专利名称：半导体存储元件的电容器的形成方法
技术领域：
本发明涉及半导体存储元件的电容器的形成方法，更详细地说是涉及采用TaON膜作为电介质膜的半导体存储元件的电容器的形成方法。
近来，随着半导体制造技术的发展，对存储元件的需求日渐增加。因此，要求存储元件在狭小的面积上具有相对大的电容量。这种电容器的静电容量(capacitance)是通过扩大下部电极的表面积、采用高介电常数的绝缘体来增大的。已有的电容器是采用介电常数比NO(氮化物－氧化物)膜更高的氧化钽膜(Ta2O5)作为电介质、形成三维的下部电极的结构。
图1是显示已有的半导体存储元件的电容器的剖面图。如图所示，在预定部位形成场氧化膜11的半导体衬底10上，按公知方式形成下部带有栅绝缘膜12的栅电极13。在栅电极13两侧的半导体衬底10上形成结区14，从而形成MOS晶体管。在形成了MOS晶体管的半导体衬底10上形成第1层间绝缘膜16和第2层间绝缘膜18。在第1层间绝缘膜16和第2层间绝缘膜18内形成存储结点接触孔h，露出结区14。采用公知方式在存储结点接触孔h内形成圆筒状的下部电极20，与露出的结区14接触。为了进一步增大下部电极20的表面积，在下部电极20的表面形成HSG(半球形颗粒)膜21。在HSG膜21表面上形成氧化钽膜23。此时，在后续工序中形成氧化钽膜23。首先，在形成氧化钽膜23之前，对HSG膜21表面清洗，之后按非原位(ex－situ)方式进行RTN工序(快速热氮化)。利用RTN工序在HSG膜21表面上形成氮化硅膜22。然后，在约400－450℃的温度下，形成53－57A厚的第1氧化钽膜。之后，在低温进行退火处理后，以与第1氧化钽膜相同的工序和相同的厚度形成第2氧化钽膜。之后，进行连续地低温和高温退火处理，形成单一的氧化钽膜23。在氧化钽膜23和第2层间绝缘膜18上蒸镀上部电极24，制成电容器。
但是，以氧化钽膜为电介质膜的已有的电容器，存在以下问题。
首先，由于一般的氧化钽膜具有不稳定的化学计量比(stoichiometry)，所以Ta和O的组成比例发生差异。因此，在薄膜内产生代位式Ta原子即空位原子(vacancy atom)。这种空位原子是氧空位，所以成为漏电流的原因。可以通过构成氧化钽膜的组成元素的含量和结合程度来调节空位原子的量，但是难以完全去除。
现在，为了稳定氧化钽膜的不稳定的化学计量比，对氧化钽膜进行氧化，以便去除氧化钽膜内的代位式Ta原子。但是，当对用于防止漏电流的氧化钽膜进行氧化时，则出现以下的问题。即，氧化钽膜与多晶硅或TiN等形成的上部和下部电极的氧化反应性大。因此，在对代位式Ta原子进行氧化的氧化工序中，氧化钽膜与上部电极或下部电极反应，从而在界面产生介电常数低的氧化膜，氧在氧化钽膜和下部电极的界面移动，从而降低了界面的均匀性。
而且，利用作为前驱物(precusor)使用的Ta(OC2H5)5的有机物和O2(或者N2O)气体发生的反应，在氧化钽膜内产生如碳原子(C)、碳化合物(CH4、C2H4)及H2O的杂质。这些杂质增大了电容器的漏电流，并且降低了氧化钽膜的介电常数，所以难以获得大容量的电容器。
而且，使用氧化钽膜作为电介质膜的方法，在形成氧化钽膜之前进行清洗处理之后，必须进行其他的非原位(ex－situ)处理，必须2阶段地蒸镀氧化钽膜，形成氧化钽膜之后必须进行经过低温和高温2次的热处理工序。所以工序复杂。
因此，本发明的目的在于提供一种利用减少漏电流的发生、具有高介电常数的电介质膜、能确保大容量的半导体元件的电容器。
为了实现所述目的，本发明包括如下阶段，即在半导体衬底上形成下部电极的阶段；在所述下部电极表面上进行阻止自然氧化膜发生的表面处理的阶段；在进行了所述表面处理的下部电极上，通过Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体的反应，形成TaON膜的阶段；使所述TaON膜结晶化的阶段；和在所述TaON膜上形成上部电极的阶段，其特征在于，在设置了喷射Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体的喷射头的LPCVD反应室内形成所述TaON膜，所述TaON膜是在300－600℃和0．1－10乇的压力下形成的。
而且，本发明包括如下阶段，即在半导体衬底上形成下部电极的阶段；进行抑制所述下部电极表面产生自然氧化膜的表面处理工序的阶段；在进行了所述表面处理的下部电极上，通过Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体的反应，形成TaON膜的阶段；使所述TaON膜结晶化的阶段；和在所述TaON膜上形成上部电极的阶段，其特征在于，在一侧壁设置注入Ta化学蒸汽和O2气体的第1喷射器，在与所述第1喷射器对置的另一侧壁设置注入NH3气体的第2喷射器，在以对流状态喷射反应气体的LPCVD反应室内形成所述TaON膜，所述TaON膜是在300－600℃和0．1－10乇的压力下形成的。
