专利名称：半导体存储元件的电容器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体存储元件的电容器及其制造方法，特别是涉及能够减少漏电流并且具有高介电常数电介质膜的半导体存储元件的电容器及其制造方法。
近来，随着半导体技术的发展，目前对存储元件的需求激增。因此，要求存储元件在狭小的面积上具有大的电容量。这种电容器的静电容量(capacitance)是通过采用高介电常数的绝缘体、或者扩大下部电极表面积来增大的。已有的电容器是采用介电常数比NO(氮化物－氧化物)膜更高的氧化钽(Ta2O5)作为电介质膜、形成有三维结构的下部电极。
图1是已有的半导体存储元件的电容器的剖面图。如图1所示，在预定部位形成场氧化膜11的半导体衬底10上，按公知方式形成在下部带有栅绝缘膜12的栅电极13。在栅电极13两侧的半导体衬底10上形成结区14，形成MOS晶体管。在上面已形成MOS晶体管的半导体衬底1O的上面部分形成第一层间绝缘膜16和第二层间绝缘膜18。在第一层间绝缘膜16和第二层间绝缘膜18内形成存储结点接触孔h，露出结区14。采用公知方式在存储结点接触孔h内形成圆筒状的下部电极20，与露出的结区14接触。为了进一步增大下部电极20的表面积，在下部电极20的表面形成HSG(半球形颗粒)膜21。在HSG膜21表面上形成氧化钽膜23。此时，按下述工序中形成氧化钽膜23。首先，在形成氧化钽膜23之前，对HSG膜21表面清洗后，按非就地(ex－situ)方式进行RTN(快速热氮化)处理。通过RTN处理，在HSG膜21表面上形成氮化硅膜22。然后，在约400－450℃的温度下，形成53－57厚的第一氧化钽膜。之后，在低温进行退火处理后，采用与第一氧化钽膜相同的工序和相同的厚度形成第二氧化钽膜。之后，进行连续的低温和高温退火处理，形成单一的氧化钽膜23。在氧化钽膜23和第二层间绝缘膜18上蒸镀上部电极24，制成电容器。
但是，以氧化钽膜为电介质膜的已有电容器，存在以下问题。
首先，由于一般的氧化钽膜具有不稳定的化学计量比(stoichiometry)，所以Ta和O的组成比例发生差异。因此，在薄膜内产生置换型Ta原子即空位原子(vacancy atom)。这种空位原子是氧空位，所以成为漏电流的原因。可以通过构成氧化钽膜的构成组分的含量和结合程度来调节空位原子的量，但是难以完全去除。
现在，为了稳定氧化钽膜的不稳定化学计量比，通过氧化钽膜的氧化，以去除氧化钽膜内的代位型Ta原子。但是，如果对氧化钽膜氧化，则出现以下问题。即，氧化钽膜与多晶硅或TiN形成的上部和下部电极的氧化反应性大。因此，为了氧化代位型Ta原子而进行氧化处理时，氧化钽膜与上部电极或下部电极反应，从而在界面产生介电常数低的氧化膜，氧在氧化钽膜和下部电极的界面移动，降低了界面的均匀性。
而且，作为前驱物(precusor)使用的Ta(OC2H5)5的有机物具有大量的碳成分，从而在氧化钽膜内产生碳原子(C)、碳化合物(CH4、C2H4)和H2O等杂质。这些杂质增大了电容器的漏电流，并且降低了氧化钽膜的介电常数，所以不能获得大容量的电容器。
并且，使用氧化钽膜作为电介质膜的方法，在形成氧化钽膜之前的进行清洗处理，必须进行其他的非就地(ex－situ)处理，必须按2阶段蒸镀氧化钽膜，形成氧化钽膜之后必须进行经过低温和高温2次的热处理工序。所以工序复杂。
因此，本发明的目的在于提供一种能够减少漏电流的发生，具有介电常数高的电介质膜，从而确保大容量的半导体元件的电容器。
本发明的另一目的在于，提供一种制造工序能够简化的半导体元件的电容器的制造方法。
为了实现上述目的，本发明的半导体存储元件的电容器，包括，下部电极；在下部电极上形成的电介质膜；和在电介质膜上形成的上部电极，所述电介质膜是非晶TaON膜。
本发明的特征在于，包括，在半导体衬底上形成下部电极的阶段；在所述下部电极上蒸镀作为电介质膜的非晶质TaON膜的阶段；在保持非晶状态的范围内对所述非晶TaON膜进行热处理的阶段；和在所述TaON膜上形成上部电极的阶段。
