选为TAZ。电子传输层70的厚度为40nm?250nm，优选为75nm。蒸镀在真空压力为2 X 10 3Pa?5 X 10 5Pa下进行，蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s。
[0055]电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料选自碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)及氟化锂(LiF)中的至少一种，优选为CsF。电子注入层80的厚度为0.5nm?1nm,优选为0.7nm。蒸镀在真空压力为2X ICT3Pa?5X ICT5Pa下进行，蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s。
[0056]阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料选自银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)及金(Au)中的至少一种，优选为Ag。阴极90的厚度为80nm?250nm,优选为80nm。蒸镀在真空压力为2X ICT3Pa?5X ICT5Pa下进行，蒸镀速率为lnm/s?10nm/s。
[0057]上述有机电致发光器件制备方法，制备工艺简单；制备的有机电致发光器件的出光效率较高。
[0058]以下结合具体实施例对有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
[0059]本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为:高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司)，美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试电流密度和色度。
[0060]实施例1
[0061 ]本实施例制备结构为玻璃基底 /LiCl/Ca: Alq3/FeCl3: Ag/IT0/Mo03/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有机电致发光器件，本实施例及以下实施例中“/”表示层，“:”表示掺杂。
[0062]玻璃基底为N-LASF44，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃基底上制备散射层，散射层由锂盐材料层、金属掺杂层和铁盐材料掺杂层组成，在玻璃基板表面采用热阻蒸镀制备锂盐材料层，材料为LiCl，厚度为8nm，在锂盐材料层表面采用热阻蒸镀制备金属掺杂层，材料为Ca = Alq3, Ca与Alq3的质量比为6:1，厚度为200nm，在金属掺杂层表面采用电子束蒸镀制备铁盐材料掺杂层，材料为FeCl3:Ag，FeCl3与Ag的质量比为12:100，厚度25011111。然后在散射层上制备ΙΤ0，厚度为lOOnm，采用磁控溅射的方法制备；蒸镀制备空穴注入层:材料为MoO3，厚度为40nm ;蒸镀制备空穴传输层:材料为NPB，厚度为40nm ;蒸镀制备发光层:所选材料为Alq3，厚度为1nm ;蒸镀制备电子传输层，材料为TAZ，厚度为10nm ;蒸镀制备电子注入层、材料为CsF，厚度为1.5nm ;蒸镀制备阴极，材料为Ag，厚度为140nm ;最后得到所需要的电致发光器件。
[0063]磁控溅射制备的工作压强为8X 10_4Pa，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s,金属化合物的蒸镀速率为0.3nm/s，金属的蒸镀速率为2nm/s。磁控溅射的加速电压:700V，磁场约:120G，功率密度:250W/cm2。
[0064]热阻蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为8X10_5Pa，工作电流为1.5A，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为2nm/s。
[0065]电子束蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为8X 10_5Pa，电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为2nm/s。
[0066]请参阅图3，所示为实施例1中制备的结构为玻璃基底/LiCl/Ca:Alq3/FeCl3:Ag/ITO/M0O3/NPB/AIq3/TAZ/CsF/Ag的有机电致发光器件(曲线I)与对比例制备的结构为ITO玻璃/Mo03/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有机电致发光器件(曲线2)的电流密度与流明效率的关系。对比例制备有机电致发光器件的步骤及各层厚度与实施例1均相同。
