顶发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机发光二极管技术领域，特别是涉及一种顶发光器件及其制备方 法。
【背景技术】
[0002] 有机发光二极管（0LED)包括顶发光型和底发光型，对于顶发光型0LED，其具有微 腔效应，可以提升0LED的发光效率与色纯度，因而顶发光型0LED得到广泛的应用。
[0003] 但是，微腔效应提升了 0LED的出光指向性，导致垂直于出光发光面的光强度强， 色纯度高，而与发光面成一定角度时，发光较弱，且色纯度也下降，从而导致器件的视角变 差。
【发明内容】
[0004] 基于此，有必要针对如何提高器件的视角特性的问题，提供一种顶发光器件及其 制备方法。
[0005] -种顶发光器件，包括依次层叠的基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光 层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极层及耦合输出层，其中，所述耦合输出层具有晶相和非晶 相共存的双相结构。
[0006] 在其中一个实施例中，所述耦合输出层覆盖在所述阴极层上。
[0007] 在其中一个实施例中，所述耦合输出层中晶相的质量含量大于50%。
[0008] 在其中一个实施例中，所述耦合输出层的材料的玻璃化转变温度低于100°C或所 述耦合输出层的材料的分子结构为平面结构。
[0009] 在其中一个实施例中，所述耦合输出层的材料包括联苯二胺类空穴传输材料。
[0010] 在其中一个实施例中，所述联苯二胺类空穴传输材料选自N，N_双（α-萘基-苯 基）-4, 4-联苯二胺、Ν，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ-联苯-4, 4' -二胺及 9, 10-二（2_ 蔡基）蒽。
[0011] 在其中一个实施例中，所述分子构型为平面构型的材料的结构式为：
[0014] 其中，Ar为亚萘基、联亚萘基、亚蒽基、亚茈基、亚芘基、亚喹啉基、联亚喹啉基、蒸 或二苯并窟；X和Y分别为氢基、卤原子、脂肪基、芳香基、氰基、硝基、甲酰基、乙酰基、苯甲 酰基、酰胺基、苯乙烯基、乙炔基、喹啉基、喹唑啉基、菲啰啉基、2, 2'-联喹啉基、取代或未取 代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基氨基、取代 或未取代的烷基氨基、取代或未取代的芳烷基氨基或者取代或未取代的杂环基。
[0015] -种顶发光器件的制备方法，包括步骤：
[0016] 对基板进行冷却；及
[0017] 在所述基板上形成耦合输出层，所述耦合输出层的材料部分结晶，使得所述耦合 输出层具有晶相和非晶相共存的双相结构。
[0018] 在其中一个实施例中，所述在基板上形成耦合输出层，对所述基板进行冷却，所述 耦合输出层的材料部分结晶，使得所述耦合输出层具有晶相和非晶相共存的双相结构的步 骤包括：
[0019] 在所述基板上涂布一层阳极层；
[0020] 将所述带有所述阳极层的所述基板放置在真空室中，并在所述阳极层上依次蒸镀 空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层以及电子传输层；
[0021] 在所述电子传输层上蒸镀镁银合金，形成所述阴极层；
[0022] 通过冷却装置，降低所述基板的温度；
[0023] 在所述阴极层上蒸镀所述耦合输出层的材料，所述耦合输出层的材料部分结晶。
[0024] 在其中一个实施例中，在所述步骤通过冷却装置，降低所述基板的温度中，通过冷 却装置，将所述基板的温度降低至小于等于10°c。
[0025] 上述顶发光器件及其制备方法，通过设置耦合输出层为晶相-非晶相混合膜层， 由于晶相的折射率比非晶相的折射率更高，从而整个耦合输出层呈现不均相的状态，从而 使得光在耦合输出层中产生一定程度的散射，进而提高顶发光器件的视角特性。
【附图说明】
