20中任意一项所述的组合物的层。
27.根据权利要求26所述的光电元件，其中，在由阳极及阴极构成的电极之间，还含有电荷输送层或电荷阻止层。
28.根据权利要求25～27中任意一项所述的光电元件，其中，光电元件为发光元件。
29.一种面状光源，其特征是，使用了权利要求28中所述的发光元件。
30.一种分段显示装置，其特征是，使用了权利要求28中所述的发光元件。
31.一种点矩阵显示装置，其特征是，使用了权利要求28中所述的发光元件。
32.一种液晶显示装置，其特征是，将权利要求28中所述的发光元件作为背光灯。
33.一种照明，其特征是，使用了权利要求28中所述的发光元件。
全文摘要
本发明提供一种组合物，是含有高分子和至少一种磷光发光性化合物的发光性的组合物，其特征是，该高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Ze为以下的范围。0＜Ze≤2.00 (1)(这里，电子共轭链系数Ze定义为利用最小二乘法来线性近似函数Tm＝Tm(1/ne)时的斜率，其中，ne表示重复最小单元中所含的共轭电子数，Tm表示在对将重复最小单元结合而得的m聚体使数m从1到3逐一变化时各m聚体的最低三重态激发能量。这里，共轭电子数仅考虑存在于重复最小单元的主链内的共轭电子。但是，在可以看到多个主要的重复最小单元的情况下，使用最小的Ze。)。
文档编号C08L65/00GK101309964SQ20068004243
公开日2008年11月19日 申请日期2006年9月14日 优先权日2005年9月14日
发明者秋野喜彦, 关根千津, 三上智司, 中谷智也 申请人:住友化学株式会社