用于处理基板的外周部的方法及设备的制作方法

专利名称：：用于处理基板的外周部的方法及设备的制作方法
技术领域：
：本发明涉及用于去除涂覆在诸如半导体晶片、液晶显示器基板等的基板的外周部上的诸如有机膜的不需要的物质的方法。
背景技术：
：作为用于将诸如绝缘膜、有机保护层、聚酰亚胺的薄膜涂覆或沉积在诸如例如半导体晶片、液晶显示器玻璃基板等的基板上的手段，已知多种方法/处理，如旋涂处理、利用CVD和PVD的薄膜沉积的方法等。然而，在旋涂技术中，涂覆物质在基板的外周部上比在中央部分上涂覆得更厚，从而，外周部肿胀。而且，在等离子CVD例如被用作CVD的情况下，电场被集中在基板的外周(或外周)的边缘部分上。由于这会导致膜的异常增长，膜在外周部上的厚度比在中央部分上的增加得更大。在使用03、TE0S等的热CVD的情况下，由于在基板的外周部和中央部分之间反应性气体的电导不同，基板的外周部上的膜的性质变得与中央部分上的不同。这意味着膜在基板的外周上的厚度也比在中央部分上增加更多。在半导体晶片的制造过程中，在各向异性蚀刻期间沉积的碳氟化合物也从外端面环流动到晶片的背面，并沉积在那里。因此，不需要的有机物质附于晶片的背面(后表面)的外周部。在由运输输送机运输基板期间或在那种条件下运输容纳在运输盒中的基板期间，这种在基板的外周部上的薄膜容易破裂。这容易产生灰尘，从而将粒子粘附在晶片上，并降低了生产量。传统地，例如通过干灰化处理，通过将02等离子从正面环送到晶片的背面附近，各向异性蚀刻期间由环流到晶片的背面附近的碳氟化合物形成的膜被去除。然而，在低介电常数(low-k)膜的情况下，它在经受干灰化处理时会被损坏。为了避免损坏，进行了一些利用低输出功率处理膜的尝试。然而，很难完全去除沉积在晶片背面上的氟碳化合物，并且在基板运输或在其它类似的条件下会产生微粒。这成为生产量低的主要原因。作为教导用于处理半导体晶片的外周部的技术的现有技术文献，例如，以下是己知的。专利文献1:日本专利申请未审査公开No.H05-82478公开了半导体晶片的中央部分涂覆有一对上和下保持器，并且使得晶片的外周部突出，以便等离子能够喷射到晶片的突出部分。然而，由于这种技术主张将保持器的0型环物理接触晶片，存在产生微粒的可能性。专利文献2:日本专利申请未审査公开No.H08-279494公开了基板的中央部分被放置在台上，并且等离子被从上方喷射到外周部上。专利文献3:日本专利申请未审查公开No.H10-189515公开了等离子被从下方喷射到基板的外周部。专利文献4:日本专利申请未审査公开No.2003-264168公开了晶片被放置在台上，并被吸附卡持住以旋转；并且然后，通过气体供给喷嘴，由臭氧和氢氟酸组成的反应性气体(或活性气体)被垂直喷射在晶片的外周部的正面上，同时利用嵌入台的外周中的加热器从其相反侧以接触的方式加热晶片的外周。专利文献5:日本专利申请未审査公开No.2004-96086公开了晶片的外周部被插入C型部件的内部，并且氧化物基(oxideradical)从C型部件内部的顶部被喷射在晶片的外周部上，同时利用红外线灯辐照地加热晶片的外周部，并且晶片的外周部通过在C型部件内部的最内侧上形成的抽吸端口被吸引。通常，为了指示相对于台的结晶定向和定位的目的，诸如定向平面的切割部分、凹口等形成在晶片的外周部。为了去除附于切割部分的边缘的不需要的膜，需要匹配切割部分的轮廓的动作。在专利文献6:日本专利申请未审查公开No.H05-144725公开的技术中，用于定向平面的喷嘴与用于处理晶片的圆形部分的主喷嘴分离地设置，向平面部分。专利文献7:日本专利申请未审査公开No.2003-188234公开了为了执行晶片的对准，多个管脚从两个不同角度邻接晶片的外周。在专利文献8:日本专利申请未审査公开No.2003-152051和专利文献9:日本专利申请未审查公幵No.2004-47654中，使用光学传感器，以不接触的方式探测晶片的偏心率，并基于这种探测结果，由机械手进行纠正，然后，晶片被设置在处理台上。[专利文献1]日本专利申请未审査公开No.H05-82478[专利文献2]日本专利申请未审查公开No.H08-279494[专利文献3]日本专利申请未审査公开No.H10-189515[专利文献4]日本专利申请未审查公开No.2003-264168[专利文献5]日本专利申请未审査公开No.2004-96086[专利文献6]日本专利申请未审查公开No.H05-144725[专利文献7]日本专利申请未审查公开No.2003-188234[专利文献8]日本专利申请未审查公开No.2003-152051[专利文献9]日本专利申请未审查公开No.2004—47654
发明内容[本发明将解决的问题]为了有效地去除使用诸如臭氧的反应性气体(或活性气体)在常压下蚀刻期间沉积的诸如光致抗蚀剂和低介电常数(low-k)膜的有机膜，和诸如碳氟化合物的有机物质，需要进行加热。例如，如图108所示，在光致抗蚀剂作为不需要的有机膜被去除的情况下，反应很难发生，直到温度到达约100摄氏度的水平，并且蚀刻速度在约150摄氏度的水平处上升。在超过200摄氏度的水平处，蚀刻速度几乎相对于温度线性增加。然而，如果整个晶片暴露于高温大气，布线、绝缘膜等的质量会变化(例如，出现铜氧化和低介电常数的特性变化)。这会负面地影响设备特征，并趋于损坏可靠性。在上述专利文献中，加热器邻靠膜将被从其去除的外周部。然而，存在热量从基板的外周部被传导到中央部分并且中央部分也被加热到高温的担心。而且，在加热器是红外线灯等的情况下，存在红外线也被照射到基板的中央部分，从而直接将中央部分加热到高温的担心。如果诸如臭氧的反应性气体流入基板的高温中央部分，存在不期望的中央部分的膜被蚀刻的可能性。而且，存在基板的中央部分上的膜质量改变的担心。[解决问题的手段]为了解决上述问题，根据本发明，提供一种用于去除涂覆在诸如半导体晶片的基板的外周部上的不需要的物质(或多余物质，无用物质)的设备，该设备包括(a)台，所述台包括支撑表面，所述支撑表面用于接触所述基板并且将所述基板支撑在其上；(b)加热器，所述加热器用于对目标位置施加热量，所述目标位置应该存在于由所述台支撑的所述基板的外周部上；(c)反应性气体(或活性气体)供给器，所述反应性气体供给器用于将去除不需要的物质所述反应性气体供给到所述目标位置；和(d)吸热器，所述吸热器设置在所述台上并构造为从所述支撑表面吸热。(参见图1到13等)。而且，提出一种用于去除涂覆在基板的外周部上的不需要的物质的方法，该方法包括使基板与台的支撑表面接触，以便基板被支撑在支撑表面上；加热基板的外周部；将用于去除不需要的物质的反应性气体供给到被加热的外周部；以及利用设置在台上的吸热器对位于外周部内部的一部分进行吸热(参见图l到13等)。更优选地，所述方法包括使基板与台的支撑表面接触，以便基板被支撑在支撑表面上；利用热光辐射地局部加热基板的外周部；将反应性气体供给到局部区域；以及利用设置在台上的吸热器对位于外周部内部的一部分进行吸热。由于上述布置，能够有效去除涂覆在基板的外周部上的不需要的膜。另一方面，即使在热量从外周部被传导到基板外周部内部的区域(中央部分)或加热器的热量被直接施加到基板外周部内部的区域(中央部分)的情况下，热量也能够被吸热器吸收。这使得可以防止在基板内部的区域处的膜和布线的质量改变。而且，即使反应性气体从外周侧流入基板的外周部内部，也能够抑制反应。这使得可以防止基板的周边部分(或周部)内部的区域被损坏。优选地，台的支撑表面比基板略微小；并且应该存在于基板外周部上的目标位置位于从支撑表面径向向外延伸的表面上。例如，吸热器是用于冷却台的冷却器。作为其特定实例，作为吸热器的冷却介质室(或制冷剂室，冷却剂室)形成在台内，并且冷却介质室与冷却介质供给通路和冷却介质排出通路连接(参见图1，6，7和10，等)。通过将冷却介质(或制冷剂，冷却剂)送入该冷却介质室以便冷却介质在其中被填充、流动或循环，能够从基板吸热。通过增加冷却介质室的内部体积，热容量或吸热性能能够显著增加。作为冷却介质，例如使用水、空气、氦等。通过被压缩或一些其它适合的手段，冷却介质可被有力地供给入冷却介质室。这使得冷却介质可以均匀地流入冷却介质室的每个角落，从而提高吸热率。应该注意冷却介质可被缓和地供给，或者因为通过发生在冷却介质室内的自然对流能够获得吸热特性，一次供给入冷却介质室的冷却介质可保持原样，不用被另外供给/排放。连接到冷却介质室的冷却介质供给通路和冷却介质排出通路可由共用通路组成。也可以接受的是包括管等的冷却介质通路被设置在背侧(支撑表面另一侧的表面)内或背侧处作为所述吸热器，并且冷却介质经过该冷却介质通路(参见图8和9等)。冷却介质通路可以这样的方式被形成，即从台内的支撑表面侧部分延伸到支撑表面另一侧的部分(参见图6和7等)。由于这个布置，吸热率能够得到更大的提高。也可以接受的是所述室形成在台内部，所述室被分隔成在支撑表面侧的第一室部分和在第一室部分的另一侧的第二室部分，第一室部分与第二室部分彼此连通，第一室部分构成冷却介质通路的上游侧的通路部分；并且第二室部分构成冷却介质通路的下游侧的通路部分(参见图6和7等)。所述冷却介质通路可以这样的方式被形成，即从台的外周部延伸到中央部分(参见图8和9等)。由于这种布置，接近基板外周部的接近侧能够被完全冷却，从基板的外周部传导的热量能够可靠地被吸收，并且能够可靠地保护涂覆在中央部分上的膜。冷却介质通路例如是螺旋形式(参见图8等)。在可选实施例中，冷却介质通路包括多个同心环形通路和用于相互连接环形通路的连通通路(参见图9等)。所述吸热器可包括珀尔帖(peltier)元件，珀尔帖元件具有吸热侧并被设置在台内，所述吸热侧面对所述支撑表面(参见图11等)。所述珀尔帖元件优选地设置在支撑表面附近。而且，所述珀尔帖元件在背侧(热量辐射侧)可以设有风扇、散热片等，用于提高热辐射。所述吸热器可被设置在台的整个区域内(参见图1到11等)。由于这种布置，能够从大体整个支撑表面吸热。所述吸热器可至少被设置在台的外周部处并且不设置在中央部分(参见图13，21和23等)。所述吸热器可仅设置在台的外周部，且不设置在中央侧部分(参见图13，21和23等)处。由于上述布置，热量能够仅从支撑表面的外周侧被吸收，并且热量能够从位于支撑表面的外周侧的基板的外周侧部分被可靠地吸收和去除。另一方面，可以防止中央侧部分也被吸热和冷却，从而节省了吸热源。作为固定基板的装置，所述台优选地装有用于吸附基板的静电或真空卡持(或卡盘，吸盘)机构(参见图18到23等)。由于这种布置，基板能够紧固地与支撑表面接触，并能够可靠地获得吸附性能。还可以接受使用落入(dr叩-in)方法的机械卡盘(或卡持)机构。然而，在使用机械卡盘(或卡持)机构的情况下，涂覆在基板的外周部的一部分上的膜与机械卡盘物理接触。因此，优选地，尽可能地使用静电卡盘(或卡持)机构或真空卡盘(或卡持)机构。真空卡持机构的吸附孔或吸附槽优选地被制成为尽可能地小。由于这种布置，基板和台的接触面积能够增加并且能够提高吸热效率。所述卡持机构优选地仅设置在台的外周部，且不设置在中央侧部分(参见图22和23等)。更优选地，在中央侧支撑部分处，台设有相对于外周侧部分下陷的凹部(参见图22和23等)。由于上述布置，基板和台的接触面积能够被减小，并且还能够减小由于吸附产生的粒子(或微粒)。在吸热器仅被设置在台的外周侧部分处的情况下，趋于从外周部传导到晶片的内侧部分的热量能够被可靠地吸收，并且因为台的外周部与晶片接触，能够可靠地防止晶片的中央部分加热。所述卡持机构可设置在台的支撑表面的大体整个区域上(参见图18至U21等)。气体成份根据将被去除的不需要的物质选择。在将被去除的不需要的物质是诸如碳氟化合物的有机膜的情况下，优选地使用包括氧的气体，更优选地使用包括诸如臭氧和02等离子的高反应性气体的气体。按它们的原来状态使用纯气体和包括未被臭氧化和基化(radicalized)的正常氧的空气也可以接受。臭氧(0。被分解成氧粒子和氧原子(02+0)，并产生(03)和(02+0)的热平衡状态。臭氧的寿命取决于温度。在25摄氏度的范围内，臭氧具有很长的寿命，但在50摄氏度的附近，臭氧的寿命被减小一半。在将被去除的不需要的物质是无机膜的情况下，0:i可添加parfluorocarbon(PFC)，以被等离子化。而且，反应性气体可以是含诸如氢氟酸蒸汽的酸的气体。作为反应性气体供给器的反应性气体供给源(反应性气体发生反应器)，例如可以使用常压等离子处理装置(参见图1和24到27等)。在反应性气体是臭氧的情况下，可以使用臭氧发生器(参见图29到31，图34到37，图41和47到52等)。在反应性气体是氢氟酸蒸汽的情况下，可以使用氢氟酸汽化器或氢氟酸喷射器。所述常压等离子处理装置用于在通常常压(大气压附近的压力)下在电极间形成辉光放电，并将处理气体等离子化(包括基化和离子化)以获得反应性气体。本发明使用的〃通常常压〃指从1.013X104到50.633X104Pa的压力范围。当考虑装置的压力调节的便利性和结构的简化时，压力范围优选地从1.333X104到10.664X104Pa，并且更优选地从9.331Xl(^到10.397X104Pa。所述反应性气体供给器优选地包括用于形成喷射通路的喷射通路形成部件，用于将来自反应性气体供给源的反应性气体导引到目标位置(参见图29等)。所述反应性气体供给源可设置在目标位置附近。同样是有益的选择，反应性气体供给源远离目标位置设置，并且反应性气体通过喷射通路形成部件被导引到目标位置附近。利用喷射通路温度调节装置，所述喷射通路形成部件的温度可被调节(参见图34，25和37等)。由于这种布置，经过喷射通路的反应性气体的温度能够被调节，并且温度可保持在合适的水平。因此，能够保持反应性气体的活性程度。在臭氧被用作反应性气体的情况下，例如，气体被冷却到并保持在约25摄氏度的水平。通过如此做，能够延长氧基的寿命。因此，反应性气体能够可靠地与不需要的物质反应，并因此能够提高去除效率。例如，用于调节喷射通路的温度的装置可由用于使温度调节介质穿过其中的温度调节通路或风扇构成。也可以接受的是例如，喷射通路形成部件是双管状结构，其中反应性气体流经作为喷射通路的其内部通路；并且温度调节介质流经作为温度调节通路的其外部环形通路。作为温度调节介质，可以使用水、空气、氦、含氯氟烃等。也可以接受的是所述喷射通路形成部件由沿台的吸热器冷却(参见图36等)。由于这种布置，能够消除使用专用于喷射通路的冷却装置的需要，能够简化结构，并能够实现成本的下降。这种布置在例如反应性气体需要得到冷却或臭氧用作反应性气体的情况下特别地有益。所述反应性气体供给器优选地包括喷射端口形成部件(喷射喷嘴)，用于形成喷射出反应性气体的喷射端口(参见图29到45，和47到52等)。所述喷射端口优选地朝向并接近目标位置设置(参见图1，24到29和17到50等)。也可以接受的是多个喷射通路从单个反应性气体供给源分支并被连接到多个喷射端口。所述喷射端口可具有点状(斑点状)结构(参见图47到50等)；沿台的周向延伸的线状结构；或在台的周向上沿整个周边延伸的环形结构(参见图30和31等)。也可以接受的是相对于点状光源，设置点状喷射端口；相对于线状，设置线状喷射端口；并相对于环形光源，设置环形喷射端口。多个点状喷射端口和多个线状喷射端口可沿台的周向布置。所述喷射端口形成部件可设置有转动流形成部件，用于沿喷射端口的周向旋转反应性气体(参见图10等)。由于这种布置，反应性气体能够被均匀地喷到基板的目标位置。所述转动流形成部件包括多个旋转导引孔，所述旋转导引孔通常沿喷射端口的切线方向延伸，并被连接到喷射端口的内周表面，并沿喷射端口的周向彼此间隔地布置。所述旋转孔优选地组成喷射端口的上游侧的通路部分(参见图10等)。作为不需要的物质，有机膜和无机膜有时被层叠在基板的外周部上(参见图78)。总之，与有机膜反应的气体的种类不同于与无机膜反应的气体的种类，并且它们的反应方式也不同，包括需要/无需加热。例如，诸如光致抗蚀剂的有机膜需要加热以导致氧化反应和如前提及的灰化。相反，诸如Si0:,的无机膜可以在常温下通过化学反应被蚀刻。因此，优选地，与有机膜反应的诸如氧基反应性气体的第一反应性气体被用作反应性气体，并且反应性气体供给器(第一反应性气体供给器)被用于去除有机膜。优选地，所述设备还包括第二反应性气体供给器，用于将与无机膜反应的第二反应性气体(例如，氟基反应性气体)供给到放置在台上的基板的外周部(参见图79和80等)。由于这种布置，不再需要专用于去除无机膜的室和台；所述设备的结构能够得以简化；不再需要从有机膜处理位置到无机膜处理位置或从无机膜处理位置到有机膜处理位置的输送；并且因此能够更有效地防止由输送导致的粒子(或微粒)，并且能够提高产量。而且，通过根据气体的类型使用不同的头，能够避免交叉污染的问题。例如，所述膜由诸如光致抗蚀剂和聚合物的(其中m，n和1是整数)表示的有机物质组成。具有与有机膜反应的反应性(或活性)的第一反应性气体优选是包括氧的气体，并且更优选地，是诸如氧基(或氧自由基)和臭氧的具有高反应性的含氧气体。包含常态气体的纯气体和空气可以照实际的样子使用。使用等离子放电装置或臭氧发生器并将氧气(02)作为源气体，能够生产所述含氧反应性气体。通过施加热量，所述有机膜与第一有机气体的反应性得到增加。应该注意含氧反应性气体不适合用于去除无机膜。所述无机膜例如包括Si02，SiN，p-Si，低介电常数膜等。与无机膜反应的第二反应性气体优选是诸如氟基(F"的含氟反应性气体。使用等离子放电装置并将诸如PFC(例如，CF4和C2FB)和HFC(例如，CHF3)的含氟气体用作源气体，能够产生含氟反应性气体。所述含氟的反应性气体几乎不与有机膜反应。通常，如上提及，无机膜能够在常温下被蚀刻。然而，存在一些需要加热的无机物质。一种实例是SiC。当将去除需要加热的作为不需要的物质的无机膜时，用于处理基板的外周的设备能够类似地应用。对应于SiC的反应性气体例如是CF4。具有上述结构(a)到(d)的用于处理基板的外周部的设备在如下情况下也有效在高温下能够被蚀刻的第一无机膜(例如SiC)和在高温下其蚀刻速度比第一无机膜低的第二无机膜(例如Si02)被层叠在基板上，并且第一和第二无机膜中仅第一无机膜将被蚀刻。所述加热器优选地是辐射加热器，包括热光的光源；和照射器，所述照射器用于以汇聚方式将来自光源的热光照射到目标位置(参见图1等)。由于这个布置，基板能够以非接触方式加热。所述加热器并不局限于辐射加热器，还可以是电加热器等。在辐射加热器用作加热器的情况下，激光、灯等可用作光源。所述光源可以是点状光源、沿台的周向延伸的线状光源、或在台的周向上沿整个表面延伸的环形光源。在点状光源的情况下，基板的外周部上的一个位置能够以点状方式被局部加热。通常，激光源是点状光源，并且光收集性能很好。它适合于汇聚照射，并且能够以高密度将能量施加到目标位置中的不需要的物质。因此，目标位置中的不需要的物质能够瞬时被加热到高温。处理宽度还能够容易地受控。激光的类型可以是LD(半导体)激光、YAG激光、(受激)准分子激光或任何其它类型的激光。LD激光的波长是808nm到940nm;YAG激光的波长是1064nm;并且(受激)准分子激光的波长是157mn到351nm。输出密度优选地约10W/mn^或更多。振荡形式可以是CW(连续波)或脉冲波。优选地，振荡形式是能够通过切换高频连续处理的类型。也可以接受的是根据不需要的物质的吸收波长形成光源的输出波长。通过如此做，能量能够被有效地施加到不需要的物质，并能够提高加热效率。所述光源的光发射波长可以与不需要的物质的吸收波长对应，或由诸如带通滤波器等的波长提取装置仅提取吸收波长。顺便提及，光致抗蚀剂的吸收波长是1500nm到2000腦。也可以接受的是利用凸透镜、柱面透镜等，将来自点状光源的点状光转换成沿基板的外周部传输的线状光，并且然后被照射。在光源是线状光的情况下，基板的外周部的周边延伸范围能够被局部和线性加热。在光源是环形光的情况下，基板的整个外周部能够被局部和环形加热。多个点状光源和多个线状光源可沿台的周向布置。作为灯光源，例如可以列举诸如卤素灯的近红外线灯，和远红外线灯。灯光源的光发射形式是连续光发射。例如，红外线灯的光发射波长是760nm到10000nm;并且760nm到2000nm的波长属于近红外线波段。利用诸如带通滤波器的波长提取装置，与不需要的物质的吸收波长匹配的波长优选地从前述波长区域提取，并且然后被照射。优选地，通过诸如冷却器和风扇的辐射加热器/冷却装置冷却辐射加热器(尤其是灯光源类型的)(参见图30等)。所述辐射加热器可包括诸如从光源延伸到目标位置的诸如波导的光传输系统(参见图1等)。由于这种布置，来自光源的热光能够被可靠地发送到基板的外周部的附近。作为波导，优选地使用光纤。通过使用光纤，能够容易地分配。优选地多条光纤被捆扎。也可以接受的是所述波导包括多条光纤；并且那些光纤被分支并从光源延伸，以便尖部沿台的周向间隔地布置(参见图39等)。由于这种布置，热光能够沿基板的外周部的周向同时照射到多个地方。优选地，诸如光纤的波导的尖部与包括汇聚光学部件的照射器光学连接(参见图l等)。优选地，辐射加热器的照射器包括汇聚光学系统(凝聚部件)，所述汇聚光学系统包括抛物面反射器；凸透镜；柱面透镜等，并适于将来自光源的热光汇聚向目标位置。所述汇聚光学系统可以是抛物面反射器、凸透镜、柱面透镜等中的任意一个，或它们的组合。所述照射器优选地装有焦点调节机构。所述焦点可以与目标位置确切地一致，或轻微偏离目标位置。由于这种布置，将被施加到基板的外周部的照射能量的密度和照射区域(凝聚直径，斑点直径)的尺寸能够被合适地调节。所述焦点调节机构能够以如下方式使用。例如，当在基板的外周中形成的诸如凹口或定向平面的切割部分将被处理时，与仅不包括除切割部分的基板的所有外周将被处理时相比，辐射加热器的焦点偏向光轴的方向。由于这种布置，与仅不包括凹口或定向平面的所有外周将被处理时相比，能够增加基板上的照射宽度(光学直径)；热光也能够击中凹口或定向平面的边缘；并且因此，能够去除涂覆在凹口或定向平面的边缘上的膜(参见图14等)。利用焦点调节机构，通过朝向光轴的方向调节辐射加热器的焦点，基板的外周上的照射宽度能够被调节，并且从而也能够去除处理宽度(将被去除的不需要的膜的宽度)(参见图16等)。通过沿基板的照射方向精细地调节辐射加热器，也能够调节处理宽度(参见图17等)。在那种情况下，优选地，不管基板何时进行一个旋转，辐射加热器沿基板的径向方向精细地滑动通常等于辐射加热器在基板上的照射宽度的一个部分。优选地，照射在基板的外周的、将被处理的范围的内周侧处首先进行，并且然后，逐渐地沿径向向外精细地滑动。也可以接受的是用于将来自光源的热光全反射到目标位置的反射部件被设置在目标位置的后侧和附近(参见图28等)。由于这种布置，光源能够被布置在支撑表面的延伸表面的附近，或设置在从那里向前移的位置。用于处理基板的外周部的设备可包括(a)台，所述台包括支撑表面，所述支撑表面支撑基板，以便基板的外周部向外突出，(b)辐射加热器，所述辐射加热器包括光源，所述光源远离目标位置设置，所述目标位置应该存在于被支撑在台上的基板的背面的外周部上；和光学系统，所述光学系统用于以热光不被分散的方式将来自光源的热光照射到目标位置；和(c)包括喷射端口的反应性气体供给器，所述喷射端口被连接到用于供给反应性气体并用于喷射出用于去除不需要的物质的反应性气体的反应性气体供给源，所述喷射端口被设置在支撑表面或其延伸表面的背侧，或设置为接近通常在延伸表面上的目标位置(参见图1，24到30、34至U39禾卩41至lj44等)。也可以接受的是基板被支撑在台上，从而基板的外周部向外突出，来自辐射加热器的热光被照射，以便聚焦在基板的背面的外周部上，或外周部的附近，以便基板被局部加热，反应性气体供给器的喷射端口被放置在被局部加热部分的附近，以便喷射端口指向该部分，并且通过经喷射端口喷射出用于去除不需要的物质的反应性气体，涂覆在基板的背面的外周部上的不需要的物质能够被去除。由于上述布置，通过将热光局部地施加到基板背面的外周部，基板能够被局部加热，并且反应性气体能够从其附近被喷到被局部加热的部分。这使得可以有效地去除涂覆在特定部分上的不需要的物质。优选地，台的支撑表面比基板稍微小，并且应该存在于基板的外周部上的目标位置位于从支撑表面径向向外延伸的延伸表面上。也可以接受的是照射器被设置在延伸表面的背侧(或背面)处，并且喷射端口被设置在延伸表面的背侧，或者通常设置在延伸表面上(参见图l等)。由于上述布置，通过将热光局部地施加到基板背面的外周部，基板能够被局部加热，并且反应性气体能够从其附近被喷到这个被局部加热的部分。通过如此做，能够有效地去除涂覆在这个特定部分上的不需要的膜。所述喷射端口优选地被设置为与距照射器相比更接近目标位置。由于这种布置，反应性气体能够在非分散、高密度和高活性的条件下可靠地供给到目标位置；并且能够有效地可靠地提高不需要的物质的去除率。优选地，照射器被布置为比喷射端口更远离目标位置。这使得可以容易地布置照射器和喷射端口形成部件。优选地，相对于目标位置，辐射加热器的照射器和喷射端口沿彼此不同的方向被布置(参见图1等)。这使得可以更容易地布置辐射加热器和喷射端口形成部件。优选地，辐射加热器的照射器和喷射端口中的一个通常被布置在经过目标位置并垂直于延伸表面的直线上(参见图1等)。通过将辐射加热器的照射器通常布置在垂线上，加热效率能够得以提高；并且通过将喷射端口通常布置在垂线上，反应效率能够得以提高。优选地，形成反应性气体供给器的喷射端口的喷射端口形成部件(喷射喷嘴)由透光材料组成。由于这种布置，即使辐射加热器的光路与喷射端口形成部件干扰，在传送经过喷射端口形成部件后，光能够可靠地被照射到基板的目标位置，并且这个特定部分能够得到可靠地加热。因此，喷射端口形成部件能够被可靠地布置在非常接近目标部分的位置，且不会受到辐射加热器的光路限制，并且反应性气体能够从所述非常接近的位置被可靠地喷到特定部分上。作为透光材料，例如优选地使用诸如石英、丙烯醛基、透明特氟隆(注册商标)和透明氯乙烯的透明树脂。倘若，具有低热阻的透明树脂被用作透光材料，优选地调节辐射热等的输出，以便透明树脂将不会变形或熔解。也可以接受的是使用用于封闭(或包围)目标位置的外壳部，并且用于反应性气体的喷射端口被布置在外壳部内部。而且，也可以接受的是辐射加热器的照射器被布置在外壳部外部，并且面对照射器侧的至少一部分外壳部由透光材料组成(参见图38和61到77等)。由于这种布置，能够可靠地防止处理过的反应性气体泄漏到外部，并且来自辐射加热器的热光能够经外壳部传送，从而实现可靠地辐射加热基板的目标部分。照射器和喷射端口优选地被相对移动。优选地，台是圆形台，并且这个圆形台相对于光源和喷射端口绕中心轴相对地旋转。由于这种布置，即使在光点是点状光源的情况下，也能够沿基板背面的外周部的周向执行不需要的物质的去除处理。即使在光源是环状光源的情况下，通过执行上述相对旋转，能够提高处理的均匀性。根据基板背面的外周部被加热处的温度，相对旋转数目(相对移动速度)被合适地设置。期望地使用框架，用于沿周向包围台，从而包围目标位置，并在台和框架之间形成环形空间(参见图1和2等)。由于这种布置，处理过的反应性气体能够被暂时保留在目标位置附近，从而气体不会扩散到外部，并能够获得充分的反应时间。优选地，光源和喷射端口被容纳在环形空间中或面对该环形空间，并且位置固定到框架。所述设备优选地还包括旋转驱动机构，用于相对于框架绕中心轴相对地旋转台。可以接受的是所述框架是固定的，同时台被旋转，或台被固定，同时框架被旋转。优选地，所述设备还包括迷宫密封件，用于密封台的支撑表面侧(前侧)的相反侧上的背面部分之间，同时实现台的相对旋转(参见图1等)。由于这种布置，台或框架能够无任何干扰地旋转，并且处理过的气体能够被防止从台的后侧和框架之间泄漏到外部。优选地，所述框架在其前侧上的部分设置有盖部件，所述盖部件朝向台延伸，并重叠目标位置的前侧，从而盖部件单独或与放置在台上的基板的外周部协作覆盖环形空间(参见图24到30等)。由于这种布置，处理过的气体能够被防止从环形空间泄漏到前侧。所述盖部件优选地从它涂覆环形空间的位置可撤回(参见图29等)。由于这种布置，当基板将被放置在台上和从台上移去时，通过撤回盖部件，盖部件将不会干扰将基板放置在台上和将基板从台上移去的操作。所述环形空间优选地与用于抽吸环形空间的环形空间抽吸装置连接(参见图1和24到27等)。