而且，本发明包括如下阶段，即，在半导体衬底上形成下部电极的阶段；进行抑制所述下部电极表面产生自然氧化膜的表面处理工序的阶段；在进行了所述表面处理的下部电极上，通过Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体的反应，形成TaON膜的阶段；使所述TaON膜结晶化的阶段；和在所述TaON膜上形成上部电极的阶段，其特征在于，在下端两侧设置喷射Ta化学蒸汽和O2气体的第1喷射器和喷射NH3气体的第2喷射器，在以抛物线状喷射反应气体的LPCVD反应室内形成所述TaON膜，所述TaON膜是在300－600℃和0．1－10乇的压力下形成的。
图1是显示已有的半导体元件的电容器的剖面图。
图2A－图2C是用于说明本发明实施例1的半导体元件的电容器的剖面图。
以下，详细地说明本发明的优选实施例。
(实施例1)参见图2A，在具有预定导电性的半导体衬底30的预定部位，按公知方式形成场氧化膜31。在半导体衬底30上的预定部位形成底部具有栅绝缘膜32的栅电极33，在栅电极33的两侧按公知方式形成隔离层34。在栅电极33两侧的半导体衬底30上形成结区35，从而制成MOS晶体管。在形成了MOS晶体管的半导体衬底30上形成第1层间绝缘膜36和第2层间绝缘膜38。之后，对第2和第1层间绝缘膜38、36进行布图，以便露出结区35之中的任一个，形成存储结点接触孔H。形成圆筒状或者层叠状的下部电极40，与露出的结区35接触。为了增大下部电极40的表面积，采用公知方法在下部电极40的表面形成HSG膜41。之后，为了防止产生低介电常数的自然氧化膜，在HSG膜41的表面即含HSG膜41的下部电极40与以后形成的电介质膜(图中无显示)之间的界面上，可以采用HF蒸汽(HF vapor)、HF溶液(solution)或者含有HF的化合物，对下部电极40和第2层间绝缘膜38的表面进行清洗处理。这样的清洗处理可以按下部电极的形成工序和原位(in－situ)的方式或者非原位(ex－situ)的方式进行。为了进一步改善界面的均匀性，可以在HF溶液的清洗处理的前后，采用NH4OH溶液或者H2SO4溶液等，对下部电极的表面进行界面处理。而且，作为其他方法，采用FTP(快速热处理)电炉在700－900℃和NH3气体气氛中，对形成了下部电极40的半导体衬底的所得物进行热处理，使下部电极40的表面氮化。通过这样的下部电极40表面的氮化处理能够抑制自然氧化膜的发生。而且，作为其他方法，在600－950℃温度和氮气气氛下，按下部电极的形成工序和原位的方式对形成了下部电极40的所得物进行RTP(快速热处理)处理。
参见图2B，在经过表面处理的下部电极40上，形成厚50－150A的作为电介质的非晶TaON膜43。此时，按原位(in－situ)或者非原位(ex－situ)方式形成非晶TaON膜43。其中，在LPCVD反应室内，通过由前驱物获得的Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体的反应，形成非晶TaON膜43。蒸镀非晶TaON膜43时，为了使膜内产生的颗粒最小化，应使LPCVD反应室内的温度保持在300－600℃、压力保持在0．1－10乇，在抑制反应室内的汽相反应的同时，仅在晶片表面发生化学反应。这里，在形成TaON膜之前，仅用HF清洗下部电极40表面的情况，蒸镀TaON膜时，LPCVD反应室内先仅注入NH3气体，使下部电极40表面氮化之后，注入其余的反应气体，蒸镀TaON膜。而且，前驱物采用含有钽的有机金属物质，例如Ta(OC2H5)5(乙醇钽)、Ta(N(CH3)2)5(戊－二甲基－氨基－钽)物质。这里，Ta(O(C2H5)5、Ta(N(CH3)2)5这样的前驱物由于是公知的液态，所以应该转变为蒸汽状即Ta化学蒸汽后再供给LPCVD反应室内。亦即，采用MFC(质流控制器)这样的流量调节器使液态的前驱物定量化后，采用包括小孔(orifice)或喷嘴(nozzle)的蒸发器或蒸发管进行蒸发，形成Ta化学蒸汽。而且，蒸发器和成为Ta蒸汽的流动路径(flow path)的供给管的温度应保持在150－200℃，以便能够防止Ta化学蒸汽冷凝。此时，用于形成Ta化学蒸汽的前驱物应按约50－150mg／min的程度的流量注入蒸发器或蒸发管，O2气体应随Ta化学蒸汽的量而变化，但是按约为5－500sccm的程度注入LPCVD反应室内，按约10－1000sccm的程度向LPCVD反应室内注入NH3气体。这里，如图3所示，在反应室上部安装了喷射头110的CVD反应室100内形成本实施例的TaON膜。此时，从气源注入口(source inject port；112)注入Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体后，通过喷射头110的孔110a向晶片115喷射。由此，向衬底表面垂直喷射反应气体，可以改善TaON膜的均匀性。尚未说明的附图标记120是承载晶片的晶片支撑台，125是使反应室100内形成真空状态的真空排气口。而且，附图标记130是介于气源注入口112和喷射头110之间的陶瓷制成的上部隔离器，135是在上部隔离器130两侧下端安装的用于固定喷射头110的下部隔离器。另外，附图标记140是晶片注入口。
