优选为10nm0
[0030]空穴注入层40形成于阳极30的表面。空穴注入层40的材料选自三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)及五氧化二钒(V2O5)中的至少一种，优选为Mo03。空穴注入层40的厚度为20nm ?80nm,优选为 35nm。
[0031]空穴传输层50形成于空穴注入层40的表面。空穴传输层50的材料选自1，1_ 二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -联苯二胺(NPB)中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层50的厚度为20nm?60nm，优选为30nm。
[0032]发光层60形成于空穴传输层50的表面。发光层60的材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4’_双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-联苯(BCzVBi )及8-羟基喹啉铝(Alq3)中的至少一种,优选为Alq3。发光层60的厚度为5nm?40nm,优选为22nm。
[0033]电子传输层70形成于发光层60的表面。电子传输层70的材料选自4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一种，优选为TAZ。电子传输层70的厚度为40nm?250nm,优选为75nm。
[0034]电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料选自碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)及氟化锂(LiF)中的至少一种，优选为CsF。电子注入层80的厚度为0.5nm?1nm,优选为0.7nm。
[0035]阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料选自银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)及金(Au)中的至少一种，优选为Ag。阴极90的厚度为80nm?250nm,优选为80nm。
[0036]上述有机电致发光器件100，采用折射率在1.8以上，可见光透过率为90%以上的玻璃作为有机电致发光器件的玻璃基底10，消除玻璃基底10与阳极30之间的全反射，使更多的光入射到玻璃基底10中；在阳极30与玻璃基底10之间制备散射层20，散射层由锂盐材料层、金属掺杂层和铁盐材料掺杂层组成，锂盐材料层有金属离子的存在，粒径较大，可对光进行散射，提高出光效率，锂盐材料的功函数较低，可阻挡电子穿越到阳极发生淬灭，金属掺杂层为低功函数的第一金属和发光材料组成，低功函数的第一金属可提供大量的自由电子，提高有机电致发光器件导电性，有利于空穴传输，发光材料为荧光发光材料，与发光层的材料一致，可对发光光色进行补充，提高光色纯度，有效提高发光效率，铁盐材料掺杂层为高功函数的第二金属和铁盐材料组成，铁盐材料具有大量的自由电子，可提高空穴的传输速率，高功函数的第二金属的存在，可提高铁盐材料掺杂层的稳定性，降低了空穴注入势垒，提高空穴注入效率，从而有机电致发光器件的寿命较长。
[0037]可以理解，该有机电致发光器件100中也可以根据需要设置其他功能层。
[0038]一实施例的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤:
[0039]步骤S110、在玻璃基底10表面电子束蒸镀制备散射层20。
[0040]散射层20由锂盐材料层201、金属掺杂层202和铁盐材料掺杂层203组成，在所述玻璃基底10表面通过热阻蒸镀制备锂盐材料层201，所述锂盐材料层201的材料选自氧化锂(Li20)、氟化锂(LiF)、氯化锂(LiCl)及溴化锂(LiBr)中至少一种，在所述锂盐材料层201表面通过热阻蒸镀制备所述金属掺杂层202，所述金属掺杂层202包括第一金属材料及掺杂在所述第一金属材料中的所述发光材料，所述第一金属材料的功函数为-2.0eV?-3.5eV,所述发光材料选自4_(二腈甲基)_2_ 丁基_6_( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -联苯(BCzVBi )及8-羟基喹啉铝(Alq3)中至少一种，接着在所述金属掺杂层201表面通过电子束蒸镀制备铁盐材料掺杂层203，所述铁盐材料掺杂层203包括铁盐材料及掺杂在所述铁盐材料中的所述第二金属材料，所述铁盐材料选自氯化铁(FeCl3)溴化铁(FeBr3)以及硫化铁(Fe2S3)中至少一种，所述第二金属材料功函数为_4.0eV?-5.5eV。
[0041]所述第一金属材料选自镁(Mg)、银(SrXI11KCa)及镱(Yb)中至少一种,所述第二金属材料选自银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)及金(Au)中至少一种。
[0042]所述锂盐材料层201的厚度为5nm?1nm,所述金属掺杂层202的厚度为40nm?300nm，所述铁盐材料掺杂层203的厚度为10nm?300nm。
[0043]所述金属掺杂层202中所述第一金属材料与所述发光材料的质量比为1:1?10:1，所述铁盐材料掺杂层203中所述铁盐材料与所述第二金属材料的质量比为1:10?3:10。
[0044]本实施例中，玻璃基底10在使用前用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡I小时?10小时。
[0045]本实施例中，所述热阻蒸镀方式的工艺具体为:工作压强为2X 10_3?5X 10_5Pa，工作电流为IA?5A，有机材料的蒸镀速率为0.1?lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为 lnm/s ?10nm/so
[0046]所述电子束蒸镀方式的工艺具体为:工作压强为2X10—3?5X10_5Pa，电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2?lOOW/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.1?lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s?10nm/s。
[0047]步骤S120、在散射层20表面磁控溅射制备阳极30。
[0048]阳极30形成于散射层20的表面。阳极30的材料为铟锡氧化物(IT0)、铝锌氧化物(AZO)或铟锌氧化物(IZ0)，优选为IT0。阳极30的厚度为80nm?300nm，厚度优选为lOOnm。
[0049]本实施方式中，磁控溅射的加速电压:300V?800V，磁场约:50G?200G，功率密度:lW/cm2?40W/cm2,有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s,金属阴极的蒸镀速率为lnm/s ?10nm/so
[0050]步骤S130、在阳极30的表面依次蒸镀形成空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
[0051]空穴注入层40形成于阳极30的表面。空穴注入层40的材料选自三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)及五氧化二钒(V2O5)中的至少一种，优选为Mo03。空穴注入层40的厚度为20nm?80nm,优选为35nm。蒸镀在真空压力为2 X 10_3Pa?5 X 10_5Pa下进行,蒸镀速率为0.lnm/s ?lnm/sο
[0052]空穴传输层50形成于空穴注入层40的表面。空穴传输层50的材料选自1，1_ 二[4-[N, N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)州，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层50的厚度为20nm?60nm，优选为30nm。蒸镀在真空压力为2 X 10 3Pa?5 X 10 5Pa下进行，蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s。
[0053]发光层60形成于空穴传输层50的表面。发光层60的材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4’_双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-联苯(BCzVBi )及8-羟基喹啉铝(Alq3)中的至少一种,优选为Alq3。发光层60的厚度为5nm?40nm,优选为22nm。蒸镀在真空压力为2X ICT3Pa?5X ICT5Pa下进行，蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s。
[0054]电子传输层70形成于发光层60的表面。电子传输层70的材料选自4，7_ 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一种，优