由于这种布置，处理过的反应性气体能够被从环形空间抽吸并排出。所述设备还优选地包括用于抽吸喷射端口附近的抽吸装置(参见图3)。由于这种布置，处理过的气体能够被从目标部分的周围抽吸并排出。优选地，所述台在其支撑表面的外周部处设置有与基板的外周部协作并形成气体存储器的台阶部(参见图37等)。由于这种布置，从喷射端口喷射出的反应性气体能够被暂时保存在气体存储器中，以便能够增加反应性气体接触基板的外周部的时间。因此，能够获得足够的反应时间并能够提高反应效率。优选地，用于喷射出惰性气体的惰性气体喷射部件被设置在支撑表面的中央部分的正前方(参见图34到37等)。由于这种布置，能够防止反应性气体不流动到基板的正面，并且能够可靠地防止前侧上的膜受损。所述惰性气体喷射部件可以是喷嘴或风扇过滤器单元。当然，这种惰性气体喷射部件被设置为从支撑表面向上离开至少等于或大于基板厚度的部分。在执行用于放置/移去基板的操作时，惰性气体喷射部件被撤回，以便不会干扰操作。作为惰性气体，可以使用纯氮气、清洁干性空气(CDA)等。如前提及，在诸如碳氟化合物的有机膜被诸如臭氧的氧基反应性气体蚀刻的情况下，随着执行蚀刻的温度变高，蚀刻速度能够被增加。作为加热装置，因为能够更有效地防止出现粒子，由激光导致的辐射热比伴以物理接触的加热器等更优选。另一方面，在诸如激光的辐射光从正上方或正下方照射到晶片的外周部上的情况下，使光以倾斜或平行方式入射到晶片的端部边缘处的倾斜表面部分或垂直部分。因此，很难获得充分的加热率，并且蚀刻速度趋于被减小。也可以接受的是基板被支撑在台上，并且在从基板径向向外下倾的方向朝着基板的外周部照射热光的同时，通过使外周部与反应性气体接触，涂覆在基板的外周部上的不需要的物质被去除(参见图30，53，56和57等)。由于上述布置，相对于基板的外周部的倾斜表面和垂直外端面，能够使热光的照射方向接近垂直，通过充分增加辐射能量的密度能够充分地增加加热效率，并且因此，能够增加用于去除形成在基板的外周上的膜的蚀刻速度。所述下倾方向不仅包括相对于基板的倾斜方向(参见图30，53和57等)，而且包括正侧向方向(与基板平行)(参见图56等)。也可以接受的是基板由台支撑；反应性气体向基板的外周部供给，同时照射热光；并通过绕基板的外周部在垂直于基板(其主表面)的平面中移动热光的照射方向，涂覆在基板的外周部上的不需要的物质与反应性气体接触并被去除(参见图59和60等)。由于上述布置，热光能够被通常垂直地照射到诸如基板的前侧、外端面和后侧的各个部分，并且从而每个部分能够被有效地处理。优选地，热光移动通过的平面是穿过基板的单个半径的平面。用于处理基板的外周部的设备进一步包括(a)用于支撑基板的台，(b)反应性气体供给器，所述反应性气体供给器适于将反应性气体供给到目标位置，所述目标位置应该存在于放置在台上的基板的外周部上；禾口(c)照射器，所述照射器用于将热光从支撑表面的径向向外下倾的方向照射向目标位置(参见图30，53，56和57等)。由于上述布置，相对于基板的外周部的倾斜表面和外端面，通过使热光的辐射角度接近垂直，能够使入射角接近零度；通过充分增加辐射能量的密度，能够充分地增加加热效率；并且因此，能够增加用于去除涂覆在基板的外周上的膜的蚀刻速度。用于处理基板的外周部的设备可包括(a)台，所述台包括用于支撑基板的支撑表面；(b)反应性气体供给器，所述反应性气体供给器适于将反应性气体供给到目标位置，所述目标位置应该存在于放置在台上的基板的外周部上；(c)照射器，用于将热光照向目标位置，和(d)移动机构，用于在垂直于支撑表面(由此垂直于支撑表面上的基板)的平面中移动照射器，同时将照射器指向目标位置(参见图59和60等)。由于上述布置，热光能够被通常垂直地照射到诸如基板的外周部的前侧、外端面和后侧的各个部分，并且从而每个部分能够被有效地处理。垂直于支撑表面的平面优选地是穿过支撑表面中心的平面。可以接受的是反应性气体供给器的供给喷嘴和排出喷嘴是可移动的，或与照射器一起可进行角度调节。也可以接受的是不管照射器的移动如何，供给喷嘴和排出喷嘴的位置固定。优选地，照射方向通常沿在基板外周部的将照射的点(将照射的部分的中心)处的法线(参见图54等)。由于上述布置，入射角能够在上述点处通常为零，能够可靠地增加照射能量的密度，并能够可靠地提高加热效率。在用于处理基板的外周部的设备的反应性气体供给器的喷射喷嘴为从其基端到其远端具有统一直径的细长麦杆状结构的情况下，可以预期反应性气体容易击中基板并被分散。然后，活性种的反应时间减小，活性种的使用率和反应效率减小，并且所需的反应性气体量增加。考虑到上述情况，也可以接受的是用于处理基板的外周部的设备的反应性气体供给器包括导引部，用于将去除不需要的物质的反应性气体导引到目标位置附近；禾口连接到导引部并覆盖在目标位置上的筒部，筒部的内部比导引部更宽地扩展，并限定用于暂时在其中保存反应性气体的暂时(或临时)存储空间(参见图60到66和70到77等)。由于上述布置，能够提高反应性气体的使用效率和反应效率，并能够减小所需的气量。优选地，被连接到暂时存储空间的释放端口形成在筒部本身中，或形成在筒部与目标位置上的基板的外边缘之间；并且反应性气体被鼓励通过释放端口流出暂时存储空间。由于上述布置，反应性减小的处理过的气体和反应副产品能够停留在暂时存储空间较长，新的反应性气体能够不时地供给到暂时存储空间，并且反应效率能够得到可靠地提高。例如，筒部的尖部面对目标位置开口(参见图66和71等)。在那种情况下，用作释放端口的切割部分优选地形成在在筒部的远端边缘中径向地定位在基板外部的对应位置(参见图70和71等)。由于上述布置，处理过的气体和反应副产品能够经切割部分快速流出暂时存储空间，新的反应性气体能够不时地供给到暂时存储空间，并且反应效率能够得到可靠地提高。也可以接受的是筒部被设置为穿过目标位置；用于使基板的周边部分插入其中的切割部分形成在对应于基板的目标位置的周边部分中；并且导引部被连接到位于切割部分的基端侧的筒部(参见图74到77等)。在上述布置中，切割部分的基端侧的筒部的内部构成暂时存储空间，通过与目标位置中的晶片的外边缘协作，对应于筒部的目标位置的、未切割留下的部分的内周表面构成释放端口。切割部分的远端侧的筒部优选地与排出通路直接连接(参见图74和75等)。由于上述布置，处理过的气体和反应副产品能够被可靠地导引到排出通路；如果有的话，粒子能够被可靠地强制排出；并且能够容易地控制反应。优选地，筒部的基端部设有用于封闭基端部的透光封闭部；并且热光照射器被设置在外壳部的外部，以便指向目标位置(参见图70和77等)。由于上述布置，在不需要的膜和反应性气体执行吸热反应的情况下，能够可靠地增强反应。如上所述，由于吸热器刚好位于诸如晶片的基板的外周部内是有效的，台的直径制造得比诸如基板的直径稍微小，以便仅基板的外周部径向突出到台外部。另一方面，在将基板放置在台上和使从台移去基板时，基板的正面优选地不被接触。为此目的，优选地使用叉状臂，并且使所述臂紧靠基板的下表面(背面)并被升起。然而，在仅基板的外周部的小部分从台突出的情况下，几乎不会有叉紧靠着基板的下表面的空间。因此，台在其中央部优选地设有直径减小的中央垫，从而中央垫可上下移动(参见图86到87等)。利用从台突起的中央垫，基板由叉状的机器人臂(机械手)放置在中央垫上，并且叉状的机器人臂撤回。当在那种情况下，中央垫与其平齐或从其降低，基板能够被放置在台上。在处理结束后，中央垫被上升，并且叉状的机器人臂被插入基板和台之间。然后，晶片由叉状的机器人臂上升，并运送出来。在具有中央垫的台中，用于中央垫的上下移动机构被布置在中心轴线上。中央垫优选地设有用于吸附基板的功能。在那种情况下，从中央垫引出的抽吸流动通路被布置在中心轴线上。在处理中不需要冷却的情况下，存在方便地将中央垫直接用作台的例子。在那种例子中，中央垫的旋转机构也可被连接到中心轴线。在使用上述布置的情况下，使台吸附基板的抽吸流动通路和引向冷却室的冷却流动通路很难被设置在中心轴线上，并且它们被迫以从中心轴偏心的方式设置。另一方面，由于台绕中心轴旋转，如何使台与偏心流动通路相互连接成为问题。因此，可以接受的是所述设备包括台，所述台包括用于在诸如晶片的基板上实现所需的操作(温度调节(包括冷却)，吸附等)并可绕中心轴台旋转的流动通路，所述台包括台主体，所述台主体上设有基板被放置在其上的安装表面；和流动通路的终端(用于执行诸如温度调节和吸收的所需动作的部分)；设有用于流动通路的端口的固定筒；可旋转地穿过固定筒并同轴地连接到台主体的旋转筒；和适于旋转旋转筒的旋转驱动器，连接到端口的环形通路形成在固定筒的内周表面或旋转筒的外周围表面中；沿轴向方向延伸的轴向通路形成在旋转筒中；和所述轴向通路的一个端部被连接到环形通路；并且另一端部被连接到所述终端(参见图87等)。由于上述布置，台能够被旋转，同时使流体流动，用于在偏离台中心的位置对诸如晶片的基板执行诸如温度调节和吸附的所需操作；并且用于布置诸如中央垫的前进/撤回机构的其它组成部件的空间能够在中心轴线上获得。例如，所述终端是用于冷却基板的室或通路。作为终端的室或通路形成在台主体内部。用于冷却基板的冷却流体穿过流动通路。由于上述布置，基板能够得到冷却作为所需动作。在那种情况下，台包括台主体，所述台主体具有形成在其中作为吸热器的冷却介质室或冷却介质通路，设有用于冷却介质的端口的固定筒；可旋转地穿过固定筒并同轴地连接到台主体的旋转筒；和适于旋转旋转筒的旋转驱动器，环形通路，所述环形通路被连接到形成在固定筒的内周表面或旋转筒的外周围表面中的端口；沿轴向方向延伸且形成在旋转筒中的轴向通路，所述轴向通路的一端部被连接到环形通路，另一端部被连接到冷却介质室或冷却介质通路(参见图87等)。在冷却流动通路结构中，优选地，两个环形密封槽形成在固定筒的内周表面中或旋转筒的外周围表面中，以便密封槽位于环形通路的两侧；禾口每个密封槽在其中容纳朝向环形通路开口并且截面具有n形结构的垫圈(参见图88等)。在冷却流体通过固定筒的内周表面和旋转筒的外周围表面之间的间隙进入环形密封槽的情况下，沿垫圈的开口的扩散方向，流体压力(正压力)作用于具有n形截面的垫圈，并且垫圈能够被推靠在环形密封槽的内周表面上。因此，能够可靠地获得密封压力，并且能够可靠地防止冷却流体泄露。可以接受的是所述终端是形成在安装表面中的吸附槽，并且所述端口被真空吸附(参见图87等)。由于这种布置，基板的吸附能够得到执行作为所需动作。在上述吸附流动通路结构中，优选地，两个环形密封槽形成在固定筒的内周表面中或旋转筒的外周围表面中，以便密封槽位于环形通路的两侦lj;禾口每个密封槽在其中容纳相对于环形通路朝向相对侧开口并且截面具有n形结构的垫圈(参见图88等)。由于上述布置，在通过固定筒的内周表面和旋转筒的外周围表面之间的间隙，在环形密封槽上实现吸附流动通路的负压力的情况下，这种负压力作用于截面为n形的垫圈的后部并试图扩展垫圈，并且因此，垫圈被推靠在环形密封槽的内周表面上，以便能够可靠地防止出现泄漏。优选地，被连接到中央垫的垫轴被容纳在旋转筒内。所述中央垫优选地通过垫轴沿轴向方向前进/后退。也可以接受的是中央垫通过垫轴旋转。优选地，垫轴与前进/后退中央垫的垫往复移动机构和用于旋转中央垫的垫旋转机构的一部分或整体成一体。用于吸附基板的吸附槽也形成在中央垫中，并且垫轴设有连接到中央垫的吸附槽的抽吸通路。也可以接受的是从用于去除不需要的物质的反应性气体的喷射喷嘴到诸如晶片的基板的外周部的喷射方向通常沿基板的周向(在目标位置处的切线方向)定向(参见图41到45等)。也可以接受的是在基板的外周部将被定位的环形表面附近，用于处理晶片的外周部的设备的反应性气体供给器的喷射喷嘴的喷射方向通常沿环形表面的周向(目标位置处的切线方向)定向(参见图41等)。由于上述布置，反应性气体能够沿基板的外周流动，反应性气体接触基板的外周的时间能够得到增加，并且能够提高反应效率。在涂覆在晶片的背面上的不需要的物质被主要去除的情况下，喷射喷嘴优选地被布置在环形表面的后侧(因此，被布置在晶片的后侧)(参见图42等)。还优选地，喷射喷嘴的远端部(喷射轴)向环形表面内径向倾斜(参见图45(b)等)。由于这种布置，能够防止反应性气体转到基板的正面，并且能够防止前侧受损。优选地，喷射喷嘴的远端部(喷射轴)从环形表面的前侧或后侧向环形表面倾斜(参见图42和44等)。由于这种布置，反应性气体能够可靠地击中基板。当然，也可以接受的是喷射喷嘴的远端部件(喷射轴)刚好沿基板的周向(切线方向)定向。优选地，除了喷射喷嘴，所述设备包括用于抽吸处理过的气体的抽吸喷嘴(排出喷嘴)(参见图41等)。所述抽吸喷嘴与诸如真空泵的抽吸排放装置连接。所述抽吸喷嘴优选地布置为与喷射喷嘴相对，且目标位置被夹在它们之间(参见图41等)。所述抽吸喷嘴优选地通常沿环形表面的周向被布置为与喷射喷嘴相对(参见图41等)。由于上述布置，反应性气体的流动方向能够可靠地被控制以沿基板的周向，并且无需处理的部分能够可靠地被防止受到反应性气体的负面影响。然后，反应性气体从喷射喷嘴通常沿切线方向喷射出并反应。反应后，直接使处理过的气体(包含诸如粒子的反应副产品)沿基板的切线方向通常直线地流动。然后，所述处理过的气体能够被抽吸喷嘴抽吸以便被排出。因此，能够防止粒子堆在基板上。在喷射喷嘴被设置在环形表面的后侧的情况下，抽吸喷嘴也被布置在后侧。在那种情况下，抽吸喷嘴的远端部(抽吸轴)优选地向环形表面倾斜(参见图42等)。由于这种布置，能够可靠地抽吸沿基板流动的反应性气体。也可以接受的是抽吸喷嘴的远端部件(抽吸轴)沿周向(切线方向)直线定向，以便它与喷射喷嘴的远端部(喷射轴)对准。也可以接受的是抽吸喷嘴的远端部的抽吸轴通常从基板的外周将被布置在其上的环形表面的外部径向向内定向，以便抽吸轴通常与喷射喷嘴的远端部的喷射轴垂直(参见图49等)。由于上述布置，反应性气体通过喷射喷嘴喷出并反应。反应后，能够使处理过的气体(包含诸如粒子的反应副产品)快速径向向外，以被抽吸/排放。因此，能够防止粒子堆在基板上。也可以接受的是抽吸喷嘴的远端部的抽吸轴被布置为指向基板的外周将被布置在其上的环形表面，并且抽吸轴被布置在位于布置喷射喷嘴的远端部的一侧的相反侧，并且环形表面被夹在抽吸轴和喷射喷嘴的远端部之间(参见图50等)。由于上述布置，通过喷射喷嘴喷射出的气体能够经外端面，从布置喷射喷嘴的一侧的基板的外周的表面流动到位于布置抽吸喷嘴的一侧的表面。因此，能够可靠地去除涂覆在基板的外端面上的不需要的膜(参见图51等)。然后，所述处理气体(包含诸如粒子的反应副产品)能够被吸入下部抽吸喷嘴以被排出。因此，能够防止粒子堆在基板上。所述抽吸喷嘴的孔直径优选地比喷射喷嘴的孔直径更大。所述抽吸喷嘴的孔直径优选地是喷射喷嘴的孔直径的2—5倍。例如，喷射喷嘴的孔直径优选地约l一3mm。另一方面，抽吸喷嘴的孔直径优选地约2—15ram。由于上述布置，能够防止处理过的气体和反应副产品扩散，并且然后处理过的气体和反应副产品能够被可靠地吸入抽吸端口以被排出。优选地使用用于相对于喷射喷嘴沿周向相对地旋转基板的旋转装置。优选地，喷射端口沿基板的旋转方向的法线方向布置在上游侧，并且抽吸端口被布置在下游侧(参见图41等)。优选地，辐射加热器将辐射热局部地照射到环形表面中的喷射喷嘴和抽吸喷嘴之间。由于上述布置，当局部加热位于喷射喷嘴和抽吸喷嘴之间的基板的外周部时，反应性气体能够与其接触。在将去除其蚀刻速度随着温度的增加而增加的膜(诸如光致抗蚀剂)时，这是有效的。由于进行局部加热，能够防止或抑制无需处理的部分被加热。而且，由于能够以非接触的方式进行加热，能够可靠地防止出现粒子。这种辐射加热器优选地是激光加热器。如前提及，在诸如光致抗蚀剂的有机膜将被去除的情况下，反应性气体优选地是臭氧。为了产生这种臭氧气体，可以使用臭氧发生器或氧等离子体。在使用臭氧的情况下，优选地喷射喷嘴设有冷却装置。由于这种布置，臭氧能够保持低温，以便臭氧的寿命能够被延长，并且提高反应效率。作为用于喷射喷嘴的冷却装置，例如，冷却通路形成在用于保持喷射喷嘴的喷嘴保持部件中，并且诸如冷却水的冷却介质穿过所述冷却通路。冷却介质的温度可以约为室温。优选地，喷嘴保持部件由极佳的热导材料组成。辐射加热器的局部照射位置优选地偏离向喷射喷嘴和抽吸喷嘴之间的喷射喷嘴侧(参见图45(b)等)。由于上述布置，在来自喷嘴的反应性气体击中它们不久之后，基板的外周部的各个处理点能够被照射地加热。此后，在反应性气体保持击中期间的较大部分，利用残余热量可以保持高温，并且能够更可靠地提高处理效率。基部材料的旋转方向可以是与上述方向相反的反向。在那种情况下，辐射加热器的局部辐射位置优选地偏移向喷射喷嘴和抽吸喷嘴之间的抽吸喷嘴侧。优选地，考虑到诸如旋转装置的旋转速度和辐射加热器的加热性能的因素，合适地建立喷射喷嘴和抽吸喷嘴之间的距离。也可以接受的是在用于去除不需要的物质的反应性气体被导引到基板的外周部后，气体被导引以便通过沿基板的外周延伸的导引通路在周向上流动，从而去除涂覆在诸如晶片的基板的外周部上的不需要的物质。也可以接受的是用于处理晶片的外周部的设备的反应性气体供给器包括气体导引部件，所述气体导引部件包括导引通路，所述导引通路沿基板的周向延伸以包围基板的外周部；和所述反应性气体沿导引通路的延伸方向穿过(参见图81到83和91至lj94等)。由于上述布置，能够增加活性种接触基板的外周的时间，并且能够提高反应效率。而且，能够减小所需的处理气体量。所述气体导引部件能够应用作为第二反应性气体供给器的气体供给器，并适于去除诸如Sin和Si02的无机膜。优选地，气体导引部件包括用于使基板的外周部可去除地插入其中插入端口；并且插入端口的最内端的宽度被扩展，从而形成导引通路。所述插入端口的厚度优选地略大于基板的厚度。当基板被插入插入端口中时，插入端口与基板之间的空间优选地尽可能小。优选地，在导引通路的延伸方向上的一端与用于反应性气体的导引端口连接，并且另一端与排出端口连接(参见图82等)。由于这种布置，反应性气体能够从导引通路的一端流到另一端。用于沿基板的周向相对地旋转气体导引部件的旋转装置优选地设置为旋转速度能够被调节。由于上述布置，不需要的物质能够从基板的外周部的整个周边均匀地去除，并且通过调节旋转速度，能够调节不需要的物质的处理宽度。旋转速度优选地在1rpm到1000rpm的范围内，更优选地在10rpm到300rpm的范围内。如果旋转速度超过1000rpra，反应性气体接触目标部分的时间过度减小并且从而不是优选的。优选地，导引通路中的气体的流动方向与基板的旋转方向对准。也可以接受的是辐射加热器的照射器被设置在导引通路内或附近。所述照射器可附加地连接到气体导引部件。优选地，用于使照射器的热光透射通过它的透光部件嵌入气体导引部件，以便面对导引通路(参见图96等)。由于上述布置，使用气体导引部件，能够去除需要加热蚀刻的诸如光致抗蚀剂和聚合物的无机膜(例如SiC)。当层叠在基板上的、在高温下能够蚀刻的第一无机膜(例如SiC)和在高温下蚀刻速度比第一无机膜低的第二无机膜(例如Si02)中的仅一个将被去除时，具有照射器的气体导引部件也有效。优选地，所述加热器加热(特别地，在导引通路的上游侧(导引端口侧))导引通路内的基板的外周部。同样优选地，所述加热器加热沿导引通路的旋转方向位于上游侧的基板的外周部(如图95等)。优选地，导引通路中的气体的流动方向与基板的旋转方向对准，并且照射器以汇聚方式将热光照射在导引通路的上游端附近(参见图95等)。由于这种布置，在接近导引通路的上游端的位置处，基板的外周部能够被辐射加热；涂覆在基板的外周上的膜能够与新鲜的反应性气体充分反应；并且此后，由于基板在朝向导引通路的下游侧旋转时短时间保持高温，不仅在导引通路的上游侧的部分而且在中间部分和下游侧部分，能够产生满意的反应。由于这个布置，处理效率能够得到可靠地提咼。在膜包括诸如容易产生残余物，换言之，在常温下趋于产生固态副产品，的成份的情况下，沿导引通路的旋转方向在下游侧的基板的外周可被上述加热器局部加热。由于这种布置，残余物能够被蒸发，并被从基板的外周去除。例如，当SiN被蚀刻时，产生诸如(NH4)2SiF6，NH4F.HF的每个都是固态的副产品。这种残余物能够被加热器蒸发和去除。也可以接受的是除气体导引部件，所述设备包括作为上述第一反应性气体供给器的有机膜去除头；并且所述有机膜去除头包括用于将辐射热局部施加到基板的外周部的照射器；和气体供给部件，用于将与有机膜反应的诸如含氧反应性气体的第一反应性气体供给到基板的外周部(参见图79以及其它)。所述有机膜去除处理头和气体导引部件优选地沿台的周向离开地布置。在使用气体导引部件的过程期间产生的固态副产品优选地通过有机膜去除处理头的照射器加热，以便被蒸发和去除。如上提及，总之，诸如定向平面和凹口的切割部分形成在圆形晶片外周部的一部分中。也可以接受的是所述晶片被设置在台上；然后，所述台围绕旋转轴线旋转；所述处理流体(反应性气体)从供给喷嘴供给，同时供给喷嘴被定向到其中晶片的外周部移动穿过垂直于旋转轴线的第一轴的点，且如果由台的旋转导致变化，根据点的连续或暂时改变沿第一轴滑动供给喷嘴，(参见图99等)。优选地，所述晶片被同心地设置在台上；所述台绕旋转轴线旋转；处理流体(反应性气体)被从供给喷嘴供给，同时当晶片的外周部的圆形部分移动穿过第一轴时通过保持供给喷嘴指向设置在第一轴上并且离开旋转轴线大体等于晶片的半径的距离，并当晶片的外周部的切割部分移动穿过第一轴时通过根据穿过点(或横断点)沿第一轴的变化沿第一轴滑动供给喷嘴，供给喷嘴一直指向其中晶片的外周部移动穿过垂直于旋转轴线的第一轴的穿过点。用于处理晶片的外周部的设备可包括台，晶片布置在所述台上并所述台绕旋转轴线旋转；处理流体(反应性气体)供给喷嘴，所述供给喷嘴沿垂直于旋转轴线的第一轴可滑动地设置；和喷嘴位置调节机构，所述喷嘴位置调节机构用于通过根据穿过点的连续或暂时变化沿第一轴调整供给喷嘴的位置，将供给喷嘴常指向穿过点，其中在所述穿过点，晶片的外周部移动穿过第一轴(参见图99等)。用于处理晶片的外周部的设备可包括绕旋转轴线(中心轴线)旋转的台；对准机构，用于对准地(同心地)将具有圆形外周部的晶片布置在处理台上，其中诸如定向平面和凹口的切割部分部分地形成在所述圆形外周部上；可滑动地沿垂直于旋转轴线的第一轴设置的处理流体(反应性气体)供给喷嘴；和喷嘴位置调节机构，用于保持供给喷嘴静止，同时当晶片的圆形外周部移动穿过第一轴时将供给喷嘴定向到所述穿过点，即在第一轴上的从旋转轴线离开大体等于晶片半径的距离的位置；并且用于当晶片的切割部分移动穿过第一轴时根据穿过点的变化沿第一轴滑动供给喷嘴，从而将供给喷嘴常指向穿过点(参见图97到99等)。也可以接受的是所述反应性气体供给器包括沿垂直于台的中心轴线的第一轴可滑动的反应性气体供给喷嘴，所述晶片被同心地布置在台上，并且台绕中心轴线旋转，当晶片的圆形外周部移动穿过第一轴时，供给喷嘴的远端部保持静止，同时被指向第一轴上的从中心轴离开等于晶片半径的距离的位置；和当晶片的切割部分移动穿过第一轴时，供给喷嘴沿第一轴与台的旋转同步地滑动，以便供给喷嘴的远端部常指向穿过点(参见图97到99等)。优选地，对准机构包括用于探测晶片的切割部分的切割部探测部分，并且切割部分与同心操作并行地指向预定方向。所述喷嘴位置调节机构优选地与台的旋转同步地调节供给喷嘴的位置。即，当台在对应于圆形外周部移动穿过第一轴所需的时间段的旋转角度的范围内时，供给喷嘴被固定到第一轴上的从旋转轴离开大体等于晶片半径的距离的位置；并当台在对应于切割部分移动穿过第一轴所需的时间段的旋转角度的范围中时，使供给喷嘴具有对应于台的旋转角度和旋转速度的速度和方向(沿第一轴朝向旋转轴线或离开旋转轴线的方向)。作为这种同步控制的结果，供给喷嘴优选地常指向供给喷嘴移动穿过第一轴的点。另一方面，在由对准机构进行对准的情况下，需要对准机构的设备成本；而且，需要将晶片从进行对准的位置传送到旋转台所需的时间。而且，对准精度取决于机器人臂的操作精度。也可以接受的是所述晶片被设置在台上；然后，这个台绕旋转轴线(中央轴线)旋转；处理流体(反应性气体)的供给喷嘴指向其中晶片的外周部移动穿过垂直于旋转轴线的第一轴处的点；并且当穿过点根据台的旋转改变时，供给处理流体，同时根据所述变化沿第一轴滑动供给喷嘴(参见图105等)。优选地，所述晶片被设置在台上；然后，这个台围绕旋转轴线(中央轴线)旋转；计算晶片的外周部移动穿过的瞬时点；供给处理流体(反应性气体)，同时基于计算的结果，通过沿第一轴调节供给喷嘴的位置，将供给喷嘴常指向穿过点(参见图105等)。由于上述布置，能够取消偏心纠正对准机构，并且所述设备的结构能够得以简化。而且，由于能够取消对准操作，能够縮短整个处理时间。在与不时地进行瞬时穿过点的计算并行地，也可以接受的是调节供给喷嘴的位置并供给处理流体。在那种情况下，优选地，沿台的旋转方向，在供给喷嘴的上游侧，测量晶片的外周部的位置，并基于这种测量结果进行上述计算。也可以接受的是在对晶片的外周部的整个周边执行穿过点的计算后，调节供给喷嘴的位置并供给处理流体。用于处理晶片的外周部的设备可包括其上布置晶片并绕旋转轴线(中心轴线)旋转的台；沿垂直于旋转轴线的第一轴可滑动地设置的处理流体(反应性气体)供给喷嘴；计算器，用于计算晶片的外周部移动穿过第一轴的瞬时点，和喷嘴位置调节机构，用于基于计算的结果，通过沿第一轴调节供给喷嘴的位置，将流体供给喷嘴常指向穿过点(参见图103到105等)。也可以接受的是所述反应性气体供给器包括沿垂直于台的中心轴线的第一轴可滑动的反应性气体供给喷嘴，所述台绕中心轴线旋转同时保持晶片；所述设备还包括计算器，用于计算晶片的外周部移动穿过垂直于中心轴线的第一轴的瞬时点，和供给处理流体，同时基于计算的结果，通过沿第一轴调节供给喷嘴的位置，将供给喷嘴常指向穿过点(参见图103到105等)。所述计算器优选地包括用于测量晶片的外周的测量器。发明的效果根据本发明，通过对晶片的外周部加热并将反应性气体喷射到加热的外周部上，可有效地去除不需要的物质。由于吸热器设置在台上，即使在热量从外部被传导到位于基板的外周部内部的部分，或加热器的热量被施加其上的情况下，利用这种吸热器能够吸收其热量。因此，能够防止位于基板的外周内的部分处的膜和布线质量的改变。而且，即使在反应性气体从基板的外周侧流入内部的情况下，反应能够被抑制。这使得可以防止从基板的外周起在内部部分上出现损坏。图1是根据本发明第一实施例的用于处理基板的外周部的设备的沿图2中的线I-1的横截面正视图2是上述设备的俯视图。图3是上述设备的膜去除部的放大尺寸的横截面正视图；图4(a)是示出其中由图1所示相同装置测量的晶片温度对比从将在晶片的外端边缘处被加热的部分附近沿径向向内方向的距离的实验结果的曲线。图4(b)是示出其中比图4(a)中的比较位置更接近被加热部分的位置(紧接被加热部分的附近)用作水平轴的起点的测量温度的曲线。图5是示出其中利用图1所示相同装置测量的晶片温度对比从将在晶片的外端周边处被加热的部分附近沿径向向内方向的距离的另一实验结果的曲线。图6是根据吸热器的改进的台的说明正视图。图7是根据吸热器的改进的台的说明正视图。图8是根据吸热器的改进的台的说明性俯视图。图9是台吸热器的改进的说明俯视图。图10是根据吸热器的改进的台的说明性俯视图。图10(b)是图10(a)的台的说明正视图。图11是根据其中珀尔帖(Peltier)元件被用作吸热器的改进的台的说明正视图。图12是其中吸热器仅被放置在外周区域处的台的俯视图。图13是图12所示的台等的说明侧视图。图14是示出形成在晶片的外周中的凹口的周围区域的放大尺寸的俯视图；图14(a)显示了其中保持激光照射单元的辐照点直径恒定时，凹口的周围区域被处理的状态；图14(b)是示出其中辅照点直径在凹口位置处增加的另一状态；和图14(c)显示了图14(b)的处理被执行后的状态。图15是示出其中在将辐照点直径设置为1mm时，激光照射单元聚焦在晶片的外周上的状态的说明正视图。图16是示出其中通过调节焦距以便辐照点直径在激光照射单元的晶片的外周上为3mm，凹口的周围区域被处理的状态的说明正视图。图17是用于说明其中激光照射单元沿晶片的径向方向精细滑动，以便处理宽度变得比辐照点直径更大的处理状态的正视图。图18(a)是其中装入真空卡持(或吸盘)机构的台的俯视图。图18(b)是图18(a)的台的说明正视截面图。图19(a)是根据真空卡持机构的改进的台的俯视图。图19(b)是图19(a)的台的说明截面正视图。图20是根据真空卡持机构的修改的台的俯视图。图21是图20的台的截面正视图。