专利名称：氮化物半导体元件的制造方法
技术领域：
本发明涉及利用氮化物半导体的发光二极管(LED)、激光二极管 等的发光元件、HEMT等的晶体管元件等，利用p型氮化物半导体结 晶层的半导体元件的制造方法。更详细地涉及不会产生为了使p型氮 化物半导体结晶层中的受主活性化而进行的高温热处理所导致的氮脱 落等弊害，能够可靠地进行受主的活性化，形成低电阻p型层的氮化 物半导体晶体元件的制造方法。
背景技术：
现阶段，利用氮化物半导体的蓝色系发光二极管(LED)、激光二 极管等的氮化物半导体发光元件正在实用化。发出利用该氮化物半导 体的蓝色系的光的半导体发光元件是通过例如利用MOCVD法在蓝宝 石(sapphire)基板上顺次地层叠由GaN等构成的低温缓冲层、由GaN 等构成的n型层、由禁带能量(band gap energy:带隙能量)比n型层 小决定发光波长的材料，例如InGaN系(意味着In和Ga的比率可以 进行种种改变，以下相同)化合物半导体构成的活性层(发光层)、和 由GaN等构成的p型层，在其表面上通过透光性导电层设置p侧电极， 在通过蚀刻层叠的半导体层叠部的一部分露出的n型层的表面设置n 侧电极而形成。此外，为了提高n型层和p型层关闭载流子的效果， 可以在活性层侧利用AlGaN系(意味着Al和Ga的比率可以进行种种 改变，以下相同)化合物等的禁带能量更大的半导体层。
当利用MOCVD法层叠该氮化物半导体时，因为在原料气体中含 有烷基的氢，以及载流气体为氢气，还存在着作为氮的原料气体的NH3 的氢等，所以由于作为p型层的受主导入的Mg容易和H结合而与H 结合，并以Mg-H的形式进入到氮化物半导体中。这样，通过Mg和H 结合在氮化物半导体层中存在时，导致Mg不活性化，起不到受主的 作用。因此，至今一般进行40(T C以上的在不包含氢的气氛中的退火
处理，利用温度切断Mg和H的结合，从氮化物半导体层放出H，使 作为受主的Mg活性化(例如请参照专利文献1)。
此外，也可以利用称为通过激光照射进行该退火处理的激光退火 方法(例如参照专利文献2)。因为通过利用该激光退火方法进行，即 便不使整个半导体层叠部的温度上升，也能够只使p型层附近的温度 上升，所以具有容易防止掺杂剂向活性层等扩散等的优点。但是，因 为需要提高氮化物半导体层的温度，所以需要使用短波长的激光，但 是因为GaN是直接迁移型半导体，所以对于与禁带能量Eg以上相当 的短波长而言其吸收系数大，激光进入到氮化物半导体层的深度变浅， 难以使较厚的p型氮化物半导体层活性化。
专利文献l:日本特开平8-51235号专利公报
专利文献2:日本特开2002-289550号专利公报
如上所述，对于利用MOCVD法生长的p型氮化物半导体层而言， 若其不在40(T C以上的高温进行退火处理，则不能够使作为受主而掺 杂的Mg活性化，起不到受主的作用。但是，若为了切断该Mg和H 的结合并放出H而在400° C以上的高温进行退火处理，则容易放出 氮化物半导体层表面的氮，发生称为氮脱落的现象。当发生氮脱落时， 因为形成氮空位，该氮空位作为施主(donor)起作用，所以使空穴浓 度下降，结果存在着不能够得到高载流子浓度的p型层等问题。
发明内容
本发明是为了解决上述问题提出的，本发明的目的在于提供一种 不发生因长时间进行高温退火处理而引起的形成氮空位等问题，进行 受主的活性化，具有载流子浓度高(低电阻)的p型氮化物半导体层 的氮化物半导体元件的制造方法。
本发明的其它目的在于提供一种即便在不与氮化物半导体晶格匹 配的基板上层叠氮化物半导体层的情形中，也能够生长出结晶缺陷少 的氮化物半导体层，使p型层的电阻更低的氮化物半导体元件的制造 方法。
根据本发明的氮化物半导体元件的制造方法，其利用MOCVD法 在基板上生长氮化物半导体层，使得至少在表面侧具有p型氮化物半导体层，其特征在于通过对掺杂有受主的氮化物半导体层照射能量 比作为该氮化物半导体层的受主的Mg和H的结合能大的激光，切断
上述Mg和H的结合，接着通过在300 400°C的温度下进行热处理， 将所述切离的H从所述氮化物半导体层放出，使所述受主活性化，从 而形成所述p型层。