再有，本发明的特征在于，包括，在半导体衬底上形成下部电极的阶段；对所述下部电极进行表面处理的阶段；在所述下部电极上蒸镀作为电介质膜的非晶TaON膜的阶段；在保持非晶状态的范围内对所述非晶TaON膜进行热处理的阶段；和在所述TaON膜上形成上部电极的阶段，所述非晶TaON膜是在300－600℃和0．1－100乇的压力下的LPCVD反应室内，通过O2气体、NH3气体和前驱物获得的Ta化学蒸汽的晶片表面化学反应而形成的。
图1是已有的半导体元件的电容器的剖面图。
图2A－图2C是说明本发明的半导体元件的电容器制造方法的各工序的剖面图。
以下，参照附图详细说明本发明的优选实施例。
参见图2A，在具有预定导电性的半导体衬底30的预定部位，按公知方式形成场氧化膜31。在半导体衬底30上部的预定部位形成底部具有绝缘膜32的栅电极33，在栅电极33的两侧壁按公知方式形成隔离间34。在栅电极33两侧的半导体衬底30上形成结区35，制成MOS晶体管。在形成有MOS晶体管的半导体衬底30上形成第一层间绝缘膜36和第二层间绝缘膜38。之后，对第二和第一层间绝缘膜38、36进行布图，以便露出结区35之中的任一个，形成存储结点接触孔H。形成圆筒状或层叠状的下部电极40，与露出的结区35接触。为了增大下部电极40的表面积，采用公知方法在下部电极40的表面形成HSG膜41。之后，在HSG膜41表面、亦即含HSG膜41的下部电极40与以后形成的电介质膜(未图示)之间的界面，为了阻止产生低介电常数自然氧化膜，采用HF蒸汽、HF溶液或者含HF的化合物清洗下部电极40的第二层间绝缘膜38。按就地或非就地方式进行这种清洗处理。但是，在清洗自然发生的低介电常数氧化膜之前或之后，为了进一步改善界面的均匀性，采用NH4OH溶液或H2SO4溶液等对HSG膜41的表面进行界面处理。
参见图2B，在下部电极40上形成作为电介质膜的非晶TaON膜43。在保持300－500℃的温度和100乇以下的压力的LPCVD反应室内形成本发明的非晶TaON膜43。为了使非晶TaON膜43内的杂质最少，在抑制汽相反应的状态，通过Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体的晶片表面的化学反应，形成非晶TaON膜43。这里，对Ta(OC2H5)5(乙醇钽)、Ta(N(CH3)2)5(戊－二甲基－氨基－钽)这样的含钽有机金属前驱物进行蒸发形成Ta化学蒸汽。亦即，采用MFC(质流控制器)这样的流量调节器定量化后的前驱物，注入具有小孔(orifice)或喷嘴(nozzle)的蒸发器或蒸发管进行蒸发，形成Ta化学蒸汽。蒸发器或成为Ta蒸汽的流动路径(flow path)的供给管的温度应保持在150－200℃，以便能够防止Ta化学蒸汽冷凝，由蒸发器或蒸发管供给的前驱物的量在50－300mg／分钟左右为宜。而且，根据Ta化学蒸汽量调节O2气体和NH3气体，但是最好按5－500sccm左右的流量供给。特别是，作为调节TaON膜43的介电常数的变量，通过适当调节介电常数在30－100的范围内而供给O2气体。形成50－150A厚的非晶TaON膜43。此时，蒸镀非晶TaON膜43时，先供给NH3气体，使下部电极40的表面氮化后，在该气氛中连续蒸镀TaON膜43。如此处理，通过下部电极40表面的氮化处理，可以防止TaON膜界面氧化，增大界面亲合力。这样，通过氮化处理在下部电极40的表面形成氮化膜(未图示)。
之后，如图2C所示，为了改善膜特性，在非晶状态不变化的范围，亦即300－600℃下对非晶TaON膜43进行热处理。此时，热处理是在含氮的等离子体气体例如NH3、N2、N2／H2等离子体气体气氛中退火，或者在含氧的等离子体气体例如N2O或O2气体气氛中退火。通过这种等离子体退火工序，改善了TaON膜43表面的细微裂缝(micro crack)和针孔(pin hole)这类结构缺陷和结构不均匀性。这样，退火时TaON膜保持非晶状态，其理由如下。由于一般情况下结晶态TaON膜伴随着高温热处理工序，TaON膜内的氧含量增大。另一方面，由于非晶态TaON膜不伴随着高温热处理，所以TaON膜内的氮含量相对升高。由此，氮含量相对高的非晶态的介电常数比氧含量相对高的结晶态的介电常数要高。因此，为了确保更高的介电常数，进行非晶态不变化的热处理。之后，在TaON膜43上形成预定厚度的上部电极44。这里，上部电极44由掺杂多晶硅或者金属层形成。此时，作为金属层采用TiN、TaN、W、WN、WSi、Ru、RuO2、Ir、IrO2、Pt之中的任意一种。这些金属层47可采用LPCVD、PECVD、RF磁溅射法而形成。此时，可以在形成上部电极44之前使阻挡层金属膜(未图示)介于其中。
