绝缘膜以及绝缘膜的制备方法

文档序号:8072300阅读:680来源:国知局
绝缘膜以及绝缘膜的制备方法
【专利摘要】本文公开了一种绝缘膜以及该绝缘膜的制备方法,该方法可以通过在绝缘膜的一个表面上提供具有60wt%至80wt%的二氧化硅重量比的增强层而解决由凹陷引起的问题。
【专利说明】绝缘膜以及绝缘膜的制备方法
[0001]相关申请的引用
[0002]本申请根据35U.S.C.第119章要求于2012年8月30日提交的题为“绝缘膜以及绝缘膜的制备方法(Insulating Film and Producing Method for Insulating Film) ”的韩国专利申请序列号10-2012-0095652的权益,通过引用将其全部内容结合在本申请中。
【技术领域】
[0003]本发明涉及一种绝缘膜以及绝缘膜的制备方法,更具体地,涉及一种用于在PCB(印刷电路板)等上形成绝缘部分的绝缘膜,以及该绝缘膜的制备方法。
【背景技术】
[0004]通常,通过将诸如二氧化硅的填料添加到诸如环氧树脂的绝缘树脂中制备绝缘膜。
[0005]此处,填料(如二氧化硅)的含量小于绝缘树脂的含量的一半。
[0006]图1为一示图,其示出了根据相关技术的典型绝缘膜。
[0007]如示出的,根据相关技术制备典型的绝缘膜,使得聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜层200和双向拉伸聚丙烯(Biaxially-Oriented Polypropylene,Β0ΡΡ)膜层300形成在由绝缘树脂和二氧化硅形成的绝缘层10的两个表面上。
[0008]图2为一示图,其示出了具有利用根据相关技术的绝缘膜在一个表面或者任一表面上形成的绝缘部分的基板(基底,substrate) 400。
[0009]参照图2,绝缘部分形成在基板400的表面上,且绝缘膜仅由绝缘层10形成。
[0010]此处,在将绝缘层10施加到基板400的表面上的过程中,通常使用辊(roll)。
[0011]在这方面,细小的外来物质可能粘附在辊的表面上,并且这种外来物质在将绝缘层10压制在基板400上的过程中可能在绝缘层10的表面上产生凹陷(dent)。
[0012]该凹陷可能在通过进行镀覆法在绝缘层的表面上形成电路图案的过程中引起线路故障,从而降低产率。

【发明内容】

[0013]本发明的目的是提供一种具有增强层(加固层,reinforcing layer)的绝缘膜,以解决由凹陷引起的问题。
[0014]本发明的另一个目的是提供一种具有增强层的绝缘膜的制备方法,以解决由凹陷引起的问题。
[0015]根据本发明的示例性实施方式,提供了一种绝缘膜,包括:形成在一个表面上的增强层,其中,增强层的二氧化硅的重量比为60wt %至SOwt %。
[0016]根据本发明的另一个示例性实施方式,提供了一种绝缘膜,包括:包含绝缘树脂和二氧化硅的绝缘层,其中,二氧化硅的重量比为50wt%以下;以及增强层,该增强层的一个表面与绝缘层的一个表面接触并且包含绝缘树脂和二氧化硅,其中,二氧化硅的重量比为60wt% 至 80wt%。
[0017]绝缘膜可以进一步包括:PET膜层,提供在增强层的另一个表面上;以及BOPP膜层,提供在绝缘层的另一个表面上。
[0018]增强层的厚度可以为2至4μm。
[0019]绝缘树脂可以是环氧树脂。
[0020]根据本发明的示例性实施方式,提供了一种绝缘膜的制备方法,包括:制备第一绝缘材料和第二绝缘材料,其中,第一绝缘材料包含环氧树脂、二氧化硅和溶剂,二氧化硅的含量小于环氧树脂的含量,并且其中,第二绝缘材料包含环氧树脂、二氧化硅和溶剂,二氧化硅的含量是环氧树脂的含量的1.5倍至4.0倍;施加该第一绝缘材料和第二绝缘材料,使得该第二绝缘材料与PET膜的上表面接触,并且该第一绝缘材料与第二绝缘材料的上表面接触;固化该第一绝缘材料和第二绝缘材料以形成包括该第一绝缘材料的增强层和包括该第二绝缘材料的绝缘层;以及将BOPP膜附着到绝缘层的上表面。
[0021]增强层的厚度为2至4μm。
【专利附图】

【附图说明】
[0022]图1为一示图,其示出了根据相关技术的典型绝缘膜;