图22是根据其中卡持机构仅被放置在外周区域处的台的俯视图。图23是图22的台的截面正视图。图24是示出根据反应性气体供给器等的改进实施例的用于处理基板的外周部的设备的截面正视图。图25是示出根据反应性气体供给器等的改进实施例的用于处理基板的外周部的设备的截面正视图。图26是示出根据反应性气体供给器等的改进实施例的用于处理基板的外周部的设备的截面正视图。图27是示出根据辐射加热器与反应性气体供给器之间的布置关系等的改进实施例的用于处理基板的外周部的设备的截面正视图。图28是示出图27所示设备的膜去除部的放大尺寸的横截面正视图。图29是示出根据反应性气体供给器的反应性气体供给源等的改进实施例的用于处理基板的外周部的设备的截面正视图。图30是示出根据辐射加热器、反应性气体供给器等的改进实施例的用于处理基板的外周部的设备的截面正视图。图31是沿图30中的直线XXXI-XXXI的上述设备的俯视截面视图。图32是示出其中利用图30所示相同装置测量的在晶片的外端边缘处的晶片温度对比从将被加热的部分附近沿径向向内方向的距离的实验结果的曲线。图33是示出臭氧分解半衰期对比温度的曲线。图34是示出根据其中喷嘴冷却部、惰性反应性气体供给器等被附加使用的改进实施例的用于处理基板的外周部的设备的截面正视图。图35是示出根据图34的辐射加热器的改进实施例的用于处理基板的外周部的设备的截面正视图。图36是示出根据喷嘴冷却部的改进实施例的用于处理基板的外周部的设备的截面正视图。图37是示出根据其中附加使用气体存储器的改进实施例的用于处理基板的外周部的设备的截面正视图。图38是示出其中附加使用透光外壳部的实施例的说明正视图。图39是示出其中多条光纤被用作辐射加热器的光学系统的实施例的说明正视图。图40(a)是包括转动流形成部件的喷射端口形成部分的截面正视图。图40(b)是包括转动流形成部分的喷射端口形成部件的截面侧视图。图41是示出包括包含喷射喷嘴和排出喷嘴的处理头部分的用于处理基板的外周部的设备的俯视截面视图。图42是图41的用于处理基板的外周部的设备的说明正视图。图43是示出包含喷射喷嘴和排出喷嘴的用于处理基板的外周部的设备的改进的说明俯视图。图44是图43所示用于处理基板的外周部的设备的说明正视图。图45(a)是示出图43所示设备的喷嘴部分的放大尺寸的正视图；和图45(b)是其仰视图。图46(a)是示出在利用激光局部辐照旋转晶片的背面的外周部时，晶片的正面上温度分布的测量结果的说明俯视图。图46(b)是示出沿图46(a)所示晶片的背面的周向的温度对比位置的测量结果的曲线。图47是示出包括包含喷射喷嘴和排出喷嘴的处理头的用于处理基板的外周部的设备的另一修改的说明俯视图。图48是图47所示用于处理基板的外周部的设备的说明正视图。图49是示出根据其中抽吸喷嘴被设置在晶片的半径外部的修改的用于处理晶片的外周部的设备的示意结构的俯视图。图50是示出根据其中抽吸喷嘴相对于晶片被设置在喷射喷嘴的相对侧处的修改的用于处理晶片的外周部的设备的示意结构的俯视图。图51是沿图50的直线L1-L1的晶片外周部的周围区域的放大截面视图。图52是其中辐照方向从晶片的上侧和半径外部倾斜向下指向晶片的外周部的用于处理基板的外周部的设备的说明俯视图。图53是图52所示用于处理基板的外周部的设备的说明正视图。图54是放大尺寸地显示图53所示照射单元和晶片的外周部的横截面正视图。图55是不需要的膜被去除后的晶片的外周部的截面视图。图56是其中辐照方向正从晶片的侧面指向晶片的照射单元的正视截面说明视图。图57是其中辐照方向从晶片的下侧和半径外部倾斜向上指向晶片的外周部的照射单元的说明正视图。图58是包括倾斜照射单元和垂直照射单元的用于处理基板的外周部的设备的说明正视图。图59是包括用于在晶片上方精确移动照射单元的机构的用于处理基板的外周部的设备的说明正视图。图60是包括用于在晶片下方精确移动照射单元的机构的用于处理基板的外周部的设备的说明正视图。图61是示出包括柄杓型喷嘴的用于处理基板的外周部的设备的沿图62的直线LXI-LXI的垂直截面视图；图62是沿图61中的直线LXII-LXII的处理头的垂直截面视图。图63是沿图61的直线LXIII-LXIII的用于处理基板的外周部的设备的俯视截面视图。图64是沿图61的直线LXIV-LXIV的用于处理基板的外周部的设备的俯视截面视图。图65是柄杓型喷嘴的透视图。图66是示出不需要的膜由图61所示设备去除后的晶片的外周部的放大尺寸的说明截面图。图67是图61的用于处理基板的外周部的设备的俯视图。图68(a)到(c)是示出柄杓型喷嘴的短筒部和晶片外周之间的布置关系的设置实例的说明俯视图。图69是用于测量柄杓型喷嘴的透光特性的实验中使用的实验设备的说明正视图。图70是示出柄杓型喷嘴的改进的透视图。图71是示出晶片外周的状态的放大尺寸说明截面视图，从所述状态利用其中使用图70的柄杓型喷嘴的用于处理基部材料的外周部的设备去除不需要的膜。图72是示出设有柄杓型喷嘴的用于处理基板的外周部的设备的排出系统的修改实施例的沿图73的直线LXXII-LXXII的垂直截面视图。图73是沿图72的直线LXXIII-LXXIII的上述设备的垂直截面视图。图74是沿图75的直线LXXIV-LXXIV的垂直截面视图，显示了代替柄构型喷嘴配置长圆筒喷嘴的用于处理基板的外周部的设备。图75是沿图74的直线LXXIII-LXXIII的上述设备的处理头的垂直截面视图。图76是上述长圆筒喷嘴的俯视图。图77是放大尺寸地显示利用图74所示设备不需要的膜被去除后的设备的外周的说明截面图。图78是其上层叠有机膜和无机膜的晶片的外周部的放大截面视图；(a)显示了有机膜和无机膜被去除前的状态；(b)显示了其中有机膜被去除但无机膜未被去除的状态；并且(c)显示了有机膜和无机膜被去除后的状态。图79是示出适于用于图78所示两种膜层叠晶片的用于处理基板的外周部的设备的示意结构的说明俯视图。图80是适于用于两种膜层叠晶片的用于处理基板的外周部的设备的说明正视图。图81是适合用于两种膜层叠晶片的用于处理基板的外周部的设备的第二处理头(气体导引部件)的俯视图。图82是其中沿图81的直线LXXXII-LXXXII在周向(纵向方向)上显露的第二处理头的截面视图。图83是沿图81中的直线LXXXIII-LXXXIII的第二处理头(气体导引部件)的截面视图。图84是示出使用与图81所示相同的第二处理头的实验结果并且显示不需要的膜被去除后的膜厚度对比从晶片的外端部径向向内的距离的曲线。图85是示出适于用于两种膜层叠晶片的用于处理基板的外周部的设备的改进的示意结构视图。图86(a)是示出适于用于上述两种膜层叠晶片的并且有机膜去除处理正在进行的用于处理基板的外周部的设备的另一改进的示意结构的说明正视图。图86(b)是示出无机膜去除处理正在进行的图86(a)的设备的说明正视图。图87是示出包括中央垫的台结构的改进的垂直截面视图。图88是示出图87的台结构的固定筒和旋转筒之间的周围区域的放大尺寸垂直截面图。图89(a)是沿图88的直线LXXXIXA-LXXXIXA的台的轴组件的水平截面视图。图89(b)是沿图88的直线LXXXIXB-LXXXIXB的台的轴组件的水平截面视图。—图89(c)是沿图88的直线LXXXIXC-LXXXIXC的台的轴组件的水平截面视图。图90是示意性地显示第二处理头的改进的截面正视图。图91是第二处理头(气体导引部件)的俯视图；图92是示出其周围长度增加的气体导引部件的俯视图。图93是示出其周围长度减小的气体导引部件的俯视图。图94(a)到94(e)是示出气体导引部件的截面结构的几个修改实施例的截面视图。图95是示出能够处理需要加热的膜的气体导引部件的实施例的俯视图。图96是沿图95中的直线XCVI-XCVI的放大截面视图；图97是示出能够处理形成在晶片的外周的定向平面或凹口的用于处理基板的外周部的设备的目标部分的截面侧视图。图98是图97的俯视图，(a)显示了其中晶片从盒拾取的状态；(b)显示了其中晶片被对准的另一状态；和(c)显示了其中晶片被设置到所述部分的另一状态。图99(a)到99(i)是示出随着时间的流逝，在图97的目标部分处，不需要的膜如何从晶片的外周部被去除的俯视图。图100是其中存储在喷嘴调节机构的控制部件中的供给喷嘴位置的设置信息以曲线的形式显示的视图。图101是以放大方式显示晶片的定向平面的俯视图。图102是采用曲线的形式显示图100的设置信息的修改实例的视图。图103是示出无需对准能够处理晶片的外周部的设备的目标部分的截面侧视图。图104是图103的俯视图，(a)显示了其中晶片从盒拾取的状态；和(c)显示了其中晶片被设置到目标部分的另一状态。图105(a)到105(e)是顺序显示每1/4循环用于去除涂覆在图103和104所示设备的处理部分中的晶片的外周部上的不需要的膜的步骤的俯视图。图106是示出图103和104的设备的操作的流程图。图107是示出图103和104的设备的操作的修改实施例的流程图。图108是示出利用臭氧有机膜的蚀刻速度和温度的关系的曲线。标号的描述10……台10a……支撑表面13.....吸附孔(或吸孔，抽吸孔)14……抽吸通路(或吸引通路)15.....吸附槽(或吸槽，抽吸槽)16.....环形槽17……连通槽20.....激光加热器(辐射加热器)21……激光源22……照射单元(照射器，或辐照器)23....光纤电缆(光传输系统)30.....等离子喷嘴头(反应性气体源)36.....喷射喷嘴36a.....喷射端口41.....冷却介质室(吸热器)41C.....环形冷却室"U，41L……冷却介质室(吸热器)46.....冷却介质通路(吸热器)47.....环形通路46.....连通通路Pe.....珀尔帖(Peltier)元件(吸热器)70.....臭氧发生器(反应性气体源)75.....喷射喷嘴76.....抽吸喷嘴(或吸嘴)90晶片(基板)90a....晶片的外周部(或晶片的外周边部分).92.....有机膜93.....诸如凹口、定向平面等的切割部分。94.....无机膜92c，94c.....晶片的外周部上的膜(不需要的物质)(或多余的物质，无用的物质)100..第一处理头110.....台主体111....中央头120.....红外线加热器(辐射加热器)121.....红外线灯(光源)122.....会聚光学系统(照射器，或辐照器)140.....旋转驱动电机(旋转驱动装置)150……旋转筒160……柄杓型喷嘴162.....引入部161.....筒部161a.....盖部180.....固定筒Gl，G2.....垫圈200....第二处理头(气体导引部件)201.....插入开口202....导引通路204.....透光部件346.....喷嘴位置调节机构350.....控制器375.....供给喷嘴(喷射喷嘴)P.....目标位置C.....环形表面具体实施方式以下将参照附图详细描述本发明的优选实施例。图1到3显示了本发明的第一实施例。首先，将描述作为处理目标的基板。如图1和2的虚线所示，基板例如是半导体晶片90，并具有圆形薄板状的结构。如图3所示，例如由光致抗蚀剂组成的膜92涂覆在晶片90的上表面或正面上。光致抗蚀剂的吸收波长从1500nm到2000nm。所述膜92不仅覆盖晶片90的整个上表面，而且还通过外端面到达背面的外周部(或外周边部分)。根据这个实施例提供了一种的设备，用于去除作为不需要(或不要的，不必要的，无用的)的物质、涂覆在晶片90背面的外周表面上的膜92c。应该注意本发明不局限于用于去除诸如晶片90的基板的背面的外周部上的膜的类型的设备，而且还能够应用于用于去除外周部和正面的外端面上的膜的其它类型的设备。如图1和图2所示，用于处理基板的外周部的设备包括框架50;作为用于支撑晶片90的支撑器的台10;作为辐射加热器的激光加热器20;和作为用于供给反应性气体的供给器的等离子喷嘴头30。所述框架50包括穿孔的圆盘状底板51;和从所述底板51的外周向上突起的圆筒形周壁52。所述框架50具有截面成L型的环形结构，并被固定到未示出的支撑基座。所述台10以由框架50包围的方式设置在框架50内部。在俯视图中，所述台10具有与周壁52同心的圆形结构，但具有比周壁52更小的直径。所述台10的周边侧表面以向下直径减小的方式逐渐变细。所述台10与未示出的旋转驱动机构连接，并利用旋转驱动机构绕中心轴11旋转。也可以接受的是台10是固定的，旋转驱动机构被连接到框架50并且所述框架50被旋转。处理晶片90被水平放置在台10的上表面10a(支撑表面，正面)上，其中心与台10的中心一致。虽然并未示出，真空或静电卡持(卡盘，或吸盘))机构被装入台10中。利用这种吸附卡持机构，所述晶片90被吸附并被固定在台10的支撑表面10a上。所述台10的上表面的直径略小于圆形的晶片90的直径。相应地，对于放置在台10上的晶片90，晶片90的外周部的整个周边略微径向向外突出。即，所述晶片90的外周部被定位在虚拟包围台10的上表面的外周的虚环形表面C处。所述晶片90的外周部的突出量(虚环形表面C的宽度)例如是3到5mm。由于这种布置，所述晶片90的背面在整个外周的狭窄部分处被暴露(敞开)。另一方面，位于狭窄部分内的部分，即晶片90的整个背面的大部分，与台10的上表面邻接并被覆盖。晶片90背面的外周被放置在台10上的位置是将被处理的目标位置P。这个目标位置P被定位在虚环形表面C上。作为形成台10的材料，例如使用导热性好并且几乎不会导致出现金属污染的铝。也可以接受的是为了获得对反应性气体的抗腐蚀性，通过阳极氧化在外部表面上形成氧化铝层，并且诸如PTTE的氟树脂浸透在其中。用于从上表面10a吸热的吸热器被设置在处理装置的台10上。具体地，台10的内部是中空的，并且所述中空的内部被限定为冷却介质(或制冷剂。冷却剂)室41(吸热器)。所述冷却介质室41具有充足的内部容积。所述冷却介质室41延伸遍及台10的整个面积(沿周向的整个外周和沿径向方向的整体)。所述冷却介质室41与冷却介质供给通路42和冷却介质排出通路43连通。冷却介质供给通路42和冷却介质排出通路43连通从台10延伸通过中心轴11的内部。所述冷却介质供给通路42的上游端被连接到未示出的冷却介质供给源。通过冷却介质供给通路42，所述冷却介质供给源将例如作为冷却介质的水供给到冷却介质室41。由此，冷却介质室41充满水。水温可以是常温的。通过冷却介质排出通路43，作为冷却介质的水被适当地排出，并通过冷却介质供给通路42被重新供给。所述排出的冷却介质可被返回到冷却介质供给源，以便它能够再次被冷却用于再循环。代替水，可以使用空气、氦等作为冷却介质。也可以接受的是冷却介质可采用压缩流体的形式，并且压縮流体被有力地送入冷却介质室41，以便它在冷却介质室41内流动。所述吸热器可至少被布置在台10的外周部(紧接晶片90外周的突出部分的内部部分)处，且不布置在中央部分处。所述台10位于臂50的底板51的上方，并位于周壁52的顶部和底部之间的大体中间高度处。所述台10的直径比底板51的内周边更大。由于这种布置，底板51的内端边缘径向进入台10的下侧(背侧)的内部。迷宫式密封件60被设置在台10的下表面和底板51的内周边缘之间。所述迷宫式密封件60包括一对上部和下部迷宫环61，62。所述上部迷宫环61包括与台10同心的多个多环形吊挂件61a,并被固定到台10的下表面。所述下部迷宫环62包括多个与框架50同心从而与台10同心的多环状突出件62a，并被固定到框架50的底板51的上表面。所述上部迷宫环61的吊挂件61a和下部迷宫环62的突出件62a以"之字型"方式彼此结合。所述框架50、台10和迷宫密封60限定了环形空间50a。从迷宫环62的每个凹谷部延伸的抽吸通路51c形成在框架50的底板51中。通过管道系统，所述抽吸通路51c被连接到包括真空泵、排出处理系统等的吸入(或抽吸)/排出装置(未示出)。所述抽吸通路51c、管道系统和吸入/排出处理系统构成"环形空间抽吸装置"。所述激光加热器20的照射单元22(照射器)连接到框架50的迷宫环62的径向外部，以便向下离开台10的外周边缘。所述激光加热器20包括作为点光源的激光源21;和照射单元22，所述照射单元22通过诸如光缆的光传输系统23被光学连接到激光源21。例如，LD(半导体)激光源被用作激光源21。所述激光源21发射出发射波长为808nm到940rim的激光束(热束)。所述发射波长可被设置在对应于涂覆在晶片90上的光致抗蚀剂膜92的吸收波长的范围中。所述激光源21并不局限于LD，可以从诸如YAG、受激准分子等的多种其它类型的光源选择。由激光源21输出的激光波长优选地比可见光的波长更长，以便容易被膜92吸收。更优选地，激光源21输出的波长与膜92的吸收波长匹配。也可以接受的是光源21被容纳在单元22中，并且省去诸如光纤的光传输系统23。所述激光照射单元22比等离子喷嘴头30更远离目标位置P。如图2所示，多个(图2中3个)激光照射单元22沿框架50的周向，从而沿台10的周向，被等距离地设置。如图1所示，激光照射单元22被布置在经过目标位置P并与延伸表面垂直的直线Ll上。所述激光照射单元22的激光辐照方向被定向在刚好直线L2上方并与台10上的晶片90的外周部垂直(交叉)。诸如凸透镜、柱面透镜等的多个光学部件被容纳在激光照射单元22中。如图3所示，利用激光照射单元22，从光源21发射的激光L被朝向目标位置P，即放置在台10上的晶片90的背面的外周部会聚。焦点调节机构被装入激光照射单元22中。通过使用这种焦点调节机构，所述激光束能够被正确地聚焦在目标位置P上，并且，另外，激光束的焦点能够相对于目标位置P略微上下偏置。由于上述布置，晶片90的外周部上的聚光直径和由此被加热部分的区域，以及辐照能量的密度和由此被加热部分的加热温度能够得到调节。所述焦点调节机构包括滑动机构，用于例如沿光轴方向滑动布置在激光照射单元22内的聚焦透镜。所述焦点调节机构可以是其中整个激光照射单元沿光轴方向滑动的类型。所述光传输系统23和照射单元22构成"光学系统"，用于以不扩散的方式，在热光源被传送到目标位置附近后，将从光源21发射的热光源会聚和辐照向目标位置。如图1所示，等离子喷嘴头30连接到框架50的周壁52。所述等离子喷嘴头30被径向设置在目标位置P夕卜，并相对于目标位置P，以与激光照射单元22彼此不同的方向布置。如图2所示，作为激光照射单元22的相同数目(在图2中3个)的等离子喷嘴头30沿台10的周向(周边方向)以相同间隔布置。而且，每个等离子喷嘴头30沿与相应激光照射单元22相同的周向布置，或设置在沿晶片90的旋转方向在相应的激光照射单元22的略微下游侧的位置处，以便与对应的激光照射单元22形成一对。所述等离子喷嘴头30具有逐渐变细的台阶状圆柱形结构。所述等离子喷嘴头30布置为沿台10的径向方向水平定向其轴线。如图1所示，等离子喷嘴头30在其中容纳一对电极31，32。所述电极31，32具有双管状结构，并且环形常压空间30a被形成在电极31，32之间。固态电介质被涂覆在电极31，32中的至少一个的相对表面上。内电极31与未示出的电源(电场发生装置)连接，并且外电极32接地。电源向电极31例如输出脉冲状的电压。期望的是所述脉冲的上升时间和/或下降时间为10微秒或更小，电极间空间中的电场强度是10到1000k/cm，并且频率是0.5kHz。代替脉冲电压，可以输出诸如正弦波等的连续波状的电压等。面对电极间空间30a的台10侧的相对侧的基端部(上游端)与未示出的处理气体供给源连接。所述处理气体供给源例如在其中储存着氧气等作为处理气体，并每次将合适量的气体供给到电极间空间30a。如图3很好地显示，等离子喷嘴头30被设置在面对台10侧的远端部，且具有圆盘状的树脂制成的喷射端口形成部件33。喷射端口30b形成在所述喷射端口形成部件33的中央部分中。所述喷射端口30b被连接到面对电极间空间30a的台10侧的下游端。所述喷射端口30b位于台10的上表面10a的延伸表面上或略低于它，以便喷射端口30b的轴线沿台10的径向方向水平定向，并向等离子喷嘴头30的远端开口。所述等离子喷嘴头30的远端且由此喷射端口30b被布置在目标位置P附近，这样当晶片90被放置在台10上时，等离子喷嘴头30的远端等极靠近晶片90的外端边缘。处理气体被等离子化变成的反应性气体G沿喷射端口30b的轴线被喷射出。所述喷射方向与激光加热器20的激光束L的辐照方向垂直(具有角度)。喷射方向与辐照方向之间的交叉部分通常位于放置在台10上的晶片90的外周部的背面(或反面)。抽吸端口(或吸附端口，吸入端口)30c在远端表面形成部件34和喷射端口形成部件33之间形成在等离子喷嘴头30的远端表面中。所述抽吸端口30c具有设置在喷射端口30b附近以围绕喷射端口30b的环形结构。如图1所示，通过形成在等离子喷嘴头30中的抽吸通路30d，抽吸端口30c被连接到未示出的吸入(或抽吸)/排出装置。所述抽吸端口30c、抽吸通路30d和吸入/排出装置构成了"喷射端口附近抽吸(或吸附，吸入)装置"或"环形空间抽吸(或吸附，吸入)装置"。所述等离子喷嘴头30、电源、处理气体供给源、吸入/排出装置等构成了常压等离子处理装置。现在将描述使用用于去除如此结构的晶片的外周部的设备，用于去除涂覆在晶片90的背面的外周部(或外周边部分)上的膜92c的方法。利用传送机器人等，将被处理的晶片90被同心地放置在台10的上表面上并被吸住。在整个外周，所述晶片90的外周部径向突出到台10夕卜。激光束L被从激光加热器20的激光照射单元22发射，以便通常聚焦在晶片90的突出的外周部的背面，或目标位置P。通过如此做，涂覆在晶片90的背面的外周部上的膜92c能够以点样状态(局部)被辐照加热。由于激光束L是点聚集光，激光能量能够高密度地被施加到被加热部分(在激光的波长对应于膜92c的吸收波长的情况下，吸收效率能够进一步提高)。由此，膜92c的被加热的点状部分能够被瞬时加热到数百度(例如，摄氏600度)。由于这是辐照加热，晶片90的被加热部分无需与加热源接触并且也不会产生粒子(或微粒)。与前述操作同时，处理气体(氧气等)从处理气体供给源被供给到等离子喷嘴头30的电极间空间30a。而且，脉冲电压从脉冲源被供给到电极31，并且脉冲电压被引至电极间空间30a。通过这样做，常压辉光放电等离子体形成在电极间空间30a内，并且诸如臭氧和氧基的反应性气体由诸如氧气的处理气体形成。这种反应性(或活性)气体通过喷射端口30b被喷出，并刚好喷射在晶片90的背面处的被局部加热部分上，从而发生反应。这使得可以利用蚀刻去除涂覆在所述部分上的膜92c。由于所述部分被局部充分加热到高温，蚀刻速度能够得以满意地提高。而且，利用抽吸装置，停留在被执行蚀刻的部分周围的气体能够被吸入抽吸端口30c，并通过抽吸通路30d排出。因此，通过快速去除处理过的反应性气体和在被执行蚀刻的部分的周边区域由蚀刻导致的副产品，能够提高蚀刻速度。而且，还能够防止气体流到晶片90的正面。而且，利用抽吸装置，处理过的反应性气体等能够从晶片90的外周部的周边区域沿迷宫密封件60的方向被导引，并通过迷宫密封件60形成的间隙被抽吸和排出。还能够可靠地防止所述反应性气体从迷宫密封件60沿径向向内流动。与上述操作并行地，台10被旋转驱动机构旋转。通过如此做，涂覆在晶片90的背面的外周部上的膜92c的去除范围能够沿周向发展，从而能够从整个周边去除涂覆在背面的外周部上的膜92c。通过使用台10和框架50之间的迷宫密封件60，台10能够不与框架50有任何摩擦地平稳旋转。利用加热操作处理，晶片90的被加热部分的热量有时被传导到沿径向位于晶片90内侧的部分。通过晶片90与台10之间的接触表面，所述热量被传送到台10，并被充入冷却介质室41中的水吸收。这使得可以抑制位于晶片90的被加热部分内侧的部分的温度增加。因此，能够抑制涂覆在晶片90的内部部分的膜92由热量导致的质量改变。而且，即使在反应性气体流到晶片90的上表面的中央侧的情况下，也能够抑制其与膜92的反应。这使得可以防止膜92上出现损坏，并且膜92能够可靠地保持良好质量。由于水量充分大并且由此冷却介质室41中储存的热容量非常大，因此能够满意地获得吸热能力。通过经供给通路41和排出通路42更换冷却介质室41中的水，吸热能力能够得以更充分地保持。这使得可以可靠地抑制位于晶片90的外周部内的部分处温度的增加，膜92能够可靠地被防止损坏。在晶片的外端边缘从台10突出3mm并且冷却介质室41中的水温是50摄氏度、23.5摄氏度和5.2摄氏度的条件下，使用与图1中相同的装置，本发明人测量了晶片的表面温度与从晶片的外端边缘的被加热部分附近在径向向内方向上的距离的关系。所述激光加热器20的输出条件如下激光发射光波长808nm输出30W被局部加热的部分的直径0.6mm输出密度100w/mm2振荡形式连续波结果如图4所示。图4(a)是将晶片的外端边缘的被加热部分的周边部(略离开非常接近部分的位置)用作水平轴的原点的曲线；图4(b)是将晶片的外端边缘的被加热部分的非常接近的部分用作水平轴的原点的曲线。在水温是作为常温的23.5摄氏度的情况下，在接近晶片的外端边缘的被加热部分的部分中，利用从被加热部分传导的热量，温度被上升到约110摄氏度(图4(a)),并且在被加热部分的非常接近的部分中，温度被升高到约300摄氏度(在被加热部分中，温度上升到600摄氏度或更高摄氏度(图4(b))。然而，在从那里径向向内离开仅3mm的中央部分中，温度被保持在50或更低摄氏度。由于上述特性，可以确认即使在作为反应性气体的臭氧流到晶片的正面的中央部的情况下，也很难出现反应，并且能够抑制膜92被损坏。而且，在晶片的外端边缘从台10突出3mm，并且激光输出是80W和100W的情况下，通过温度记录法并使用与图1中相同的装置，本发明人还测量了晶片的表面温度与从晶片的外端边缘的被加热部分附近在径向向内方向上的距离的关系。所有其它条件如下晶片直径300mra被局部加热的部分的直径1mm台的旋转速度3rpm台的冷却介质室中的水温23.5摄氏度。因此，如图5所示，在晶片外端边缘的被加热部分的非常接近部分处的表面温度大约为300摄氏度(在被加热部分处约700到800摄氏度)，但晶片温度从那里径向向内突然降低，并在从那里径向向内仅3mm远的部分处甚至低于100摄氏度。由于这种特性，可以确认抑制了涂覆在晶片的中央部上的膜的损坏。接下来，将描述本发明的其它实施例。在下文描述的实施例中，合适时，对应于上述实施例中的部件由图中相同的标号指示，并且适当时，它们的描述将被省略。在图6中所示的台10中，利用水平隔板45，冷却介质室被分成上部(支撑表面侧)第一室部分41U和下部(与支撑表面相反的相反侧)第二室部分41L。所述隔板45的直径小于台10的周壁的内径；并且因此，上部第一室部41U和下部第二室部41L在隔板45外的空间彼此连接。构成冷却介质供给通路42的管的一个端部被连接到隔板45的中央部分，并且冷却介质供给通路42被连接到上部第一室部41U。类似地，构成冷却介质排出通路43的管的一个端部被连接到台10的底板的中央部分，并且冷却介质排出通路43被连接到下部第二室部41L。上部第一室部41U和下部第二室部41L构成作为吸热器的冷却介质通路。通过冷却介质供给通路42，冷却介质被导引入上部(支撑表面侧)第一室部分41U的中央部分，并以径向向外扩散的方式流动。然后，冷却介质围绕隔板45的外端边缘移动，进入下部(与支撑表面相反的相反侧)第二室部分41L内，其中在第二室部分41L内冷却介质径向向内流动，并且然后，通过中央冷却介质排出通路43排放。由于上述布置，整个台10能够可靠地得到冷却，并且因此，晶片90能够均匀可靠地得到冷却。因此，涂覆在上表面上的膜92能够可靠地得以保护。由于冷却介质被首先导引入接近支撑表面10a从而接近晶片90的一侧的第一室部分41U，吸热效率能够得到更好地提高。在图6的实施例中，冷却介质供给通路42和冷却介质排出通路43被平行布置。如图7所示，也可以接受的是冷却介质供给通路42穿过冷却介质排出通路43，以便形成双层管状结构。在图8的实施例中，冷却介质通路46被提供作为台10内的吸热装置。冷却介质通路46是螺旋结构的。冷却介质供给通路42被连接到螺旋冷却介质通路46的外周侧的端部，并且冷却介质排出通路43被连接到中央侧的端部。由于这种布置，冷却介质螺旋地从外周侧(或外周侧)流动到冷却介质通路46的内周侧(或内周边侧)。因此，接近晶片90外周部的一侧能够得到充分冷却。