半导体发光元件制造方法

专利名称：半导体发光元件制造方法
技术领域：
本发明涉及用于制造在相同侧面上具有由透明导电膜制成的P型电极和n型电极的半导体发光器件，并且具体涉及第III族氮化物半导体发光器件。
背景技术：
例如，在常规第III族氮化物半导体发光器件中，甚至当p型层经受用于减小电阻率的处理吋，P型层的电阻率仍然比n型层的电阻率高。因此，仅电极的正下方发光，原因是在P型层内的平面上电流基本上不沿着横向方向扩散。因此，电极层必须形成在P型层的上表面上的宽范围内是必要的。此外，因为使用绝缘材料例如蓝宝石作为衬底，因此在器件的上表面上形成用于作为下层的n型层的电极是必要的。为了实现上述，需要通过蚀刻来移除存在于n型层上方的p型层、发光层等，以露出为n型电极形成部分的n型层的部分，从而在露出的n型层的上表面上形成电极，并在p型层的上表面上形成透明电极。 如上所述，需要n型层的曝光过程、在n型层上的n型电极的形成过程、在p型层上的透明电极的形成过程、多个光刻过程以及蚀刻过程。由于在n型层的曝光处理之后在p型层上形成透明电极，因此，难以形成具有形成在P型层的整个顶表面上的窗ロ的、精确定位在露出的n型层与p型层之间的边界处的掩模。因此，透明电极不得不形成在p型层上的自上述边界(即，阶梯的边缘)向后大约几Pm处。因此，存在其上没有形成透明电极的P型层的部分，即，存在对发光未作出贡献的部分，从而导致光发射效率降低。为了解决该问题，在下列专利文献I和2中公开了可用的技术。在专利文献I的技术中，在P型层的整个顶表面上形成由金属制成的透明电极和SiO2层之后，在SiO2层的整个顶表面上施加光刻胶。通过光刻对SiO2层的与用于露出n型层的部分对应的部分进行湿法蚀刻。使用剰余的光刻胶和SiO2层作为掩模来对半导体层例如p型层进行干法蚀刻，以露出n型层的部分，并且通过湿法蚀刻移除SiO2层。该过程可以提高光发射效率，这是因为透明电极形成为直到露出的n型层与p型层之间的边界处，并且可以减少处理的总数。然而，在露出n型层的过程中，导电原子例如金属附着到阶梯的侧壁上的pn结，因此降低了器件的可靠性。另ー方面，在专利文献2中公开的技术使用氧化铟锡(ITO)作为p型层上的透明电极。在该技术中，在P型层的整个顶表面上形成ITO透明电极之后，在ITO透明电极上施加光刻胶，并且通过光刻对ITO膜的与用于露出n型层的部分相对应的部分进行湿法蚀刻。使用剰余的光刻胶和ITO膜作为掩模来对半导体层例如p型层进行干法蚀刻，以露出n型层的部分。此外，在将电场施加至已蚀刻的阶梯的P型层的边缘时，会降低静电击穿电压。为了防止电场被施加至P型层边缘，ITO膜形成在自p型层边缘向后大约3 u m的位置处。因此，当使用掩模对ITO膜进行湿法蚀刻吋，ITO膜的从掩模边缘至自掩模边缘向后的位置被底切蚀刻。这使ITO膜的边缘位于自p型层的边缘向后的位置处，使得电场不被施加至阶梯的P型层边缘。现有技术文献
专利文献专利文献I :日本公开特许公报(特开)No. 1998-173229专利文献2 日本公开特许公报(特开)No. 2005-1994
发明内容
本发明要解决的问题在上述方法中，必须精确地控制湿法蚀刻的时间，以仅对在光刻胶边缘正下方的指定量的ITO膜进行底切蚀刻。当底切量少时，其导致静电击穿电压降低。当底切量大时，在其上没有形成ITO膜的p型层的区域会增加，这导致光发射效率降低。此外，当使用ITO膜和在其上的光刻胶作为掩模、利用反应气体等离子体来对半 导体层例如P型层进行干法蚀刻以露出n型层的部分时，构成ITO膜的导电金属原子例如In或Sn附着至pn结的侧壁,从而引起漏电流。鉴于前述内容，本发明的一个目的在于简化制造过程，并提高具有透明导电膜作为电极的发光器件的光发射效率和可靠性。