这里，所谓的氮化物半导体是指由将IIIA族元素的Ga和VA族元 素的N的化合物或者IIIA族元素的Ga的一部分或全部置换成Al、 In 等其它IIIA族元素和/或将VA族元素的N的一部分置换成P、 As等的 其它VA族元素的化合物(氮化物)构成的半导体。
具体地说，以利用MOCVD法在基板上顺次地外延生长由氮化物 半导体构成的n型层、活性层和p型层而形成发光层的方式，形成半 导体层叠部，从该半导体层叠部的表面侧照射波长在X^h c / E以下 的激光(其中，X表示激光的振荡波长，h表示普朗克常数，c表示光 速，E表示能够切断Mg和H的结合的能量)，此后在300 400°C的 温度下进行热处理，能够得到氮化物半导体发光元件。
根据本发明的氮化物半导体元件的制造方法，此外，除上述构成 外，通过利用PLD法在不与氮化物半导体晶格匹配的基板的表而生长 由AlxGayIn,.x.yN (0^x$l， 0兰y^1， 0兰x + y51)构成、并且该 AlxGayIni_x.yN的a轴和c轴定向的单结晶缓冲层，利用MOCVD法在 该单晶缓冲层上生长氮化物半导体结晶层，能够得到结晶缺陷少，与 抑制氮空位的形成相互结合，具有载流子浓度更大(低电阻)的p型 层的氮化物半导体元件。
这里，不与氮化物半导体晶格匹配的基板是指具有(氮化物半导 体和基板的a轴方向的晶格常数之差的绝对值)/ (氮化物半导体的a 轴方向的晶格常数)$0.5%的关系的基板。
如果根据本发明，则因为通过照射激光离解掺杂在氮化物半导体 层中的作为受主的例如Mg和H的结合，在其上进行温度为300 400°C 的低温热处理，所以能够简单地从氮化物半导体层放出离解的H。结 果，因为没有必要在只利用退火处理实现受主活性化的高温下在长时 间进行退火处理，所以不会从氮化物半导体层表面离解氮而形成氮空 位。因此，不会随着因氮空位引起的空穴浓度下降而可靠地进行作为
受主的Mg的活性化，能够得到载流子浓度非常大，电阻率非常小的p 型层，能够得到高性能的半导体发光元件等的氮化物半导体元件。
图1是表示作为根据本发明的氮化物半导体元件的制造方法的一 个实施方式的发光元件的制造步骤的剖面说明图。
图2是利用图1的制造方法得到的氮化物半导体元件芯片的立体 说明图。
图3是在根据本发明的氮化物半导体元件的制造方法的其它实施 方式中制造的发光元件芯片的立体说明图。
图4是表示氮化物半导体发光元件的其它构造例的剖面说明图。 图5是根据本发明形成的晶体管的构成剖面说明图。 标号说明
1:基板；2:低温缓冲层；3: n型层；4:活性层；5: p型层；6: 半导体层叠部；7:透光性导电层；8: p侧电极；9: n侧电极；10:
单晶缓冲层。
具体实施例方式
下面， 一面参照附图一面说明本发明的氮化物半导体元件的制造
方法。根据本发明的氮化物半导体元件的制造方法是，在利用MOCVD 法在基板上生长氮化物半导体层，使得至少在表面侧形成具有p型氮 化物半导体层的氮化物半导体元件的情形中，为了形成p型层，利用 具有能够切断作为受主的Mg和H的结合的能量的激光对掺杂有受主 的氮化物半导体层进行照射，来切断作为受主的Mg和H的结合，接 着在300 400°C的温度下进行热处理，由此能够将切离的H从该氮化 物半导体层放出，使受主活性化的方法。
具体地说，图1是表示作为根据本发明的一个实施方式的氮化物 半导体发光元件(LED)的制造步骤说明图，在图2中以分别表示该 芯片的立体说明图的方式，以利用MOCVD法顺次地在基板1上外延 生长由氮化物半导体构成的n型层3、活性层4和p型层5而形成发光 层的方式来形成半导体层叠部6 (请参照图1 (a))，从该半导体层叠
