专利名称:一种多层陶瓷封装同步动态随机存储器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种封装存储器，具体涉及一种多层陶瓷封装同步动态随机存储器。本实用新型包括陶瓷管壳、封盖和存储器芯片，还包括第一层陶瓷基片和第二层陶瓷基片，所述第一层陶瓷基片上设置有与存储器芯片适配的通槽，所述第二层陶瓷基片上设置有与存储器芯片的压焊点对应的通孔，第二层陶瓷基片上表面设置有金导带，并且所述金导带由第二层陶瓷基片的通孔延伸至第二层陶瓷基片的边沿；所述第一层陶瓷基片设置于陶瓷管壳上，所述存储器芯片设置于第一层陶瓷基片的通槽中，所述第二层陶瓷基片设置于第一层陶瓷基片上，所述存储器芯片的压焊点通过金导带连接于陶瓷管壳；本实用新型使用周期长，抗外力冲击，稳定性能好且不易损坏。
【专利说明】—种多层陶瓷封装同步动态随机存储器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种封装存储器，具体涉及一种多层陶瓷封装同步动态随机存储器。
【背景技术】
[0002]国内同步动态随机存储器的封装，是将芯片粘接在金属引脚框架上，采用注塑的方法，外包塑料材料，实现存储器的封装；该封装方式的气密性、导热性能以及可靠性较差，并且该方式不易对芯片进行安放以及固定，对芯片的保护性较低，尤其是在布线面积较大，对尺寸没有严格要求的存储器，采用传统方法封装的储存器良品率低，稳定性差，且该种方法封装的存储器牢固度低，易损坏，不能满足苛刻条件的下使用。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的是针对现有技术中存在的问题提供一种多层陶瓷封装同步动态随机存储器。
[0004]一种多层陶瓷封装同步动态随机存储器，包括陶瓷管壳、封盖和存储器芯片，还包括第一层陶瓷基片和第二层陶瓷基片，所述第一层陶瓷基片上设置有与存储器芯片适配的通槽，所述第二层陶瓷基片上设置有与存储器芯片的压焊点对应的通孔，第二层陶瓷基片上表面设置有金导带，并且所述金导带由第二层陶瓷基片的通孔延伸至第二层陶瓷基片的边沿；所述第一层陶瓷基片设置于陶瓷管壳上，所述存储器芯片设置于第一层陶瓷基片的通槽中，所述第二层陶瓷基片设置于第一层陶瓷基片上，所述存储器芯片的压焊点通过金导带连接于陶瓷管壳；
[0005]所述第二层陶瓷基片通孔周围设置有绝缘层；
[0006]所述金导带厚度14um,宽度为10um?120um。
[0007]本实用新型具有以下有益效果:
[0008]单个存储器的封装周期短，封装成型的存储器良品率高，这不但提高了生产效率还降低了产品成本，且该方式封装的存储器使用周期长，抗外力冲击，稳定性能好且不易损坏；由于本实用新型采用了分层结构，可以根据生产需要将通用元件用于制造别的存储器，相对于传统封装方式，本实用新型可以在备料数相同的情况下，生产更多种类的存储器。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的结构示意图；
[0010]图2为本实用新型存储器芯片的结构示意图；
[0011]图3为本实用新型第一层陶瓷基片的结构示意图；
[0012]图4为本实用新型第二层陶瓷基片的结构示意图；
[0013]图5为本实用新型陶瓷管壳的结构示意图。
【具体实施方式】
[0014]如图1至图5所示一种多层陶瓷封装同步动态随机存储器，包括陶瓷管壳1、封盖2和存储器芯片3，还包括第一层陶瓷基片4和第二层陶瓷基片5，所述第一层陶瓷基片4上设置有与存储器芯片4适配的通槽6，所述第二层陶瓷基片5上设置有与存储器芯片的压焊点7对应的通孔，第二层陶瓷基片5上表面设置有金导带8，并且所述金导带8由第二层陶瓷基片5的通孔9延伸至第二层陶瓷基片5的边沿；所述第一层陶瓷基片4设置于陶瓷管壳I上，所述存储器芯片3设置于第一层陶瓷基片4的通槽中，所述第二层陶瓷基片5设置于第一层陶瓷基片4上，所述存储器芯片3的压焊点7通过金导带8连接于陶瓷管壳I ;所述第二层陶瓷基片5通孔9周围设置有绝缘层10，所述金导带8厚度14um，宽度为10um?120umo
[0015]进行封装工作时，采用厚膜工艺在第二层陶瓷基片5上制作与存储器芯片3的压焊点7对应的金导带8，再在第二层陶瓷基片5通孔9周围覆盖玻璃釉的绝缘层10，用于金导带8的保护和电绝缘；用耐高温、导热、绝缘粘接胶将第一层陶瓷基片4粘接到陶瓷管壳I上，将存储器芯片3粘接在第一层陶瓷基片4的通槽6中；用耐高温、导热、绝缘粘接胶将第二层陶瓷基片5粘接到第一层陶瓷基片4上，并且使得存储器芯片3的压焊点7与第二层陶瓷基片5的通孔对应，通过金丝压焊的方法将金导带8两端分别与储器芯片3的压焊点7以及陶瓷管壳I连接，再通过氮氢混合封盖工艺将封盖2盖于陶瓷管壳I上，从而完成封装工作。
【权利要求】
1.一种多层陶瓷封装同步动态随机存储器，包括陶瓷管壳(I)、封盖(2)和存储器芯片(3)，其特征在于:还包括第一层陶瓷基片(4)和第二层陶瓷基片(5)，所述第一层陶瓷基片(4)上设置有与存储器芯片(4)适配的通槽(6)，所述第二层陶瓷基片(5)上设置有与存储器芯片的压焊点(7)对应的通孔，第二层陶瓷基片(5)上表面设置有金导带(8)，并且所述金导带(8)由第二层陶瓷基片(5)的通孔(9)延伸至第二层陶瓷基片(5)的边沿；所述第一层陶瓷基片(4)设置于陶瓷管壳(I)上，所述存储器芯片(3)设置于第一层陶瓷基片(4)的通槽中，所述第二层陶瓷基片(5)设置于第一层陶瓷基片(4)上，所述存储器芯片(3)的压焊点(7)通过金导带(8)连接于陶瓷管壳(I)。2.如权利要求1所述一种多层陶瓷封装同步动态随机存储器，其特征在于:所述第二层陶瓷基片(5 )通孔(9 )周围设置有绝缘层(10 )。3.如权利要求1所述一种多层陶瓷封装同步动态随机存储器，其特征在于:所述金导带(8)厚度14um，宽度为10um?120um。
【文档编号】H01L23-31GK204271074SQ201420773428
【发明者】安飚, 杨耀虎, 杜林德, 李文军, 薛建国 [申请人]天水天光半导体有限责任公司