[0023]图2为一示图,其示出了具有利用根据相关技术的绝缘膜形成在两个表面上的绝缘部分的基板;
[0024]图3为一简化图,其示出了根据本发明的示例性实施方式的绝缘膜的结构;
[0025]图4为一简化图,其示出了根据本发明的另一个示例性实施方式的绝缘膜的结构;
[0026]图5为一示图,其示出了具有利用根据本发明的示例性实施方式的绝缘膜形成在两个表面上的绝缘部分的基板;
[0027]图6为一流程图,其示意性地示出了根据本发明的示例性实施方式的绝缘膜的制备方法;
[0028]图7Α是利用扫描电子显微镜拍摄的照片,其示出了具有55?七%的二氧化硅含量的增强层的绝缘膜附着在其上的基板的表面;
[0029]图7Β是利用扫描电子显微镜拍摄的照片,其示出了具有55?〖%的二氧化硅含量的增强层的绝缘膜附着在其上并且在其上进行表面抛光的基板的表面;
[0030]图8Α是利用扫描电子显微镜拍摄的照片,其示出了具有70?〖%的二氧化硅含量的增强层的绝缘膜附着在其上的基板的表面;
[0031]图8Β是利用扫描电子显微镜拍摄的照片,其示出了具有70?七%的二氧化硅含量的增强层的绝缘膜附着在其上并且进行表面抛光的基板的表面;以及
[0032]图9是利用扫描电子显微镜拍摄的照片,其示出了具有85wt%的二氧化硅含量的增强层的绝缘膜附着在其上的基板的表面。
【具体实施方式】
[0033]参照附图由以下示例性实施方式的描述,本发明和其实现方法的各种优点和特征将变得显而易见。然而,可以以许多不同的形式改变本发明,并且本发明不应仅限于本文给出的示例性实施方式。可以提供这些示例性实施方式以使得公开充分且完整,并且将充分地向本领域技术人员传达本发明的范围。相同的参考标号表示整个描述的相同元件。
[0034]本说明书中使用的术语用于解释示例性实施方式,而不是限制本发明。除非另外明确提及,否则在本说明书中的单数形式包括复数形式。在整个说明书中,词语“包括”和诸如“包含”或“含有”的变型将理解为意图包含所述成份、步骤、操作和/或元件,但不排除任何其它成份、步骤、操作和/或元件。
[0035]为了简化和清楚地示出,附图中将示出一般结构方案,并且将省去本领域中所公知的特征和技术的细节描述,以防止对本发明的示例性实施方式的讨论变得不清楚。此外,附图中示出的组件不必按比例示出。例如,附图中示出的一些组件的尺寸可以放大以与其它组件相比较,从而有助于理解本发明的示例性实施方式。不同附图中的相同参考标号将表示相同的组件,并且不同的附图中的相似参考标号将表示相似的组件,但不必限于此。
[0036]在说明书和权利要求中,诸如“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等的术语(如果有的话)将用于区分各个相似的组件,并且用于描述具体顺序或者产生顺序,但不必限于此。可以理解的是,在适当的环境下,这些术语彼此一致,使得下面将描述的本发明的示例性实施方式可以以不同于本文示出或描述的顺序实施。同样地,在本说明书中,如果其中描述了一种方法包括一系列的步骤,则此处提示这些步骤的顺序不必是其中可以进行这些步骤的顺序。即,可以省去任何所述的步骤和/或可以将本文描述的任何其它步骤添加到该方法中。
[0037]在说明书和权利要求中,诸如“左”、“右”、“前”、“后”、“顶部”、“底部”、“上方”、“下
方”等术语(如果有的话)不必须表示没有改变的相对位置,而是用于描述。可以理解的是,在适当的环境下,这些术语彼此一致,使得下面将描述的本发明的示例性实施方式可以以不同于在本文中示出或描述的方式实施。在本文中使用的术语“连接”定义为以电或者非电的方式直接地或者间接地连接。术语“相邻的”定义为物理接触、接近于彼此、或者处于相同的、共有的范围或区域,这取决于上述术语使用的上下文。通常尽管没有必要在本文中规定,然而短语“在示例性实施方式中”指的是相同的示例性实施方式。
[0038]在下文中,将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施方式的结构和作用效果O
[0039]图3是示出根据本发明的示例性实施方式的绝缘膜100的结构简图。
