专利名称：具有细微图案的半导体元件的制备方法
技术领域：
本发明涉及ー种具有细微图案的半导体元件的制备方法，特别涉及ー种具有细微图案的半导体元件的制备方法，其整合ニ层光致抗蚀剂层及一次曝光エ艺。
背景技术：
随着元件集成度增加，半导体エ艺的光刻技术需要更高的解析度方可达到元件的精密度需求。光刻技术经常应用于半导体基板上制备电子元件或光电元件，通过光刻技术制备的光致抗蚀剂图案则作为蚀刻或离子注入的掩模。因此，元件集成度取决于光致抗蚀剂图案的细微程度。増加解析度的方法之ー是采用较短波长的光源，例如采用氟化氪(KrF)激光所产生的深紫外光(波长248纳米)或氟化氩(ArF)激光所产生深紫外光(波长193纳米)做 为光刻曝光的光源。另ー种增加解析度的方法是采用双重图案化(double patterning)技术，其通过第一曝光/蚀刻エ艺在半导体基板上形成初步图案，再通过在初步图案上进行第二曝光/蚀刻エ艺形成最終想要的图案。然而，双重图案化技术必须进行二次曝光エ艺，需要非常精密的对位技木。
发明内容
为了解决现有技术存在的上述问题，本发明提供一种ー种具有细微图案的半导体元件的制备方法，其整合ニ层光致抗蚀剂层及一次曝光エ艺。本发明的一实施例提供ー种具有细微图案的半导体元件的制备方法，其包含下列步骤提供一半导体基板；形成一第一光致抗蚀剂层于该半导体基板上；形成一第二光致抗蚀剂层于该第一光致抗蚀剂层上；以及进行一曝光エ艺以改变该第一光致抗蚀剂层的至少ー第一区域的状态并改变该第二光致抗蚀剂层的至少ー第二区域的状态。公知双重图案化技术必须进行二次曝光エ艺，需要非常精密的对位技术；相对地，本发明的实施例仅需要进行一次曝光エ艺即可实现双重图案化技术，因此不需要精密的对位技术。上文已相当广泛地概述本发明的技术特征，以使下文的本发明详细描述得以获得较佳了解。构成本发明的专利保护范围标的的其它技术特征将描述于下文。本发明所属技术领域中普通技术人员应了解，可相当容易地利用下文掲示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或エ艺而实现与本发明相同的目的。本发明所属技术领域中普通技术人员也应了解，这类等效建构无法脱离所附的权利要求所界定的本发明的精神和范围。
通过參照前述说明及下列附图，本发明的技术特征得以获得完全了解。图I为剖不图,其例不本发明一实施例的半导体基板；图2例不本发明一实施例的曝光エ艺；
图3为剖不图,其例不本发明一实施例的曝光光束的应用；图4为剖示图，其例示本发明ー实施例的第二光致抗蚀剂层的显影エ艺；图5及图6为剖示图，其例示本发明ー实施例的第一光致抗蚀剂层的蚀刻エ艺；以及图7及图8为剖示图，其例示本发明ー实施例的目标层的蚀刻エ艺。上述附图中的附图标记说明如下11半导体基板13目标层
15 孔洞21第一光致抗蚀剂层23第一区域25其它区域27 开ロ29 开ロ31第二光致抗蚀剂层33第二区域35其它区域37 开ロ43 间距45 间距50光掩模51透光基板53遮光图案60曝光光束61 波峰63 波谷65临限强度67临限强度100半导体元件
具体实施例方式图I至图8例示本发明ー实施例的具有细微图案的半导体元件100的制备方法。图I为剖示图，其例示本发明ー实施例的半导体基板U。在本发明的一实施例中，首先在该半导体基板11 (例如硅基板)上形成一目标层13 (例如氧化物层)；之后，通过涂布エ艺以形成一第一光致抗蚀剂层21于该目标层13上以及ー第二光致抗蚀剂层31于该第一光致抗蚀剂层21上。在本发明的一实施例中，该第二光致抗蚀剂层31直接形成于该第一光致抗蚀剂层21上，也即该第一光致抗蚀剂层21及该第二光致抗蚀剂层31之间没有中间层。图2例示本发明ー实施例的曝光エ艺。在本发明的一实施例中，该曝光エ艺使用的光掩模50包含一透光基板51及遮光图案53，且光源的光线通过该光掩模50时形成一曝光光束60,其具有一弦波状的强度分布。在本发明的一实施例中，该曝光光束60包含一波峰61,其强度大于该第一光致抗蚀剂层21的临限强度65。在本发明的一实施例中，该曝光光束60包含一波谷63，其强度小于该第二光致抗蚀剂层31的临限强度67。图3为剖不图,其例不本发明一实施例的曝光光束60的应用。