因此，从外周部传导的热量能够被可靠地吸收，并且涂覆在上表面上的膜92能够被可靠地保护。虽然未详细显示，不仅中央侧的冷却介质排出通路43而且外周侧的冷却介质供给通路42都穿过台10的中心轴11。冷却介质供给通路42例如在台10的底板和冷却介质通路46之间从中心轴11侧径向向外延伸，并且被连接到冷却介质通路46的外周侧的端部。在台10被固定且框架50旋转的情况下，冷却介质供给通路42不需要穿过中心轴11。其中冷却介质从外周侧流向台10的中心的布置并不局限于图8的螺旋结构。例如，图9中所示的台10内的冷却介质通路包括多个同心环形通路47;和用于相互连通所述多个环形通路47的连通通路48。多个连通通路48沿周向在相邻环形通路47之间等间距地设置。单个环形通路47设置在它们之间的径向外侧的连通通路48和径向内侧的连通通路48被布置为沿周向相互移位。在沿周向彼此等间距间隔开的多个位置处，冷却介质供给通路42被分支，并被连接到最外的环形通路47。冷却介质排出通路43的基端部被连接到中央环形通路47。由于上述布置，如图9的箭头所示，在沿外部环形通路47在周向上分支和流动后，冷却介质被会聚在连通通路48，并流入下一个内侧环形通路47，在下一个内侧环形通路47，冷却介质再次沿周向被分支和流动。在重复这个过程的同时，冷却介质从台10的外周侧流向中心。如在图1等的情况下，图10(a)禾卩10(b)中所示的台10具有被限定为冷却介质室41的中空内部。冷却介质供给通路42被分支和连接到沿冷却介质室41的外周部的周向彼此等间隔隔开的位置。冷却介质排出通路从冷却介质室41的中央部分延伸。由于这种布置，冷却介质被导引到冷却介质室41的外周部，并流向中央。冷却介质室41构成了同心冷却介质通路。在图6到10中，冷却介质供给通路42和冷却介质排出通路43的布置可颠倒。通过这样做，上部冷却介质室41U中的冷却介质流被从外周侧导引到中心。在如图11所示的实施例中，代替冷却介质系统，吸热元件被用作吸热装置。即，作为吸热装置的珀尔帖(Peltier)元件被装入台10中。珀尔帖元件Pe被布置为接近台10的上表面10a，以便其吸热侧指向上(台10的上表面10a侧)。由于这种布置，晶片90的热量能够通过台10的上板吸收。所述台10可在珀尔帖元件Pe下配置风扇、散热片等，以增强从珀尔帖元件Pe的热量扩散侧的散热。至此描述的实施例的吸热装置被设置在台10的通常整个区域上，并且热量被从基板的整个支撑表面吸收。然而，同样可以接受的是如图12和13所示，吸热装置仅被设置在台10的外周部。环形分隔壁12被同心地放置在台10内。所述台10被环形分隔壁12分成外周区域10Ra和中央区域10Rb。冷却介质供给通路42和冷却介质排出通路43被连接到位于环形分隔壁12外部的外周区域10Ra。由于这种布置，外周区域10Ra的内部用作冷却介质室41(吸热装置)。另一方面，位于环形分隔壁12内部的内周区域10Rb不用作冷却介质室，但它用作吸热装置的非布置部分。所述晶片90的外周部径向突出到台10的外周区域10Ra外部。刚好位于突出部分内的环形部分邻接台10的外周区域10Ra并由台10的外周区域10Ra支撑，并且位于环形部分内的中央区域邻接台10的中央区域10Rb并由台10的中央区域10Rb支撑。由于上述布置，来自晶片90的外周部的被加热部分的热量被传导到正好位于被加热部分内的部分，并在那里由台10的外周区域10Ra吸收。另一方面，与晶片90的中心的热量传导无关的其余部分不会通过热量被吸收而得到冷却。这使得可以节省吸热源。图6到11中所示的实施例可以用作仅设置在台10的外周区域10Ra处的吸热装置。如图13中的实线指示，激光加热器的照射单元22被设置在晶片90上方。由于这种布置，晶片90的外周部的正面被局部加热，并且反应性气体被从反应性气体供给器的供给喷嘴30N供给到那里。通过如此做，能够去除晶片90的外周部的正面上的不需要的膜。由图13的虚线所示，在不需要的膜涂覆在晶片的外周部的背面的情况下，激光照射单元22优选地设置在晶片90下方。如己在第一实施例中描述的，激光照射单元22设有焦点调节机构。使用这种焦点调节机构能够执行如下的处理操作。如图14所示，通常，例如，诸如凹口的切割部分93沿晶片90的外周部的周向设置在一个位置处。如图14(a)所示，当通过设定照射单元22在晶片90上的辐照点Ls的尺寸(辐照范围)恒定而执行处理操作时，存在凹口93的边缘未被处理的可能(图14(a)的阴影部分指示被处理部分)。因此，如图14(b)所示，当凹口93被送到目标位置时，利用焦点调节机构，激光照射单元22的焦点偏离光轴的方向。由于这种布置，辐照点Ls能够变大，并且激光能够恰好击中凹口93的边缘。因此，如图14(c)所示，涂覆在凹口93的边缘上的膜也能够可靠地被去除。由于在辐照点Ls变大时能量强度降低，优选地通过增加激光的输出并减小晶片的旋转速度进行调节，以便每单位面积的能量将与辐照点Ls变大前的相同。在辐照点Ls经过凹口93后，辐照点Ls的尺寸返回到其最初的尺寸。图14显示了真中凹口93被提供作为晶片90的外周的切割部分的实例。然而，即使在提供定向平面代替凹口93的情况下，通过执行如上提及的相同操作(包括每单位面积的能量调节操作)，可以去除涂覆在定向平面的边缘的膜。如图15和16所示，使用激光照射单元22的焦点调节机构，还能够执行处理宽度的调节。如图15所示，利用焦点调节机构，来自激光照射单元22的激光L通常聚焦在晶片90的外周上；并且在晶片90上的辐照范围内的点直径例如约1咖的情况下，涂覆在晶片90的外周部上的膜92c能够以约1mm的宽度被去除。另一方面，如图16所示，在使用相同的激光照射单元22将获得比上述处理宽度更大的处理宽度的情况下，通过焦点调节机构22F，激光L的焦点比晶片90偏离更远。通过如此做，晶片90上的辐照点直径能够增加，并能够增加处理宽度。例如，在将获得约3mm的处理宽度的情况下，焦点被调节，从而晶片90上的辐照点直径约为3mm。在图16中，进行调节，以便激光L的焦点比晶片90偏离更远。还可以接受的是激光L在比晶片90更接近的位置形成焦点，然后，激光L向晶片90扩展。如图17所示，除激光照射单元22的焦点调节外，通过沿径向方向滑动激光照射单元22，也能够调节处理宽度。利用径向滑动机构22S，激光照射单元22能够沿台10的径向方向从而沿晶片90的径向方向，精细地滑动。如图13所示，在激光照射单元22中，激光通常聚焦在晶片90的外周上，并且在晶片90上的辐照点半径例如被设定为约1,0为获得例如约3腿的处理宽度，同时保持上述辐照点半径，首先，如图17的实线所示，激光照射单元22沿晶片90的径向方向被定位，以便辐照点将到达离开晶片90的外边缘约3mm的位置。所述处理通过旋转晶片90同时保持上述径向方向执行。当如图17的虚线所示，晶片90进行一个完整的旋转，利用滑动机构22S，照射单元22被径向向外移位通常等于辐照点半径的尺寸(约1腦)。在所述位置，在晶片90进行另一完整旋转的同时，进行处理。然后，在如图17的双点划线所示，在晶片90的一个完整的旋转后，利用滑动机构22S,照射单元22被进一步径向向外移位通常等于辐照点半径的尺寸(约1mm)。在所述位置，在进行晶片90的另一完整旋转的同时，进行处理。通过如此做，处理宽度能够为3mm。图18(a)和18(b)显示了其中装有作为基板固定装置的真空卡持(或吸盘，卡盘)机构的台10。大量的吸附孔13以扩散的状态形成在由合适导热金属制成的台10的上板中。通过抽吸通路14，所述吸附孔13被连接到未示出的诸如真空泵的抽吸装置。所述吸附孔13的直径尽可能地小。由于这种布置，可以获得台10和晶片90之间足够的接触面积。因此，能够获得晶片90的足够的吸热效率。图19(a)和19(b)显示了真空卡持机构的修改实施例。代替点状的吸附孔，吸附槽15形成在台10的上表面中。吸附槽15包括多个同心环形槽16;和用于相互连通环形槽16的连通槽17。在每相邻的环形槽16之间，连通槽17沿周向以等间隔布置。单个环形槽16设置在它们之间的相对径向向外的连通槽17和相对径向向内的连通槽17沿周向彼此偏移。环形槽16和连通槽17的宽度尽可能地小。由于这种布置，能够完全获得台10与晶片90之间的接触面积，从而能够完全获得晶片90的吸热效率。图20和21显示了吸附槽15的修改实施例。这种吸附槽15的连通槽17沿台10的径向方向直线延伸，从最里面的环形槽16直到最外面的环形槽16，以便横穿过位于中间位置的环形槽16。沿台10的周向，连通槽17以90度间隔布置。如图21所示，环形冷却室41C作为吸热装置形成在台10内。环形冷却室41C被布置在接近台10的外周的部分处，以便环形冷却室41C与台10同心。虽然未显示，冷却介质供给通路42沿环形冷却室41C的周向被连接到一个位置，并且冷却介质排放部分43被连接到180度的相对侧。在图18到21中，卡持机构被设置在台10的上表面的通常整个区域上。在图22和23中所示的实施例中，卡持机构仅被设置在台10的上表面的外周区域处。环形突起10b形成在台10的外周侧的上表面上。对应于此，俯视图中具有环形结构的浅凹部10c形成在台10的中央部分。多个(例如，3个)环形槽16被同心地形成在台10的环形突起10b的平坦上表面中。如在上述图19的情况下，环形冷却室41C被限定在台10内。根据这种台10，仅外周侧的环形突起10b的上表面接触晶片90的背面并吸附晶片90。由于台10的中央部分设有凹部10c，中央部分不接触晶片90。由于这种布置，台10与晶片90之间的接触区域能够被减小到所需的最小值，并且减小接触导致的粒子(微粒)。环形突起10b能够被环形冷却室41C冷却。另一方面，晶片90与环形突起10b的接触部分是刚好位于晶片90外周的突起部分的被辐照的部分内侧的部分。因此，当由激光辐照产生的热量趋于从晶片90外周的突起部分的被辐照的部分传输到内侧时，热量通过环形突起10b被立即吸收，并不会在晶片90的中央部分上传播。这使得可以获得作为台10的吸热装置的充分功能。本发明人已检验了晶片与台之间的接触面积和产生粒子之间的关系。使用了具有300ram直径的晶片。在晶片被吸附到具有与图20和21中相同结构的台(678.2cm2的接触面积)后，计算具有0.2微米或更大直径的粒子数目。计算的数目为约22000粒。另一方面，在晶片被吸附到具有与图22和23中相同结构的台(392.7cm2的接触面积)后，计算具有0.2微米或更大直径的粒子数目。计算的数目为约5400粒。由此很明显通过减小接触面积，能够大大减小产生的粒子的数目。在图24中所示的用于处理基板的外周部的设备中，等离子喷嘴头30被固定到框架50的底板51，以便等离子喷嘴头30被定位离开目标部分并与激光加热器20的激光照射单元22平行。等离子喷嘴头30的远端面垂直指向上。从等离子喷嘴头30的远端开口30b'延伸的反应性气体通路52b形成在框架50的周壁52中。反应性气体通路52b的远端到达周壁52的内周表面，并在那里与小圆筒形的喷射喷嘴36连接。喷射喷嘴36构成了喷射端口形成部件，并且喷射端口形成部件的内部构成喷射端口36a。喷射喷嘴36例如由诸如聚四氟乙烯(PFA))的透明的透光材料制成。喷射喷嘴36倾斜向上延伸，以便从周壁52的内周边突出，并且其远端部极接近放置在目标位置P上的晶片90的突出的外周部的背侧，即放置在台10上的晶片90的突出的外周部的背侧。由于这种布置，吹出喷嘴36的吹出方向与在被保护的外周部的背面上垂直指向上的激光加热器20的辐照方向以锐角相交(在支撑表面10a的延伸表面的背面侧，辐射加热器和喷射端口相对于目标位置P以彼此不同的方向(锐角方向)布置)。与等离子喷嘴头30—起，包括反应性气体通路52b和喷射喷嘴36的框架50是"反应性气体供给器"的组成元件。根据上述结构，由于喷射喷嘴36被布置在极接近晶片90的目标位置的位置，通过喷射喷嘴36喷射出的诸如臭氧的反应性气体能够可靠地到达目标位置，同时气体仍处于其活性状态，并仍处于高密度，且不会被扩散。因此，与膜92c的反应效率能够得以提高，并且能够增加蚀刻速度。而且，由于反应性气体的喷气方向不与晶片90的背面平行，而是成角度，与膜92c的反应效率能够得以进一步提高，并进一步增加蚀刻速度。另一方面，实际上，吹出喷嘴36被布置为它沿来自激光加热器20的激光L的光路前进。然而，由于喷射喷嘴36具有透光特性，激光L不会被阻挡。因此，目标位置能够被可靠地加热，并且能够获得高的蚀刻速度。也可以接受的是喷射喷嘴36被布置为偏离激光L的光路。在那种情况下，无需由透光材料形成喷射喷嘴36。代替地，喷射喷嘴36例如可以由不锈钢形成。然而，考虑到因激光的反射温度容易增加和臭氧的浓度由于热反应降低的事实，喷射喷嘴36优选地由具有较小辐照热吸收特性和高臭氧抵抗特性的特氟隆(注册商标)等形成。在图24中，台阶部形成在底板的周壁52的上表面上。截面为倒L形的环形上部周壁53覆盖在所述台阶部上。上部周壁53的内端边缘被布置在喷射喷嘴36附近，并且从而被布置在放置在台10上的晶片90的外端边缘附近。沿上部周壁53的周向在整个周边上延伸的环形槽53c(抽吸端口)形成在上部周壁53的内端边缘，从而环形槽53c以朝向内端边缘扩展的方式开口。抽吸通路53d延伸到上部周壁53的外周，并在环形槽53c中从位于与喷射喷嘴36相同的周边位置的槽底部连接到抽吸连接器57。而且，抽吸通路53d被连接到未示出的吸入(或抽吸)/排出装置。由于这种布置，处理过的反应性气体能够被吸入，并从晶片90的外周部的周围排出。槽53c、抽吸通路53d和吸入/排出装置构成"吹出端口附近抽吸装置"或"环形空间抽吸装置"。在图25所示的用于处理基板的外周部的设备中，等离子喷嘴头的结构不同于前述的等离子喷嘴头的结构。即，图25的等离子喷嘴头30X具有对应于台10或框架50尺寸的环形结构，并同心地布置在台10和框架50的上侧。等离子喷嘴头30X能够在大量远离台10和框架50的上部分的撤回位置(这种状态未示出)和其中等离子喷嘴头30X被未示出的升降机构放置在框架50的周壁52上的设定位置(图25显示了这种状态)之间被升起和下降。当等离子喷嘴头30X被升起到撤回位置时，晶片90被放置在台10上。此后，等离子喷嘴头30X被下降到执行处理的设定位置。在整个周边上具有双管状结构的电极31X，32X容纳在等离子喷嘴头30X内部。内部电极31X与未示出的脉冲源连接，并且外部电极32X被接地。利用电极31X，32X的面对的表面，环形窄空间30ax形成在等离子喷嘴头30X的整个周边上。来自未示出的处理气体供给源的诸如氧气的处理气体被均匀地导入上端部(上游端)的整个周边上的电极间空间30ax，并在电极间空间30ax内由常压辉光放电等离化，以便产生诸如臭氧的反应性气体。如在利用上述等离子喷嘴头30的情况，固态电介质层被涂覆在电极31X，32X的面对的表面中的至少一个上。反应性气体通路30bx'形成在等离子喷嘴头30X的底部上。这种反应性气体通路30bx'自电极间空间30ax的底端部(下游端)倾斜延伸。另一方面，垂直延伸的反应性气体通路52b也形成在框架50的周壁52中，以便当等离子喷嘴头30X被设置在设定位置中时，反应性气体通路30xb'，52b被连接到等离子喷嘴头30X。由透光材料(光透射材料)组成的喷嘴36的基端部被连接到框架50的反应性气体通路52b的下端部(下游端)。喷射喷嘴36沿框架50的径向方向以其水平姿态嵌入周壁52中，并且远端部被允许从周壁52的内端表面突出。由于这种布置，喷射喷嘴36位于极接近安装在目标位置P或台10上的晶片90的外周部的背面侧的位置中。与激光照射单元22数目相同的喷射喷嘴36沿周向被间隔布置，并以一对一的关系位于与激光加热器20的激光照射单元22相同的周边位置中。由于这种布置，在内部电极空间30ax中提供反应性的处理气体穿过反应通路30bx'，32b，并通过喷射喷嘴36喷射出。如此喷射出的反应性气体击打由激光加热器20局部加热的膜92c，并通过蚀刻去除膜。即使在激光L的光路和喷射喷嘴36彼此干扰的情况下，由于喷射喷嘴36具有透光特性，如在图24的实施例的情况下，激光L也不会被阻挡。盖环37被布置在等离子喷嘴头30X的底部的径向向内部部分处。当等离子喷嘴头30X位于设定位置时，抽吸端口30cx形成在盖环37的锥形外端面与框架50的周壁52的内周表面的上部分之间。抽吸端口30cx刚好位于放置在台10上的晶片90的外端边缘上方。通过被连接到吸入/排出装置的最内端的抽吸通路30dx，抽吸端口30cx被连接到未示出的吸入/排出装置。由于这种布置，处理过的气体能够被从晶片90的外周部的周围抽吸和排出。抽吸端口30cx、抽吸通路30dx和吸入/排出装置构成"喷射端口附近抽吸装置"或"环形空间抽吸装置"。盖环37构成抽吸端口形成部件。图26中所示的用于处理基板的外周部的设备包括图24所示的用于处理基板的外周部的设备的整体和环形等离子喷嘴头30X的组合。因此，在图26的装置中，两类等离子喷嘴头30，30X被分别设置在下侧和上侧。如在前述实施例的情况下，下部等离子喷嘴头30被用于去除涂覆在晶片90背面的外周部上的膜92c。与此相反，上部等离子喷嘴头30X被用于去除涂覆在晶片90正面的外端面上的膜92(参见图3)。为了这种目的，喷射端口30bx形成在图26所示的用于处理基板的外周部的设备的等离子喷嘴头30X的底部中。与图25所示的用于处理基板的外周部的设备不同，喷射端口30bx从电极间空间30ax向下直线延伸，并通向底部表面。喷射端口30bx具有沿等离子喷嘴头30X的周向在整个周边上延伸的环形结构。当等离子喷嘴头30X被设置到设定位置时，喷射端口30bx刚好位于放置在台10上的基板的外周端口上方。来自电极间空间30ax的反应性气体通过喷射端口30bx垂直向下喷射出，并喷射在晶片90正面的外周部。一部分反应性气体环流到晶片90的外端面。这使得可以利用蚀刻去除涂覆在晶片90正面的外周部和外端面上的膜92。由于喷射端口30bx具有在晶片90的外周的整个周边上方延伸的环形结构，反应性气体能够一次喷射在晶片90外周的整个周边(或周围)。也可以接受的是用于上部和下部等离子喷嘴头30X，30的处理气体的成份能够根据涂覆在晶片90的正面和背面上的膜的种类而不同。喷射端口30bx沿抽吸端口30cx的宽度方向被布置在中央。抽吸端口30cx被分成内周侧和外周侧，喷射端口30bx被设置在内周侧和外周侧之间。抽吸通路30dx分别从内周侧抽吸端口部和外周侧抽吸端口部延伸，并被连接到未示出的吸入/排出装置。在图27所示的用于处理基板的外周部的设备中，等离子头30和激光照射单元22与图1中所示的装置的布置关系不同。g卩，在图27所示的装置中，等离子喷嘴头30被固定到框架50的底板51，远端表面刚好指向上从而喷射端口30b刚好指向上。喷射端口30b被布置为接近放置在台10上的晶片90的外周缘的下侧，并沿与晶片90的背面的外周部垂直的方向喷射出反应性气体(在穿过目标位置P并垂直于支撑表面10a的延伸表面的线上)。如放大图28所示，平板状的全反射部件25被放置在等离子喷嘴头30的远端表面的喷射端口30b的、台10侧的一部分处。在全反射部件25的、与台10侧相对的相对侧的表面朝向台10侧向上倾斜。这种倾斜表面用作用于完全反射诸如激光的光的全反射表面25a。另一方面，激光单元22被固定到框架50的周壁52，以便激光照射单元22径向向外离开等离子喷嘴头30，并且单元22的轴线被水平放置，以便激光辐照方向被径向向内定向。从激光照射单元22辐照的激光L击中反射表面25a，其中激光L被向上反射以击中晶片90背面的外周部。由于这种布置，所述晶片90背面的外周部能够被局部加热。等离子喷嘴头30的上端部的部件34等可由透光材料组成，以便允许激光L透过。在来自激光照射单元22的激光不是线性的而是向反射表面25a汇聚的锥形的情况下，也可以接受的是等离子喷嘴头30被下降以离开晶片90，并且全反射镜25的厚度增加等于降低的距离的部分，以便激光不会干扰等离子喷嘴头30。如图27所示，框架50在周壁52的上端部处沿内周边的整个周围设置有环状的盖部件80。盖部件80包括具有水平盘状的结构且从周壁52径向向内延伸的水平部分81;和从水平部分81的内端边缘的整个周围向下垂挂的筒状下垂部分82。盖部件80的截面具有L形结构。利用未示出的升降机构，盖部件80能够在大大地间隔开周壁52的上部分的撤回位置(这种状态未示出)和其中水平部分81的外周表面紧靠周壁52的内周表面的设定位置(这种状态在图27中所示)之间上升和下降。当晶片90被放置在台10上和从开台IO移去时，盖部件80被送到撤回位置，并当晶片90正被处理时，盖部件80被送到设定位置。在设定位置中，盖部件80的水平部分81和下垂部分82的内端边缘位于目标位置P或晶片90的外周部上方，并且通过与晶片90的外周部协作，盖部件80覆盖环形空间50a的上部。与环形空间50a一体连接的空间50b形成在盖部件80和周壁52之间。下垂部分82的下端部的位置略高于晶片90，以便下垂部分82和晶片90之间形成的间隙82a(图28)被很大地减小。由于这种布置，在击中晶片90的外周部后，处理过的反应性气体能够可靠地被限制在空间50a，50b中，并被防止流到晶片90的上表面的中央部侧。因此，能够防止涂覆在上表面上的膜的损坏。通过盖部件80的抽吸连接器55等，在盖部件80和周壁52之间形成的空间50b被连接到未示出的吸入/排出装置。由于这种布置，空间50a，50b内的处理过的气体能够被抽吸和排出。抽吸连接器55和吸入/排出装置构成"环形空间抽吸装置"。在图29中所示的用于处理基板的外周部的设备中，代替前述实施例中的常压辉光放电类型的等离子喷嘴头30，30X，臭氧发生器70被用作反应性气体供给器的反应性气体供给源。臭氧发生器中使用的用于生成臭氧的系统可以是诸如无声放电、表面放电等的任何类型。臭氧发生器70以与框架50间隔开的方式安装。臭氧供给管71自臭氧发生器70延伸。通过设置在底板51处的供给连接器72，所述底板51位于框架50的激光照射单元22的径向外部，臭氧供给管71被连接到框架50的周壁52的反应性气体供给通路52b。与激光照射单元22的数目相同(例如，5)的供给连接器72沿周向被等间隔地布置，并以一对一的关系位于与激光加热器22相同的周边位置中。臭氧供给管71被分支并被连接到各个供给连接器72。反应性气体通路52b从每个供给连接器72延伸。反应性气体通路52b到达周壁52的内周表面，透光喷射喷嘴36从内周表面倾斜突出；并且如在图24所示装置的情况下，喷射喷嘴36的远端部位于极接近放置在台10上的晶片90的突出的外周部的背面侧的位置中。臭氧发生器70、臭氧供给管71、供给连接器72、包括反应性气体供给通路52b的框架50、和喷射喷嘴36用作"反应性气体供给器"的组成元件。由臭氧发生器70产生的作为反应性气体的臭氧顺序经过臭氧供给管71、供给连接器72和反应性气体通路52b，并通过喷射喷嘴36喷出。由于喷射喷嘴36被布置在极接近晶片90的背面的外周部的位置中，臭氧能够可靠地击中晶片90的背面的外周部，以便在臭氧被扩散和失去活性前有效地去除膜92c;并且在喷射喷嘴36与从激光加热器20发出的激光L的光路干扰的情况，如在图6所示装置的情况下，激光L能够透过喷射喷嘴36，并且晶片90的目标部分能够可靠地被加热。类似地，如对于图1到24所示的情况下，处理过的气体经过诸如抽吸装置的排放路径，即位于喷射喷嘴36附近的抽吸通路和抽吸连接器57，或者诸如空间50a的另一排放路径和迷宫密封件60的间隙，并被未示出的吸入/排出装置吸入和排放。盖部件80被布置在上部周壁53上方。如在利用图27所示装置的情况下，盖部件80能够由未示出的升降机构在向上的撤回位置(由图29中的虚线指示)和设定位置(由图29的实线指示)之间升起和下降。位于设定位置中的盖部件80邻接上部周壁53的上表面，并径向向内延伸。盖部件80的内端部的下垂部分82位于台10的外周缘上方。由于这种布置，盖部件80仅覆盖环形空间50a。如在利用27所示装置的情况下，这使得可以防止处理过的臭氧流向晶片90的上表面的中心侧。在图30所示的用于处理基板的外周部的设备中，代替前述实施例的激光加热器20，使用了红外线加热器120。如图30和图31所示，红外线加热器120包括包括诸如卤素灯的红外线灯121的光源；和作为照射器、用于以汇聚方式辐照光束的光学系统122。红外线加热器120具有沿框架50的周向在整个周边延伸的环形结构。即，红外线灯121是沿框架50的周向在整个周围上延伸的环形光源，并且光学系统122也沿框架50的周向布置在整个周边。其中，光学系统122包括诸如抛物线反射器、凸透镜和柱面透镜的汇聚系统；诸如带通滤光器的波长抽取部件。而且，焦点调节机构被装入光学系统122中。光学系统122被设计为来自红外线灯121的红外线光穿过带通滤光器，由抛物线反射器和透镜凝聚，并汇聚到晶片90的背面的外周的整个周围。由于这种布置，涂覆在背面的外周部的膜92c能够一次性在整个周围上被局部加热。这里使用的红外线灯121可以是远红外线灯或近红外线灯。发射波长例如从760rim到10000nm。其中，与膜92c的吸收波长匹配的适合的光被带通滤光器选择提取。通过这样做，膜92c的加热效率能够被进一步提高。灯冷却通路125在整个周围形成在红外线加热器120内。通过冷却介质前向通路126和冷却介质后向通路127，灯冷却通路125与未示出的冷却介质供给源连接。由于这种布置，能够冷却红外线加热器120。冷却介质(或冷却剂，制冷剂)的实例可包括水、空气、氦气等。在空气和水被用作冷却介质的情况下，它们可以被排放，不用将它们从后向通路127返回到冷却介质供给源。这种用于冷却加热器的冷却介质供给源可共同地用作用于吸收基板的热量的冷却介质供给源。用于冷却加热器的灯冷却通路125、前向通路126、后向通路和冷却介质供给源构成"辐射加热器冷却装置"。作为反应性气体供给器的反应性气体供给源，臭氧发生器70被用于图29所示的装置中。通过臭氧供给管71，臭氧发生器70被连接到框架50的多个供给连接器72。供给连接器的数目比较大，例如为8个。这些供给连接器72沿周壁52的外周表面的上部分在周向上等间隔地布置。周壁52的上部分被设置作为喷射通路和喷射端口形成部件。即，连接到那些供给连接器72的反应性气体通路73以水平姿态径向向内并沿周向以环形方式在整个周围上形成在周壁52的上部分中。反应性气体通路73通向周壁52的内周边的整个周围，并且反应性气体通路73的开口部分用作环形喷射端口74。喷射端口74的高度略低于台10的上表面，从而低于将被放置在台10的上表面上的晶片90的背面。喷射端口74被布置在晶片90的外周缘附近，以便包围整个周边。来自臭氧发生器70的臭氧被导引到反应性气体通路73的各个位置，各个供给连接器72在所述各个位置被连接到反应性气体通路73，并且然后被从喷射端口74的整个周围径向向内喷射出，同时沿反应性气体通路73的周向在整个周围上扩展。由于这种布置，臭氧能够一次喷射在晶片90的背面的外周部的整个周边，并且涂覆在整个周边上的膜92c能够被从那里有效地去除。在图30所示的装置中，如上所述由于晶片90的整个周边能够一次性处理，台10不需要旋转，但台10优选地旋转，以便执行沿周向的均匀处理。在图30所示的装置中，当盖部件80被设置在设定位置时，抽吸通路53d形成在周壁52的上表面和盖部件80之间的整个周边上。通过设置在盖部80上的抽吸连接器57，抽吸通路53d被连接到未示出的吸入/排出装置。由于这种布置，处理过的气体能够被抽吸，并从晶片90的外周部的周边排出。在晶片的外端边缘从台10突出3ram，并且冷却介质室41内的水温为5摄氏度、20摄氏度和一5摄氏度的情况下，使用与图30所示相同的装置，本本发明人测量了晶片的表面温度对比从晶片的外端边缘的被加热部分的附近在径向向内方向上的距离。红外线加热器120的输出条件如下。光源环形卤素灯会聚光学系统抛物线反射器发射光波长800到2000腦输出200W被局部加热部分的宽度2mm结果如图32所示。已确认在常压下水温为20摄氏度的情况下，由于热传导，晶片的外端边缘的被加热部分的附近的温度变成约80摄氏度(被加热部分中为400摄氏度或更高)，但从那里径向向内9mm或更多的部分处，水温被保持在50摄氏度或更低的低温，从而能够抑制膜的损坏。如图33所示，通过分解臭氧获得的氧原子基的寿命取决于温度。寿命在25摄氏度的附近足够长，但在50摄氏度的附近被减小一半。