用于解决问题的手段在本发明的第一方面中，提供了一种用于制造半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括衬底；形成在衬底上的具有第一导电类型的第一半导体层；具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层；形成在第二半导体层上的由透明导电膜制成的第二电极；以及形成在第一半导体层的通过蚀刻从第二半导体层露出的电极形成部分上的第一电极，其特征在于，该方法包括在第二半导体层的整个顶表面上形成透明导电膜；在透明导电膜上施加光刻胶；移除光刻胶的存在于第一半导体层的电极形成部分正上方的部分，使得光刻胶的剩余部分在待移除部分的边界处朝向待移除的部分逐渐变薄；使用剩余的光刻胶，通过对透明导电膜进行湿法蚀刻来露出第二半导体层的一部分；使用光刻胶和透明导电膜作为掩模，通过干法蚀刻来露出第一半导体层的电极形成部分；使用剩余的光刻胶作为掩模，对在干法蚀刻中露出的透明导电膜的部分进行湿法蚀刻；清除剩余的光刻胶。在这里，发光器件可以用于通过透明导电膜向外输出光的面朝上的导线接合型发光器件。此外，发光器件可以为在所谓的面朝下类型中使用的倒装芯片类型，其中透明衬底保持为使器件表面朝下并且半导体层侧连接至引线框。在倒装芯片类型的情形下，本发明可以用在反射体直接形成或经由绝缘膜形成在透明导电膜上的器件中。尽管可以使用任意的半导体材料，然而本发明在使用第III族氮化物半导体用于多层时特别有效。在其上形成有透明导电膜的第二半导体层可以为P型半导体或n型半导体。然而，具有比n型半导体的比电阻高的P型半导体通常用作在其上形成有透明导电膜的半导体。因此，在本发明中，通常地，第一导电类型为n型，第二导电类型为p型，第一半导体层为n型半导体层，以及第二半导体层为P型半导体层。然而，出于以下原因，还可能的是第一导电类型为P型，第二导电类型为n型，第一半导体层为p型半导体层，以及第二半导体层为n型半导体层。当离衬底最远的最上层为第III族氮化物半导体时，该层通常为P型半导体，使得可以进行P型活化处理。然而，通过先进的制造技术，最上层可以为n型半导体，或者，在通过激光剥离(LLO)法制造的发光器件中，离基础衬底最远的最上层为n型半导体。本发明可以应用于其上形成有透明导电膜的第二半导体层为任意导电类型的情形。光刻胶可以形成为使得在移除光刻胶的存在于第一半导体层的电极形成部分正上方的部分时，通过调整光刻胶的曝光強度分布控制显影之后的光刻胶的厚度来使光刻胶的剰余部分在待移除部分的边界处朝着待移除部分变薄。例如，当在显影时移除光刻胶的露出部分时，可以通过在待移除的部分与剰余部分之间的边界处朝着剰余部分逐渐減少曝光強度来实现这样的光刻胶形成。剰余的光刻胶朝着移除的部分逐渐变薄，并且在边界处形成倾斜表面(以下称为“倾斜部分”)。作为半导体层，可以使用第III族氮化物半导体。如本文中所使用的，“第III族氮化物半导体”包括由式AlxGayInzN(x+y+z = 1,0 ^ x, y, z ^ I)表示的半导体；其中Al、Ga或In的一部分可以由另外的第3B族元素或第13族元素(例如，B或Tl)替代、或者N的一部分可以由另外的第5B族元素或第15族元素(例如，P、As、Sb或Bi)替代的这种半导体。第III族氮化物半导体的具体实例包括至少包含Ga的那些，例如GaN、InGaN、AlG aN以及AlGalnN。通常地，Si用作n型杂质，Mg用作p型杂质。本发明的效果在第二半导体层的整个顶表面上形成透明导电膜，并在透明导电膜上施加光刻胶。其后，通过光刻移除光刻胶的与第一半导体层的电极形成部分相对应的部分。使用剩余的光刻胶作为掩模来对透明导电膜的一部分进行湿法蚀刻。随后，使用透明导电膜和光刻胶作为掩模来执行干法蚀刻，以露出第一半导体层。因此，可以通过ー个光刻过程来执行用于露出第一半导体层的过程和用于图案化在第二半导体层上的透明导电膜的过程，从而简化了制造过程。