之后，如图2C所示，通过热处理工序使非晶TaON膜43结晶化，使其更为稳定。这时，结晶化工序是按原位或者非原位方式，在保持N2O、O2或者N2气氛和600－950℃温度的反应室或者电炉内进行热处理。通过这种热处理，非晶TaON膜43一边转变为结晶TaON膜43a，一边完全释放出非晶TaON膜43内残留的碳化合物这样的杂质。之后，在结晶化的TaON膜43a上形成导电性阻挡层44。上部电极45由掺杂的多晶硅膜形成，形成在导电性阻挡层44上。
(实施例2)本实施例除了Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体的喷射方法之外，其余与实施例1相同。
如图4所示，在两侧壁设置了对置喷射器的LPCVD反应室200内形成本实施例的TaON膜。这里，一侧的喷射器202喷射Ta化学蒸汽和O2气体，对置的另一侧的喷射器204喷射NH3气体。这样，由于喷射器202、204对置地设置，Ta化学蒸汽和O2气体与NH3气体在晶片表面相互对流。由此，可以进一步抑制汽相反应，促进晶片表面反应。这里，附图无说明的标记205是石英管(qurtz tube)，207是装载于石英管205内的晶片，209是加热石英管205的加热器。
(实施例3)本实施例除了Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体的喷射方法之外，其余与实施例1相同。
如图5所示，在两侧下端设置了一对喷射器302、304的LPCVD反应室300内形成本实施例的TaON膜。其中一个喷射器302向反应室内抛物线状地喷射Ta化学蒸汽和O2气体，另一个喷射器304抛物线状地喷射NH3气体。这样的LPCVD反应室300形成为圆顶状，以便注入气体呈抛物线状地喷射。这样，由于喷射器设置在一侧下端，所以LPCVD反应室结构简单。附图无说明的标记307是装载于LPCVD反应室300内的晶片，307是加热反应室300的加热区。这里，喷射器302、304即使并列设置在同一侧也可以获得同样的效果。
正如以上详细说明那样，通过在上部设置有喷射头的LPCVD反应室内形成TaON膜，使形成TaON膜的反应气体通过喷射头的气孔喷射，改善了TaON膜的均匀性。
另外，通过在两侧壁具有相互对置的喷射器的LPCVFD反应室内形成TaON膜，使反应气体对流，抑制汽相反应，并且促进晶片表面反应。
再有，通过在两侧具有一对喷射器的LPCVD反应室内形成TaON膜，使反应气体通过喷射器，向反应室内呈抛物线地喷射。由此，可使LPCVD反应室结构简化，降低制造费用。
而且，TaON膜具有20－30程度的高介电常数，同时还具有Ta－O－N的稳定键结构。因此，与NO膜相比介电特性优秀，具有比氧化钽膜稳定的化学计量比。从而，也可以抗外加电冲击，绝缘击穿电压高，漏电流非常低。
而且，由于TaON膜内没有氧化钽膜那样的代位式Ta原子，可以省略其他氧化工序。而且，由于TaON膜的氧化反应性非常低，所以电容器的下部电极和上部电极基本没有氧化反应。因此，等效电介质膜厚度可以控制到不足30A的薄的程度。
而且，蒸镀TaON膜后，由于通过结晶化工序可以完全除去膜内残留的碳化合物，所以改善了介电常数，漏电流也大为降低。
权利要求
1．一种半导体存储器元件的电容器的形成方法，包括在半导体衬底上形成下部电极的阶段；在所述下部电极表面上进行阻止自然氧化膜发生的表面处理的阶段；在所述进行了表面处理的下部电极上，通过Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体的反应，形成TaON膜的阶段；所述TaON膜结晶化的阶段；和在所述TaON膜上形成上部电极的阶段；其特征在于，在设置了喷射Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体的喷射头的LPCVD反应室内，形成所述TaON膜，所述TaON膜是在300－600℃和0．1－10乇的压力下形成的。
2．根据权利要求1的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述Ta化学蒸汽是在蒸发器或者蒸发管蒸发定量化的前驱物所获得的。
3．根据权利要求2的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述前驱物是Ta(O2C2H5)5或者Ta(N(CH3)2)5。
4．根据权利要求3的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，仅按约50－150mg／min的流量向蒸发器或者蒸发管供给所述前驱物。
5．根据权利要求4的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，按5－500sccm的程度向LPCVD反应室注入所述O2气体，按10－1000sccm的程度向LPCVD反应室注入所述NH3气体。