[0040]参照图3,根据本发明的示例性实施方式的绝缘膜100可以包括增强层120和绝缘层 110。
[0041]如同根据相关技术的典型绝缘膜的绝缘层10,绝缘层110是由诸如环氧树脂的绝缘树脂和诸如二氧化硅的填料形成的,其中,二氧化硅的重量比为50wt %以下。
[0042]增强层120形成在绝缘层110的一个表面上并且用于防止出现凹陷。
[0043]增强层120是由诸如环氧树脂的绝缘树脂和诸如二氧化硅的填料形成,其中,不同于绝缘层110, 二氧化娃的重量比优选为60wt %至80wt %。
[0044]此外,增强层120的厚度优选为2至4 μ m。
[0045]图4是示出根据本发明的另一个示例性实施方式的绝缘膜100的结构简图。
[0046]参照图4,PET膜层200可以提供在增强层120的上表面,并且BOPP膜层300可以提供在绝缘层110的下表面300。[0047]通常,通过棍对棍法(roll-to-roll process)连续制备绝缘膜100,使得在制备过程中随着绝缘膜被辊压而提供绝缘膜。为此,需要提供PET膜层200和BOPP膜层300。
[0048]图5为一示图,其示出了具有利用根据本发明的示例性实施方式的绝缘膜100形成在两个表面上的绝缘部分的基板400。
[0049]参照图5,将理解的是,在利用根据本发明的示例性实施方式的绝缘膜100在基板400的任一表面上形成绝缘部分中,绝缘层110提供在基板400的任一表面上,并且增强层120提供在绝缘层110的外表面上。
[0050]如示出的,根据本发明的示例性实施方式的绝缘膜100包括在形成绝缘部分的过程中与辊筒直接接触的表面上的增强层120,使得可以显著降低凹陷发生的频率。
[0051]图6为一流程图,其示意性地示出了根据本发明的示例性实施方式的绝缘膜100的制备方法。
[0052]参照图6,根据本发明的示例性实施方式的绝缘膜100的制备方法可以包括:制备第一绝缘材料和第二绝缘材料(SllO);在PET膜层200的表面上施用第一绝缘材料和第二绝缘材料(S120);固化材料(S130);附着BOPP膜层300(S140)。
[0053]第一和第二绝缘材料的制备可以包括将绝缘树脂和二氧化硅与溶剂混合(SllO)。
[0054]此处,第一绝缘材料用于形成绝缘层100,并且混合第一绝缘材料,使得二氧化硅的含量小于绝缘树脂的含量。
[0055]第二绝缘材料用于形成增强层120,并且混合第二绝缘材料,使得二氧化硅的含量优选为绝缘树脂的含量的1.5倍至4.0倍。
[0056]溶剂用于混合绝缘树脂和二氧化硅以将绝缘树脂和二氧化硅制成液体状态,并且在下面将描述的固化过程中溶剂大部分挥发和被去除。可以使用在制备常规绝缘膜100中使用的任何已知溶剂,因此将不进行其细节描述。
[0057]此处,环氧树脂可以用于绝缘树脂。
[0058]随后,第一绝缘材料和第二绝缘材料施加于PET膜层200的上表面上(S120)。
[0059]此处,用于形成增强层120的第二绝缘材料可以首先施加于PET膜层200的上表面,使得第二绝缘材料覆盖上表面的大部分。然后,第一绝缘材料可以施加于第二绝缘材料的上表面以形成绝缘层110。
[0060]可替代地,可以按照这样的方式进行该过程,即施加第二绝缘材料然后施加第一绝缘材料。
[0061]可替代地,通过将用于提供第二绝缘材料的喷嘴提供在下侧,而将用于提供第一绝缘材料的喷嘴提供在上侧,可以同时以这样的方式施加第一和第二绝缘材料,即第二绝缘材料施加于PET膜层200的上表面,而第一绝缘材料施加于第二绝缘材料上。
[0062]在这种情况下,与之前的情况相比,可以缩短用于制备绝缘膜100所需的时间段。
[0063]随后,通过在第一和第二绝缘材料周围鼓风预定的时间段来进行固化过程(S130)。
[0064]接下来,在完成固化之后,BOPP膜层300可以附着在由第二绝缘材料形成的用于辊压和包装的绝缘层Iio的表面上(S140)。
[0065]最后,可以辊压具有BOPP膜层300附着在其上的绝缘膜100(S150)。
