半导体发光元件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体发光元件的结构。
【背景技术】
[0002]发光二极管(Light-emitting D1de ;LED)目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。如图5所示，LED具有一 η型半导体层1104、一主动层1106与一 P型半导体层1108依序形成于一基板1102之上，部分P型半导体层1108与主动层1106被移除以曝露部分η型半导体层1104，一 P型电极al与一 η型电极a2分别形成于P型半导体层1108与η型半导体层1104之上。因为η型电极a2需要足够的面积以利后续制作工艺进行，例如打线，所以相当分量的主动层1106被移除，导致发光效率降低。
[0003]此外，上述的LED更可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emitting apparatus)。图6为现有的发光装置结构示意图，如图6所示，一发光装置1200包含一具有至少一电路1204的次载体(sub-mount) 1202 ;至少一焊料1206 (solder)位于上述次载体1202上，通过此焊料1206将上述LED1210粘结固定于次载体1202上并使LED1210的基板1212与次载体1202上的电路1204形成电连接；以及，一电连接结构1208，以电连接LED1210的电极1214与次载体1202上的电路1204 ;其中，上述的次载体1202可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate),以便发光装置的电路规划并提高其散热效果。
【发明内容】
[0004]本发明公开一种半导体发光元件，包含:一半导体叠层具有一第一表面，其中第一表面包含多个突出部与多个凹部；一第一电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一第二电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一透明导电层共形地覆盖第一表面，且位于第一电极与半导体叠层之间，其中第一电极包含一第一焊接部与一第一延伸部，第一延伸部位于第一焊接部与透明导电层之间，且共形地覆盖透明导电层。
【附图说明】
[0005]图1A为依本发明第一实施例的半导体发光元件结构I的示意图；
[0006]图1B为依本发明第一实施例的半导体发光元件结构I的上视图；
[0007]图2为依本发明第二实施例的半导体发光元件结构II的示意图；
[0008]图3为依本发明第三实施例的半导体发光元件结构III的示意图；
[0009]图4A至图4D为本发明的半导体发光元件的制作工艺示意图；
[0010]图5为现有的LED的剖视图；
[0011]图6为现有的发光装置结构示意图；
[0012]图7为依本发明另一实施例的结构示意图；
[0013]图8A为依本发明第一实施例的半导体发光元件结构IV的示意图；
[0014]图8B为依本发明第一实施例的半导体发光兀件结构IV的上视图。
[0015]符号说明
[0016]I半导体叠层53第二焊接部
[0017]10主动层54接触结构
[0018]11第一半导体层61第一绝缘层
[0019]12第二半导体层7缝隙
[0020]13第一表面8基板
[0021]131突出部81成长基板
[0022]1312斜边9粘结层
[0023]1313平台91第一粘结层
[0024]132凹部92第二粘结层
[0025]14第二表面600球泡灯
[0026]141凹槽602灯罩
[0027]15第一侧边604透镜
[0028]16第二侧边606承载部
[0029]161空缺608半导体发光元件
[0030]17侧边610发光模块
[0031]18角落612灯座
[0032]19角落614散热片
[0033]2接触结构616连接部
[0034]3透明导电层H垂直方向
[0035]31透明层1102基板
[0036]4第一电极1104η型半导体层
[0037]41第一延伸部1106主动层
[0038]410凹凸表面1108P型半导体层
[0039]411凹凸表面alP型电极
[0040]42第一连接部a2η型电极
[0041]43第一焊接部1200发光装置
[0042]5第二电极1202次载体
[0043]51第二延伸部1204电路
[0044]511第一延伸电极1206焊料
[0045]512第二延伸电极1208电连接结构
[0046]52第二连接部1210LED
【具体实施方式】
[0047]第一实施例
[0048]图1A为依本发明第一实施例的半导体发光元件结构I的示意图。根据本发明实施例所公开的半导体发光元件为一具有凹槽反射镜的倒装式发光二极管元件。半导体发光元件包含一半导体叠层I具有一第一表面13及一第二表面14相对于第一表面13。半导体叠层I包含一第一半导体层11，一第二半导体层12及一主动层10位于第一半导体层11及第二半导体层12之间，其中第一表面13为第一半导体层11的表面，第二表面14为第二半导体层12的表面。第一半导体层11和第二半导体层12具有不同的导电型态、电性、极性或依掺杂的元素的不同以提供电子或空穴；主动层10形成在第一半导体层11和第二半导体层12之间，主动层10将电能转换成光能。通过改变半导体叠层I其中一层或多层的物理及化学组成可调整发出的光波长。形成半导体叠层I常用的材料为磷化铝嫁铟(aluminum gallium indium phosphide, AlGaInP)系列、氮化招嫁铟(aluminumgallium indium nitride, AlGaInN)系列、氧化锋系列(zinc oxide, ZnO)。主动层 10可为单异质结构(single heterostructure, SH),双异质结构(double heterostructure, DH),双侧双异质结(double-side double heterostructure, DDH),多层量子讲(mult1-quantumwell, MWQ)。具体来说，主动层10可为中性、P型或η型电性的半导体。施以电流通过半导体叠层I时，主动层10会发光。当主动层10的材料为磷化铝铟镓(AlGaInP)系列时，会发出红、橙、黄光的琥珀色系的光；当为氮化铝镓铟(AlGaInN)系列时，会发出蓝或绿光。本实施例中，半导体叠层I的材料为憐化招嫁铟(aluminum gallium indium phosphide, AlGaInP)系列。
[0049]在半导体叠层I的第一表面13上具有多个突出部131与多个凹部132交互排列，每一个多个突出部131皆包含一平台1313与至少一斜边1312，斜边1312相对于凹部132的平面具有一倾斜角度Θ介于15度到75度之间，突出部131相对于凹部132平面的高度介于500nm?5000nm之间。在每一个平台1313上设置至少一接触结构2与第一半导体层11欧姆接触，本实施例中，接触结构2的材料包含锗(Ge)、铍(Be)、金(Au)、镍(Ni)、钯(Pd)、锌(Zn)或其合金。
[0050]在第一表面13上,一透明导电层3共形地覆盖第一表面13并与接触结构2电性接触。透明导电层3的材料包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ΑΤ0)、氧化锌铝(AZO)、氧化锌锡(ZTO