6．根据权利要求1的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述下部电极的表面处理工序，是采用含有HF的化合物清洗下部电极的表面。
7．根据权利要求6的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，在采用含有所述HF的化合物的清洗处理阶段之前或者之后，为了进一步改善界面的均匀性，利用NH4OH溶液或者H2SO4溶液等再对下部电极的表面进行界面处理。
8．根据权利要求6的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，在采用含有所述HF的化合物的清洗处理阶段之后，在形成TaON膜时，先供给NH3气体，使下部电极表面氮化。
9．根据权利要求1的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述下部电极的表面处理，是采用FTP(快速热处理)电炉在700－900℃和NH3气体气氛中，对形成了下部电极的半导体衬底的所得物进行热处理。
10．根据权利要求1的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述下部电极的表面处理，是在600－950℃的温度和氮气气氛中，对形成了下部电极的所得物进行RTP。
11．根据权利要求1的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述结晶化工序是在保持N2O、O2或者N2气体气氛和600－950℃温度的反应室内进行热处理。
12．根据权利要求1的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述结晶化工序是在保持N2O、O2或者N2气体气氛和600－950℃温度的电炉内进行热处理。
13．一种半导体存储器元件的电容器的形成方法，包括在半导体衬底上形成下部电极的阶段；进行抑制所述下部电极表面产生自然氧化膜的表面处理工序的阶段；在所述进行了表面处理的下部电极上，通过Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体的反应，形成TaON膜的阶段；所述TaON膜结晶化的阶段；和在所述TaON膜上形成上部电极的阶段，其特征在于，在一侧壁设置注入Ta化学蒸汽和O2气体的第1注入器，在与所述第一注入器对置的另一侧壁设置注入NH3气体的第2注入器，在以对流状态喷射反应气体的LPCVD反应室内形成所述TaON膜，所述TaON膜是在300－600℃和0．1－10乇的压力下形成的。
14．根据权利要求13的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述Ta化学蒸汽是在蒸发器或者蒸发管蒸发定量化的前驱物所获得的。
15．根据权利要求14的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述前驱物是Ta(O2C2H5)5或者Ta(N(CH3)2)5。
16．根据权利要求15的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，仅按约50－150mg／min的流量向蒸发器或者蒸发管供给所述前驱物。
17．根据权利要求16的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，按约5－500sccm的程度向LPCVD反应室注入所述O2气体，按约10－1000sccm的程度向LPCVD反应室注入所述NH3气体。
18．根据权利要求13的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述下部电极的表面处理工序，是采用含有HF的化合物清洗下部电极的表面。
19．根据权利要求18的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，在采用含有所述HF的化合物的清洗处理阶段之前或者之后，为了进一步改善界面的均匀性，利用NH4OH溶液或者H2SO4溶液等再对下部电极的表面进行界面处理。
20．根据权利要求18的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，在采用含有所述HF的化合物的清洗处理阶段之后，在形成TaON膜时，先供给NH3气体，使下部电极表面氮化。
21．根据权利要求13的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述下部电极的表面处理，是采用FTP(快速热处理)电炉在700－900℃和NH3气体气氛中，对形成了下部电极的半导体衬底的所得物进行热处理。