在本发明的一实施例中，使用该曝光光束60对该第一光致抗蚀剂层21及该第二光致抗蚀剂层31进行曝光工艺。在本发明的一实施例中，该曝光光束60在该曝光工艺中改变该第一光致抗蚀剂层21的至少一第一区域23的状态并改变该第二光致抗蚀剂层31的至少一第二区域33的状态。在本发明的一实施例中，该第二光致抗蚀剂层31的至少一第二区域33覆盖该第一光致抗蚀剂层21的至少一第一区域23。在本发明的一实施例中，该第二光致抗蚀剂层31为负光致抗蚀剂层，其在该曝光工艺之前对一预定显影液呈可溶状态。在本发明的一实施例中，该曝光光束60在该曝光工艺中将该第二光致抗蚀剂层31的第二区域33从对该预定显影液呈可溶状态转换成不可溶 状态，而该第二光致抗蚀剂层31的其它区域35则仍保持对该预定显影液呈可溶状态。特而言之，该第二光致抗蚀剂层31的其它区域35在该曝光光束60的波谷63下方，其曝露的光剂量(强度)小于该第二光致抗蚀剂层31的临限强度67，因此该第二光致抗蚀剂层31的其它区域35仍保持对该预定显影液呈可溶状态。相对地，该第二光致抗蚀剂层31的第二区域33并非在该曝光光束60的波谷63下方，其曝露的光剂量(强度)大于该第二光致抗蚀剂层31的临限强度67，因此该第二光致抗蚀剂层31的第二区域33从对该预定显影液呈可溶状态转换成不可溶状态。在本发明的一实施例中，该第一光致抗蚀剂层21为正光致抗蚀剂层，其在该曝光工艺之前对一预定显影液呈不可溶状态。在本发明的一实施例中，该曝光光束60在该曝光工艺中将该第一光致抗蚀剂层21的第一区域23从对该预定显影液呈不可溶状态转换成可溶状态，而该第一光致抗蚀剂层21的其它区域25则仍保持对该预定显影液呈不可溶状态。特而言之，该第一光致抗蚀剂层21的第一区域23在该曝光光束60的波峰61下方,其曝露的光剂量(强度)大于该第一光致抗蚀剂层21的临限强度65，因此该第一光致抗蚀剂层21的第一区域23从对该预定显影液呈不可溶状态转换成可溶状态。相对地，该第一光致抗蚀剂层21的的其它区域25并非在该曝光光束60的波峰61下方，其曝露的光剂量(强度)小于该第一光致抗蚀剂层21的临限强度65，因此该第一光致抗蚀剂层21的其它区域25仍保持对该预定显影液呈不可溶状态。图4为剖示图，其例示本发明一实施例的第二光致抗蚀剂层31的显影工艺。在本发明的一实施例中，使用该第二光致抗蚀剂层31的显影液选择性地去除该第二光致抗蚀剂层31的可溶区域35 (设置于该曝光光束60的波谷63下方)，以便在该第二光致抗蚀剂层31之中形成一开口 37。图5及图6为剖示图，其例示本发明一实施例的第一光致抗蚀剂层21的蚀刻工艺。在本发明的一实施例中，使用该第二光致抗蚀剂层31作为蚀刻掩模，进行一干蚀刻工艺以局部去除该第一光致抗蚀剂层21而在该开口 37的下方形成一开口 27，且该干蚀刻工艺也一并去除该第二光致抗蚀剂层31，如图5所示。之后，在本发明的一实施例中，使用该第一光致抗蚀剂层21的显影液选择性地去除该第一光致抗蚀剂层21的可溶区域23 (设置于该曝光光束60的波峰61下方)，以便在该第一光致抗蚀剂层21之中形成多个开口 29，如图6所示。特而言之，该开口 29形成于该第一光致抗蚀剂层21的图案化工艺，该开口 27则形成于该第二光致抗蚀剂层31的图案化工艺。此外，该多个开口 29之间的间距45显然大于该开口 29与该开口 27之间的间距43 ;换言之，仅仅使用该第一光致抗蚀剂层21的图案化程序只能形成具有较大间距45的图案(即开口 29);相对地，使用该第一光致抗蚀剂层21及该第二光致抗蚀剂层31整合的双重图案化工艺则可形成具有较小间距43的图案(即开口 29及开口 27)。图7及图8为剖示图，其例示本发明一实施例的目标层13的蚀刻工艺。在本发明的一实施例中，使用该第一光致抗蚀剂层21作为蚀刻掩模，进行一干蚀刻工艺以选择性地局部去除在该开口 27及该开口 29下方的目标层13而 形成多个孔洞15，如图5所示。之后，在本发明的一实施例中，将该第一光致抗蚀剂层21去除以完成该半导体元件100，如图
