于阳极的全部分布区域。而由于阳极表面为待蒸镀像素图案的分布区域，因此最终在TFT背板110上形成完整的像素图案。
[0041]另外为了节约资源，在保证激光能够扫描至阳极覆盖的所有区域，且有机材料120恰好完全蒸镀于阳极的所有分布区域时，则可控制激光仅扫描阳极的覆盖区域。
[0042]综上所述，在第一实施例中，该0LED像素图案蒸镀方法只需利用激光对TFT背板110进行扫描即可完成蒸镀，无需考虑在高分辨率要求下因使用FMM而带来的一系列工艺难度，克服了传统技术中因FMM工艺受限而不能够满足高分辨率的要求的问题，提高了显示屏的分辨率。
[0043]在第二实施例中，图3为第二实施例的0LED像素图案蒸镀方法的流程图。图4为与图3所示实施例的OLED像素图案蒸镀方法对应的结构示意图。
[0044]如图3、图4所示，第二实施例提供的0LED像素图案蒸镀方法，同样用于向TFT背板210蒸镀像素图案，且像素图案包括若干子像素图案。该TFT背板210包括基板、薄膜晶体管阵列及透明的阳极。其中，薄膜晶体管阵列及阳极均分布于基板的正面211。需要说明的是，基板的正面211与背面212，分别为基板上方向相反且相互平行的两侧面。同时，在该TFT背板210上，阳极表面为待蒸镀子像素图案的分布区域，即阳极的分布区域与待蒸镀子像素图案的分布区域对应，且仅有阳极透光。
[0045]第二实施例提供的0LED像素图案蒸镀方法具体包括以下步骤。
[0046]S210、将有机材料220涂布于平台基板230上。
[0047]可以理解的是，步骤S210并非上述一种情况，例如若在执行该0LED像素图案蒸镀方法前，已经将有机材料220涂布于平台基板230上，则可将步骤S110略掉。
[0048]S220、如图4所示，将TFT背板210置于有机材料220上方，且阳极面向有机材料220，即基板的正面211朝向有机材料220，而基板的背面212远离有机材料220，以使得有机材料220能够蒸镀至阳极表面。
[0049]S230、在TFT背板210上方设置激光器240，也就是说激光器240是与基板的背面212相对。
[0050]可以理解的是，步骤S230并非上述一种情况，例如若在执行该0LED像素图案蒸镀方法前，已经在TFT背板210上方设置有激光器240，则可以将步骤S230省略。
[0051 ] S240、在激光器240和TFT背板210之间设置光刻掩膜版250。
[0052]光刻掩膜版250包括若干开孔。其中各开孔均对应同种颜色的子像素图案的分布区域。也就是说，该光刻掩膜版250上的所有开孔在每次使用中只能对准同一种颜色的全部子像素图案的分布区域，例如只对准R颜色子像素图案的分布区域。另外在第二实施例中，开孔的布局不同于传统方法，而具体为:开孔的面积大于对应子像素图案分布区域的面积，且开孔的面积小于或等于位于与该开孔对应子像素图案相邻的所有子像素图案之间的区域的面积。也就是说，与传统方法相比，第二实施例提供的光刻掩膜版250本身的制作工艺已较为成熟，再加上开孔的面积较大，即在保证开孔大小能够完全包括对应子像素图案的分布区域外还可以延伸至其他部分区域，从而进一步降低了制作工艺的难度，便于实现高分辨率要求。
[0053]S250、调整光刻掩膜版250的位置，使得开孔对准颜色与有机材料220颜色一致的子像素图案的分布区域。也就是说，若有机材料220为R颜色，则调整开孔对准R颜色子像素图案的区域，以便于在该R颜色子像素图案的分布区域蒸镀R颜色的有机材料220，从而在该区域形成该R颜色子像素图案。之后，若要蒸镀另一种颜色，例如G颜色，则将光刻掩膜版250平移一定距离，从而使得开孔对准G颜色子像素图案的分布区域。
[0054]S260、用激光向基板的背面212扫描，且激光扫描的区域至少包括阳极覆盖的所有区域。
[0055]在第二实施例中，激光器240与有机材料220之间包括光刻掩膜版250和TFT背板210，由于光刻掩膜版250中的开孔和TFT背板210中的阳极均透光，因此最终激光照射至有机材料220的区域是由开孔和阳极来共同决定的。