22．根据权利要求13的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述下部电极的表面处理，是在600－950℃的温度和氮气气氛中，对形成了下部电极的所得物进行RTP。
23．根据权利要求13的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述结晶化工序是在保持N2O、O2或者N2气体气氛和600－950℃温度的反应室内进行热处理。
24．根据权利要求13的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述结晶化工序是在保持N2O、O2或者N2气体气氛和600－950℃温度的电炉内进行热处理。
25．一种半导体存储器元件的电容器的形成方法，包括在半导体衬底上形成下部电极的阶段；进行抑制所述下部电极表面产生自然氧化膜的表面处理工序的阶段；在所述进行了表面处理的下部电极上，通过Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体的反应，形成TaON膜的阶段；所述TaON膜结晶化的阶段；和在所述TaON膜上形成上部电极的阶段，其特征在于，在下端两侧设置喷射Ta化学蒸汽和O2气体的第1喷射器和喷射NH3气体的第2喷射器，在以抛物线状喷射反应气体的LPCVD反应室内形成所述TaON膜，所述TaON膜是在300－600℃和0．1－10乇的压力下形成的。
26．根据权利要求25的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述Ta化学蒸汽是在蒸发器或者蒸发管蒸发定量化的前驱物所获得的。
27．根据权利要求26的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述前驱物是Ta(O2C2H5)5或Ta(N(CH3)2)5。
28．根据权利要求27的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，仅按约50－150mg／min的流量向蒸发器或者蒸发管供给所述前驱物。
29．根据权利要求28的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，按约5－500sccm的程度向LPCVD反应室注入所述O2气体，按约10－1000sccm的程度向LPCVD反应室注入所述NH3气体。
30．根据权利要求25的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述下部电极的表面处理工序是采用含有HF的化合物清洗下部电极的表面。
31．根据权利要求30的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，在采用含有所述HF的化合物的清洗处理阶段之前或者之后，为了进一步改善界面的均匀性，利用NH4OH溶液或者H2SO4溶液等再对下部电极的表面进行界面处理。
32．根据权利要求30的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，在采用含有所述HF的化合物的清洗处理阶段之后，在形成TaON膜时，先供给NH3气体，使下部电极表面氮化。
33．根据权利要求25的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述下部电极的表面处理，是采用FTP(快速热处理)电炉在700－900℃和NH3气体气氛中，对形成了下部电极的半导体衬底的所得物进行热处理。
34．根据权利要求25的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述下部电极的表面处理，是在600－950℃的温度和氮气气氛中，对形成了下部电极的所得物进行RTP。
35．根据权利要求25的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述结晶化工序是在保持N2O、O2或者N2气体气氛和600－950℃温度的反应室内进行热处理。
36．根据权利要求25的半导体存储器元件的电容器的形成方法，其特征在于，所述结晶化工序是在保持N2O、O2或者N2气体气氛和600－950℃温度的电炉内进行热处理。
全文摘要
本发明提供一种利用减少漏电流的发生而具有高介电常数的电介质膜,可确保大容量的半导体元件的电容器。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极的阶段;表面处理的阶段;形成TaON膜的阶段;TaON膜结晶化的阶段;和在TaON膜上形成上部电极的阶段,所述TaON膜是在300－600℃和0.1－10乇的压力下形成的,在以对流状态或者以抛物线状喷射Ta化学蒸汽、O
文档编号H01L21/316GK1279510SQ0012221
公开日2001年1月10日 申请日期2000年7月1日 优先权日1999年7月1日
发明者李起正, 朱光喆 申请人:现代电子产业株式会社