由于不需要在形成第一半导体层的电极形成部分之后形成透明导电膜，所以在形成掩模时不需要定位，从而简化了制造。由于在第二半导体层的整个顶表面上形成透明导电膜，所以可以提高光发射效率。此外，由于在第二半导体层的整个顶表面上形成透明导电膜，所以増加了电流通路的横截面积，因此可以降低驱动电压以及电阻。光刻胶具有在其移除部分和剰余部分之间的边界处逐渐变薄的倾斜部分。在用于露出第一半导体层的干法蚀刻过程中，倾斜部分的指定薄部分被蚀刻并消失。在光刻胶被移除的部分处露出透明导电膜的一部分。由于透明导电膜具有比半导体层高的抗干法蚀刻的耐久性，因此难以蚀刻透明导电膜。即使透明导电膜的露出部分被蚀刻，但是，由于在蚀刻之前在透明导电膜的露出表面上存在光刻胶的倾斜部分，所以延迟了蚀刻的开始。结果，透明导电膜的露出部分没有被完全蚀刻。将光刻胶和透明导电膜的厚度确定为使得实现所述条件。在干法蚀刻之后，使用剰余的光刻胶作为掩模来对透明导电膜的露出部分进行湿法蚀刻，換言之，对透明导电膜的与光刻胶的倾斜部分的指定薄部分相对应的部分进行蚀刻。结果，透明导电膜的边缘自第一半导体层的电极形成部分的边界后移倾斜部分的指定部分。由于可以通过光刻胶的倾斜部分的宽度和角度来调整该向后的位置，所以向后的量可以是具有高精度的非常小的量。因此，透明导电膜可以形成在第二半导体层的几乎整个顶表面上，并且因此可以提高发光器件的光发射效率。此外，由于在用于露出第一半导体层的干法蚀刻之后存在用于对透明导电膜进行湿法蚀刻的过程，所以在湿法蚀刻过程中可以移除附着于在干法蚀刻过程中形成的阶梯的侧壁上的pn结的导电金属原子(如果有的话)。因此，提高了器件的可靠性。


图I为根据本发明的一个具体实施方案的发光器件的横截面图。图2为前述具体实施方案的发光器件的俯视图。图3为示出前述具体实施方案的发光器件的制造过程的发光器件的横截面图。图4为示出前述具体实施方案的发光器件的制造过程的发光器件的横截面图。图5为示出前述具体实施方案的发光器件的制造过程的发光器件的横截面图。图6为示出前述具体实施方案的发光器件的制造过程的发光器件的横截面图。图7为示出前述具体实施方案的发光器件的制造过程的发光器件的横截面图。图8为根据本发明的另一实施方案的发光器件的横截面图。·
具体实施例方式下面描述用于执行本发明的具体实施方案。可以使用任意的衬底，例如绝缘衬底、导电衬底、不透明衬底或透明衬底。例如，可以采用蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、氧化猛(MnO)或者由式AlxGayIn1^N表示的四元、三元或二元半导体、或者AlN或者陶瓷作为衬底。透明导电膜的实例包括导电氧化物膜例如金属氧化物。典型地，可以使用氧化铟锡(ITO)或氧化锌(ZnO)。除此之外，可以使用由以下材料制成的透明导电膜作为添加有若干百分比的将变成如在Al2O3或Ga2O3中的三价离子的元素的ZnO的材料(AZ0或GZ0)、掺杂有氟的氧化锌(FZO)、氧化铟和氧化锌的混合物、添加有铌的二氧化钛TihNbxO2 (TNO)，或者其他材料例如氧化锌基材料、氧化铟基材料、氧化锡基材料以及镉基材料(CTO)。这些材料容易被湿法蚀刻，并且在使用氯或氟的干法蚀刻中这些材料的蚀刻速率比第III族氮化物半导体的蚀刻速率慢。任意材料均可以用于湿法蚀刻，只要可以蚀刻透明导电膜即可。任意材料均可以用于干法蚀刻，只要可以蚀刻第III族氮化物半导体即可。可以采用使用氯或氟的等离子蚀刻。尽管第一电极和第二电极可以由任意材料(例如镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au))制成，但是可以使用金和钛的多层膜或者包括金和钛的合金、钨(W)、钛(Ti)以及金(Au)中的至少一种的多层膜。