[0056]其中，在激光的传输路径上增加光刻掩膜版250，优势在于若要在TFT背板210上蒸镀彩色像素图案时，则能够通过开孔来限制每次蒸镀的子像素图案的颜色。同时由于各开孔均对应同种颜色的子像素图案的分布区域，且激光扫描的区域至少包括阳极覆盖的所有区域，因此每次蒸镀后都能将有机材料220蒸镀于同一种颜色的全部子像素图案的分布区域，从而形成该颜色子像素的完整图案。例如若第一次蒸镀时只在TFT背板210上对应R颜色子像素图案的分布区域蒸镀R颜色的有机材料，蒸镀完成后移动光刻掩膜版250的位置，再在TFT背板210上对应G颜色子像素图案的分布区域蒸镀G颜色的有机材料…如此，最终即能在TFT背板210上形成完整的彩色像素图案。
[0057]另外，虽然光刻掩膜版250中的开孔面积大于对应子像素图案分布区域的面积，但由于激光与有机材料220的传输路径上，除了受到开孔面积的制约还要受到阳极的制约，SP使激光通过开孔后光束照射的面积超出了该子像素图案的分布区域，但由于阳极表面与待蒸镀子像素图案分布区域一一对应，而阳极不包括待蒸镀子像素图案之外的区域，因此激光光束通过阳极后能够限制超出该子像素图案分布区域之外的光束通过，从而保证最终仍然能够精确的只在对应该子像素图案的分布区域内蒸镀有机材料。
[0058]另外，为了节约资源，在保证激光能够扫描阳极覆盖的所有区域，且有机材料220恰好完全蒸镀于阳极的所有分布区域时，则可控制激光仅扫描阳极的覆盖区域。
[0059]综上所述，在第二实施例中，该0LED像素图案蒸镀方法仍然能够只利用激光对TFT背板210进行扫描即可完成蒸镀，无需考虑在高分辨率要求下因使用FMM而带来的一系列工艺难度，克服了传统技术中因FMM工艺受限而不能够满足高分辨率的要求的问题，提高了显不屏的分辨率。
[0060]另外，若需要蒸镀彩色像素图案时，第二实施例中还可以通过光刻掩膜版250和TFT背板210的阳极来分别蒸镀不同颜色的子像素图案。尽管使用了光刻掩膜版250，但由于开孔面积较大，因此仍然能够保证整个工艺较为简单。因此，第二实施例在仍然能够克服传统技术中因FMM工艺受限而不能够满足高分辨率要求的问题的基础上，还能蒸镀彩色像素图案，扩大了应用范围。
[0061 ]在第三实施例中，图5为第三实施例的0LED像素图案蒸镀方法的流程图。图7为与图5所示实施例的0LED像素图案蒸镀方法对应的结构示意图。
[0062]如图5、图7所示，第三实施例提供的0LED像素图案蒸镀方法，同样用于向TFT背板310蒸镀像素图案，且像素图案包括若干子像素图案。该TFT背板310包括基板、薄膜晶体管阵列及透明的阳极。其中，薄膜晶体管阵列及阳极均涂布于基板的正面311。需要说明的是，基板的正面311与背面312，分别为基板上方向相反且相互平行的两侧面。同时，在该TFT背板310上，阳极表面为待蒸镀子像素图案的分布区域，即阳极的分布区域与待蒸镀子像素图案的分布区域对应，且仅有阳极透光。
[0063]第三实施例提供的0LED像素图案蒸镀方法具体包括以下步骤。
[0064]S310、将有机材料320涂布于平台基板330上。
[0065]可以理解的是，步骤S310并非上述一种情况，例如若在执行该0LED像素图案蒸镀方法前，已经将有机材料320涂布于平台基板330上，则可将步骤S310略掉。
[0066]S320、如图4所示，将TFT背板310置于有机材料320上方，且阳极面向有机材料，即基板的正面311朝向有机材料320，而基板的背面312远离有机材料320，以使得有机材料320能够蒸镀至阳极表面。
[0067]S330、在TFT背板310上方设置激光器340，也就是说激光器340是与基板的背面312相对。
[0068]可以理解的是，步骤S330并非上述一种情况，例如若在执行该0LED像素图案蒸镀方法前，已经在TFT背板310上方设置有激光器340，则可以将步骤S330省略。
[0069 ] S340、如图6所示，在TFT背板310的背面涂布光刻胶350。其中，TFT背板310的背面具体为基板的背面312。
[0070]S350、利用光刻掩膜版对光刻胶350进行曝光及显影。其中光刻掩膜版的图形，满足使得光刻胶中溶于显影液的各区域均对应同种颜色的子像素图案分布区域的条件。也就是说，蒸镀不同颜色子像素图案的时候，需分别设计对应不同颜色子像素图案的光刻掩膜版。
[0071]具体来说，以R颜色子像素图案为例，若光刻胶350为负光刻胶，则光刻掩膜版中的各非透光区域均对应R颜色的子像素图案的分布区域;若光刻胶3 5 0为正光刻胶，则光刻掩膜版中的各透光区域均对应R颜色的子像素图案的分布区域。
[0072]S360、用激光向基板的背面312进行扫描，且激光扫描的区域至少包括阳极覆盖的所有区域。
[0073]在第三实