而且，蒸镀非晶态TaON膜之前，下部电极的表面处理也可以代之以等离子体NH3气体退火或者RTP工序。
根据本实施例，将比结晶态TaON膜(ε=20－26)具有更高介电常数的非晶态TaON膜(ε=30－300)，用作电容器的电介质，大大增加存储元件的电容。
而且，非晶态TaON膜由于具有Ta－O－N的稳定键合结构，所以具有比氧化钽膜更稳定的化学计量比。由此，可以抗外加的电冲击，并绝缘击穿电压(breakdown voltage)高，漏电流非常低。此外，由于非晶态TaON膜具有稳定的结构，所以与下部电极和上部电极基本不发生氧化反应。因此，可以将等效电介质膜的厚度控制在35A以下。
在制造方法方面，形成单层的TaON膜，而且膜蒸镀后，仅进行用于稳定膜的退火工序。由此，比已有的氧化钽膜的制造方法更为简单。
权利要求
1．一种半导体存储元件的电容器，其特征在于，包括下电部极；在下部电极上形成的电介质膜；和在电介质膜上形成的上部电极；所述电介质膜是非晶TaON膜。
2．根据权利要求1的半导体存储元件的电容器，其特征在于，在所述下部电极表面上形成氮化物薄膜。
3．根据权利要求2的半导体存储元件的电容器，其特征在于，所述非晶TaON膜的厚度为50－150。
4．一种半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于包括在半导体衬底上形成下部电极的阶段；在所述下部电极上蒸镀作为电介质膜的非晶TaON膜的阶段；在保持非晶状态的范围内对所述非晶TaON膜进行热处理的阶段；和在所述TaON膜上形成上部电极的阶段。
5．根据权利要求4的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，在LPCVD反应室内在300－600℃和0．1－100乇压力下，由O2气体、NH3气体和前驱物获得的Ta化学蒸汽的晶片表面化学反应，形成所述TaON膜。
6．根据权利要求5的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，采用流量调节器使99．999％以上的前驱物定量化后，按50－300mg／分钟左右的流量通过蒸发器或蒸发管注入，而蒸发获得所述Ta化学蒸汽。
7．根据权利要求6的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，所述蒸发器或蒸发管保持在150－200℃的温度。
8．根据权利要求7的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，所述前驱物是Ta(OC2H5)5(乙醇钽)或者Ta(N(CH3)2)5(戊－二甲基－氨基－钽)。
9．根据权利要求5的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，按5－500sccm的范围供给所述O2气体、NH3气体。
10．根据权利要求4的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，在所述下部电极形成阶段和所述TaON膜蒸镀阶段之间，为阻止所述下部电极表面的自然氧化膜的发生而进行表面处理。
11．根据权利要求10的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，所述下部电极的表面处理是采用HF蒸汽、HF溶液或者含有HF的化合物进行清洗。
12．根据权利要求11的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，在所述清洗工序之前或之后，利用NH4OH溶液或者H2SO4溶液等再进行界面处理。
