上，其中第一半导体层11、主动层10和第二半导体层12包含的材料与第一实施例中记载相同，成长基板81的材料包含蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、或磷化镓(GaP)。在第二半导体层12的第二表面14以图形化蚀刻的方式形成多个凹槽141，蚀刻的方式包含干蚀刻或湿蚀刻，其中，多个凹槽141在第二表面14上是互相连通的。接续在多个凹槽141中以蒸发镀覆的方式形成第二延伸部51，第二延伸部51的材料包含金(Au)、锗(Ge)、铍(Be)、镍(Ni)、钯(Pd)、锌(Zn)或其合金。
[0061]如图4B所示，提供一基板8以一粘结层9与半导体叠层I的第二表面14黏合，例如使用对位粘合的技术，将粘结层9与半导体叠层I的第二表面14对齐后，通过加温及加压的方式，使粘结层9与第二表面14粘结。接着，将成长基板81与半导体叠层I分离并露出半导体叠层I的第一表面13。分离成长基板81的方法包括利用光照法，使用激光穿透成长基板81照射成长基板81与半导体叠层I之间的界面，来达到分离半导体叠层I与成长基板81的目的。另外，也可以利用湿式蚀刻法直接移除成长基板81，或移除成长基板81与半导体叠层I之间的界面层(未显示)，进而分离成长基板81与半导体叠层I。除此之夕卜，还可以于高温下利用蒸气蚀刻直接移除成长基板81与半导体叠层I之间的界面层(未显示)，达到成长基板81与半导体叠层I分离的目的。
[0062]接着以湿蚀刻或干蚀刻的方式移除半导体叠层I部分的第二侧边16，形成一空缺161，露出部分的第二延伸部51，以及图形化蚀刻第一表面13，使第一表面13上具有多个突出部131与多个凹部132交互排列，每一个多个突出部131皆包含一平台1313与至少一斜边1312，斜边1312相对于凹部132的平面具有一倾斜角度Θ介于15度到60度之间。接着，在每一个平台1313上形成至少一接触结构2与第一半导体层11欧姆接触，本实施例中，接触结构2的材料包含锗(Ge)、铍(Be)、金(Au)、镍(Ni)、钯(Pd)、锌(Zn)或其合金。
[0063]接续如图4C所示，在第一表面13上依序共形地覆盖一透明导电层3与第一延伸部41，其中透明导电层3的材料包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锌铝(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌(ZnO)或磷化镓(GaP)，第一延伸部41的材料包含反射率较高的金属材料，例如银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、铜(Cu)等金属材料或其合金。接着在第一延伸部41上披覆一第一绝缘层61，第一绝缘层61形成在第一延伸部41上，覆盖第一延伸部41并延伸覆盖到半导体叠层I的第二侧边16，露出在半导体叠层I的第一侧边15上方的部分第一延伸部41，第一延伸部41因为共型于第一表面13所形成的凹凸表面411，被第一绝缘层61所填平。
[0064]接续如图4D所示,形成一第一连接部42、一第一焊接部43、一第二连接部52及一第二焊接部53，第一焊接部43以及第二焊接部53形成在第一绝缘层61上，第一连接部42形成在半导体叠层I的第一侧边15上连接第一延伸部41及第一焊接部43，第二连接部52形成在空缺161上，连接第二焊接部53以及露出的第二延伸部51。第一连接部42、第一焊接部43、第二连接部52及第二焊接部53的材料例如为钛(Ti)、钨(W)、钼(Pt)、镍(Ni)、锡(Sn)、金(Au)或其合金。
[0065]第四实施例
[0066]图8A为依本发明第四实施例的半导体发光元件结构IV的示意图。根据本发明实施例所公开的半导体发光元件为一具有反射镜的倒装式发光二极管元件。半导体发光元件包含一半导体叠层I具有一第一表面13及一第二表面14相对于第一表面13。半导体叠层I包含一第一半导体层11，一第二半导体层12及一主动层10位于第一半导体层11及第二半导体层12之间，其中第一表面13为第一半导体层11的表面，第二表面14为第二半导体层12的表面。第一半导体层11和第二半导体层12具有不同的导电型态、电性、极性或依掺杂的元素的不同以提供电子或空穴；主动层10形成在第一半导体层11和第二半导体层12之间，主动层10将电能转换成光能。通过改变半导体叠层I其中一层或多层的物理及化学组成，调整发出的光波长。形成半导体叠层I常用的材料为磷化铝镓铟(aluminum gallium indium phosphide, AlGaInP)系列、氮化招嫁铟(aluminum galliumindium nitride, AlGaInN)系列、氧化锌系列(zinc oxide, ZnO)。主动层10可为单异质结构(single heterostructure, SH),双异质结构(double heterostructure, DH),双侧双异质结(double-side double heterostructure, DDH),多层量子讲(mult1-quantumwell, MWQ) ο具体来说，主动层10可为中性、p型或η型电性的半导体。施以电流通过半导体叠层I时，主动层10会发光。当主动层10的材料为磷化铝铟镓(AlGaInP)系列时，会发出红、橙、黄光的琥珀色系的光；当为氮化铝镓铟(AlGaInN)系列材料时，会发出蓝或绿光。本实施例中，半导体叠层I的材料为磷化招镓铟(aluminum gallium indiumphosphide, AlGaInP)系列。
[0067]在第一半导体层11的第一表面13上,形成一透明导电层3覆盖第一表面13。透明导电层3的材料包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锌铝(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌(ZnO)或磷化镓(GaP)。
[0068]一第一电极4形成在第一表面13上，第一电极4包含一第一延伸部41、一第一焊接部43以及一第一连接部42，第一连接部42形成在半导体叠层I的第一侧边15连接第一延伸部41及第一焊接部43，其中第一延伸部41覆盖透明导电层3并与透明导电层3欧姆接触，第一延伸部41为具有高反射率金属，用以反射主动层10所发出的光，使光从第二半导体层12的第二表面14射出。一第一绝缘层61形成在第一延伸部41上，覆盖部分的第一延伸部41并延伸覆盖到半导体叠层I的第二侧边16。第一连接部42形成在第一延伸部41上未被第一绝缘层61覆盖的区域，与第一延伸部41直接接触，第一焊接部43位于第一连接部42上。本实施例中，第一焊接部43的面积小于第一连接部42。第一焊接部43与第一连接部42的材料与第一延伸部41的材料不同，第一焊接部43与第一连接部42的材料例如为钛(Ti)、钨(W)、钼(Pt)、镍(Ni)、锡(Sn)、金(Au)或其合金；第一延伸部41的材料包含反射率较高的金属材料，例如银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、镍(Ni)、锡(Sn)、铜(Cu)、钛(Ti)或钼(Pt)等金属材料的叠层或其合金；第一绝缘层61的材料包含但不限于有机材料，例如Su8、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(AcrylicResin)、环烯烃聚合物(C0C)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer);无机材料，例如硅胶(Silicone)、玻璃(Glass)，或介电材料，例如氧化铝(Al2O3)、氮化硅(SiNx)、氧化娃(S12)、氧化钛(Ti02),或氟化镁(MgF2)。
[0069]多个接触结构54位于半导体叠层I的第二表面14上与第二