半导体层12欧姆接触，一粘结层9位于第二表面14覆盖所有的接触结构54,粘结层9包含一第一粘结层91与一第二粘结层92，第一粘结层91与接触结构54以及第二表面14直接接触，并突出于半导体叠层I的第一侧边15或第二侧边16，第二粘结层92设置于第一粘结层91上与第一粘结层91相互粘结。多个接触结构54的材料包含金(Au)、锗(Ge)、铍(Be)、镍(Ni)、钯(Pd)、锌(Zn)或其合金。第一粘结层91为透明且导电性良好的材料所构成，包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ΑΤ0)、氧化锌铝(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌(ZnO)或磷化镓(GaP)。第二粘结层92包含粘性佳且对于主动层10所发出的光为透明的材料，包含有机材料，例如Su8、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烧(PFCB)、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(Aerylie Resin)、环烯烃聚合物(C0C)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer);无机材料,例如娃胶(Silicone)。
[0070]一第二电极5包含一第二连接部52以及一第二焊接部53，第二连接部52覆盖在第一绝缘层61上从部分的第一表面13上延伸覆盖至第二侧边16，与第一粘结层91直接接触，其中第二连接部52通过第一绝缘层61避免与第一延伸部41、透明导电层3以及半导体叠层I直接接触；第二焊接部53设置在第一表面13上与第二连接部52直接接触，第二连接部52及第二焊接部53的材料包含钛(Ti)、钨(W)、钼(Pt)、镍(Ni)、锡(Sn)、金(Au)或其合金。第一焊接部43与第二焊接部53用于将外部电流导入使主动层10发光，当第一半导体层11为P型半导体以及第二半导体层12为η型半导体，电流从第一焊接部43注入，经过第一连接部42、第一延伸部41以及透明导电层3传导、散布后，均匀地进入半导体叠层1，接着经由接触结构54以及第一粘结层91将电流传导至第二连接部52及第二焊接部53，从第二焊接部53流出。
[0071]在较佳的实施例中，第二焊接部53的表面531与第一焊接部43的表面431位于同一个水平面上。第二焊接部53与第一焊接部43之间具有一缝隙7用以将第二焊接部53与第一焊接部43分隔，缝隙7的宽度介于70 μ m?250 μ m之间。当半导体发光元件的形状为一边长12mil的方形的时候，第一焊接部43与第二焊接部53的面积总和约为半导体发光元件的面积15%?80%之间；当半导体发光元件的形状为一边长28mil的方形的时候，第一焊接部43与第二焊接部53的面积总和约为半导体发光元件的面积60%?92%之间；当半导体发光元件的形状为一边长40mil的方形的时候，第一焊接部43与第二焊接部53的面积总和约为半导体发光兀件的面积75%?95%之间。
[0072]基板8通过与粘结层9贴合形成在第二表面14上，主动层10所发出的光皆可穿透粘结层9与基板8。基板8的材料包含对于主动层10所发出的光为透明的材料，例如砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、氮化镓(GaN)、蓝宝石(Sapphire)、钻石(Diamond)、玻璃(Glass)、石英(Quartz)、压克力(Acryl)、氧化锌(ZnO)或氮化招(AlN)等。在本实施例中，第一粘结层91为氧化铟锌(IZO)(折射率约为2.1)，第二粘结层92为苯并环丁烯(BCB)(折射率约为1.5)，基板8为玻璃(Glass)(折射率小于1.5)，当主动层10所发出的光依序通过第一粘结层91、第二粘结层92以及基板8时，由于折射率依序下降，可减少全反射的状况产生。
[0073]图SB为依本发明第一实施例的半导体发光元件结构III的上视图。半导体叠层I的范围小于基板8，多个接触结构54成阵列状地排列在半导体叠层I的第二表面14上，多个接触结构54彼此之间独立不接触。
[0074]图7为依本发明另一实施例的结构示意图。一球泡灯600包括一灯罩602、一透镜604、一发光模块610、一灯座612、一散热片614、一连接部616以及一电连接兀件。发光模块610包含一承载部606，以及多个前述实施例中的半导体发光元件608在承载部606上。
[0075]本发明所列举的各实施例仅用以说明本发明，并非用以限制本发明的范围。任何人对本发明所作的任何显而易见知的修饰或变更皆不脱离本发明的精神与范围。
【主权项】
1.一种半导体发光元件，包含: 半导体叠层具有一第一表面，其中该第一表面包含多个突出部与多个凹部； 第一电极位于该第一表面上与该半导体叠层电连接； 第二电极位于该第一表面上与该半导体叠层电连接；以及 透明导电层共形地覆盖该第一表面，且位于该第一电极与该半导体叠层之间， 其中该第一电极包含一第一焊接部与一第一延伸部，该第一延伸部位于该第一焊接部与该透明导电层之间，且共形地覆盖该透明导电层。
2.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包含一绝缘层覆盖该第一延伸部以及该半导体叠层的一侧边，位于该第一延伸部与该第一焊接部之间。
3.如权利要求2所述的半导体发光元件，其中该第一电极还包含一第一连接部穿透该绝缘层，以及电连接该第一焊接部与该第一延伸部。
4.如权利要求3所述的半导体发光元件，该第一连接部位于该半导体叠层的另一侧边相对于该侧边。
5.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中每一个所述多个突出部包含一平台与一斜边，且该斜边具有一角度介于15度与75度之间，每一个所述多个突出部的高度介于500nm ?5000nm 之间。
6.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包含多个接触结构在所述多个突出部上，并与该半导体叠层及该透明导电层形成欧姆接触，该多个接触结构包含金(Au)、铍(Be)、锗(Ge)、镍(Ni)、钯(Pd)、锌(Zn)或其合金。
7.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该第二电极包含一第二焊接部与一第二延伸部，该半导体叠层具有一第二表面相对于该第一表面，该第二焊接部位于该第一表面上，该第二延伸部位于该第二表面上，其中该第二延伸部包含金属、氧化物或其组合。
8.如权利要求7所述的半导体发光元件，其中该第二焊接部与该第一焊接部的面积总和为半导体发光兀件的面积15%?95%之间。
9.如权利要求7所述的半导体发光元件，还包含一绝缘层位于该半导体叠层与该第二焊接部之间，其中该第二电极还包含一第二连接部连接该第二焊接部与该第二延伸部，该第二连接部位于该侧边上，且该绝缘层位于该第二连接部与该半导体叠层之间。
10.如权利要求7所述的半导体发光元件，其中该第二延伸部包含多个指状电极，所述多个指状电极分别对应于所述多个凹部，在垂直于堆叠的方向上，所述多个突出部位于不与所述多个指状电极相重叠的区域。
【专利摘要】本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体迭层具有一第一表面，其中第一表面包含多个突出部与多个凹部；一第一电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一第二电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一透明导电层共形地覆盖第一表面，且位于第一电极与半导体叠层之间，其中第一电极包含一第一焊接部与一第一延伸部，第一延伸部位于第一焊接部与透明导电层之间，且共形地覆盖透明导电层。
【IPC分类】H01L33-38
【公开号】CN104659176
【申请号】CN201310595821
【发明人】陈怡名, 杨宗宪
【申请人】晶元光电股份有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年11月22日