13．根据权利要求4的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，在所述非晶TaON膜的蒸镀阶段中，先供给NH3气体，使下部电极表面氮化后，再供给O2气体和Ta化学蒸汽，形成非晶TaON膜。
14．根据权利要求4的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，所述非晶TaON膜的退火阶段，是在300－600℃的温度和含氮的等离子体气体气氛中，对蒸镀非晶TaON膜的所得产物进行退火。
15．根据权利要求4的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，所述非晶TaON膜的退火阶段，是在300－600℃的温度和含氧的等离子体气体气氛中进行。
16．一种半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，包括在半导体衬底上形成下部电极的阶段；对所述下部电极进行表面处理的阶段；在所述下部电极上蒸镀作为电介质膜的非晶TaON膜的阶段；在保持非晶状态的范围内对所述非晶TaON膜进行热处理的阶段；和在所述TaON膜上形成上部电极的阶段，在300－600℃和0．1－100乇以下的LPCVD反应室内，由O2气体、NH3气体和前驱物获得的Ta化学蒸汽的晶片表面化学反应，形成所述TaON膜。
17．根据权利要求16的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，采用流量调节器使99．999％以上的前驱物定量化后，按50－300mg／分钟的流量注入蒸发器或蒸发管后，蒸发获得所述Ta化学蒸汽。
18．根据权利要求17的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，所述前驱物是Ta(OC2H5)5(乙醇钽)或者Ta(N(CH3)2)5(戊－二甲基－氨基－钽)。
19．根据权利要求16的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，按5-500sccm的范围供给所述O2气体、NH3气体。
20．根据权利要求16的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，所述下部电极的表面处理是采用HF蒸汽、HF溶液或者含有HF的化合物进行清洗。
21．根据权利要求20的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，在所述清洗工序之前或之后，利用NH4OH溶液或者H2SO4溶液等再进行界面处理。
22．根据权利要求16的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，所述下部电极的表面处理时供给NH3气体，使下部电极氮化。
23．根据权利要求16的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，所述非晶TaON膜的退火阶段，是在300－600℃的温度和含氮的等离子体气体气氛中，对蒸镀非晶TaON膜的所得产物进行退火。
24．根据权利要求16的半导体存储元件的电容器的制造方法，其特征在于，所述非晶TaON膜的退火阶段，是在300－600℃的温度和含氧的等离子体气体气氛中进行。
全文摘要
本发明提供一种能够减少漏电流的发生,并具有介电常数高的电介质膜,从而确保大容量的半导体元件的电容器。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极。在下部电极表面上进行阻止自然氧化膜发生的表面处理。在下部电极上蒸镀作为电介质膜的非晶TaON膜。然后,在保持非晶状态的范围内对非晶TaON膜进行热处理。之后在TaON膜上形成上部电极。
文档编号H01L21/02GK1279513SQ0012221
公开日2001年1月10日 申请日期2000年7月1日 优先权日1999年7月1日
发明者李起正, 李泰赫 申请人:现代电子产业株式会社