另一方面，由于为了获得与膜92c的反应执行了加热，存在臭氧喷射通路的温度被增加的担心。考虑到上述，在图34所示的用于处理基板的外周部的设备设有喷射通路冷却(温度调节)装置。g卩，反应性气体冷却通路130形成在作为喷射通路形成部件的框架50的周壁52内，并且通过冷却介质前向通路131和冷却介质后向通路132，未示出的冷却介质供给源被连接到反应性气体冷却通路130，以便能够循环冷却介质。作为冷却介质，使用例如水、空气、氦气等。在空气和水被用作冷却介质的情况下，冷却介质可以被排放，不用将它们从后向通路132返回到冷却介质供给源。喷射通路冷却冷却介质供给源可与用于吸收基板的热量的冷却介质供给源共用。通过如此做，穿过反应性气体通路52b的臭氧能够得到冷却，并能够抑制臭氧原子基的量的减小，从而保持活性。这样，用于去除膜92c的效率能够被提高。在图34所示的用于处理基板的外周部的设备中，与图29所示相同的臭氧发生器被用作反应性气体供给源。也可以接受的是使用图24所示的等离子喷嘴头的装置设有反应性气体冷却通路130，以便反应性气体通路52b能够得到冷却。作为惰性气体喷射部件，惰性气体喷嘴N被设置在台10的中心上方，并且从而被设置在放置在台10上的晶片的中心上方，以便喷射端口方向正好指向下。惰性气体喷嘴N的上游端被连接到未示出的惰性气体供给源。例如，来自惰性气体供给源的、作为惰性气体的氮气被导引到惰性气体喷嘴N，然后通过喷射端口喷射出。沿晶片90的上表面，如此喷射出的氮气从中心以径向方式被径向向外扩散。不久以后，氮气到达晶片90的上表面的外周部的附近和盖部件80之间的间隙82a，并且通过间隙82a，部分气体趋于环流到晶片90的背侧。利用这种氮气流，围绕晶片90的外围部分的背侧的处理过的反应性气体能够被防止环流到基板的前侧，并且从而，被可靠地防止通过间隙82a泄漏出。当晶片90被放置在台10上和从台10移去时，惰性气体喷嘴N被撤回以便不干扰晶片90。在图34所示的用于处理基板的外周部的设备中，激光加热器20被用作辐射加热器。也可以接受的是如图35所示，代替激光加热器20，也可以使用红外线加热器120。如在图30所示的装置的情况下，红外线加热器120以环形方式延伸遍及框架50的整个周边。在图36所示的用于处理基板的外周部的设备中，自臭氧发生器70的供给连接器72被布置在底板51的激光照射单元22和迷宫密封件60之间。作为喷射通路形成部件的管状喷射喷嘴75被连接到供给连接器72。喷射喷嘴75从供给连接器72直线向上延伸。喷射喷嘴75邻接台10的周围表面的底部分附近并弯曲。然后，喷射喷嘴75沿台10的锥形周边侧表面倾斜向上延伸。喷射喷嘴75的远端开口用作喷射端口，并位于台10的周边侧表面的上部边缘的附近。喷射端口面对放置在台10上的晶片90的背面的外周部，以便臭氧能够通过喷射端口向膜92c喷出。根据上述结构，通过将冷却介质传送入限定在台10内的冷却介质室41，不仅晶片90能够被吸热和冷却，而且喷射喷嘴75也能够得到冷却。这使得基板吸热器也可以用作喷嘴通路冷却(温度调节)装置。因此，由于无需如图34中形成反应性气体冷却通路130等，能够实现成本的降低。优选地，诸如油脂的摩擦减小材料被应用到台10的周边侧表面或喷射喷嘴75的外周表面，以便减小由台10的旋转引起的摩擦。在图37所示的用于处理基板的外周部的设备中，台阶部12形成在台10的上表面的外周部的整个周边上。由于这种布置，当晶片90被放置在台10上，凹部(气体贮存器)12a形成在台阶部12和晶片90之间。凹部12a延伸遍及台10的整个周边并径向向外敞开。沿凹部12a的径向方向的深度例如约3到5mm。通过喷射喷嘴36喷射出的臭氧流入凹部，即气体贮存器12a，并暂时保存在这里。由于这种布置，能够获得臭氧和涂覆在晶片90的背面的外周部上的膜92c之间的足够的反应时间，并且能够提高处理效率。在图38所示的用于处理基板的外周部的设备中，外壳En被径向设置在台10的外周部的外部。基板插入孔10a形成在外壳En的面向台10的内周侧壁中。通过基板插入孔10a，放置在台10上的晶片90的突出的外周部被插入外壳En。等离子喷嘴头30的远端部穿过外壳En的外周侧壁，从而反应性气体喷射端口被布置在外壳En内。另一方面，例如，激光加热器20的激光照射单元22作为辐射加热器被间隔开地布置在外壳En下面，即外壳En的外部。外壳En例如由诸如石英、硼硅酸盐玻璃和透明树脂的透光材料组成。由于这种布置，来自激光照射单元22的激光L穿过外壳En的底板，并被局部地辐照到晶片90的背面的外周部。由此，所述晶片90的背面的外周部能够被局部辐照加热。另一方面，由等离子喷嘴头30产生的诸如氧基和臭氧的反应性气体被喷射入外壳Em并击中被局部加热的部分，以便涂覆在被局部加热部分上的膜92c能够被可靠地去除。由于外壳En的设置，处理过的反应性气体能够被防止泄露到外部。然后，处理过的反应性气体被吸入等离子喷嘴头30的抽吸端口且通过等离子喷嘴头30的抽吸端口被排出。可以接受的是至少面对照射单元22的外壳En的底板由透光材料组成。图39显示了辐射加热器的光学系统的另一实施例。作为用于将输出光直线传输到晶片90的外周部的光学系统，光纤电缆23(波导)被可选地连接到激光加热器20的光源21。光纤电缆23由大量光纤的束组成。光纤的束从激光源21延伸，并沿多个方向分支以形成多个分支电缆23a。每个分支电缆23a可由单条光纤组成，或由多条光纤的束组成。那些分支电缆23a的远端部延伸到台10的外周部，并沿台10的周向等间隔地布置。每条分支电缆23a的远端部以向上指向的方式布置，以便它垂直于并且面对处于正好在目标位置P或放置在台10上的晶片90的背面的外周部的附近下面的晶片90。等离子喷嘴头30被水平放置，以便它以一对一的关系对应于各个分支电缆23a的远端部。虽然未示出，每条分支电缆23a的远端部优选地设有激光照射单元22。根据上述结构，通过光纤电缆23，来自激光源21的激光被无扩散地朝向晶片90的背面的外周部传输。而且，激光通过分支电缆23a以分布的方式被传输到周围不同的位置。然后，激光从每个分支电缆23a的远端表面向上输出。这使得可以从其附近将激光辐照到晶片90的背面的外周部。来自单个点状光源21的点状激光能够沿晶片90的周向被辐照到多个点。这使得可以通过加热这些点同时去除膜。而且，能够自由建立布置光源21的位置。能够容易地进行光纤的分布。也可以接受的是诸如柱状透镜的汇聚光学部件被布置在分支电缆23a的远端处，以便输出的光被汇聚。也可以接受的是多个光源21被提供，并且从每个光源21引出的每条光纤电缆23可延伸向预定的周边位置。在光纤的远端部和喷射端口之间可存在多种布置关系。一个实例是光纤的远端部相对于晶片90被倾斜放置，并且等离子喷嘴头30的喷射端口在晶片90正下方。当然，代替等离子喷嘴头30，可以使用臭氧发生器70，并且代替激光源21，可以使用红外线灯。图40显示了诸如图24等中所示的装置的喷射喷嘴36的喷射端口形成部件的修改实施例。如图40(a)所示，作为转动流(转向流)形成部分，多个(例如4个)孔状转动导引孔36b沿周向等间距地形成在喷射喷嘴36x的周壁中。转动导引孔36b沿喷嘴36X的内周的大体切线方向，即喷射端口36a的内周表面，延伸，并被允许从外周表面穿过喷嘴36X的周壁到内周表面。而且，如图40(b)所示，当从喷嘴36X的周壁的外周表面到内周表面(即，径向向内)时，转动导引孔36b沿喷嘴36X的远端方向倾斜。每个转动导引孔36b的外周侧端部被连接到喷射通路52b，并且内周侧端部被连接到喷射端口36a。因此，转动导引孔36b构成喷射通路52b和喷射端口36a或喷射端口的上游侧通路部分之间的连通通路。—根据这种喷射喷嘴36X，通过倾斜喷射出来自喷嘴通路52b的反应性气体进入喷射端口36a，可以形成沿喷射喷嘴36a的内周表面的转动流(转向流)。由于这种布置，反应性气体能够被均匀地供给。而且，由于在经过孔状转动导引孔36之后，反应性气体通过比较大的喷射端口36a喷射出，压力损失能够使反应性气体更均匀。如此均匀的反应性气体的转动流通过喷嘴36X有力地喷射出，并击中晶片90的背面的外周部，从而以适合的方式执行膜去除操作。在图41和42所示的用于处理基板的外周部的设备中，处理头100被设置在台10的侧部。这个装置主要设计用于去除涂覆在晶片90的外周部的背面的膜。处理头100被布置为低于台10的上表面。在涂覆在晶片90的外周部的前侧上的膜将主要被去除的情况下，处理头100可被简单地上下倒置，并在那种情况下布置为高于台10。处理头100设有喷射喷嘴75和吸入/排出喷嘴76。臭氧供给管71从作为反应性气体供给源的臭氧发生器70延伸，并且这个臭氧供给管71通过处理头100的连接器72被连接到喷射喷嘴75的底端部。喷射喷嘴75被布置为低于目标位置(放置在台10上的晶片90的外周部)。喷射喷嘴75的远端部的喷射杆L75通常沿晶片90的外周的周向(切线方向)延伸，并朝向台10轻微倾斜，即在俯视图中径向向晶片90内倾斜。在正视图(图42)中，喷射杆L75朝向晶片90向上倾斜。喷射喷嘴75的远端的喷射端口面对目标位置P的附近(晶片90的外周部的背面)。优选地，至少喷射喷嘴75的远端部由诸如例如透光特氟隆(注册商标)、pylex(注册商标)玻璃、石英玻璃等的透光材料组成。连接到吸入/排出喷嘴76的连接器被设置在与处理头的喷射侧的连接器72相对的侧部。排出管78从连接器77延伸，并且排出管78被连接到包括排出泵等的排出装置79。吸入/排出喷嘴76被布置为低于目标位置P(放置在台10上的晶片90的外周部)。在俯视图(图41)中，吸入/排出喷嘴76的远端部的抽吸杆(或吸杆)L76大体直地朝向晶片90的外周的切线方向。在正视图(图42)，抽吸杆L76朝向晶片90向上倾斜。排出喷嘴76的远端的抽吸端口位于与喷射喷嘴75的喷射端口几乎相同的高度(在晶片90的背面正下面)。如图41所示，在俯视图中，喷射喷嘴75的远端部和排出喷嘴76的远端部被布置为沿晶片90的外周(径向设置在台10的上表面外的假想环形表面C)的周向(切线方向)彼此相对，并且目标位置P位于它们之间。目标位置P被布置在喷射喷嘴75的远端的喷射端口和排出喷嘴76的远端的抽吸端口之间。喷射喷嘴75沿台10由此沿晶片90的旋转方向(例如，在俯视图中顺时针方向)布置在上游侧。类似地，吸入/排出喷嘴76被设置在下游侧。考虑到将去除的膜92c的反应温度、台10的旋转速度，激光加热器20的加热量等，喷射喷嘴75的喷射端口和吸入/排出喷嘴76的抽吸端口之间的距离合适地建立在例如几毫米到几十毫米的范围内。在光致抗蚀剂将被去除的情况下，喷射喷嘴75的喷射端口和吸入/排出喷嘴76的抽吸端口之间的间隔建立在其中晶片的处理温度为150摄氏度或更多的范围内，优选地例如在5mm到40mm的范围内。排出喷嘴76的抽吸端口的直径比喷射喷嘴75的喷射端口的直径更大，例如约2—5倍。例如，喷射端口的直径约为1到3mm，同时抽吸端口的直径约为2到15mm。如图42所示，作为辐射加热器，激光加热器20的激光照射单元22被设置在处理头100的下侧部分处。激光照射单元22被设置为比喷嘴75，76低，并如图41所示，在俯视图中，被布置在喷射喷嘴上75的远端部和排出喷嘴76的远端部之间。目标位置P被定位在激光照射单元22正上方。根据上述结构，通过光纤电缆23，来自激光源21的激光从激光照射单元55以汇聚方式正向上地辐照。由于这种布置，所述晶片90的外周部的背面被局部加热。这种被局部加热的部分根据台10的旋转沿旋转方向向下游侧移动，同时短时间保持高的温度。因此，晶片90的外周部的温度不仅在激光照射单元22正上方的被辐照部分(目标位置P)处高而且在从那里沿旋转方向位于下游侧的部分处温度高。当然，位于激光照射单元22正上方的目标照射部分P温度最高，并且温度从那里沿旋转方向朝向下游侧降低。由双点划线指示的曲线T显示了晶片90的温度分布。高温区域分布围绕目标照射部分P沿旋转方向偏向下游侧(这种辐照加热操作也将参照图43和46的实施例进行描述)。与激光加热和台旋转并行地，臭氧发生器70的臭氧气体顺序流经供给管71、连接器72和喷射喷嘴75，然后沿喷射杆L75通过喷射喷嘴75喷射出。这种臭氧被喷射到晶片90的外周表面的背面的目标照射部分(目标位置P)附近的周边上。由于喷射杆L75具有向上的角度，臭氧气体能够可靠地击中晶片90。类似地，由于喷射杆L75被给定径向向内的角度，臭氧气体被稍微向晶片90内喷射。由于这种布置，能够可靠地防止臭氧从晶片90的外端面流到前侧四周。在击中晶片90的背面后，臭氧气体几乎沿晶片90的外周的目标照射部分中的切线短时间流向排出喷嘴76，且不会离开晶片90的背面。由于这种布置，能够获得臭氧和涂覆在晶片90的背面的膜92c之间的足够的反应时间。臭氧气体流沿温度分布的偏离方向移动。因此，在喷射后不久，不仅在目标照射部分P处，而且在位于目标照射部分P下游侧的排出喷嘴76上的部分处，臭氧气体能够与膜92c产生反应。因此，能够提高处理效率。同时，抽吸装置79被致动。通过这样做，处理过的臭氧和反应副产品能够被引入排出喷嘴76的抽吸端口，以便从那里被抽吸和排出，并不会被扩散。由于抽吸端口比喷射端口更大，处理过的臭氧气体等能够确实地被捕获和吸入，并且处理过的臭氧气体等能够被确实地防止扩散。因此，臭氧气体等能够可靠地被防止环流到晶片90的前侧(正侧)，并且前侧膜92能够可靠地被防止例如特性改变或类似形式的损坏。而且，反应的副产品能够被快速地从晶片90的目标点的周围清除。如由箭头曲线所示，台10的旋转方向沿从喷射端口75到抽吸喷嘴76的正常方向(沿臭氧气体流的方向)定向。图43和图44显示了图41和42的实施例的修改实施例。用于处理基板的外周部的设备的处理头100设有用于保持喷射喷嘴75的喷嘴保持部件75H。喷嘴保持部件75H由具有优良导热特性的诸如铝的材料制成。冷却通路130形成在喷嘴保持部件75H内，并且诸如水的冷却介质被允许穿过冷却通路130。由于这种布置，保持部件75H能够得到冷却从而喷射喷嘴75能够得到冷却。在俯视图中，激光照射单元22的位置被设置在喷射喷嘴75的远端部和抽吸喷嘴76的远端部之间的中间部分处。而且，它们被设置在朝向喷射喷嘴75的一侧。喷射喷嘴75和吸入/排出喷嘴76均可拆开地连接到处理头100。由于这种布置，结构能够根据需要被改变为最适合的结构。在供给臭氧时，冷却介质穿过喷嘴保持部件75H的冷却通路130。通过如此做，喷射喷嘴75能够通过喷嘴保持部件75H被冷却，从而，通过喷射喷嘴75的臭氧气体能够被冷却。由于这种布置，氧原子基的数量能够被防止减小，并且活性能够保持很高。因此，通过可靠地使臭氧气体与膜92c反应能够执行蚀刻。与供给臭氧并行地，激光加热器20被打开，以便激光L从照射单元22向正上方发射。如图45(b)的仰视图所示，这个激光以点状的方式被辐照到晶片90背面的极小的区域Rs。这个区域Rs位于喷射喷嘴75的喷射端口和抽吸喷嘴76的抽吸端口之间，并与臭氧气体经过通路一致。这个区域Rs被局部辐照加热且瞬时到达到诸如几百摄氏度的高温。通过使臭氧与具有高温的区域Rs接触，反应能够被改进并且能够提高处理效率。根据台10的旋转从而根据晶片90的旋转，局部辐照加热区域Rs被顺序移位。即，晶片90外周的背面的每个点仅瞬时定位在辐照加热区域Rs，并迅速经过该区域。因此，辐照加热时间段是瞬间的。例如，假设晶片90的直径是200画，旋转速度是1rpm，并且辐照区域Rs的直径是3ram，辐照加热时间段仅约0.3秒。另一方面，当晶片90外周的背面的每个点一旦被加热，热量在那里保持很短时间，即使在每个点经过该区域后。因此，每个点的温度仍很高(参见图46的表面温度分布图表)。在这种高温时期期间，每个点仍位于喷射喷嘴75和抽吸喷嘴76之间的臭氧气体的经过通路中，并且臭氧仍保持与其接触。由于这个特性，处理效率能够得到更大的提咼°而且，由于辐照区域Rs被偏离向喷射喷嘴75侦IJ，当每个点与臭氧接触时，晶片90外周的背面的每个点迅速被加热。此后，这个点短时间保持高温，即使在它从辐照加热区域Rs移动离开后。在每个点保持高温的时间期间，点被保持与臭氧接触。由于这个特性，处理效率能够得到更大的提高。另一方面，位于晶片90的外周部内侧的部分不直接接受来自激光加热器20的辐照热量。而且，这种特定部分被热吸收，并由台10内的冷却介质冷却。因此，即使辐照加热区域Rs的热量应被传送到特定部分，能够抑制温度增加，因此，能够可靠地保持低温状态。这使得可以可靠地防止不应被去除的膜92上出现损坏，并且能够保持极佳的膜质量。图46(a)显示了在旋转晶片的背面的外周部被激光局部辐照加热时的特定时刻，晶片正面的温度分布；并且图46(b)显示了温度的单个测量结果对比背面的周边位置。激光输出是100W，并且旋转速度是1rpm。辐照区域Rs的直径约为3mm。位于图46(a)的晶片90的外周上的位置0对应于图46(b)的横轴的原点。图46(b)的横轴显示了有关从位置0的距离，晶片的背面的外周部的各个点。在图46(a)和46(b)中，辐照区域Rs和包括区域Rs的区域Ro具有对应的关系。区域Ro对应于喷射喷嘴和抽吸喷嘴之间的长度D(参见图45(b))部分。如从图46(b)很明显，即使在进入辐照区域Rs前的区域中，由于这种区域很小，由于来自辐照区域Rs的热传导，温度变成150摄氏度或更高。在辐照区域Rs中，温度马上上升，并显示350摄氏度到790摄氏度的温度分布。在紧接着辐照区域Rs的区域中，温度下降，但短期仍保持在150摄氏度或更高的水平。即，保持足以去除有机物质的高温。从前述很明显旋转与辐照加热的结合对于去除有机物质很有效。紧接着辐照区域Rs的保持高温的区域范围取决于激光输出和台的旋转速度。喷射喷嘴和抽吸喷嘴之间的距离D(区域Ro的宽度)可根据这个建立。为了降低辐照区域Rs的温度，激光输出被减小，并且台的旋转速度被增加。作为对比，为了提高温度，激光输出被增加并且台的旋转速度被减小。在图47和48所示的用于处理基板的外周部的设备的处理头100被布置为高于放置在台10上的晶片90。喷射喷嘴75和吸入/排出喷嘴76也被设置为高于晶片90。如在图41到44的情况下，在俯视图中，那些喷嘴75，76通常沿晶片90的周向(目标位置P附近的切线方向)被彼此相对地布置，目标位置P设置在喷嘴75，76之间。激光加热器20的照射单元22被布置在目标位置P正上方，姿态为方向指向下。通过目标位置P,辐射单元22的激光轴线沿与晶片90垂直的法线延伸，并且焦点被固定到目标位置P。来自照射单元22的激光被辐照到晶片90的外周部的正面的目标位置P，并且涂覆在目标位置P的前侧(正侧)的膜被辐照加热。与此同时，来自臭氧发生器70的臭氧被喷射出来，并且然后，通过喷射喷嘴75喷射到晶片90的外周的正面上。然后，臭氧在目标位置P附近几乎沿晶片90的切线方向流动。由于这种布置，涂覆在晶片90的外周的前侧上的不需要的膜能够被去除。晶片90上的气体流沿晶片90的旋转方向，并且还沿由残余热量导致的高温区域形成方向(图46(a))。由于这个布置，处理效率能够得到提高。由于抽吸喷嘴76的吸附和晶片90的旋转，处理过的气体(包含诸如粒子的反应副产品)被保持为沿其被喷出时刻的流动方向，并在那种情况下被吸入抽吸喷嘴76，然后被排出。由于这种布置，能够防止粒子沉积在晶片90的外周上。由于抽吸喷嘴76具有比喷射喷嘴75更大的孔，处理过的气体的泄漏能够得到抑制。图49显示了抽吸喷嘴的布置的修改实施例。在俯视图，抽吸喷嘴76从台10的半径外部，从而从晶片90的半径外部朝向半径内部布置，以便与喷射喷嘴75垂直。抽吸喷嘴76的远端的抽吸端口的位置被布置为沿晶片90的放置方向的法线方向略微离开喷射喷嘴75的喷射端口。在抽吸喷嘴76的远端的上下方向上的位置被布置在与台10的上表面从而与晶片90的上表面几乎相同的高度处。根据上述结构，通过喷射喷嘴75喷射出、起反应和处理过的气体(包含诸如粒子的反应副产品)能够从晶片90的顶部快速送到半径外部，然后，被吸入抽吸喷嘴76并被排出。这样，能够防止粒子沉积在晶片90上。在图50中所示的抽吸喷嘴的结构中，抽吸喷嘴76被布置为低于放置在台10上并处于向上定向姿态的晶片90的外周部的极接近部分。抽吸喷嘴76的远端的抽吸端口的位置被布置为沿晶片90的旋转方向的法线方向略微离开喷射喷嘴75的远端的喷射端口。由于这种结构，如图51所示的箭头指示，通过喷射端口76喷射出的气体沿晶片90的外周部的上表面的外端面流向下表面。在这种过程期间，气体与涂覆在晶片90的外端面上的不需要的膜92c反应，并且涂覆在外端面上的膜92c能够被可靠地去除。处理过的气体(包含诸如粒子的反应副产品)被吸入下部抽吸喷嘴76并被排出。在图52和53所示的用于处理基板的外周部的设备中，照射单元22被布置为比晶片90更高，并处于从半径外部朝向晶片90的外周部(目标位置P)的倾斜姿态。照射单元22的倾斜角度例如约45度。如图54所示，来自照射单元22的辐照光轴线L20(激光光束的中心轴线)与晶片90的外周部的向上部倾斜部分交叉，并与刚好在穿过点(或横断点)处的膜的正面的法线对准。或者光轴线L20通常与刚好在穿过点处与宽度方向对准。照射单元22设有会聚光学系统，会聚光学系统包括凸透镜；柱面透镜等，并且被构造为通过光纤23将来自光源21的激光L以汇聚方式照向与晶片90的外周部的上部倾斜部分的光轴线20的穿过点(被辐照的点)。如图54所示，根据上述构造，来自照射单元22的激光以约45度的角度从晶片的外周部的上方和半径外部向下倾斜地照向晶片90的外周部并逐渐被汇聚。然后，激光被辐照到晶片90的外周部的向上部倾斜部分。激光轴线L20通常垂直于将被辐照的点，并形成约0度的入射角。由于这种布置，加热效率能够得到提高，并且在被辐照的点的周围的晶片90的外周部能够被局部和可靠地加热到高温。来自喷射喷嘴75的臭氧与这种被局部加热部分接触。通过如此做，如图55所示，膜92c能够以高蚀刻速度被有效去除。如图54所示，本发明人进行了用于以汇聚方式以45度的角度从倾斜上部将激光局部辐照到晶片的外周部的实验。所述晶片的旋转速度是50rpm，并且激光输出是130W。所述晶片的垂直外端面的表面温度利用温度记录法测量。在将被辐照的点正下方的位置中，测量结果是235.06摄氏度。类似地，通过使激光辐照角度相对于垂直方向成30度，并使所有其它条件与上述45度的情况相同，执行另一实验。在将被辐照的点正下方的位置，测量结果是209.23摄氏度。从上述结果，很明显能够获得充分大的蚀刻速度。本发明人还执行了比较实验。激光从晶片的外周部正上面辐照。诸如晶片的旋转速度和激光输出的所有其它条件与上述实验的相同。所述晶片的垂直外端面温度是114.34摄氏度。这个温度低于蚀刻的上升温度。这样的原因能够考虑从正上方(从相对于晶片的90度的方向)的激光照射不会直接击中晶片的垂直外端面。而且，也很明显如果如图54所示辐照方向对角倾斜为45度，能够使加热温度几乎是90度的两倍。可以接受的是激光辐照轴线L20从朝向晶片90半径的外部下倾的角度被指向晶片90的外周部。这个激光辐照轴线L20的下倾角度可被下倾在对角的范围内，而且可倾斜直到它变成水平。在激光辐照轴线L20下倾直到它变成水平的情况下，从晶片90的正侧面，来自照射单元22的激光垂直击中晶片90的外端面。这种入射角几乎为零。由于这种布置，在晶片90的外端面上涂覆的膜92c能够更可靠地被加热，并能够进一步提高蚀刻速度。本发明人执行了加热实验，其中如图56所示，照射单元22水平倒下，激光以汇聚的方式从正旁边辐照到晶片的外周部，并且所有其它条件与图54的实验相同(晶片的旋转速度50rpm，激光输出130W)。然后，测量晶片的垂直外端面的表面温度。测量结果是摄氏256.36度。由此很明显通过从晶片的正侧面，将激光辐照到晶片的垂直外端面，温度能够更大地增加，并且能够以更快的速度执行处理。如图57所示，诸如碳氟化合物的有机膜92也容易以环流(向四周流动)到晶片的外周部的背侧的方式形成在晶片的外周部的背侧(下侧)。在将去除涂覆在晶片90的外周部的所有膜的背面上涂覆的膜的情况下，照射单元22可被布置在比晶片90低并在半径外部的位置，以便激光能够从那个位置被辐照向晶片90的外周部。由于上述布置，来自照射单元22的激光以汇聚方式从晶片90下面的位置和半径外部倾斜向上照向晶片90的外周部。这种激光轴线L20的角度例如约45度。这种激光使得以接近0度的角度入射到晶片90的外周部的下部倾斜部分。由于这种布置，特别地，涂覆在晶片90的所有外周部的背面上的膜92c能够被加热到高温，并且涂覆在背侧上的膜92c能够被可靠地蚀刻并以高速去除。在这种背面处理中，喷射喷嘴75和排出喷嘴76也优选地布置在晶片90的外周部下面的位置中。如图58所示，垂直于晶片90的照射单元22X可以与以下倾姿态布置的照射单元22分离地使用。通过光纤电缆23X，垂直照射单元22X被连接到激光源21X，激光源21X与下倾照射单元22被连接到的一个单元分离。也可以接受的是两个分支光缆被从相同的激光源引出，以便分支光缆的一个被连接到垂直照射单元22X而另一个被连接到下倾照射单元22。根据包括照射单元22，22X的装置结构，通过主要使用下倾照射单元22加热到高温，涂覆在晶片90的外周的倾斜部分和外端面上的膜92c能够被有效地去除；并且主要使用垂直照射单元22X，涂覆在晶片90的外周的平坦表面部分上的膜22c能够被有效去除。由于这种布置，能够可靠地去除涂覆在晶片90的外周部上的整个不需要的膜92c。照射单元22的角度不局限于固定的角度。代替地，如图59所示，可以使用可变角度。图59中所示的用于处理基板的外周部的设备设有照射单元22用的移动机构30。移动机构30设有滑动导引器31。滑动导引器31具有从约12点钟的位置到约3点钟的位置延伸约90度的、约1/4的圆周的弧形结构。所述晶片90的外周部(目标位置P)被布置在对应于滑动导引器31的弧形结构的中心的位置。照射单元22被安装在滑动导引器31上，从而照射单元22可沿滑动导引器31的周向滑动。由于这种布置，照射单元22和激光轴线L20—直指向晶片90的外周部，并且可在正位于晶片90的外周部上面的垂直姿态位置(其中照射单元22和激光轴线L20采取由图59的双点划线指示的垂直姿态)和在晶片90正旁边的水平姿态位置(其中照射单元22和激光轴L20采取由图59的虚线指示的水平姿态)之间在90度的角度范围内调节。照射单元22和激光轴线L20的移动轨迹被布置在垂直于包括10和晶片90的单个半径的台10和晶片90的上表面的垂直平面上。虽然未示出，移动机构30设有用于沿滑动导引器31在垂直姿态位置和水平姿态位置之间移动照射单元22的驱动装置。如图59的实线所示，根据配置这种移动机构30的用于处理基板的外周部的设备，当晶片90的外周部的上部倾斜部分主要被处理时，照射单元22和激光轴线L20朝向晶片90的上侧被倾斜例如约45度的角度。通过如此做，几乎在其中心和其外围，晶片90的外周部能够被可靠地加热到高温，并且涂覆在上部倾斜部分的外围上的不需要的膜92c能够以高蚀刻速度可靠地去除。如图59的虚线所示，当晶片90的垂直外端面主要被处理时，照射单元22和激光轴线L20下降到晶片90正旁边，并进入水平姿态。通过如此做，晶片90的外端面及其周边能够主要被加热到高温，并且涂覆在外端面的周边的不需要的膜92c能够以高蚀刻速度被可靠地去除。如图59的双点划线所示，当晶片90的外周的上部平坦表面部分将主要被处理时，照射单元22和激光轴线L20被定位在晶片90正上方，从而它们釆取垂直姿态。通过如此做，晶片90的外周的上部平坦表面部分及其周边能够可靠地主要加热到高温，并且涂覆在上部平坦表面的周边上的不需要的膜92c能够以高的蚀刻速度被可靠地去除。采用如上提及的方法，晶片90的外周部的各个部分能够得到有效地处理。如图60所示，当主要处理涂覆在晶片90的外周部的背面侧的膜时，移动机构30的滑动导引器31可具有从约3点钟的位置到约6点钟的位置延伸约90度的、1/4圆周的弧形结构。照射单元22和激光轴线L20总指向晶片90的外周部(目标位置P)，并可在其中照射单元22和激光轴线L20在晶片90正旁边采用水平姿态的水平姿态位置(由图60的虚线所示)和其中照射单元22和激光轴线L20在晶片90的外周部正下面采取垂直姿态的垂直姿态位置(由图60的双点划线所示)之间在90度的角度范围内调节。由于上述布置，如图60的实线所示，当晶片90的下部倾斜部分将主要被处理时，照射单元22和激光轴线L20被倾斜，例如晶片90向下约45度。