2包括碳粉颗粒。其中，基底层131的材料为树脂。
[0056]本实施例中，抗反射颗粒132的直径包括1nm至100 um。基底层131的厚度包括:0.02 μ m至5 μ m，优选地，基底层131的厚度包括I μ m。
[0057]抗反射层13用于对照射到非显示区的光线进行吸收或者漫反射，从而降低非显示区的反射率。具体地，基底层131中混有抗反射颗粒132，基底层131表面的抗反射颗粒132可对照射到非显示区的光线进行吸收或者漫反射。特别是，当基底层131表面的抗反射颗粒132的直径不同时，吸收以及漫反射的效果更佳。
[0058]本实施例提供的显示基板的技术方案中，在衬底基板第二表面上形成有抗反射层，抗反射层与非显示区对应设置，抗反射层可对照射到非显示区的光线进行吸收或者漫反射，降低了非显示区的反射率，从而极大的降低了非显示区的反射现象对显示区的显示造成的影响。
[0059]本发明实施例二提供了一种显示装置，该显示装置包括:相对设置的对置基板和显示基板。其中，显示基板可采用上述实施例一提供的显示基板，此处不再重复描述。
[0060]本实施例中，显示基板为彩膜基板时，则对置基板可以为阵列基板。
[0061]在实际应用中，可选地，显示基板还可以包括有机发光二极管(OrganicLight-Emitting D1de，简称:0LED)显示基板、阵列基板或者彩膜阵列基板(Color FilterOn Array，简称:C0A)。
[0062]本实施例提供的显示装置的技术方案中，在衬底基板第二表面上形成有抗反射层，抗反射层与非显示区对应设置，抗反射层可对照射到非显示区的光线进行吸收或者漫反射，降低了非显示区的反射率，从而极大的降低了非显示区的反射现象对显示区的显示造成的影响。
[0063]图2为本发明实施例三提供的一种显示基板的制造方法的流程图，如图2所示，该方法包括:
[0064]步骤101、在衬底基板的第一表面形成多个亚像素区域，每个亚像素区域包括显示区和非显示区。
[0065]图3a为实施例三中形成亚像素区域的示意图，如图3a所示，在衬底基板11的第一表面形成多个亚像素区域12，每个亚像素区域12包括显示区121和非显示区122。显示基板可以为彩膜基板，则显示区121中设置有彩色矩阵图形，非显示区122中设置有黑矩阵图形。
[0066]步骤102、在衬底基板的第二表面上形成抗反射层，抗反射层与非显示区对应设置。
[0067]本实施例中，抗反射层包括:基底层，基底层混合有抗反射颗粒，则步骤102具体可包括:
[0068]步骤1021、将抗反射颗粒混入基底层材料中。
[0069]步骤1022、在衬底基板的第二表面上形成基底层材料，并对基底层材料进行构图工艺以形成抗反射层。
[0070]具体地，步骤1022包括:
[0071]步骤1022a、在衬底基板的第二表面上形成基底层材料，基底层材料混合有抗反射颗粒。
[0072]图3b为实施例二中形成基底层材料的不意图，如图3b所不，在衬底基板11的第二表面上沉积基底层材料133，基底层材料133混合有抗反射颗粒132。
[0073]步骤1022b、对基底层材料进行预烘烤。
[0074]本步骤中预烘烤工艺可以使基底层材料初步硬化。
[0075]步骤1022c、从衬底基板的第一表面对基底层材料进行照射，以使与显示区对应设置的基底层材料曝光形成曝光部分，与非显示区对应设置的基底层材料形成未曝光部分。
[0076]图3c为实施例二中对基底层材料进彳丁曝光的不意图，如图3c所不，米用光源14从衬底基板11的第一表面对基底层材料133进行照射，以使与显示区121对应设置的基底层材料133曝光形成曝光部分134，与非显示区122对应设置的基底层材料133形成未曝光部分135。
[0077]由于显示区121为透光区域，因此光源14发出的光线会透过显示区121并使与显示区121对应设置的基底层材料133曝光；由于非显示区122为不透光区域，光源14发出的光线被非显示区122阻挡不会透过非显示区122，因此与显示区121对应设置的基底层材料133不会被曝光。例如:非显示区122中的黑矩阵图形、薄膜晶体管、栅线、数据线等结构会对光源14发出的光线起到阻挡作用。本实施例采用非显示区122对光源14发出的光线进行遮挡，无需再使用掩膜板，采用了自对位技术，从而降低了制造成本。
[0078]在实际应用中，可选地，还可以采用光源从衬底基板的第二表面对基底层材料进行照射，但是此种方案需要在衬底基板的第二表面的上方设置掩膜板。
[0079]步骤1022d、对曝光后的基底层材料进行显影以去除曝光部分，保留未曝光部分以形成抗反射层。
[0080]图3d为实施例二中对曝光后的基底层材料进彳丁显影的不意图，如图3d所不，对曝光后的基底层材料进行显影，去除曝光部分134且保留未曝光部分以形成基底层131。去除曝光部分134时，曝光的基底层材料和抗反射颗粒均被去除。
[0081]步骤1022e、对抗反射层进行后烘烤。
[0082]本步骤中后烘烤工艺可以使抗反射层进一步硬化，后烘烤后的抗反射层如图1所不O
[0083]本实施例提供的显示基板的制造方法可用于制造上述实施例一提供的显示基板，此处不再赘述。
[0084]本实施例提供的显示基板的制造方法的技术方案中，在衬底基板第二表面上形成有抗反射层，抗反射层与非显示区对应设置，抗反射层可对照射到非显示区的光线进行吸收或者漫反射，降低了非显示区的反射率，从而极大的降低了非显示区的反射现象对显示区的显示造成的影响。
[0085]图4为本发明实施例四提供的一种显示装置的制造方法的流程图，如图4所示，该方法包括:
[0086]步骤201、制备显不基板，显不基板包括衬底基板和形成于衬底基板第一表面的多个亚像素区域，每个所述亚像素区域包括显示区和非显示区。
[0087]此步骤中形成的显示基板可参见图3a所示。
[0088]步骤202、制备对置基板。
[0089]本实施例中，若显示基板为彩膜基板时，对置基板可以为阵列基板。
[0090]步骤203、将显示基板和对置基板相对设置。
[0091 ] 图5a为实施例四中显不基板和对置基板相对设置的不意图，如图5a所不，将显不基板I和对置基板2对盒设置，以形成显示装置。例如，若显示装置为液晶显示装置，则显示基板I和对置基板2之间还形成有液晶层(图中未示出)。
[0092]步骤204、在衬底基板第二表面上形成抗反射层，抗反射层与非显示区对应设置。
[0093]本实施例中，抗反射层包括:基底层，基底层混合有抗反射颗粒，则步骤204包括:
[0094]步骤2041、将抗反射颗粒混入基底层材料中。
[0095]步骤2042、在衬底基板的第二表面上形成基底层材料，并对基底层材料进行构图工艺以形成抗反射层。
[0096]具体地，步骤2042包括:
[0097]步骤2042a、在衬底基板的第二表面上沉积基底层材料。
[0098]图5b为实施例四中形成基底层材料的不意图，如图5b所不，在衬底基板11的第二表面上沉积基底层材料133，基底层材料133混合有抗反射颗粒132。
[0099]步骤2042b、对基底层材料进行预烘烤。
[0100]本步骤中预烘烤工艺可以使