[0067]从图上可以看到，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1的流明效率为6.21m/W，而对比例的仅为5.31m/W，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明，在阳极与高折射率玻璃基板之间制备的散射层，散射层由锂盐材料层、金属掺杂层和铁盐材料掺杂层组成，锂盐材料层有金属离子的存在，粒径较大，可对光进行散射，提高出光效率，锂盐材料的功函数较低，可阻挡电子穿越到阳极发生淬灭，金属掺杂层为低功函数的第一金属和发光材料组成，低功函数的第一金属可提供大量的自由电子，提高有机电致发光器件导电性，有利于空穴传输，发光材料为荧光发光材料，与发光层的材料一致，可对发光光色进行补充，提闻光色纯度，有效提闻发光效率，铁盐材料惨杂层为闻功函数的第二金属和铁盐材料组成，铁盐材料具有大量的自由电子，可提高空穴的传输速率，高功函数的第二金属的存在，可提高铁盐材料掺杂层的稳定性，降低了空穴注入势垒，提高空穴注入效率，从而有机电致发光器件的寿命较长。
[0068]以下各个实施例制备的有机电致发光器件的流明效率都与实施例1相类似，各有机电致发光器件也具有类似的流明效率，在下面不再赘述。
[0069]实施例2
[0070]本实施例制备结构为玻璃基底/Li20/Mg:DCJTB/FeBr3:A1/IZ0/Mo03/NPB/DCJTB/TPBi/Cs2C03/Al的有机电致发光器件。
[0071]玻璃基底为N-LAF36，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上在玻璃基底上制备散射层，散射层由锂盐材料层、金属掺杂层和铁盐材料掺杂层组成，在玻璃基板表面采用热阻蒸镀制备锂盐材料层，材料为Li2O,厚度为10nm，在锂盐材料层表面采用热阻蒸镀制备金属掺杂层，材料为Mg:DCJTB，Mg与DCJTB的质量比为1:1，厚度为300nm，在金属掺杂层表面采用电子束蒸镀制备铁盐材料掺杂层，材料为FeBr3 = Al,FeBr3与Al的质量比为0.3:1，厚度lOOnm。然后在散射层上制备IZ0，厚度为80nm，采用磁控溅射的方法制备；蒸镀空穴注入层，材料为MoO3，厚度为40nm ;蒸镀空穴传输层:材料为NPB，厚度为45nm ;蒸镀发光层:所选材料为DCJTB，厚度为Snm ;蒸镀电子传输层，材料为TPBi，厚度为65nm ;蒸镀电子注入层、材料为Cs2CO3，厚度为1nm ;蒸镀阴极，材料为Al，厚度为SOnm ;最后得到所需要的电致发光器件。
[0072]磁控溅射制备的工作压强为2X 10_3Pa，有机材料的蒸镀速率为lnm/s，金属化合物的蒸镀速率为0.lnm/s，金属的蒸镀速率为lOnm/s。磁控溅射的加速电压:300V，磁场约:50G，功率密度:40W/cm2。
[0073]热阻蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X10_3Pa，工作电流为5A，有机材料的蒸镀速率为lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lOnm/s。
[0074]电子束蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X 10_3Pa，电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2，有机材料的蒸镀速率为lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lOnm/s。
[0075]实施例3
[0076]本实施例制备结构为玻璃基底/LiF/Sr:ADN/Fe2S3:Pt/AZ0/W03/TAPC/ADN/TAZ/CsN3/Au的有机电致发光器件。
[0077]玻璃基底为N-LASF31A，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上；在玻璃基底上制备散射层，散射层由锂盐材料层、金属掺杂层和铁盐材料掺杂层组成，在玻璃基板表面采用热阻蒸镀制备锂盐材料层，材料为LiF，厚度为5nm，在锂盐材料层表面采用热阻蒸镀制备金属掺杂层，材料为Sr:ADN，Sr与ADN的质量比为10:1，厚度为40nm，在金属掺杂层表面采用电子束蒸镀制备铁盐材料掺杂层，材料为Fe2S3: Pt ,Fe2S3与Pt的质量比为0.1:1，厚度300nm。然后在散射层上制备AZO，厚度为300nm，采用磁控溅射的方法制备。蒸镀空穴注入层，材料为WO3，厚度为20nm ;蒸镀空穴传输层:材料为TAPC，厚度为60nm ;蒸镀发光层:所选材料为ADN，厚度为1nm ;蒸镀电子传输层，材料为TAZ，厚度为200nm ;蒸镀电子注入层、材料为CsN3，厚度为0.5nm ;蒸镀阴极，材料为Au，厚度为10nm ；最后得到所需要的电致发光器件。
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