由于这种布置，晶片90的外周部的上部倾斜部分及其周边能够可靠地加热到高温，并且涂覆在上部倾斜部分的周边上的不需要的膜92c能够以高蚀刻速度被可靠地去除。如图60的虚线所示，当晶片90的垂直外端面主要被处理时，照射单元22和激光轴线L20落在晶片90正旁边，并采取水平姿态。由于这种布置，晶片90的外端面及其周边能够可靠地被加热到高温，并且涂覆在外端面的周边上的不需要的膜92c能够以高蚀刻速度可靠地去除。如图60的双点划线所示，当晶片90的外周的背侧的平坦表面部分将被处理时，照射单元22和激光轴线L20定位在晶片90正下方，从而它们采取垂直姿态。由于这种布置，晶片90的外周的背侧的平坦表面及其周边能够可靠地被加热到高温，并且涂覆在背侧的平坦表面部分的周边上的不需要的膜92c能够以高蚀刻速度地被可靠地去除。釆用如上提及的方法，晶片90的外周部的各个部分能够得到有效地处理。在图59和60中，滑动导引器31具有1/4圆周的弧形结构，并且照射单元22和激光轴线L2的角度调节范围约为90度。也可以接受的是导引器31具有从约12点钟的位置到约6点钟的位置延伸约180度的、约1/2的圆周结构；并且照射单元22和激光轴线L20可从晶片90的外周部的正上方到正下面的、180度的角度范围进行角度调节。在图61到67所示的用于处理基板的外周部的设备中，处理头100被设置在台10的一侧部分处。如图67所示，处理头100被支撑在装置框架(未示出)上，从而处理头100能够在其中处理头向台10前进的处理位置(由图67的实线指示)和其中处理头100离开台10的撤回位置(由图67的虚线所示)之间前进和撤回。处理头100的数目并不局限于一个。代替地，多个处理头100沿台10的周向间隔地设置。如图61到64所示，处理头100包括头主体101和设置在头主体101处的柄杓型喷嘴160。头主体101具有大体长方体结构。如图61和62所示，头主体101的上部设置有激光加热器的照射单元22。如图61到64所示，面对台10的开口101形成在头主体101的下部中。在照射单元22的下端中形成的辐照窗口面对开口102的顶表面。单路的气体供给通路71和三路的排出通路76X，76Y，76Z形成在头主体101的下部壁中。如图62所示，气体供给通路71的基端(上游端)与臭氧发生器70连接。如图62和63所示，气体供给通路71的远端(下游端)延伸向头主体101的开口102的一侧的内表面。如图62和63所示，在头主体101的开口102中，第一排出通路76X的抽吸端通向气体供给通路71的相对侧的内侧表面。排出通路76X的抽吸端的高度略高于台10的上表面。沿晶片90的旋转方向(例如，在俯视图中顺时针方向)，排出通路76X被布置在气体供给通路71的下游侧从而布置在柄杓型喷嘴160的下游侧。如图62所示，排出通路76Y的抽吸端开口通向头主体101的开口的底部表面的中央部。如下描述，排出通路76Y的抽吸端被布置在照射单元22和短筒部161的正下方。如图61和64所示，其余排出通路76Z通向头主体101的开口102的最内侧上的内表面。排出通路76Z的抽吸端的高度几乎与台10的上表面相同。那些排出通路76X，76Y，76Z的下游端被连接到诸如排出泵的排出装置(未示出)。柄杓型喷嘴160被设置在头主体101的开口102的内部部分处。如图65所示，柄杓型喷嘴160包括具有短筒形结构的短筒部161和细长管状的引入部162。短筒部161和引入部162由诸如石英的抗臭氧透明材料组成。如图62和63所示，引入部162水平延伸。引入部162的基端部嵌入头主体101并由头主体101支撑，并被连接到气体供给通路71的远端部。引入部162的内部限定了用于导引臭氧(反应性气体)的引入通路162a。例如，引入部162的外径是1mm到5mm，并且引入通路162a的流动通路截面积约为0.79mm2到19.6mm2并且长度为20mm到35mm。引入部162的远端部延伸入头主体101的开口102，并且短筒部161连接到延伸部分。短筒部161还被设置在头主体101的开口102的中央部处。短筒部161具有下端开口的带盖筒形结构，并且还具有方向垂直的轴线。短筒部161的直径比引入部162的充分大。短筒部161的轴线沿头主体101的中心轴线延伸，并与照射单元22的辐照轴对准。例如，短筒部161的外径是5mm到20mm，高度是10mm到20誦。盖部163—体设置到短筒部161的上端(基端)并适合封闭上端。盖部163被设置在照射单元22的辐照窗口下面，以便恰好与辐照窗口相对。如上提及的，包括盖部163的整个短筒部161由诸如石英玻璃的透光材料组成。也可以接受的是至少盖部163具有透光特性。作为透光材料，除了石英玻璃，可以使用诸如钠玻璃的通用目的玻璃和具有高透明度的树脂。盖部163的厚度优选地是0.1咖到3鹏。引入部162被连接到接近短筒部161的周侧壁的上侧的部分；并且形成在引入部162内的引入通路162a与短筒部161的内部表面161a连通。引入通路162a的下游端用作与短筒部161的内部空间161a连通的连通端口160。短筒部161的内部空间161a的流动通路截面面积比引入通路162a的从而比连通端口160a的截面面积充分大。例如，连通端口160a的流动通路截面积约为0.79mm2到19.6誦2，同时短筒部161的内部空间161a的流动通路截面积是19.6mm2到314mm2。然后，从连通端口160a，流经引入通路162a的臭氧(反应性气体)流入短筒部161的内部空间161a，膨胀并暂时保持在其中。短筒部161的内部空间161a用作臭氧(反应性气体)的暂时存储空间。如图61和62所示，短筒部161的下部远端开口。利用位于处理位置的处理头100，放置在台10上的晶片90的外周部(目标位置)被定位在短筒部161的下端边缘的正下方，并且短筒部161覆盖在目标位置上面。短筒部161的下端边缘和晶片90的外周部之间形成的间隙很小，例如约0.5mm。通过该极小的间隙，在短筒部161内形成的暂时存储空间161a面对晶片90的外周部(目标位置)。如图63所示，处理位置中的短筒部161从晶片90的外部边缘略微径向向外扩展到晶片90的外部。由于这种布置，通过短筒部161的扩展部分的下端边缘与晶片90的外周缘之间，在短筒部161内形成的暂时存储空间161a与外部连通。在短筒部161的扩展部分的下端边缘与晶片90的外周部之间形成的空间用作释放端口164，用于释放存储在暂时存储空间161a中的气体。现在将描述利用采用如上所述方式构造的用于处理晶片的外周部的设备，去除涂覆在晶片90的背面的外周部上的膜92c的方法。利用传送机器人等，将待处理的晶片90被放置在台10的上表面上，以便晶片90的轴线与台10的轴线对准并被卡住(或吸附)。然后，处理头100从撤回位置前进并被设置到处理位置。由于这种布置，如图66所示，晶片90的外周部被插入形成在头主体101中的开口102内，并被布置在短筒部161正下方的位置中。然后，激光源21被开启，并且激光L以汇聚的方式从照射单元22辐照向位于照射单元22正下方的晶片90的外周部。通过如此做，以点状(局部)的方式，涂覆在晶片90的外周部上的膜92c能够被辐照地加热。虽然在光路中中间设置着短筒部161的盖部163，由于盖部163具有透光特性，光量几乎不会被减小。因此，能够保持加热效率。与上述加热操作并行地，臭氧从臭氧发生器70被发送到气体供给通路71。所述臭氧被导引到柄杓型喷嘴160的引入部162的引入通路162a，并从连通端口160a被导引到短筒部161内的暂时存储空间161a。由于暂时存储空间161a比引入通路162a和连通端口160a更宽广地扩展，臭氧在暂时存储空间161a中被扩散，并暂时存储在其中。这使得可以增加臭氧接触晶片90的外周部的局部被加热位置的时间，并且从而，能够获得充分的反应时间。通过蚀刻，这再次使得可以可靠地去除涂覆在被加热位置上的膜92c，并且从而能够提高处理速率。而且，臭氧的使用率能够完全增加，能够消除浪费，并能够减小所需的气体量。短筒部161从晶片90的外周缘稍微凸出。凸出部分与晶片90的外周缘之间形成的空间用作用于从短筒部161的内部161a释放气体的释放端口164。因此，在短筒部161的内部61a存储的气体是暂时的，并且具有退化活性的处理过的气体和反应副产品(粒子等)能够从释放端口被快速释放。因此，通过一直向暂时存储空间161a供给新鲜臭氧，能够保护高的反应效率。通过调节三个排出通路76X，76Y，76Z中的气体的抽吸和排出量，能够对通过释放端口164释放的气体进行泄漏控制，并能够对在开口102内泄漏后的气体进行气体流控制。由于提供了三个排出通路76X，76Y，76Z，如果有的话，扩散的粒子能够可靠地被吸入和排出。由于台10与上述程序同时地旋转，涂覆在晶片90的外周部上的膜92c能够从整个周边被去除。而且，通过利用安装在台10内的冷却/吸热装置冷却晶片90的外周部的内部部分，能够防止接受激光辐照的晶片90的内部部分的温度增加。因此，能够防止涂覆在晶片90的内部部分上的膜92被损坏。在去除操作结束后，处理头100撤回，台10被解除卡持，并且晶片90被从台10拾取。如图68(a)到68(c)所示，沿台10的径向方向调节在处理位置的短筒部161的位置，并且短筒部161从晶片90的外周缘的凸出量被调节。通过如此做，能够调节将被去除的膜62c的处理宽度(图68(a)到68(c)的阴影部分)。本发明人使用图69的实验设备执行盖部163的透光实验。石英玻璃板G被用作盖部163，并且并且激光照射单元22的激光L被辐照到石英玻璃板G。激光能量测量仪器D被放置在石英玻璃板G的背侧，传送的激光能量被测量并且计算衰减系数。激光照射单元22的输出在儿级中被切换，并且测量每级中的激光能量。准备具有不同厚度的两个石英玻璃板G，并对每个玻璃板G执行相同的测量。结果如下。表1玻璃板厚度0.12ram<table>tableseeoriginaldocumentpage89</column></row><table>玻璃板厚度0.7腿照射单元输出传输的激光能量衰减系数(<table>tableseeoriginaldocumentpage89</column></row><table>如上述表1所示，不考虑照射单元22的输出和玻璃板的厚度，衰减因数小于4%。因此，很明显即使柄杓型喷嘴160的盖部163被中间地设置在从照射单元22延伸的光路中，96%或更多的激光L能够通过盖部163传输，并且在晶片90的周边部分处的热效率几乎不会减小。另一方面，即使激光能量的衰减部分会完全被吸收在盖部163中，这种吸收会小于4%，并且因此，盖部163几乎不会被加热。而且，盖部163能够被通过柄杓型喷嘴160的臭氧充分冷却。因此，盖部163和柄构型喷嘴160几乎不会被加热到高温，并且几乎不需要具有热阻特性。图70显示了柄杓型喷嘴160的修改实施例。在这个修改实施例中，作为释放端口的凹口161b形成在柄杓型喷嘴160的短筒部161的下端边缘中。如图71所示，沿短筒部161的周向，凹口161b被布置在与面对台10的侧面相对的侧面上(对应于晶片90的半径外侧的位置)。凹口161b具有半圆形结构，具有约2mm的半径。凹口161b的结构和尺寸并不局限于上述，它们能够根据需要合适地改变。根据这种修改的实施例，被暂时保存在暂时存储空间161a中的处理过的气体和反应副产品能够通过凹口161b被可靠地释放，新鲜臭氧能够被可靠地供给到暂时存储空间161a，并且能够获得高反应系数。由于柄杓型喷嘴160的短筒部161本身设有释放端口161b，通过使短筒部161从晶片90的外周凸出，不再需要在短筒部161和晶片90的外周之间形成释放端口164。如图68(c)所示，在短筒部161和晶片90在外边缘彼此对准的情况下，处理过的气体和反应副产品能够可靠地流出暂时存储空间161a，并且能够使将被去除的膜92c的处理宽度的可建立范围变宽。图72，73显示了排出系统的修改实施例。排出喷嘴76XA，76YA，76ZA可被设置在处理头100的开口102内。如图73的虚线所指示，几乎沿放置在台10上的晶片90的切线方向，排出喷嘴76XA从头主体101的侧部上的排出通路76X向开口102的中央部分延伸。沿晶片90的旋转方向(例如，俯视图中的顺时针方向)，排出喷嘴76XA的远端开口朝向短筒部161的下游侧略微离开地布置，以便面对短筒部161的侧面部分。排出喷嘴76XA略微高于晶片90并略微向下倾斜地布置。排出喷嘴76XA的远端开口倾斜向下定向。根据晶片90的旋转，位于短筒部161正下方的晶片90上产生的诸如粒子的反应副产品流向排出喷嘴76XA。通过经排出喷嘴76XA吸入和排放那些反应副产品，能够可靠地防止粒子沉积在晶片90上。由图72和73的虚线指示，排出喷嘴76YA从位于头主体101的底部处的排出通路76Y垂直向上延伸。排出喷嘴76YA的远端(上端)开口布置在短筒部161的下端开口的正下方，以便略微远离短筒部161的下端开口并面对短筒部161的下端开口。晶片90的外周部被插入短筒部161和排出喷嘴76YA之间。由于上述布置，在位于短筒部161正下方的晶片90上产生的诸如粒子的反应副产品能够在排出喷嘴76YA下面的位置被吸附和排出，并且能够可靠地防止粒子沉积在晶片90上。同时地，来自短筒部161的诸如臭氧的反应性气体能够被控制以从晶片90的外周部的上部边缘向下部边缘流动。采用这种方式，反应性气体能够不仅与晶片90的上部边缘而且与外端和下部边缘接触。由于这种布置，能够有效去除涂覆在晶片90的外周部上的整个不需要的膜92c。如图72的虚线所示，排出喷嘴76ZA从在头主体101的开口102的最内侧表面处的排出通路76Z向开口102的中央部分径向向晶片90内延伸。排出喷嘴76ZA的远端开口被布置在短筒部161略微内侧(晶片90的半径外部)并指向短筒部161。排出喷嘴76ZA的上部和下部位置被设置为与短筒部161和晶片90的下端部几乎同样高。由于上述布置，在位于短筒部161正下方的晶片90上产生的粒子能够被快速地从晶片90的顶部送到半径外部，并被吸入和通过排出喷嘴76ZA排出，并且粒子能够被可靠地防止沉积在晶片90上。而且，如果有的话，扩散的粒子能够可靠地被吸入和排出。三个排出喷嘴76XA,76YA，76ZA中，可以可选择地仅使用第一个，可选择地使用其中两个，或可使用全部三个。也可以接受的是其中两个或三个被预先安装，并且仅有其中一个被选择地使用用于抽吸和排出处理过的气体。两个或三个被同时用于抽吸和排出操作也是值得关注的选择。在图74到77所示的用于处理基板的外周部的设备中，代替上述柄杓型喷嘴160，使用了长筒喷嘴170(筒部)。而且，代替与柄杓型喷嘴160成一体的、由石英制成的引入部162，使用了由抗臭氧树脂(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯)组成的引入部179。长筒喷嘴170和引入部179分离地形成。如图76所示，如在柄杓型喷嘴160的情况下，长筒喷嘴170由抗臭氧透明材料组成。长筒喷嘴170具有带盖的筒形结构，所述带盖的筒形结构具有敞开的下表面并比短筒部161更长。例如，长筒喷嘴170长40mm到80mm，外径5ram到20mm，并且内部空间的流动通路截面积为19.6mm2到314mm2。长筒喷嘴170被一体地设置在上端(基端)，且具有用于关闭上端的透明盖部173。如图74和75所示，盖部173被布置在照射单元22的辐照窗口下面，以便恰当地与辐照窗口相对。照射单元22被构造以以汇聚方式通过盖部173将激光辐照到放置在台10上的晶片90的外周部(目标位置)。盖部173的厚度优选地是0.1mm到3mm。长筒喷嘴170被布置在头主体101的开口102的中央部分处，以便轴线垂直定向。长筒喷嘴170被布置为穿过放置在台10上的晶片90的外周部(目标位置)，并在中间部分与晶片90的外周部相交。凹口174形成在长筒喷嘴170和晶片90的外周部之间的相交部分(对应于目标位置的部分)的周侧部分。凹口174沿长筒喷嘴170的周向延伸，且通常超过半圆周。凹口174具有比晶片90的厚度略微大的垂直厚度，以便晶片90的外周部能够插入其中。例如，凹口174在长筒喷嘴170中位于离开长筒喷嘴170的上端部约IO咖到30咖的位置处。凹口174的厚度(垂直尺寸)约为2腿到5咖。凹口174的圆心角度优选地为240度到330度。引入部179被连接到长筒喷嘴170的凹口174的(基端侧)上部171。形成在引入部179中的引入通路179a的下游端与上部喷嘴部分171的内部连通，并用作连通端口170a。长筒喷嘴170的上部喷嘴部分171的内部构成暂时存储空间171a。当晶片90被插入凹口174时，来自上部喷嘴部分171内的暂时存储空间171a的释放端口175a形成在晶片90的外边缘与当凹口174形成时留下的长筒喷嘴170的剩余部分175之间。长筒喷嘴170的、位置比凹口174低的一部分的内部用作连接到释放端口75a的释放通路。如图75所示，排出通路76Y被直接连接到长筒喷嘴170的下端。根据此第二实施例，当将被处理的晶片90被放置在台10的上表面上并且处理头100前进到处理位置时，晶片90的外周部被插入长筒喷嘴170的凹口174中。由于这种布置，长筒喷嘴170的内部由介于其间的晶片90垂直分隔。上部和下部喷嘴部分171，172的内部空间通过释放端口175a彼此连通。然后，激光以汇聚的方式从照射单元22被辐照到晶片90的外周部，以便晶片90的外周部被局部加热，并且来自臭氧发生器70的臭氧通过连通端口170a被送入上部喷嘴部分171内的暂时存储空间171a。通过如此做，如在第一实施例的情况下，涂覆在晶片90的外周部上的膜92c能够有效地被去除。凹口174的边缘和晶片90之间形成的间隙很小。而且，下部喷嘴部分172被排出装置吸附。相应的，能够可靠地防止气体通过凹口174和晶片90之间的极小间隙泄漏。而且，能够有效地控制反应。而且，处理过的气体和反应副产品通过释放端口175a被强制流到下部喷嘴部分172，以便它们能够通过排出通路76Y被强制排出。如果有的话，产生的粒子能够经排出通路76Y被强制排出。在一些实例中，两种或多种不同类型的膜被层叠在晶片90上。例如，如图7.8(a)所示，由诸如Si02的无机物质组成的膜94被涂覆在晶片90上，并且由诸如光致抗蚀剂的有机物质组成的膜92被涂覆在膜94上。在那种情况下，除了用于去除涂覆在基板的外周上的有机膜92的反应性气体供给器外，可设置另一反应性气体供给器，以去除涂覆在基板的外周上的无机膜94。艮P，如图79和80所示，用于处理使用双膜层叠晶片的基板的外周部的设备设有单个空气压力室2;单个台10;用于去除有机膜的反应性气体供给源的第一处理头100;和用于去除无机膜的反应性气体供给源的第二处理头200(气体导引部件件)。利用前进/撤回机构，第一处理头100能够在沿台10且从而沿晶片90的外周表面延伸的处理位置(由图79和80的虚线所示)和径向向外离开处理位置的撤回位置(由图79和80的实线指示)之间前进和撤回。第一处理头100的结构本身与图47和48所示的处理头100相同。如图80中的双点划线指示，有机膜处理头100被布置在比晶片90将被布置在其中的水平平面更高的位置。也可以接受的是有机膜处理头100可布置在比由图80的虚线指示的晶片90将被布置在其中的水平面更低的位置。这种有机膜处理头100具有与图41到44等所示的处理头100相同的结构。一对有机膜处理头100可与设置在其间的上述水平面成垂直关系布置。用于无机膜的第二处理头200沿台10的周向从有机膜处理头100离开180度设置。利用前进/撤回机构，第二处理头200能够在沿晶片90延伸的处理位置(由图80的虚线所示)和径向向外离开晶片90的撤回位置(由图80的实线指示)之间前进和撤回。如图81所示，第二处理头200具有沿晶片90的外周延伸的大体弓形结构。如图83所示，插入端口201以切入方式朝向第二处理头200的内部形成在第二处理头200的直径减小侧的周侧表面中。如图81和82所示，插入端口201沿第二处理头200的周向延伸在整个长度上。插入端口201的垂直厚度略微大于晶片90的厚度。根据第二处理头200的前进和撤回操作，所述晶片90的外周部被插入插入端口201和从插入端口201去除。如图83所示，插入端口201的最内端被很大程度地扩展，以便用作第二反应性气体导引通路202。如图81所示，导引通路202沿第二处理头200的纵向方向(周向)延伸。在俯视图中，导引通路202具有弓形结构，该弓形结构具有与晶片90的半径几乎相同的曲率半径。当晶片90被插入插入端口201中时，晶片90的外周部被定位在导引通路202内。如图83所示，导引通路202的截面结构是正圆形。然而，应该指出导引通路202的截面结构并不局限于此。例如，它可以是半圆形结构或方形结构。而且，导引通路202的流动通路截面积可被设置到适合尺寸的大小。无机膜去除反应性气体(第二反应性气体)可与诸如Si02的无机物质反应。作为其初始气体，例如可以使用诸如CF4和C2F6的PFC气体和诸如CHF:i的HFC的含氟气体。如图82所示，含氟气体被导引到作为第二反应性气体生成源的氟等离子放电装置260的一对电极261之间的大气压放电空间261并被等离子化，以获得包含诸如氟基的含氟活性种的第二反应性气体。第二反应性气体供给通路262从大气压等离子放电空间261a延伸，并在无机膜处理头200的导引通路202的一个端部处被连接到引入端口202a。排出通路263在导引通路202的另一端部处从排出端口202b延伸。无机膜处理头200由抗氟材料组成。涂覆在晶片90的外周上的由有机膜92c和无机膜92c组成的不需要的膜以如下方式被去除。[有机膜去除步骤]首先，执行去除涂覆在晶片90的外周部上的有机膜92c的步骤。处理头100，200被预先撤回到撤回位置。然后，将被去除的晶片90通过对准机构(未示出)同心地设置在台10上。然后，有机膜处理头100前进到处理位置。通过如此做，激光照射单元22被定向到晶片90的外周的点P，并且喷射喷嘴75和抽吸喷嘴76沿晶片90的切线方向彼此相对放置，且位置P介于喷射喷嘴75和抽吸喷嘴76之间(参见图47和48)。无机膜处理头200被直接预先定位在撤回位置。接着，激光源21被打开，以便激光对晶片90的外周部的点P进行局部加热，并且在臭氧发生器70中产生的诸如臭氧的氧基反应性气体通过有机膜去除处理头100的喷射喷嘴75被喷出，并以受限方式被喷射到目标点P上(参见图47和48)。由于这种布置，如图78(b)所示，涂覆在点P上的有机膜92c被氧化反应和蚀刻(灰化)。通过利用抽吸喷嘴76抽吸气体，包含灰化有机膜的残余物的处理过气体能够被快速去除。同时，位于晶片90的外周部内侧的部分(主要部分)被台10吸热和冷却。通过如此做，如前面提及的，能够防止涂覆在位于晶片90的外周部内侧的部分上的膜在加热的影响下质量恶化。所述台10被旋转一到多次。通过如此做，涂覆在晶片92的外周部上的有机膜92c能够在整个周边上被去除，并且无机膜94c在整个周边上被暴露。[无机膜去除步骤]然后，执行去除涂覆在晶片90的外周部上的无机膜94c的步骤。在那时，晶片90被保持设置在台10上。然后，无机膜处理头200前进，并且晶片90的外周部被插入插入端口201。通过如此做，晶片90的外周部的具有预定长度的部分被导引通路202包围。通过调节插入量，能够容易地控制将被去除的膜94c的宽度(处理宽度)。然后，诸如CF4的含氟气体被供给到氟等离子放电装置260的电极间空间26la，并且电场出现在电极间空间，以便出现大气压辉光放电等离子。通过如此做，含氟气体被活性化，并且生成由氟基等组成的含氟反应性气体。通过供给通路262,含氟反应性气体被导引到无机膜处理头200的导引通路202，然后，沿导引通路202在晶片90的外周部的周向上流动。通过如此做，如图78(c)所示，涂覆在晶片90的外周部上的无机膜94c能够被蚀刻和去除。同时地，台10旋转。通过如此做，涂覆在晶片90的外周部上的无机膜94c能够在整个周边上被蚀刻和去除。包含由蚀刻导致的副产品的处理过的气体经排出通路263被排出。由于插入端口201被减小，能够防止含氟气体扩散到位于晶片90的外周部内侧的部分。而且，通过调节含氟反应性气体的流量，能够更可靠地防止气体扩散到位于晶片90的外周部内侧的部分。在有机膜去除步骤结束后或无机膜去除步骤开始前，有机膜处理头100可被撤回到撤回位置，或者有机膜处理头100可在无机膜去除步骤结束后撤回。在有机膜92c能够通过台10的第一个旋转去除的情况下，无机膜可与有机膜去除操作平行并且同时地被去除。在无机膜94c开始在有机膜去除步骤期间部分地暴露时，无机膜去除步骤和有机膜去除步骤可以同时地进行。在无机膜成份例如是SiN等的情况下，蚀刻产生在常温下为固体状态的诸如(NH4)2SiFfi和NH4FHF的副产品。因此，可以接受的是有机膜处理头100在无机膜去除步骤期间位于处理位置，并且由激光加热器20连续地进行对晶片90的外周部的激光辐照。通过如此做，能够蒸发常温下处于固体状态的副产品。而且，蒸发的副产品能够被抽吸，并通过抽吸喷嘴76排出。在无机膜去除步骤后，头100，200撤回在撤回位置，并且台1停止旋转。然后，消除由台10内的卡持(或吸附)机构导致的对晶片90的夹持(或吸附)，并且晶片90被运出。根据这种去除方法，在有机膜去除步骤和无机膜去除步骤的整个期间，晶片90被持续设置在台10上。因此，在有机膜去除步骤转移到无机膜去除步骤时，无需将晶片90传送到其它位置，并且因此，能够消除传送所需的时间。而且，不会产生当传送晶片90时，晶片90意外地接触传送盒时出现的粒子。而且，不再需要另外的对准操作。这使得可以大大地减小整个处理时间，提高生产量并实现高精度的处理。而且，能够共同使用对准机构3和台10。因此，装置的结构能够简化并使尺寸紧凑。通过将多个处理头100，200安装在单个共用室2中，装置能够处理多种类型的膜。而且，也能够避免交叉污染的问题。由于本发明涉及常压系统，驱动部分等能够容易地被安装在室2内部。当在晶片90上具有从下面以有机膜92和无机膜94的顺序层叠的有机膜92和无机膜94情况下，首先执行无机膜去除步骤，并且然后执行有机膜的去除步骤。有机膜处理头100和无机膜处理头200之间的分离角并不局限于180度，可以是例如120度或90度。只有当它们在縮回位置和当进行前进/撤回操作时不彼此干涉，有机膜处理头100和无机膜处理头200才满足要求。也可以接受的是处理位置被重叠。有机膜处理头100可一体安装在含氧反应性气体生成源上，并且无机膜处理头200可被一体安装含氟的反应性气体生成源上。本发明人使用如图81到83所示的相同的第二处理头(气体导引部件)执行了蚀刻实验。作为将被处理的对象，使用了直径8英寸并且其上覆盖Si02膜的晶片。CF4用作处理气体。流量被设置为100cc/min。这种处理气体在等离子生成空间261a中被等离子化，并将其用作反应性气体。然后，反应性气体经过气体导引部件件200的导引通路202。然后，对晶片的外周部的整个周边上的不需要的膜进行蚀刻。所需时间是90秒，且处理气体量为150cc。(比较实例1)作为比较实例，通过使用其中取消了气体导引部件件并且来自喷嘴的反应性气体以点状的方式直接喷射出的装置，在与实施例1相同条件下执行蚀刻。所需时间是20分钟，并且处理气体量为2升。因此，很明显由于提供了根据本发明的气体导引部件件，所需时间和处理气体量被极大地减小。(比较实例2)使用了具有双环状电极结构并具有对应于晶片外径的尺寸的处理头；反应性气体从直径通常与晶片的外径相同的环状的喷射端口的整个周边同时被喷射出来；并且在晶片的外周部的整个周边上同时执行蚀刻。处理气体的流量是4升/分钟。所有其它条件与实施例1的相同。所需时间是30秒，并且处理气体量为2升。因此，根据本发明，很明显所需时间与其中整个周边同时被处理的装置几乎没有变化，并且而且，能够大大减小处理气体的量。而且，使用与上述情况相同的实例和装置并将晶片的旋转速度设置为50rpm和300rpm，本发明人执行了各自的处理。然后，测量了膜厚度对比在晶片的径向方向上的径向位置。结果如图84所示。在图84中，水平轴显示了从晶片的外端部到径向向内的位置的距离。当旋转速度是50rpm时，处理宽度在从晶片的外端部到约1.6ram的范围内。作为对比，当旋转速度是300rpni时，处理宽度在从晶片的外端部到约1.0mm的范围内。