可以通过溅射或真空气相沉积形成透明导电膜。然而不限于此，优选电子束真空气相沉积。优选地，构成发光层的单量子阱(SQW)结构或多量子阱(MQW)结构包括由至少包含铟(In)的由AlyGai_y_zInzN(0彡y < 1，0 < z彡I)表示的第III族氮化物基化合物半导体制成的阱层。发光层的组成的实例包括由掺杂的或未掺杂的Ga1-JnzN(0 < z ^ I)制成的阱层以及由以具有任意组成比例的AlGaInN表示的第III族氮化物基化合物半导体制成的势垒层，所述势垒层的带隙比阱层的带隙宽。发光层的优选实例包括由未掺杂的Ga1^zInzN(0 < z ^ I)制成的阱层以及由未掺杂的GaN制成的势垒层。在这里，术语“掺杂”表示有意将掺杂剂混合至原材料气体中并添加至目标层中；术语“未掺杂”表示没有有意将掺杂剂混合至原材料气体中并且没有添加至目标层中。因此，术语“未掺杂”还包括通过从附近层的扩散而自发形成掺杂的情形。分子束外延(MBE)、金属有机气相外延(MOVPE)、氢化物气相外延(HVPE)、液相外延等有效地用于第III族氮化物半导体层的晶体生长。构成半导体发光器件的多层中的每ー层的第III-V族氮化物半导体均可以由第III-V族氮化物基化合物半导体形成，该第ェェェ-乂族氮化物基化合物半导体由至少由式六丄知“抓⑴^^彡^彡丫彡^^^+丫彡！)表示的ニ元系半导体、三元系半导体或四元系半导体组成。此外，可以使用硼(B)或铊(Tl)替代这样的第III族元素(Al、Ga或In)的一部分，并且可以使用磷(P)、神(As)、锑(Sb)或铋(Bi)替代氮(N)的一部分。此外，在使用这样的半导体形成n型层的情况下，可以添加Si、Ge、Se、Te、C或类似物质作为n型杂质,并且在使用这样的半导体形成p型层的情况下，可以添加Mg、Be、Ca、Sr或Ba或类似物质作为p型杂质。实施方案I图I为示出该实施方案I的半导体发光器件I的横截面图。图2为其俯视图。在具有IOOiim厚度的蓝宝石衬底101上形成由氮化铝(AlN)制成的并且具有大约20nm膜厚度的缓冲层102，并在缓冲层102上形成作为由掺杂有硅(Si)的GaN制成的并且具有大 约8. 0 y m膜厚度的高载流子浓度n+层的n型接触层104 (第一半导体层)。该n型接触层104具有5X IO1Vcm3的电子密度。尽管优选的是该层的电子密度尽可能高，然而将电子密度增加至2X IO1Vcm3是可能的。然后，在n型接触层104上，形成由Inatl3Gaa97N制成的应变减少层105以具有200nm的厚度。在应变减少层105上，形成了具有多量子阱(MQW)结构的发光层106，在所述多量子阱(MQW)结构中沉积有三个周期的具有20nm膜厚度的未掺杂GaN和具有3nm膜厚度的未掺杂Gaa8Ina2L在发光层106上形成对应于由掺杂有镁(Mg)的Alai5Gaa85N制成的覆层的并且具有大约60nm膜厚度的p型层107。此外，在p型层107上形成由掺杂有Mg的GaN制成并且具有大约130nm膜厚度的p型接触层108(第二半导体层)。此外，在p型接触层108上形成由ITO制成并且通过MOCVD形成的透明导电膜10。在P型接触层108的上表面的外周处形成具有3 u m宽度的露出部分5。考虑到光发射效率，虽然优选的是露出部分5的宽度尽可能小，但是考虑到在阶梯侧壁上的pn结处的短路，宽度优选最小为I Pm。当宽度超过6 iim时，光发射效率下降。宽度优选地为6 iim或更小。在透明导电膜10上形成由SiO2制成的绝缘保护膜20。透明导电膜10的厚度为0. 5iim，并且绝缘保护膜20的厚度为200nm。在穿过绝缘保护膜20开放的窗口中形成的p型焊垫电极40具有厚度为0. 01 ii m的钛(Ti)和厚度为0. 5 ii m的金(Au)的双层结构。