本发明主要涉及医药制备的技术领域，具体涉及一种以9-芴酮类化合物为原料制取的2,2’-二羟基联苯。
背景技术：
2,2’-二羟基联苯及其衍生物是重要的有机化工产品，可用做液晶聚合物的中间体。在合成高聚物方面，由于其耐热性能极佳，故可以用做聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚砜及环氧树脂等高分子材料的改性单体，用来制作优良的工程塑料和复合材料。它还可以用做橡胶防老化剂、塑料抗氧剂以及染料中间体或石油制品的稳定剂。
现有三种方法的制备2-羟基联苯类化合物：
1、由磺化法生产苯酚类化合物的蒸馏残渣中回收。此工艺的缺点是不可避免地有4-羟基联苯类化合物残留，纯度低；另外，大量生产时受原料来源制约；
2、取代环己烯基环己酮在铜、镍等金属负载的氧化铝存在下，进行气相脱氢反应而得。此工艺的缺点是原料取代环己烯基环己酮价格昂贵，能耗大；
3、将取代的2-氨基联苯在硫酸中与亚硝酸钠反应，进行重氮化，生成联苯重氮盐，然后水解而得。此工艺的缺点是收率低，且2-氨基联苯类化合物同样价格不菲。
技术实现要素：
本发明主要提供一种以9-芴酮类化合物为原料制取的2,2’-二羟基联苯，用以解决上述背景技术中提出的技术问题。
本发明解决上述技术问题采用的技术方案为：以9-芴酮类化合物为原料制取的2,2’-二羟基联苯,步骤如下，
（1）将氧芴、氢氧化钾和含活泼氢的环状化合物加入到碱熔釜中，先升温至100～130℃，使物料全部融化，而后1～4小时内匀速升温至300～390℃，升温后反应1～6小时；
（2）将步骤(1)得到的物料降温至180～270℃，搅拌下，向碱熔釜中加入水，加水完毕后，使碱熔釜内温度维持在80～120℃，充分搅拌1～4小时使物料均匀分散在水中，分散后再降温至10～50℃，过滤，待用；
（3）将步骤（2）中的滤液升温至80～100℃，调节滤液ph值至2～5，再在10～50℃下搅拌1～3小时使其充分结晶，过滤，水洗至中性，得粗品，待用；
（4）以9-芴酮类化合物为起始原料制得联苯-2-羧酸类化合物，待用；
（5）在盛有联苯-2-羧酸类化合物的三口烧瓶中加入1-5％比例的二价铜盐，升温至220-300℃；
（6）在步骤（5）中的液体内，稳定通入一定速率的空气进行氧化，时间1-3小时；
（7）当步骤（6）中的液体冷却至室温后，加入乙醇加热溶解反应物，过滤除去无机物；
（8）在步骤（7）中加入适量活性炭脱色，却结晶；
（9）将步骤（3）和步骤（8）得到的固体加入到重结晶溶剂水中，升温至60～100℃下搅拌1～4小时，降温至10～50℃，过滤，得2,2’-二羟基联苯。
优选的，所述步骤(1)中含活泼氢的环状化合物为芴、咔唑或吲哚；含活泼氢的环状化合物的投料量为氧芴重量投料量0～100％；氧芴的纯度为80～100％；氧芴与氢氧化钾摩尔比＝0.32～2:1，氢氧化钾纯度为80～100％；反应温度为240～290℃。
优选的，所述步骤(1)中含活泼氢的环状化合物为芴；含活泼氢的环状化合物的投料量为氧芴重量投料量0～40％；氧芴的纯度为89～99％；氧芴与氢氧化钾摩尔比＝0.32～0.98:1，氢氧化钾纯度为90～95％；反应温度为260～280℃。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：本发明方法使用的原料氧芴国内资源丰富，工艺中使用的氧芴的纯度仅需大于80％就可以使用，大大降低了原料氧芴的成本；进一步的，本发明通过采用以9-芴酮类化合物为原料，由于该原料制取简单，成本低廉，从而可有效的降低了该化合物的制备成本。
以下将结合具体的实施例对本发明进行详细的解释说明。
具体实施方式
实施例，（1）将氧芴、氢氧化钾和含活泼氢的环状化合物加入到碱熔釜中，先升温至100～130℃，使物料全部融化，而后1～4小时内匀速升温至300～390℃，升温后反应1～6小时；
（2）将步骤(1)得到的物料降温至180～270℃，搅拌下，向碱熔釜中加入水，加水完毕后，使碱熔釜内温度维持在80～120℃，充分搅拌1～4小时使物料均匀分散在水中，分散后再降温至10～50℃，过滤，待用；
（3）将步骤（2）中的滤液升温至80～100℃，调节滤液ph值至2～5，再在10～50℃下搅拌1～3小时使其充分结晶，过滤，水洗至中性，得粗品，待用；
（4）以9-芴酮类化合物为起始原料制得联苯-2-羧酸类化合物，待用；
（5）在盛有联苯-2-羧酸类化合物的三口烧瓶中加入1-5％比例的二价铜盐，升温至220-300℃；
（6）在步骤（5）中的液体内，稳定通入一定速率的空气进行氧化，时间1-3小时；
（7）当步骤（6）中的液体冷却至室温后，加入乙醇加热溶解反应物，过滤除去无机物；
（8）在步骤（7）中加入适量活性炭脱色，却结晶；
（9）将步骤（3）和步骤（8）得到的固体加入到重结晶溶剂水中，升温至60～100℃下搅拌1～4小时，降温至10～50℃，过滤，得2,2’-二羟基联苯。
以上所述实施例仅表达了本发明的某种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。