8所示。在本发明的一实施例中，该目标层13的孔洞15可为该半导体元件100的接触洞，其曝露该半导体基板11的扩散区(可为晶体管的源/漏极)。公知双重图案化技术必须进行二次曝光工艺，需要非常精密的对位技术；相对地，本发明的实施例仅需要进行一次曝光工艺，因此不需要精密的对位技术，即可实现双重图案化技术。本发明的技术内容及技术特点已揭示如上，然而本发明所属技术领域中普通技术人员应了解，在不背离所附权利要求所界定的本发明精神和范围内，本发明的启示及揭示可作种种的替换及修饰。例如，上文揭示的许多工艺可以不同的方法实施或以其它工艺予以取代，或者采用上述二种方式的组合。此外，本发明的权利范围并不局限于上文揭示的特定实施例的工艺、机台、制造、物质的成份、装置、方法或步骤。本发明所属技术领域中普通技术人员应了解，基于本发明启示及揭示工艺、机台、制造、物质的成份、装置、方法或步骤，无论现在已存在或日后开发的，其与本发明实施例揭示的以实质相同的方式执行实质相同的功能，而达到实质相同的结果，也可使用于本发明。因此，所附的权利要求用以涵盖用以此类工艺、机台、制造、物质的成份、装置、方法或步骤。
权利要求
1.ー种具有细微图案的半导体元件的制备方法，包含下列步骤 提供一半导体基板； 形成一第一光致抗蚀剂层于该半导体基板上； 形成一第二光致抗蚀剂层于该第一光致抗蚀剂层上；以及 进行ー曝光エ艺以改变该第一光致抗蚀剂层的至少ー第一区域的状态并改变该第二光致抗蚀剂层的至少ー第二区域的状态。
2.根据权利要求I所述的半导体元件的制备方法，其中该第一光致抗蚀剂层为正光致抗蚀剂层。
3.根据权利要求I所述的半导体元件的制备方法，其中该第二光致抗蚀剂层为负光致抗蚀剂层。
4.根据权利要求I所述的半导体元件的制备方法，其中该第二光致抗蚀剂层的第二区域覆盖该第一光致抗蚀剂层的至少ー第一区域。
5.根据权利要求I所述的半导体元件的制备方法，其中该曝光エ艺将该第一光致抗蚀剂层的第一区域从不可溶状态转换成可溶状态。
6.根据权利要求I所述的半导体元件的制备方法，其中该曝光エ艺将该第二光致抗蚀剂层的第二区域从可溶状态转换成不可溶状态。
7.根据权利要求I所述的半导体元件的制备方法，其中在该曝光エ艺之后，该第一光致抗蚀剂层包含至少ー第一可溶区域，该第二光致抗蚀剂层包含至少ー第二可溶区域。
8.根据权利要求7所述的半导体元件的制备方法，该第二可溶区域不是设置于该第一可溶区域的正上方。
9.根据权利要求7所述的半导体元件的制备方法，另包含进行ー显影步骤以去除该第ニ可溶区域。
10.根据权利要求7所述的半导体元件的制备方法，另包含进行ー蚀刻エ艺以局部去除在该第二可溶区域下方的第第一光致抗蚀剂层。
11.根据权利要求10所述的半导体元件的制备方法，其中该蚀刻エ艺使用该第二光致抗蚀剂层作为蚀刻掩摸。
12.根据权利要求10所述的半导体元件的制备方法，另包含进行ー显影步骤以去除该第一可溶区域。
13.根据权利要求I所述的半导体兀件的制备方法，其中该曝光エ艺施加一曝光光束于该第一光致抗蚀剂层及该第二光致抗蚀剂层，该曝光光束具有一弦波状的強度分布。
14.根据权利要求13所述的半导体元件的制备方法，其中该曝光光束包含一波峰，其強度大于该第一光致抗蚀剂层的临限強度。
15.根据权利要求13所述的半导体兀件的制备方法,其中该曝光光束包含一波谷,其強度小于该第二光致抗蚀剂层的临限強度。
16.根据权利要求I所述的半导体元件的制备方法，其中该至少一第一区域为可溶区域，该至少一第二区域为不可溶区域。
17.根据权利要求I所述的半导体元件的制备方法，其中该第一光致抗蚀剂层及该第ニ光致抗蚀剂层之间没有中间层。
全文摘要
本发明的一实施例提供一种具有细微图案的半导体元件的制备方法，其包含下列步骤提供一半导体基板；形成一第一光致抗蚀剂层于该半导体基板上；形成一第二光致抗蚀剂层于该第一光致抗蚀剂层上；以及进行一曝光工艺以改变该第一光致抗蚀剂层的至少一第一区域的状态并改变该第二光致抗蚀剂层的至少一第二区域的状态。公知双重图案化技术必须进行二次曝光工艺，需要非常精密的对位技术；相对地，本发明的实施例仅需要进行一次曝光工艺即可实现双重图案化技术，因此不需要精密的对位技术。
文档编号G03F7/00GK102646576SQ201110097429
公开日2012年8月22日 申请日期2011年4月15日 优先权日2011年2月18日
发明者危明康, 曾盈崇, 王逸铭, 黄沛霖 申请人:南亚科技股份有限公司