此外，该P型焊垫电极40可以由Ti和Au的合金构成。同时，在从p型接触层108蚀刻时露出的n型接触层104上形成n型电极30。n型电极30具有双层结构，并且通过在作为n型接触层104的部分露出部分的电极形成部分16上依次沉积具有大约18nm膜厚度的钒(V)层31以及具有大约I. 8 U m膜厚度的铝(Al)层32而构成。接下来将描述用于制造根据该实施方案的半导体发光器件的方法。首先，通过M0CVD，在400°C下在蓝宝石衬底101上通过氮化铝(AlN)的低温外延形成缓冲层102。随后，通过MOCVD依次沉积各自由第III族氮化物半导体制成的n型接触层104、应变减少层105、发光层106、p型层107以及p型接触层108，同时将每个第III族氮化物半导体的外延生长温度调整至最佳温度。用于MOCVD的原材料气体如下作为氮源的氨气(順3)、作为Ga源的三甲基镓(Ga(CH3)3)、作为In源的三甲基铟(In(CH3)3)、作为Al源的三甲基铝(Al (CH3)3)、作为n型掺杂气体的硅烷(SiH4)、作为p型掺杂气体的环戊二烯基镁(Mg (C5H5) 2)以及作为载气的氢气(H2)或氮气(N2)。前述的外延生长半导体层是已知的方法。如图3所示，在p型接触层108的整个顶表面上以0. 5 的厚度均匀地沉积IT0，从而形成透明导电膜12。随后，在透明导电膜12的整个顶表面上以4 u m的厚度施加光刻胶13。其后，使光刻胶13曝光。此时，如图3所示，使光刻胶13曝光，以使得在移除光刻胶13的部分的边界14处、沿着曝光强度朝向光刻胶13的剩余部分降低的方向倾斜。例如,可以通过使用接近式曝光法(proximity exposuremethod)来改变光掩模与晶片之间的间隙(接近间隙)或者通过在保持接近间隙恒定的同时改变曝光强度来调整曝光强度的倾斜角度。随后，如图4所示，对光刻胶13进行显影以移除曝光部分80，从而在边界14处形成具有倾斜部分15的光刻胶13。光刻胶13的移除部分与n型接触层104的待露出部分相对应。接着，在该状态下执行湿法蚀刻。结果，如图5所示，移除了没有被光刻胶13覆盖的透明导电膜12。随后，使用剩余的透明导电膜12和光刻胶13的双层作为掩模利用氯等 离子体执行干法蚀刻。结果，如图6所示，露出n型接触层104，从而形成电极形成部分16。此时，由于光刻胶13整体变薄并且倾斜部分15薄，所以通过蚀刻移除了倾斜部分15的指定宽度部分19，并且露出透明导电膜12的作为下层的部分17。在蚀刻完成时，在部分19之下的透明导电膜12没有被完全地移除。将光刻胶13和透明导电膜12设计成具有能够实现该状态的相应厚度。随后，如图7所示，使用剩余的光刻胶13作为掩模对透明导电膜12的露出部分17进行湿法蚀刻。剩余部分与图I中示出的半导体发光器件I的透明导电膜10相对应。此时，清除了附着至阶梯的侧壁18上的pn结的为ITO的构成元素的In、Sn
坐寸o在这之后，在该器件的整个上表面上施加光刻胶，并且通过曝光和显影在透明导电膜10上的p型焊垫电极40形成部分中形成光刻胶的窗口。分别以0. 01 ii m和0. 5 ii m的厚度沉积Ti和Au，并且剥离光刻胶，从而形成p型焊垫电极40。类似地，在该器件的整个上表面上施加光刻胶，并且通过曝光和显影在与n型接触层104的电极形成部分16相对应的部分中形成光刻胶的窗口。分别以18nm和I. 8 m的厚度沉积V和Al，从而形成n型电极30。随后，在该器件的整个上表面上以200nm的厚度沉积SiO2，并在其上均匀地施加光刻胶。通过曝光和显影在指定部分中形成光刻胶的窗口，并且利用氟基蚀刻气体对SiO2执行干法蚀刻。其后，移除光刻胶，由此形成绝缘保护膜20。实施方案2如图8所示，当形成倒装类型半导体发光器件2时，也可以采用本发明。将与实施方案I中的组件相同的组件赋予相同的附图标记。