由前述很明显旋转速度的增加越大，反应性气体能够更好被抑制沿径向向内的方向扩散，并且处理宽度能够根据旋转速度被控制。图85显示了用于去除层叠膜的装置的另一修改实施例。在这个修改实施例中，有机膜去除含氧反应性气体和无机膜去除含氟反应性气体由共用的等离子放电装置270生成。氧气(02)被用作有机膜去除反应性气体的初始气体。诸如CF4的含氟气体被用作无机膜去除反应性气体的初始气体。从各自初始气体源延伸的初始气体供给通路273，274被汇聚和延伸到形成在共用等离子放电装置270的一对电极271之间的大气压放电空间271a。截止阀273V,274V被分别设置到初始气体供给通路273，274。通过三通阀276，从共用等离子放电装置270延伸的反应性气体供给通路275被分成两条通路，即含氧反应性气体供给通路277和含氟反应性气体供给通路278。含氧反应性气体供给通路277被连接到有机膜处理头100的喷射喷嘴75。含氟反应性气体供给通路278被连接到无机膜处理头200的导引通路202的上游端。在有机膜去除步骤中，含氟初始气体供给通路274的截止阀274V被关闭，同时含氧初始气体供给通路273的截止阀273V被打开。通过如此做，诸如02的初始气体被导引入等离子放电装置270的放电空间271a，并被活性化以产生诸如氧基和臭氧的含氧反应性气体。从等离子放电装置270延伸的共用反应性气体供给通路275经三通阀276被连接到含氧反应性气体供给通路277。由于这种布置，诸如臭氧的含氧反应性气体被导引入有机膜处理头100的喷射喷嘴75中，以便能够通过灰化去除涂覆在晶片90的外周部上的有机膜92c。在无机膜去除步骤中，含氧初始气体供给通路273的截止阀273V被关闭，同时氧初始气体供给通路274的截止阀274V被打开。通过如此做，诸如CF4的含氟初始气体被导引到等离子放电装置270并被等离子化，以便产生诸如F*的含氟反应性气体。从等离子放电装置270延伸的共用反应性气体供给通路275经三通阀276被连接到含氟反应性气体供给通路278。由于这种布置，诸如F*的含氟反应性气体被导引入无机膜处理头200的导引通路202中，并沿晶片的周向流动，以便涂覆在晶片90的外周部上的无机膜94c能够通过蚀刻被去除。图86显示了上述层叠膜去除装置的修改实例。根据这个修改实例的台10包括扩大直径的台主体110(第一台部分)和减小直径的中心垫111(第二台部分)。所述台主体110具有直径略微比晶片90小的盘状结构。所述台主体110其中设有诸如冷却介质室41的吸热器。容纳凹部110a形成在台主体110的上表面的中央部分中。中央垫111具有直径比台主体110小得多的盘状结构。中央垫111与台主体110同轴地布置。虽然未显示，在它们的上表面处，台主体110和中央垫111被分别设有用于吸附晶片90的吸附槽。与台主体110和中央垫111同轴的垫轴112被布置在中央垫111下面。中央垫111被连接到垫轴112的上端部并且由垫轴112的上端部支撑。垫轴112与垫驱动单元113连接。垫驱动单元113设有用于将垫轴112上下升降的升降驱动系统。垫轴112从而中央垫111，被导致在突出位置和容纳位置之间上下移动(前进和撤回)，其中在突出位置(图86(b))垫轴112，从而中央垫111，从台主体110向上突出，其中在容纳位置(图86(a))，垫轴112，从而中央垫111，被容纳在台主体110的容纳凹部110a中。也可以接受的是中央垫111是固定的，并且台主体110被连接到垫驱动单元113，并且中央垫111在那种状态下被向上升和向下降，以便中央垫111突出和被容纳。位于容纳位置的中央垫111的上表面与台主体110的上部平齐。然而，位于容纳位置的中央垫111的上表面可比台主体110的上部低。垫驱动单元113设有用于旋转垫轴112从而旋转中央垫111的旋转驱动系统。虽然未显示，台主体110和中央垫111其中分别设有用于卡持(吸附)晶片9的卡持(或吸附)机构。冷却室41等的吸热装置仅被设置在台主体110上，并且未设置在中央垫111上。然而，吸热装置还可以设置在中央垫111上。无机膜处理头200被定位在与位于突出位置的中央垫111的上表面高度相同的位置。在所述高度位置，无机膜处理头200可在接近中央垫111的处理位置(由图1和2的虚线指示)和离开中央垫111的撤回位置(由图1和2的实线指示)之间前进和撤回。如图86(a)所示，在有机膜去除步骤中，中央垫111位于容纳位置中时冷却装置被启动，并且处理操作由有机膜处理头100执行，同时绕共轴线一体地旋转台主体110和中央垫lll。如图86(b)所示，在有机膜去除步骤结束后，有机膜处理头100被撤回到撤回位置。然后，中央垫111被垫驱动单元113上升以使中央垫111进入突出位置。通过如此做，晶片90能够被送到比台主体110高的位置。然后，无机膜处理头200从撤回位置(由图86(b)中的虚线指示)前进到处理位置(由图86(b)中的实线指示)，并执行无机膜去除步骤。由于晶片90的位置向上离开台主体110，能够防止台主体110的外周部与无机膜处理头200的下部分干涉。因此，能够增加晶片90沿插入端口201在径向方向上的深度。由于这种布置，能够更可靠地防止第二反应性气体扩散到晶片90的内部。另一方面，台主体110的直径能够得到充分增加，并且晶片90能够被吸热装置可靠地冷却直到晶片90的外周部附近。因此，能够更可靠地防止涂覆在晶片90的外周部内侧的部分上的膜质量损坏。在这种无机膜去除步骤中，仅有中央垫111可被旋转。通过如此做，通过对整个周边的蚀刻，涂覆在晶片90的外周部上的无机膜能够去除。图87显示了具有中央垫的台结构的修改实例。环形冷却室41C形成在台主体110内作为吸热装置。环形冷却室41C构成用于对晶片90施加冷却的正压流体终端。代替环形冷却室41C，具有同心多环结构、径向结构、螺旋结构等的冷却通路可形成在台主体110中。用于吸附晶片90的吸附槽15形成在台主体110的上表面中。吸附槽15构成向晶片90施加抽吸的负压流体终端。虽然未示出，中央垫111在上表面处也设置具有用于吸附晶片90的吸附槽。从吸附槽延伸的抽吸通路穿过垫轴112。利用垫驱动单元113的升降驱动系统，中央垫111在图87的虚线指示的突起位置和图87所示的容纳位置之间前进和撤回(上升或下降)。位于容纳位置的中央垫111完全容纳在形成在台主体110中的凹部110a中，并且中央垫111的上表面从台主体110的上表面略向下撤回(几毫米)。垫轴12穿过与其同轴的旋转筒150，以便垫轴112可上升和下降并可以旋转。旋转筒150的重要部分具有在整个周围具有均匀厚度并垂直延伸的筒形结构。旋转筒150的上端部被连接和固定到台主体110。旋转筒150的下端部顺序通过齿轮144、正时皮带(同步齿型带)143、齿轮142，和减速齿轮被连接到旋转驱动电机140(旋转驱动器)。旋转筒150由旋转驱动电机140旋转，并且从而台主体110被旋转。旋转筒150穿过轴承B并由轴承B支撑在固定筒180的内部上。固定轴180具有与旋转筒150和垫轴112同轴的垂直筒形结构。固定轴180被固定到装置框架F。只要至少内周表面的截面具有圆形结构固定轴180便可接受。固定筒180比旋转筒150更低。旋转筒150的上端部从固定筒180突出，并且台主体110被设置在其顶部。旋转筒150和固定筒180设有将台主体110的环形冷却室41C用作终端的冷却流动通路，和将吸附槽15用作终端的抽吸流动通路。冷却流动通路的前向通路以如下方式构成。如图87，88和89(c)所示，冷却水端口181a形成在固定筒180的外周表面中。冷却前向通路管191从未示出的冷却水供给源延伸，并被连接到端口181a。连通通路181b从端口181a向固定筒180径向向内延伸。如图89(c)所示，在整个周边延伸的环形通路181c形成在固定筒180的内周表面中。连通通路181b被连接到环形通路181c的周向上的单个位置。如图87和88所示，环形密封槽182d形成在固定筒180的内周表面的环形通路181c的上侧和下侧。如图88所示，环形冷却前向通路垫圈Gl容纳在每个环形密封槽182d中。垫圈Gl的截面具有U型结构(C型)。垫圈Gl的开口指向环形通路181c侧。润滑处理优选地施加到垫圈Gl的外周表面。如图87和88所示，直地垂直延伸的轴向通路151a形成在旋转筒150中。如图88和89(c)所示，轴向通路151a的下端部通过连通通路151b通向旋转筒150的外周表面。连通通路151b位于与环形通路181c高度相同的位置，并与环形通路181c连通。虽然连通通路151b根据旋转筒150的旋转沿周向转移位置，但它在360度的范围内一直保持与环形通路181c连通的状态。如图87所示，轴向通路151a的上端部通过旋转筒150的外周表面上的连接器154连接到外部中继管157。这种中继管157通过台主体110的下表面上的连接器197连接到环形冷却室41C。冷却流动通路的后向通路以如下方式构成。如图87所示，台体110的下表面处设置有连接器198，连接器198布置在前向通路197的180度相对侧。所述台主体110的环形冷却室41C通过连接器198连接到外部中继管158。中继管158被连接到布置在旋转筒150的上部的外周上的连接器155。如图87所示，直地垂直延伸的轴向通路152a形成在旋转筒150上。如图89(b)所示，轴向通路152a被布置在前向轴通路151a的180度相对侧。轴向通路152a的上端部连接到连接器155。如图87和89(b)所示，轴向通路152a的下端部通过连通通路152b通向旋转筒150的外周表面。连通通路152b被布置在前向轴通路151a的180度相对侧，和连通通路151b的上侧。连通通路152b根据旋转筒150的旋转与轴向通路152a—起绕中心轴线旋转。槽状的环形通路182c在整个周边上形成在旋转筒180的内周表面中。环形通路182c的位置比前向环形通路181c更高，但高度与连通通路152b相同。环形通路182c在连通通路152b的周向上连接到一个点。虽然连通通路152b的位置根据旋转筒150的旋转沿周向转移，但它在360度的范围内一直保持与环形通路182c连通的状态。如图87和88所示，冷却后向通路环形密封槽182d形成在固定筒180的内周表面的环形通路182c的上侧和下侧。如图88所示，环形冷却后向通路垫圈G2容纳在每个环形密封槽182d中。垫圈G2的截面具有U形(C形)结构，并且其开口指向环形通路182c侧。润滑处理优选地施加到垫圈G2的外周表面。如图87，88和89(c)所示，从环形通路182c径向向外延伸的连通通路182b和连接到连通通路182b的水排出端口182a形成在固定筒180中。端口182a通向固定筒180的外周表面。冷却后向通路管192从端口182a延伸。连通通路182b和端口182a被布置在与前向连通通路181b和端口181a相同的周边位置中，但比它们更高。抽吸流动通路以如下方式构成。如图87,88和89(a)所示，抽吸端口(吸附端口)183a形成在固定筒180的外周表面中的后向通路端口182a的上侧。抽吸管(或吸附管，吸管)193从包括未示出的真空泵等的抽吸源延伸并被连接到端口183a。连通通路183b从端口183a向固定筒180径向向内延伸。如图89(a)所示，在整个周边，槽状的抽吸环形通路183c形成在旋转筒180的内周表面中。连通通路183b在环形通路183c的周向上连接到单个位置。如图87和88所示，抽吸环形密封槽183d形成在固定筒180的内周表面的环形通路183c的上侧和下侧。如图88所示，环形抽吸垫圈G3被容纳在每个环形密封槽183d中。垫圈G3的截面具有与冷却前向和后向通路垫圈Gl，G2相同的n形(C形)结构，但垫圈G3的定向与垫圈Gl，G2不同。垫圈G3的开口指向环形通路183c的相对侧。润滑处理优选i也施加到垫圈G3的外周表面。如图87所示，直地垂直延伸的抽吸轴向通路153a形成在旋转筒150中。如图89(a)所示，轴向通路153a的下端部通过连通通路153b通向旋转筒150的外周表面。连通通路153b的位置与环形通路183c高度相同，并与抽吸环形通路183c连通。虽然连通通路153b的位置根据旋转筒150的旋转沿周向转移，但它在360度的范围内一直保持与环形通路183c连通的状态。轴向通路153a和连通通路153b被布置在相对于冷却前向和后向通路的轴向通路151a，152a沿周向偏移90度的位置中。如图87所示，轴向通路153a的上端部通过连接器156被连接到旋转筒150的外周表面上的外部中继管159。这种中继管159通过台主体110的下表面上的连接器199被连接到吸附槽15。现在将描述使用图87到89的装置用于去除涂覆在晶片90的外周上的不需要的膜94c，92c的操作。将被处理的晶片90由未示出的叉状机器人臂(机械手)从盒拾取并由对准机构对准(同心地布置)。在对准后，晶片90被叉状的机器人臂水平升起并被放置在预先定位在突起位置(由图87的虚线指示)的中央垫111上。由于中央垫111的直径比晶片90充分小，能够获得叉状的机器人臂的充分余量。在晶片90被放置在中央垫111上后，叉状的机器人臂撤回。用于中央垫111的吸附机构被启动以将晶片90吸附到中央垫lll上。然后，中央垫111通过垫驱动单元113的升降驱动系统向下降，直到中央垫111的上表面与台10平齐。通过如此做，晶片90紧靠台10的上表面。然后，中央垫111对晶片90的吸附被释放，并且中央垫111被进一步向下降几毫米，以便将垫111送到容纳位置(由图87的实线指示)。接着，诸如真空泵等的抽吸源被启动，以便抽吸压力顺序地通过抽吸管193、端口183a、连通通路183b、环形通路183c、连通通路153b、轴向通路153a、连接器156、中继管159和199导引到吸附槽15。通过如此做，晶片90能够被吸附到台10上，并被可靠地保持在其上。然后，旋转驱动电机140被驱动以一体地旋转旋转筒150和台10，从而旋转晶片90。通过如此做，虽然形成在旋转筒150内的连通通路153b沿固定筒180的环形通路183c的周向旋转地移动，总保持连通通路153b和环形通路183c之间的连通状态。因此，即使在旋转时，晶片90的吸附状态也能够得到保持。如图88中的放大尺寸所示，通过在旋转筒150的外周表面和固定筒180的内周表面之间形成间隙，抽吸流动通路的抽吸压力也从连通通路153b和环形通路183c之间的连通部分作用在密封槽183d和垫圈槽G3之间的空间。这种抽吸压力沿用于在截面中扩展n形垫圈G3的方向作用。因此，抽吸压力越大，垫圈G3就越强地被挤压在密封槽183d的内周表面上，以便密封压力得到增加。由于这种布置，能够可靠地防止出现通过形成在旋转滚筒150的外部和固定滚筒180的内部表面之间形成的间隙的泄漏。几乎在台10开始旋转的时刻，有机膜处理头100从撤回位置(由图1和87的虚线指示)前进到处理位置(图1和87的实线指示)。然后，来自激光辐照装置20的激光以汇聚的方式辐照到晶片90的外周部的单个位置，以便晶片90的外周部被局部加热。然后，诸如臭氧的反应性气体通过喷射喷嘴75被喷射出来，并与晶片90的外周的局部被加热位置接触。通过如此做，如图5(b)所示，涂覆在外周上的有机膜92c能够通过蚀刻被有效地去除。处理过的气体和副产品被抽吸喷嘴76吸附和排出。在用于去除有机膜的时刻，冷却水被供给到台主体110的环形冷却室41C。g卩，顺序通过前通路管191、端口181a、连通通路181b、环形通路181c、连通通路151b、轴向通路151a、连接器154、中继管157和连接器197,来自冷却水供给源的冷却水被供给到环形冷却室41C。通过如此做，台主体110和位于其上的晶片90的外周部内侧的部分能够得到冷却。即使由激光辐照导致的热量从晶片90的外周部被导引到半径内侧，热量能够快速地被吸收。因此，能够防止位于晶片90的外周部内侧的部分的温度增加。由于这种布置，能够防止涂覆在晶片90的外周部内侧的部分上的膜94，92的损坏。在流经环形冷却室41C后，冷却水顺序经过连接器198、中继管158、连接器155、轴向通路152a、连通通路152b、环形通路182c、连通通路152b、环形通路182c、连通通路182b和端口182a，通过冷却后向通路管192被排放。旋转筒150内的连通通路151b沿环形通路181c的周向也通过台10的旋转而旋转，但不管旋转位置如何，连通通路151b总保持与环形通路181c的连通状态。类似地，连通通路152b也沿环形通路182c的周向旋转，但其与环形通路181c的连通状态总被保持。由于这种布置，即使在台10的旋转期间，冷却水也保持流动。如图88中放大尺寸所示，通过上部和下部旋转筒150的外周表面和固定筒180的内周表面之间形成的间隙，冷却前向通路中的冷却水也从连通通路151b和环形通路181c之间的连通部分流入环形密封槽112d。冷却水还流入截面具有U形结构的垫圈Gl的开口中。垫圈Gl被冷却水的压力扩展，并被压靠在密封槽112d的内周表面上。这使得可以可靠地获得密封压力并防止冷却水泄露。相同的操作可在冷却水后向通路的垫圈G2中获得。利用台的至少一个旋转，涂覆在晶片90的外周的整个周边上的有机膜92c能够被去除。当有机膜92c的去除操作结束时，通过喷射喷嘴75的气体喷出和通过抽吸喷嘴76的气体抽吸停止，并且有机膜处理头100撤回到撤回位置。中央垫111通过垫驱动单元113的升降驱动系统向上升起，以便中央垫111邻接晶片90的上表面用于吸附。另一方面，消除了由台主体110对晶片90的吸附。然后，中央垫111被升降驱动系统上升到突出位置。接着，无机膜处理头200从撤回位置(由图1和87的实线指示)前进到处理位置(图1和87的虚线指示)。通过如此做，晶片90被插入无机处理头200的插入端口201，并且晶片90的外周部被定位在导引通路202内。由于晶片90被中央垫111升降，无机膜处理头200能够向上离开台主体110，并且从而，头200能够被防止与台主体110干涉。根据诸如氮、氧和氟的无机膜94的成份的气体被等离子化，并且等离子化的气体沿导引通路202的延伸方向被导引到一个端部。当经过导引通路202时，这种等离子化的气体与涂覆在晶片90的外周上的无机膜94反应。通过如此做，如图5(c)所示，无机膜94c能够通过蚀刻去除。处理过的气体和副产品经未示出的排出通路从导引通路202的另一端排出。并行地，中央垫111由垫驱动单元113的旋转驱动系统旋转。涂覆在晶片90的外周的整个周边上的无机膜92c能够利用中央垫111的至少一个旋转去除。当无机膜92c的去除结束时，来自等离子放电装置的等离子供给停止，并且无机膜处理头200撤回到撤回位置。然后，叉状的机器人臂被插入晶片90和台10之间。这种叉状的机器人臂邻接位于中央垫111的半径外的晶片90的下表面，并且取消中央垫111的吸附。这使得可以将晶片90传送到叉状的机器人臂并将晶片90运送出去。根据这种表面处理装置的台结构，由于台主体110的冷却流动通路和抽吸流动通路能够被设置为沿半径方向离开中心轴线Lc，在中央部分能够获得充分大的空间，用于布置用于升降和旋转中央垫111的机构和指向中央垫111的抽吸流动通路。上述台结构还可以应用到设计用于去除诸如有机膜的仅一种类型的膜。在那种情况下，当然不需要无机处理头200。也不需要用于中央垫111的旋转驱动系统。代替固定筒180的内周表面，槽状的环形通路181c，182c，183c可形成在旋转筒150的外部表面中。图90显示了第二处理头200的修改实例。这种第二处理头200(气体导引部件)与用于产生反应性气体的等离子放电装置260—体连接。等离子放电装置260包括连接到电源的热电极261H和接地的地电极261E。在这些电极261H和261E之间形成的空间用作用于产生通常常压等离子的空间261a。例如，这种等离子气体产生空间261a允许诸如氮、氧、氟气、氯化物气体或它们的混合气体被导引到其中且在其中被等离子化。气体汇聚喷嘴263被设置在比等离子放电装置260的电极261H，261E低的位置。这种气体汇聚喷嘴263被固定到第二处理头200的上表面(气体导引部件)。气体汇聚通路263a形成在气体汇聚喷嘴263中。气体汇聚通路263a被连接到等离子产生空间261a的下游端，并且直径从那里向下减小。气体汇聚通路263a的下端部被连接到导引端口202的上游端的引入端口202a。优选地考虑活性种的寿命，气体导引部件件200的弧长(沿晶片90的周向延伸的长度)被适当地设置。例如，图91中所示的气体导引部件件200长度具有约90度的圆心角。图92中所示的气体导引部件件200长度具有约180度的圆心角。气体导引部件件200的弧长具有约45度的圆心角。气体导引部件件200的引入端口202a的位置并不局限于导引通路202的上部。如图94(a)所示，可以被布置在导引通路202的外周侧。这种布置在涂覆在晶片90的外端面上的膜将被重点去除时适合。如图94(b)所示，引入端口202a可被布置在导引通路202的下侧。这种布置在涂覆在晶片90的外端边缘部分的背面上的膜将被重点去除时适合。引入端口202a可被设置到气体导引部件件200的侧端表面。类似地，排出端口202b可被设置到气体导引部件件200的侧端表面、上端表面、下端表面或外周表面上。根据其中将被去除的不需要的物质、膜类型、将被供给的气量、处理目的等的处理区域，气体导引部件件200的导引通路202的截面结构和尺寸能够被合适地设置。例如，如图94(c)所示，导引通路202的截面可被减小。通过如此做，处理宽度能够得到减小。如图94(d)所示，也可以接受的是导引通路202具有上半形状的截面结构，以便晶片90的背面接近导引通路202的平坦表面。由于这种布置，所述晶片90的上表面的外周部能够被重点处理。虽然未示出，也可以接受的是导引通路202具有下部半形截面结构，以便晶片90的上表面接近导引通路202的上部底面。通过如此做，晶片90的背面能够被主要地处理。'如图94(e)所示，导引通路202可具有方形截面结构。气体导引部件件200并不局限于用于去除不需要加热的无机膜，类似地它可应用于需要加热的用于去除有机膜。在那种情况下，如图95所示，诸如激光加热器20的辐照加热装置可连接到气体导引部件件200。照射单元22(照射器)被固定到气体导引部件件200的上表面，轴线垂直定向。光纤电缆23从激光加热器20的激光源21延伸，并可选地被连接到照射单元22。激光照射单元22被布置接近在气体导引部件件200的引入端口202a侧的端部。如图26所示，具有圆形截面的孔部203形成在处于激光照射单元22的连接位置中的气体导引部件件200的上部分。孔部203的上端部通向导引部200的上表面，并且下端部与导引通路202的上端部连通。圆柱形透光部件204被嵌入孔部203中。透光部件204包括具有透光特性的诸如石英玻璃的透明材料。透光部件204优选地具有对诸如臭氧抑制特性的反应性气体的很好的抑制性。作为用于透光部件204的材料，除石英玻璃硼硅玻璃和其它通用目的玻璃外，可以使用具有很好透明性的诸如聚碳酸酯、丙烯的树脂。例如，按照图69和表1的实验，石英玻璃具有很好光透特性的事实已得到确认。透光部件204的上端表面以与气体导引部件件200的上表面平齐的方式暴露。透光部件204的下端表面面对导引通路202的上端部。激光照射单元22刚好位于透光材料204上方，并且在激光照射单元22的下端处的流出窗口与透光部件204相对。激光照射单元22和透光部件204被布置微它们的中心线对准。以汇聚方式从激光照射单元22正下方辐照的激光被传送经过透光部件204，并聚焦在导引通路202的内部。作为反应性气体供给源，臭氧发生器70被连接到气体导引部件件200的引入端口202a。代替臭氧发生器70，可使用氧等离子装置。台10的转动方向并且从而晶片90的转动方向(由图95的箭头指示)与导引通路202内的气体流动方向一致。根据装置结构，通过光纤电缆23，来自激光源21的激光以汇聚方式从激光照射单元55正下方辐照。激光通过透光部件204传送，并进入导引通路202，以便局部地击中导引通路202内晶片90的外周部的一个位置。通过如此做，晶片90的外周部被局部加热。同时地，来自臭氧发生器70的臭氧从引入端口202a被导引到导引通路202。所述臭氧与局部被加热位置接触。通过如此做，能够有效去除需要加热的诸如有机膜的不需要的膜。'而且，晶片90的外周部在接近导引通路202的上游侧的位置被加热。由于这种布置，膜能够与足够量的新鲜臭氧气体反应。此后，根据台10的旋转，上述加热位置被移动向导引通路202的下游侧，并在向下移动期间，被加热位置保持高温一会。因此，不仅在导引通路30的上游侧部分，而且在中央部分处和下游侧部分，能够进行足够量的反应。这使得可以可靠地提高处理效率。在涂覆在背面侧上的膜将被重点(或主要)去除的情况下，激光照射单元22优选地设置到气体导引部件件200的下侧，以便激光能够以汇聚的方式从下方辐照到导引通路202。图97显示了设有对应于诸如晶片凹口和定向平面的切割部分的机构的实施例。如图101所示，晶片具有盘状的结构。晶片90的尺寸(半径)具有许多标准。晶片90圆形外周部91的一部分被平齐地切去，并且定向平面93形成为切割部分。定向平面93的尺寸由SEMI，JEIDA等标准建立。例如，在晶片具有半径r二100mm的情况下，其定向平面长度L93是55mm到60腿。因此，假定没有定向平面93的规定，从定向平面93的中央部分到晶片的虚外周的距离d是d=3.8ram到4.6mm。在晶片90上形成膜时，膜92有时形成在定向平面93的边缘上。如图98所示，这个实施例的晶片处理装置包括盒310;机器人臂(或机械手)320;对准部分330;和处理部分340。将被处理的晶片90容纳在盒310中。机器人臂320从盒310拾取(图98(a))晶片90，通过对准部分(图98(b))将晶片90传送到处理部分340(FIG.98(C))，并将未示出的处理过的晶片90返回到盒310。对准部分330设有对准单元331和对准台332。如图98(a)所示，对准台332具有盘状的结构并可围绕中心轴线旋转。如图98(b)所示，为了对准的目的，所述晶片90被暂时放置在对准台332上。虽然未详细显示，对准单元331设有光学类型的非接触传感器。例如，这种非接触传感器包括用于输出激光的光发射装置和用于接收激光的光接收器。光发射装置和光接收器被布置为将放置在对准台332上的晶片90的外周部90a垂直地夹在它们之间。从光发射器发射的激光以对应于晶片90的外周部的突出量的比率被阻挡，并且因此，由光接收器接收的光量被改变。基于此，晶片的偏移量能够被探测到。而且，通过测量接收的光量被间断地突然改变处的位置，也能够探测到定向平面93(切割部分)。对准单元331不仅组成晶片90的偏移探测部分而且组成用于探测定向平面93(切割部分)的"切割探测部分"。"对准机构"由对准部件330和机器人臂320组成。如图97所示，晶片处理装置设有处理台10和处理头370。处理台10可围绕垂直轴线(旋转轴线，中心轴线)旋转。编码器电机342被用作旋转驱动部件。由对准部件330对准的晶片90准备被设置在处理台10的上表面上。如图97和98(c)所示，处理头370被布置在垂直于z轴的y轴(第一轴)上。当然，y轴沿处理台10的径向方向延伸。如图97所示，像点状方式开口的供给喷嘴375被设置到处理头370的下端部处。如图99所示，供给喷嘴375的点状开口刚好被布置在y轴上。如图97所示，供给喷嘴375的基端部通过流体供给管71被连接到臭氧发生器70(处理流体供给源)。包括一对电极的等离子处理头可被用作处理流体供给源。代替如臭氧发生器和等离子处理装置的干系统，用于通过供给喷嘴375喷射出作为处理流体的化学液体的湿性系统可被使用。虽然未示出，干系统的处理头370设有用于吸附供给喷嘴375附近的处理过的流体(包括副产品等)的抽吸喷嘴。处理头370被连接到喷嘴位置调节机构346。喷嘴位置调节机构包括伺服电机、直流驱动器等。通过沿y轴滑动处理头370从而滑动供给喷嘴376，喷嘴头调节机构被操作以调节喷嘴位置(参见图99(a)和99(c)到99(i))。处理头370从而供给喷嘴375仅可沿y轴活动，而其沿其它方向的移动被限制。将被处理的晶片90可以是任何尺寸。与选定尺寸匹配，利用位置调节机构346，处理头70的位置被沿y轴方向调节，并与晶片90的外周部90a相对设置。而且，利用控制器350，位置调节机构36与处理台10的旋转移动同步地被启动。