[0066]图7A是利用扫描电子显微镜拍摄的照片,其不出了具有55wt%的二氧化娃含量的增强层120的绝缘膜100附着在其上的基板400的表面;图7B是利用扫描电子显微镜拍摄的照片,其示出了具有55wt%的二氧化硅含量的增强层120的绝缘膜100附着在其上并且进行表面抛光的基板400的表面;图8么是利用扫描电子显微镜拍摄的照片,其示出了具有70Wt%的二氧化硅含量的增强层120的绝缘膜100附着在其上的基板400的表面;图8B是利用扫描电子显微镜拍摄的照片,其示出了具有70wt%的二氧化硅含量的增强层120的绝缘膜100附着在其上并且进行表面抛光的基板400的表面;以及图9是利用扫描电子显微镜拍摄的照片,其示出了具有85wt%的二氧化硅含量的增强层120的绝缘膜100附着在其上的基板400的表面。
[0067]下文可以从图7A和图7B、图8A和图8B以及图9中看出。当增强层120的二氧化硅的重量比为55wt% (图7A和图7B)时,会产生具有相对较大尺寸的大量凹陷。相反,当增强层120的二氧化硅的重量比是70wt% (图8A和图8B)时,与图7A和图7B示出的实施例相比较,会产生具有相对较小尺寸的少量凹陷(图8A和图8B)。
[0068]此外,从图9中可以看出,当二氧化硅的重量比为85¥七%时,甚至在进行表面抛光之前就已经出现裂纹。
[0069]推测这些裂纹是由下表面的伸缩差引起的。
[0070]此处,表面抛光指的是在基板400的表面上形成绝缘部分,并且在镀覆之前利用化学材料处理表面,表面抛光也称为去污过程(除污过程,Desmear process)。
[0071]总之,随着二氧化硅含量的增加,可以降低凹陷出现的频率;然而,如果二氧化硅的含量过多增加,则可能出现裂纹。
[0072]此外,考虑到通常用于绝缘膜100的二氧化硅填料的颗粒尺寸为约I到3 μ m,为了有效防止凹陷产生,期 望增强层120的厚度为约2至4μ m。
[0073]如上所述,根据本发明的示例性实施方式的绝缘膜具有处于其上的增强层,并且可以解决由凹陷引起的问题。
[0074]此外,根据本发明的示例性实施方式的绝缘膜的制备方法,可以快速进行制备过程。
【权利要求】
1.一种绝缘膜,包括形成在一个表面上的增强层,其中,所述增强层的二氧化硅的重量比为 60wt % 至 80wt %。
2.一种绝缘膜,包括: 绝缘层,所述绝缘层包含绝缘树脂和二氧化硅,其中,所述二氧化硅的重量比为50wt%以下;以及 增强层,所述增强层的一个表面与所述绝缘层的一个表面接触,并且包含绝缘树脂和二氧化硅,其中,所述二氧化硅的重量比为6(^七%至80wt%。
3.根据权利要求2所述的膜,进一步包括: 提供在所述增强层的另一个表面上的PET膜层;以及 提供在所述绝缘层的另一个表面上的BOPP膜层。
4.根据权利要求2所述的膜,其中,所述增强层的厚度为2至4μm。
5.根据权利要求2所述的膜,其中,所述绝缘树脂是环氧树脂。
6.—种绝缘膜的制备方法,包括: 制备第一绝缘材料和第二绝缘材料,其中,所述第一绝缘材料包含环氧树脂、二氧化硅、和溶剂,所述二氧化硅的含量小于所述环氧树脂的含量,以及其中,所述第二绝缘材料包含环氧树脂、二氧化硅、和溶剂,所述二氧化硅的含量是所述环氧树脂的含量的1.5至4.0 倍; 施加所述第一绝缘材料和所述第二绝缘材料,以使所述第二绝缘材料与PET膜的上表面接触,并且所述第一绝缘材料与所述第二绝缘材料的上表面接触; 固化所述第一绝缘材料和所述第二绝缘材料以形成包括所述第一绝缘材料的增强层和包括所述第二绝缘材料的绝缘层;以及 将BOPP膜附着到所述绝缘层的上表面。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述增强层的厚度为2至4μm。
【文档编号】H05K1/03GK103687287SQ201310373300
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年8月23日 优先权日:2012年8月30日
【发明者】李忠熙, 赵在春, 张钟允, 田喜善, 朴钟洙, 金成贤 申请人:三星电机株式会社
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