在透明导电膜10上形成由SiO2制成的第一绝缘保护膜20，并且在第一绝缘保护膜20上形成由Al制成的反射体50。在反射体50、露出的第一绝缘保护膜20以及器件2的上表面上形成由SiO2制成的第二绝缘保护膜21。因此,反射体50存在于其中集成有第一绝缘保护膜20和第二绝缘保护膜21的绝缘保护膜中。此外，P型凸起电极70连接至p型焊垫电极40,并且n型凸起电极60连接至n型电极30。在这样的半导体发光器件2中，当露出n型接触层104的电极形成部分16时，可以在干法蚀刻中使用实施方案I中的方法，在电极形成部分16的阶梯的边缘处形成p型接触层18的具有微小宽度的露出部分5，从而形成透明导电膜10。在所有的前述实施方案中，半导体发光器件可以具有任意的层构造。本发明也可以应用于当在相同表面侧上具有n型电极和p型电极的器件中的第二半导体层上形成透明导电膜以及在第一半导体层上形成电极时具有蚀刻半导体层的过程的任意发光器件制造方法。エ业实用性本发明可以用于提高半导体发光器件的光发射效率。附图标记说明I :发光器件 5 :露出部分10:透明导电膜15 :倾斜部分20 :绝缘保护膜40 :p型焊垫电极101 :蓝宝石衬底102 :缓冲层104 n型接触层105:应变减少层106 :发光层107 p 型覆层108 p型接触层30:n 型电极
权利要求
1.一种用于制造半导体发光器件的方法，所述半导体发光器件包括衬底；形成在所述衬底上的具有第一导电类型的第一半导体层；具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层；形成在所述第二半导体层上的由透明导电膜制成的第二电极；和形成在所述第一半导体层的通过蚀刻从所述第二半导体层露出的电极形成部分上的第一电极，其特征在于，所述方法包括 在所述第二半导体层的整个顶表面上形成所述透明导电膜； 在所述透明导电膜上施加光刻胶； 移除所述光刻胶的存在于所述第一半导体层的所述电极形成部分正上方的部分，使得所述光刻胶的剩余部分在待移除的所述部分的边界处朝向待移除的所述部分逐渐变薄； 使用所述剩余的光刻胶，通过对所述透明导电膜进行湿法蚀刻来露出所述第二半导体层的一部分； 使用所述光刻胶和所述透明导电膜作为掩模，通过干法蚀刻来露出所述第一半导体层的所述电极形成部分； 使用所述剩余的光刻胶作为掩模，对所述透明导电膜的在所述干法蚀刻中露出的部分进行湿法蚀刻；以及 清除所述剩余的光刻胶。
2.根据权利要求I所述的用于制造半导体发光器件的方法，其中通过调整曝光强度分布，由此将显影之后的所述光刻胶调整为朝着待移除的所述部分逐渐变薄，从而来调整所述光刻胶在所述边界处的厚度。
3.根据权利要求I或2所述的用于制造半导体发光器件的方法，其中所述第一半导体层由n型第III族氮化物半导体制成，所述第二半导体层由p型第III族氮化物半导体制成。
全文摘要
一个问题是提高光发射效率和可靠性。为了解决该问题，在第二半导体层(108)的整个顶表面上形成透明导电膜(10)，并在该形成的透明导电膜上施加光刻胶。当移除在上表面上的与第一半导体层(104)的电极形成部分(16)相对应的光刻胶时，光刻胶被移除，使得在待移除的部分的边界处朝向移除的部分逐渐地变薄。使用剩余的光刻胶作为掩模来对透明导电膜进行湿法蚀刻，以露出第二半导体层的一部分。使用剩余的光刻胶和透明导电膜作为掩模来执行干法蚀刻，以露出第一半导体层的电极形成部分。使用剩余的光刻胶作为掩模来对在干法蚀刻中露出的透明导电层的部分进行湿法蚀刻，以清除剩余的光刻胶。
文档编号H01L33/42GK102812566SQ20118001481
公开日2012年12月5日 申请日期2011年3月14日 优先权日2010年3月23日
发明者中條直树, 神谷真央, 本间昭广 申请人:丰田合成株式会社