根据处理台10的旋转角度处理头370将被定位的点的信息或将移动的处理头370的方向和移动速度的信息被存储在控制器350中。具体地，如图100所示，当处理台10的旋转角度在第一旋转角度范围4)1内，处理头370被固定就位，并且建立固定点。当处理台10的旋转角度在第二旋转角度范围42中时，处理头370被移动并且建立了移动的方向和速度。如图99的三角标记所示，处理台10的旋转角度按照从y轴到台10的参照点10p在俯视图中以顺时针角度建立。第一旋转角度范围4)1建立在从零度到刚好对应于圆形外周部91圆心角的值的旋转角度4)91的范围内。这个旋转角度范围4)1对应于圆形外周部91移动穿过y轴所需的时间段。第二旋转角度范围cl)2建立在从(1)91到360度的范围内。第二旋转角度4>2的宽度(360-4>91)刚好与定向平面93的圆心角4>93的宽度(参见图101)—致。旋转角度范围4>2对应于定向平面93移动穿过y轴所需的时间段。在第一旋转角度范围4>1中的供给喷嘴375的固定点被建立到通常等于晶片90的半径r的y轴上的点(从旋转轴线离开大体等于晶片90的半径r的距离的点)。这个固定点与圆形外周部91移动穿过y轴处的点重叠。在第二旋转角度范围4)2中，处理头370在第二旋转角度范围的前半部分中沿y轴移向原点方向(朝向旋转轴z的方向)，反向旋转刚好在第二旋转角度范围4)2的中点处，并且在后半部分沿正方向(离开旋转轴Z的方向)移动。假设处理台10的旋转速度是"IO，在第一和第二半部分中的移动速度V由如下等式建立---—"&…(1)其中d是定向平面93的深度切L93是长度(参见图101)。如等式(1)所示，移动速度v(图100中梯度)与处理台10的旋转速度"Ki成比例。在如其中半径r=100并且定向平面长度L93=55mm到60ram的上述实例的标准的晶片的情况下，如果旋转速度是约1rpm，在旋转角度范围4>2中的处理头的速度v能够由v二约1.5mm/sec.到约1.6ram/s6c表不o如图98(a)和98(b)所示，在利用设有对应于定向平面的机构的晶片处理装置用于去除涂覆在晶片90的外周部上的不需要的膜92c时，将被处理的晶片90被机器人臂320从盒310取出，并被放置在对准台332上。在那时，晶片90通常偏离对准台。从台332的突出量最大的点"a〃和突出量最小的点"b〃彼此离开180度。对准台332在那种状态下进行一个完整的旋转。在此期间，最大突出点"a"和其突出量以及最小突出点"b"和其突出量由对准单元331的非接触传感器探测。具体地，通过将光发射器和光接收器垂直夹在中间，测量此时台332的旋转角度和接收光的量的最大值和最小值。并行地，通过测量在接收光的量间断地突然增加时台332的旋转角度，定向平面93的位置也被初步探测。基于测量结果，晶片90由机器人臂320对准。g卩，相对于台332，晶片90从最大突出点"a"向最小突出点"b"移动最大突出量和最小突出量的1/2的距离。对于移动，可移动晶片90或移动台332。与此同时，定向平面93被定向到预定方向。接下来，如图98(c)所示，晶片90被机器人臂320传送到处理部件340并被设置到处理台10上。由于晶片90已经受对准操作，它能够在中心与处理台10正确地对准。也可以接受的是晶片90从盒310被直接传送到处理台10，以便晶片90能够以如上提及的方式在处理台10上对准。通过如此做，能够取消对准台332。在将晶片90设置到处理台10上时，晶片90在中心对准处理台10，并且，定向平面93沿预定方向定向。如图98(c)和99(a)所示，在这个实施例中，定向平面93的左端部93a被定向到处理台10的参考点10p。处理台10的参照点10p被设置在初始台中的y轴上。接着，如图99(a)所示，利用位置调节机构346，处理头370被沿y轴方向进行位置调节以与晶片90的尺寸匹配。通过如此做，供给喷嘴375被布置为与晶片90的外周部90a相对。在这个实施例中，供给喷嘴375被布置为与形成在定向平面93的端部93a和圆形外周部91之间的角相对。此后，由臭氧发生器70生成的臭氧通过管71被供给到处理头，并通过供给喷嘴375喷射出。这种臭氧被喷射到晶片90的外周部90a上，并与不需要的膜92c反应。通过如此做，能够去除不需要的膜92c。与这种臭氧喷射操作并行地，处理台10由编码器电机342以预定旋转速度围绕旋转轴线(z轴)旋转。如图99(a)的箭头所示，这种旋转方向在俯视图中例如是顺时针方向。由于这种布置，晶片90随着时间的流逝按照图99(a)到99(i)所示的方式旋转，并且臭氧被喷射的位置沿周向顺序移动，以便涂覆在晶片90的外周部92a上的不需要的膜92c能够沿周向被顺序去除。在图99(b)到99(i)中，晶片90的外周部90a的阴影部分显示了不需要的膜92c从其己被去除的部分。现在将详细描述用于去除不需要的膜的步骤。基于对应于图100的数据，控制器350被操作以与处理台10的旋转同步地启动位置调节机构346，并调节处理头370的位置从而调节供给喷嘴375的位置。g卩，如图100所示，在处理台10的旋转角度在4>1的范围中的情况下，供给喷嘴375被固定到在y轴上通常等于晶片90的半径r的点。通过如此做，如图99(a)到99(e)所示，在圆形外周部91被移动穿过y轴的时间段期间，供给喷嘴91能够可靠地指向圆形外周部91。因此，臭氧能够可靠地喷到圆形外周部91上，并且能够可靠地去除涂覆在圆形外周部91上的不需要的膜92c。然后，根据旋转，被处理过的部分沿圆形外周部91的周向延伸，并且不久，如图99(e)所示，处理操作在圆形外周部91的整个区域上完成。定向平面93b的右端部93b到达供给喷嘴375的位置。在那时，旋转角度范围被从4>1切换到4)2。如图100所示，在旋转角度范围小2的前半部分中，处理头370从而供给喷嘴375以上述等式(1)的速度被移向处理台10。另一方面，如图99(e)到99(g)所示，在那时，定向平面93的右侧部分移动穿过y轴。根据这种旋转，穿过点偏向旋转轴线(z轴)侦ij。穿过点的波动通常与供给喷嘴375的移动一致。这使得可以保持供给喷嘴375一直沿定向平面93的右侧部分的边缘，并可靠地去除涂覆在所述特定部分上的不需要的膜92c。在图100所示，在处理圆形外周部91时，刚好在旋转角度范围4)2的中间点的供给喷嘴375已从该位置(通常y轴的r点)向处理台10移到等于定向平面93的深度的量。在那时，如图99(g)所示，定向平面93与y轴垂直，并且定向平面93的刚好中间部分移动穿过y轴上的(r-d)点。因此，供给喷嘴375和定向平面93在中间部分彼此重合，并且能够可靠地去除涂覆在定向平面93的中间部分上的不需要的膜92c。如图100所示，供给喷嘴375的移动方向在旋转角度范围cj)2的中间点处颠倒，并在旋转角度范围c1)2的后半部分中沿离开处理台10的方向移动。该移动速度与前半部分的相同(上述等式(1)中的速度)。在那时，如图99(g)到99(i)所示，定向平面93的左侧部分移动穿过y轴，并且穿过点根据旋转沿y轴的正方向继续背离。穿过点的波动和供给喷嘴375的移动通常彼此一致。这使得可以保持供给喷嘴375—直沿定向平面93的左侧部分的边缘，并可靠地去除涂覆在该特定部分上的不需要的膜92c。采用如上讨论的方式，不需要的膜92c能够不仅从晶片90的圆形外周部91而且从包括定向平面93的外周的整个区域被可靠地去除。如图99(i)所示，当旋转角度刚好为360度时，供给喷嘴375被送回到初始位置。在不需要的膜去除操作结束时，晶片90离开处理台10，并由机器人臂320返回到盒310。根据这种晶片处理装置，通过沿y轴方向滑动处理头370，可以满足晶片90的多种尺寸。而且，它还能够应付定向平面93的处理。因此，由于仅需要由单个滑动轴(y轴)和单个旋转轴(z-轴)组成的两个轴作为整个处理部分340的驱动系统，因此结构得以简化。在对准时，定向平面93沿预定方向10p定向，并且供给喷嘴375的位置被与处理台10的旋转同步地调节。通过如此做，供给喷嘴375被沿定向平面93保持，并且它不再需要与不需要的膜去除操作同时地探测定向平面93和馈送回探测数据。因此，能够容易地进行控制操作。如图102所示，也可以接受的是在定向平面处理操作的时间段期间，在旋转角度范围4>2中，处理头370的移动速度从而供给喷嘴375的移动速度在旋转角度范围4>2的前半部分逐渐减小，并在后半部分中逐渐增加，以便在图线中绘制圆弧。通过如此做，处理头370的移动能够比在定向平面93的第一轴穿过点处出现的波动更精确地一致。因此，供给喷嘴375能够更可靠地被保持沿定向平面93的边缘。这种装置还能够对付在晶片的外周中形成的切割部分是凹口的情况。供给喷嘴可沿第一轴方向滑动就足够了，并且整个处理头无需移动。在高温下提高处理速度的情况下，可以使用在处理时能够被局部加热部分的加热器。这种加热器优选地是使用激光等的诸如辐射加热器的非接触加热器。另一方面，通过从晶片的中心部分吸热能够冷却晶片的吸热装置可被设置到处理台的内部。处理流体并不局限于臭氧气体，根据诸如不需要的膜92c的质量、湿或干等的处理系统，可以从包含多种成份的气体或流体中选择。在图103和104中所示的装置中，x-轴是处理头370被设置在其上的第一轴。如图103所示，供给喷嘴375在x轴上的位置由位置调节机构346调节。如图104所示，用于测量晶片的外周的位置的测量装置341被设置在y轴上。利用未示出的前进/撤回机构，在其中测量装置向旋转轴z前进的测量位置(图105(a)中实线指示)和其中前进/撤回机构沿离开旋转轴z的方向撤回的撤回位置(由图105(a)中虚线指示)之间，测量装置341能够在y轴上前进或撤回。虽然未详细显示，测量装置31包括光学非接触传感器。例如，这种非接触传感器包括用于输出激光的光发射器和光接收器。光发射器和光接收器被布置为将放置在台10上的晶片90的外周部90a夹在中间。来自光发射器的激光以对应于晶片的外周部的突出量的比率被阻挡，并且光接收器中的接收光量改变。由于这种布置，能够探测晶片的外周部的位置(以及晶片的偏移量)。在图104禾卩105中，晶片的外周的凹口和定向平面未显示。如图104所示，这个装置未配置对准机构330。控制器350执行如下控制操作(参见图106的流程图)。如图104(a)所示，将被处理的晶片90被从盒310取出(步骤101)，并且如图104(b)所示，被机器人臂320放置在台IO用于卡持(或吸附)(步骤102)。由于未接受对准操作，晶片90通常相对于台10有点偏离。然后，台10的旋转开始(步骤103)。如图105(a)的箭头所示，这种旋转方向在俯视图中例如是顺时针方向。相应地，测量装置341被布置在旋转方向上的上游侧，并且处理头370被布置在下流侧，以便测量装置341和处理头370彼此离开90度。而且，如图105(a)的白箭头所示，测量装置341沿y轴从撤回位置前进到测量位置(步骤104);并且处理头370沿x轴从撤回位置前进到处理执行位置(步骤105)。随后，测量装置341测量到其中晶片90的外周部90a移动穿过y轴的穿过点(步骤110)。如后面描述的，步骤110的这种操作等同于计算其中在台10的旋转循环的1/4循环前晶片90的外周部90a移动穿过x轴的瞬时点。然后，经步骤111的判断，处理前进到步骤112，并且在步骤112中，利用调节机构346，处理头370的供给喷嘴被送到与在步骤110中在y轴上的穿过点的测量值相同的x轴上的点。而且，将供给喷嘴375定位在该点的定时被布置为设定在恰好台10的旋转循环的1/4循环后。例如，如图105(a)所示，假设步骤110中的测量值在y轴上是i"l[ram]，如图105(b)所示，1/4循环后的供给喷嘴375被定位在x轴的点rl[咖]处。通过如此做，当通过旋转90度，在晶片90的外周部90a内在步骤110的时间移动穿过y轴的点移动穿过x轴时，供给喷嘴375能够被定位在x轴的穿过点上。由于存在等于1/4循环的充分的时间，反馈操作能够被可靠地执行。测量装置341和控制器350构成"用于计算其中晶片的外周部相对于第一轴移动穿过的计算部"。图105(a)到105(d)显示了以连续顺序以每1/4循环能够出现的各自的状态。图105(a)到105(d)指示的晶片90显示了在每1/4循环能够出现的各自的状态。并行地，来自臭氧发生器70的臭氧通过管71被供给到处理头370，并通过供给喷嘴375喷射出(步骤113)。通过如此做，臭氧能够被喷到晶片90的外周部90a的x轴穿过点上，并且能够去除涂覆在该点上的不需要的膜92c。这种在步骤113中用于开始臭氧喷射操作的过程仅在第一流中执行，并且此后，连续执行臭氧喷射操作。此后，过程返回到步骤110，并且测量晶片90的外周部90a的y轴穿过点(步骤110)。基于测量的结果，在l/4循环后的供给喷嘴375的位置调节被反复地执行(步骤112)。如以时间顺序方式的图105(a)到105(e)所示，根据晶片90的旋转，能够顺序去除涂覆在晶片90的外周部90a上的不需要的膜92c。在图105(b)到105(e)中，晶片90的外周部90a的阴影部分指示不需要的膜92c从其已被去除的部分。即使晶片90偏离，供给喷嘴375的位置能够被调节以匹配外周部90a的轮廓，并因此，能够可靠地去除不需要的膜92c。因此，无需准备用于纠正偏离的对准机构，并且能够简化装置的结构。而且，在晶片90被从盒310拾取后，晶片90能够不通过对准机构直接放置在台10上，并且能够立即执行不需要的膜92c的去除操作。而且，能够取消不需要的膜去除操作前的对准操作。因此，能够减小总的处理时间。而且，与即时执行的x轴穿过点的计算并行，执行供给喷嘴375的位置调节和臭氧的喷出操作。因此，能够更大地减小处理时间。不久以后，在步骤113的气体喷射操作开始后，晶片进行了一个完整的旋转，并且在晶片90的外周部90a的周向的整个区域上，不需要的膜去除过程结束(参见图105(e))。在那时，响应于读作"用于晶片的整个周边的处理是否结束"的问题，作出"是"的判断。基于上述判断，臭氧气体停止通过供给喷嘴375喷射出(步骤120)。然后，如图105(e)所示，处理头370撤回到撤回位置(步骤121)，并且测量装置341撤回到撤回位置(步骤122)。然后，台10的旋转停止(步骤123)。此后，晶片90在台10上的吸附(或保持，卡持)操作取消(步骤124)。然后，晶片90通过机器人臂320被运送出台10(步骤125)，并且返回盒310(步骤126)。虽然测量装置341被布置为从供给喷嘴沿台的旋转方向向上游侧偏离90度，所述偏离并不局限于90度，它可以比所述角度偏离的量更大或更小。诸如晶片的定向平面和凹口的切割部分由测量装置341探测，并且计算x轴穿过点。通过如此做，切割部分的边缘也能够得到处理。在图106的流程图中所示的控制操作中，与晶片90的外周部90a的位置的计算平行，执行用于调节喷嘴位置和喷射出气体的过程。在图107的流程图中所示，也可以接受的是在执行晶片90的外周部90a的整个周边的位置计算之后，可执行用于调节喷嘴位置和喷射出气体的过程。艮P，在图107中，在步骤104和步骤105中执行测量装置341和处理头370的位置设定后，测量装置341测量晶片90的外周部90a移动穿过的y轴上的点，同时台10进行一个完整的旋转，并获得晶片90的外周部90a的位置数据(步骤115)。即，获得对应于台10的旋转角度的晶片90的外周部90a的y轴穿过点数据。当如此获得的数据被偏离90度时，它们变得与对应于(即刻)台10的旋转角度的、晶片90的外周部90a的x轴穿过点的计算数据一致。所述计算的数据被存储在控制器350的存储器中。也可以接受的是代替整个周边的位置数据，计算晶片90相对于台10的偏离方向和偏离量，并且那些偏离数据被用作上述计算的数据。即，如图104(b)所示，由于步骤101中晶片90被放置在台10时出现的误差导致的偏离，在晶片90的外周部90a上存在两个点〃a"和"b"。在点〃a"，外周部90a从台10的突出量变得最大，同时在点〃b〃，突出量变得最小。最大突出位置a以及突出量和最小输出位置b以及突出量由测量装置341探测。从最小突出点"b"朝向最大突出点〃a"的方向是偏离方向，并且最大突出点"a"的突出量和最小突出点"b"的最小突出量之间的差的一半是偏离量。基于晶片90的偏离数据和半径数据，能够计算对应于(瞬间)台10的旋转角度的晶片90的外周部90a的x轴穿过点。此后，过程前进到步骤116，其中基于位置调节机构346的计算数据，处理头370的位置并且因此供给喷嘴375的位置得到调节。g卩，根据台10的旋转角度，供给喷嘴375被定位在其中晶片90的外周部90a以该旋转角度移动穿过x轴的计算点。与该位置调节平行，通过供给喷嘴375喷射出臭氧。通过如此做，不管晶片90的偏离，臭氧能够被喷到晶片90的外周部90a的x轴横越位置上。因此，能够可靠地去除涂覆在该位置的不需要的膜。在步骤116中用于调节喷嘴的位置和喷射出臭氧的过程得以连续执行。通过如此做，不需要的膜90c能够沿晶片90的外周部90a的周向从整个区域被去除。因此，响应于读作"晶片的整个周边的处理是否结束"的问题，作出"是"的判断。此后遵循的过程与图106中的相同(步骤120到126)。〔工业适用性)在半导体晶片的制造过程期间和液晶显示器基板的制造过程期间，本发明能够例如用于去除涂覆在外周上的不需要的膜。权利要求1、一种用于处理基板的外周的方法，其中涂覆在基板的外周部上的不需要的物质通过使其与反应性气体接触而被去除，所述方法包括步骤使所述基板与台的支撑表面接触，以便所述基板被支撑在所述支撑表面上；加热所述基板的外周部；将所述反应性气体供给到被加热的外周部；和通过设置在所述台上的吸热器对位于所述外周部里面的部分进行吸热。2、一种用于处理基板的外周的方法，其中涂覆在基板的外周部上的不需要的物质通过使其与反应性气体接触而被去除，所述方法包括步骤使所述基板与台的支撑表面接触，以便所述基板被支撑在所述支撑表面上；利用热光局部辐射地加热所述基板的外周部；将所述反应性气体供给到所述局部区域；和通过设置在所述台上的吸热器对位于外周部里面的部分进行吸热。3、一种用于处理基板的外周部的设备，其中涂覆在基板的外周部上的不需要的物质通过使其与反应性气体接触而被去除，所述设备包括(a)台，所述台包括支撑表面，所述支撑表面用于接触所述基板并且将所述基板支撑在其上；(b)加热器，所述加热器用于对目标位置施加热量，所述目标位置应该存在于由所述台支撑的所述基板的外周部上；(c)反应性气体供给器，所述反应性气体供给器用于将所述反应性气体供给到所述目标位置；和(d)吸热器，所述吸热器设置在所述台上并用于从所述支撑表面吸4、根据权利要求3所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述吸热器是用于冷却所述台的冷却器。5、根据权利要求4所述的用于处理基板的外周的设备，其中作为所述吸热器的冷却介质室形成在所述台内，且所述冷却介质室与冷却介质供给通路和冷却介质排出通路连接。6、根据权利要求4所述的用于处理基板的外周的设备，其中作为所述吸热器的冷却介质通路设置在所述台上，且冷却介质穿过所述冷却介质通路。7、根据权利要求6所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述冷却介质通路包括多个同心环形通路，和用于将所述环形通路相互连接的连通通路。8、根据权利要求3所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述吸热器包括珀尔帖元件，所述珀尔帖元件具有吸热侧，所述珀尔帖元件被设置在所述台内，且所述吸热侧面对所述支撑表面。9、根据权利要求3所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述吸热器仅设置在所述台的外周侧部分处且不设置在中央侧部分处。10、根据权利要求9所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述台在外周侧部分处设有用于吸附所述基板的卡持机构且在中央侧部分处设有凹部，所述凹部相对于设置所述卡持机构的区域下陷。11、根据权利要求3所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述台的支撑表面略微小于所述基板，并且应该存在于所述基板的外周部上的目标位置位于从支撑表面径向向外延伸的表面上。12、根据权利要求11所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述加热器是辐射加热器，所述辐射加热器包括热光的光源，和照射器，所述照射器用于将来自所述光源的热光以汇聚方式朝向所述目标位置照射。13、根据权利要求12所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述反应性气体供给器包括用于将所述反应性气体喷射出到所述目标位置的喷射端口，并且所述喷射端口与距离所述照射器相比更接近所述目标位置。14、根据权利要求13所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述照射器被设置在所述延伸表面的背侧，并且所述喷射端口被设置在所述延伸表面的背侧，或总体上设置在所述延伸表面上。15、根据权利要求12所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述照射器从所述支撑表面的径向向外下倾的方向将热光朝向所述目标位置照射。16、根据权利要求12所述的用于处理基板的外周的设备，进一步包括移动机构，所述移动机构用于在垂直于所述支撑表面的平面中移动所述照射器，同时将所述照射器指向所述目标位置。17、根据权利要求12所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述反应性气体供给器包括用于形成所述喷射端口的喷射端口形成部件，且所述喷射端口形成部件由透光材料组成。18、根据权利要求3所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述反应性气体供给器包括用于将所述反应性气体导引到所述目标位置附近的引入部；和连接到所述引入部并覆盖目标位置的筒部，所述筒部的内部比所述导引部更宽地扩展并且被限定为用于在其中暂时保存所述反应性气体的暂时存储空间。19、根据权利要求18所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述筒部的基端部设有用于封闭所述基端部的透光外壳部，且用作所述加热器并被构造为将热光以汇聚的方式朝向所述目标位置照射的辐射加热器被布置在所述外壳部外面。20、根据权利要求3所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述反应性气体供给器包括用于将所述反应性气体喷射出到所述目标位置的喷射喷嘴，且所述喷射喷嘴的喷射方向总体上沿着环形表面的周向，所述环形表面将位于所述台上的所述基板的外周部处。21、根据权利要求20所述的用于处理基板的外周的设备，进一步包括抽吸喷嘴，所述抽吸喷嘴沿所述环形表面的周向以与所述喷射喷嘴相对的方式布置，且所述目标位置被夹在所述抽吸喷嘴与所述喷射喷嘴中间。22、根据权利要求21所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述加热器是辐射加热器，用于将辐射热量局部地照射在所述环形表面中的所述喷射喷嘴与所述抽吸喷嘴之间。23、根据权利要求21所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述台从所述喷射喷嘴正常地朝向所述抽吸喷嘴旋转。24、根据权利要求21所述的用于处理基板的外周的设备，其中用于所述辐射加热器的局部照射位置在所述喷射喷嘴和抽吸喷嘴之间朝向所述喷射喷嘴偏移。25、根据权利要求3所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述台包括台主体，所述台主体具有形成在其中的作为所述吸热器的冷却介质室或冷却介质通路；和中央垫，所述中央垫以能够从所述台主体突出和容纳在所述台主体中的方式被设置在所述台主体的中央部分处，所述台进一步包括设有用于冷却介质的端口的固定筒；可旋转地穿过所述固定筒并且同轴地连接到所述台主体的旋转筒；和用于旋转所述旋转筒的旋转驱动器，连接到所述端口的环形通路形成在所述固定筒的内周表面或所述旋转筒的外周围表面处；在轴向方向上延伸的轴向通路形成在所述旋转筒中，所述轴向通路的一个端部被连接到所述环形通路，且另一端部被连接到所述冷却介质室或所述冷却介质通路。26、根据权利要求25所述的用于处理基板的外周的设备，其中两个环形密封槽形成在所述固定筒的内周表面中或者所述旋转筒的外周围表面中，以便所述密封槽位于所述环形通路的两侧，其中所述环形通路被夹在所述密封槽中间；和每个所述密封槽在其中容纳垫圈，所述垫圈截面具有n形结构并且朝向所述环形通路开口。27、根据权利要求3所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述反应性气体供给器包括气体导引部件，所述气体导引部件包括用于允许所述基板可活动地插入其中的插入端口；和导引通路，所述导引通路被连接到所述插入端口的最内端并且在所述基板的周向上以包围所述基板的外周部的方式延伸；和所述反应性气体在所述导引通路的所述延伸方向上经过。28、根据权利要求27所述的用于处理基板的外周的设备，进一步包括作为所述加热器的照射器，所述照射器用于以汇聚方式将热光朝向所述导引通路的内部照射，用于允许所述照射器的所述热光通过它的传输透光部件以与所述导引通路面对的方式被嵌入所述气体导引部件内。29、根据权利要求3所述的用于处理基板的外周的设备，其中有机膜和无机膜被层叠在所述基板的外周部上作为不需要的膜，和所述反应性气体与所述有机膜反应，并且所述反应性气体供给器被设置用于去除所述有机膜，'所述设备进一步包括另一反应性气体供给器，用于将可与所述无机膜反应的另一反应性气体供给到所述基板的外周部。30、根据权利要求3所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述基板是圆形晶片，所述圆形晶片具有形成在其外周部的一部分中的诸如凹口或定向平面的切割部分，所述反应性气体供给器包括反应性气体供给喷嘴，所述反应性气体供给喷嘴能够沿垂直于所述台的中心轴线的第一轴滑动，所述晶片在所述台上居中并布置在所述台上，所述台围绕所述中心轴线旋转，和所述供给喷嘴被与所述台的旋转同步地沿所述第一轴进行位置调节，从而沿所述第一轴线滑动所述供给喷嘴，以便当所述晶片的圆形外周部被移动穿过所述第一轴线时，所述供给喷嘴的尖部被朝向所述第一轴上的位置保持静止，其中所述第一轴上的位置离开所述中心轴线的距离大体等于所述晶片的半径，且当所述晶片的所述切割部分移动穿过所述第一轴时线，所述供给喷嘴的尖部正常地指向该穿过点。31、根据权利要求3所述的用于处理基板的外周的设备，其中所述基板是圆形晶片，所述反应性气体供给器包括沿垂直于所述台的中心轴线的第一轴线可滑动的反应性气体供给喷嘴，所述台围绕所述中心轴线可旋转，同时可吸附地保持所述晶片，所述设备进一步包括计算器，所述计算器用于瞬时地计算所述晶片的外周部相对于所述第一轴线移动穿过的点，和所述处理流体供给喷嘴基于计算的结果沿所述第一轴线被调节位置，从而供给所述处理流体同时总是指向所述穿过点。全文摘要一种用于处理基板的外周的方法和装置，在用于从基板的外周部去除不需要的膜时能够避免对基板中心部分的损坏。作为吸热装置的冷却介质室(4)形成在台(10)内，且诸如水的冷却介质填充到其中。晶片(90)被支撑在台(10)的支撑表面(10a)上。晶片(90)的外周部通过加热器(20)被加热，且用于去除不需要的膜的反应性气体从反应性气体出口(30b)供到晶片的被加热部分。另一方面，晶片(90)的在所述外周部的内侧的部分内的热量通过吸热装置吸收。文档编号C23F4/00GK101124663SQ20058002319公开日2008年2月13日申请日期2005年7月8日优先权日2004年7月9日发明者功刀俊介,野上光秀,长谷川平申请人:积水化学工业株式会社