[0026] 图1为一实施例的顶发光器件的结构示意图；
[0027] 图2为一实施例的顶发光器件的制备方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0028] 如图1所示，一实施方式的顶发光器件100包括依次层叠的基板110、阳极层120、 空穴注入层130、空穴传输层140、发光层150、空穴阻挡层160、电子传输层170、阴极层180 以及耦合输出层190。
[0029] 具体地，在本实施例中，空穴注入层130的材料可以为三苯胺类，比如 4,V，4"-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)，空穴注入层130的厚 度可以为5-200nm。空穴传输层140的材料可以为联苯二胺类，比如N，N-双（α-萘基-苯 基）-4, 4-联苯二胺（ΝΡΒ)，空穴传输层140的厚度可以为10-50nm。发光层150的材料具有 高量子效率的荧光特性，荧光光谱主要分布在400-700nm的可见光区域内，比如4,V-二 (2,2-二苯乙烯基）-1，广-联苯（0?￥8丨），发光层150的厚度可以为10-6011111。
[0030]空穴阻挡层160的材料也具有高量子效率的荧光特性，荧光光谱主要分布在 400-700nm的可见光区域内，空穴阻挡层160的厚度可以为5-10nm。电子传输层170的材 料可以为喹啉类或邻菲罗啉类，电子传输层的厚度可以为10-40nm。
[0031] 耦合输出层190具有晶相-非晶相共存的双相结构，通过采用玻璃化转变温度低 于100°C的材料或分子构型为平面构型的材料作为耦合输出层190的材料，在将玻璃化转 变温度低于l〇〇°C的材料或分子构型为平面构型的材料蒸镀在阴极层180上时，通过冷却 装置控制基板110背面的温度，使得玻璃化转变温度低于l〇〇°C的材料或分子构型为平面 构型的材料在阴极层180上沉积时，产生不同程度的结晶，从而使得形成的耦合输出层190 具有同一种材料构成的晶相-非晶相共存的双相结构。
[0032] 耦合输出层190具有同一种材料构成的晶相-非晶相共存的双相结构，由于晶相 的折射率比非晶相的折射率高，所以当发光层150的光通过耦合输出层190时，会产生一定 程度的散射，从而提高顶发光器件100的视角特性。
[0033] 由于在蒸镀过程中，构成耦合输出层190的材料的温度高于KKTC，当其沉积时， 基板的温度较低，从而玻璃化转变温度低于100 °C的材料或分子构型为平面构型的材料部 分结晶，又蒸镀过程中，阴极层180上每一个位置的温度是不相同的，从而使得耦合输出层 190中的晶相的结晶程度也是不相同的。在本实施例中，优选地，耦合输出层190中的晶相 的质量含量大于等于50%。根据实际情况，通过调苄基板110的温度，控制耦合输出层190 中晶相的含量。
[0034] 在本实施例中，玻璃化转变温度低于100°C的材料包括联苯二胺类空穴传输材料， 比如N,N-双（α-萘基-苯基）-4, 4-联苯二胺（N,N-Bis(a-naphthylphenyl) -4, 4'-Biph enyldiamine,NPB)，N,Ν' -二苯基-N,Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ-联苯-4, 4' -二胺（N,N'-BisG-methylphenylJ-P^N'-bisbhenylJbenzidineJPD) 或 9, 10-二 （2-萘基） 蒽 （ADN)〇
[0035] 分子构型为平面构型的材料包括吡啶类电子传输材料或邻菲罗啉类电子传输材 料，吡啶类电子传输材料具有式（I)或式（II)的结构，邻菲罗啉类电子传输材料具有式 (III)或式（IV)的结构，式（I)、式（II)、式（III)以及式（IV)的结构如下：
[0036]
[0037] 其中，Ar为亚萘基、联亚萘基、亚蒽基、亚茈基、亚芘基、亚喹啉基、联亚喹啉基、蒸 或二苯并窟；X和Y分别为氢基、卤原子、脂肪基、芳香基、氰基