部6的表面侧，照射例如波长在 ^h'c/E (其中，X表示激光的振荡波 长，h表示普朗克(Planck)常数，c表示光速，E表示能够切断Mg 和H结合的能量)以下的波长人的激光(请参照图1 (b))。而且，在 300 400°C的温度下迸行热处理(请参照图1 (c))。此后，与通常的 氮化物半导体LED的制造步骤相同，但是在半导体层叠部6的表面上 设置有ZnO、 IT0等的透光性导电层7 (请参照图1 (d))，分别在通 过蚀刻除去半导体层叠部6的一部分而露出的n型层3上形成n侧电 极9，在透光性导电层7的表面上形成p侧电极8 (请参照图1 (e))， 并进行芯片化，得到如图2所示的氮化物半导体发光元件芯片。
对于激光照射而言，因为掺杂在p型层5中的作为受主的Mg与 在半导体层生长中包含在原料气体的有机金属、氨乃至载流气休中的H 结合而存在，所以要切断该结合。即，通过本发明者反复进行仔细地 研讨，结果发现为了切断该Mg和H的结合，通过照射具有0.067eV 以上的能量E的激光，而能够切断Mg和H的结合。g卩，对于用于得 到该能量E的激光，当令它的波长为X时，成为^=h c/E二18)itm。这 里h是普朗克常数，c是光速。因此，如果波长比它短，则其能量增大， 所以结果是如果照射波长X为18pm以下的激光，则能够离解Mg和H 结合。结果，能够利用与GaN的禁带能量3.39eV以下相当的波长为 365nm以上的激光照射，不需要加热氮化物半导体，利用激光的能量 便能够切断Mg和H的结合。
艮口，当利用激光退火处理，实现受主的活性化时，因为需要在氮 化物半导体中吸收激光能量转变成热，又因为例如GaN的禁带能量为 3.39eV，与365nm相当，所以需要使用在比其短的波长为248nm振荡 的KrF激光器、在193nm振荡的ArF激光器等，加热整个半导体层， 但是在本发明中，只要是能够切断该Mg和H的结合的能量，则也可 以使用例如波长为1.064|im的YAG激光器(添加Nd的钇铝石榴石)、 波长为10.5pm的C02激光器、波长为0.8pm的半导体激光器等，能够 不加热氮化物半导体而离解Mg和H的结合。
此外，在照射激光时，当在激光的照射面积内不能放入1块晶片 的情形中，扫描激光。这时，进行约0.05w/cr^以上的激光照射。此外， 因为如烧蚀(ablation)装置那种通过会聚照射的激光会使GaN层升华，
容易生成氮空位，因此优选不会聚地使用激光。
接着进行的热处理是为了从氮化物半导体层放出通过上述激光照
射分离Mg-H结合所生成的H。即，如上所述，激光照射的目的是切 断该Mg和H的结合，因为不会使半导体层的温度上升，所以即便通 过激光照射分离H，该分离的H也原封不动地存留在氮化物半导体层 内。因为当H原封不动地放置着时，Mg非常容易与H结合，所以因 再结合而降低Mg的活性化。因此，为了从氮化物半导体层驱赶出分 离的氢而进行热处理，但是如果只是为了驱赶出切断了与Mg的结合 的H，例如通过在氮气等不存在氢气的气氛中，在比较低的约300 400。C的温度中，进行约1 10分钟的热处理，则能够简单地驱赶出已 经与Mg切离的H。因此，无需利用己有的退火处理分离Mg-H的结合 并驱赶出H所需要的400。C以上、20分钟以上的长时间的热处理，不 会导致因半导体层叠部中的掺杂剂的移动和氮从半导体层叠部表面的 游离而形成氮空位的弊害。此外，其它的半导体层的生长等与通常的 制造步骤相同。
下面， 一面参照图1， 一面通过具体例更详细地说明本发明的氮化 物半导体发光元件的制造方法。作为基板l，能够使用例如由蓝宝石、 SiC、 GaN系化合物(意味着氮化物半导体)、ZnO系化合物(意味着 包含Zn的氧化物)、Si、 GaAs等构成的各种基板。例如，将由蓝宝石 构成的基板1放入MOCVD装置中， 一面流过氢气， 一面使温度上升 至大约1050°C，对基板1进行热清洁处理(thermal cleaning)。此后， 使温度降低至大约400 600°C，例如在形成约0.005 0.1pm的由GaN 构成的低温缓冲层2的薄膜后，使温度上升至大约600 1200。C，例如 约1000°C的高温，生长由掺杂有Si的GaN构成的接触层和由InGaN 系化合物/GaN构成的超晶格层，由此层叠约1 10Mm的n型层3。下 面，使生长温度降低至大约400 600°C的低温，层叠约0.05 二0.3jim 的未掺杂的InGaN系化合物/GaN-MQW (例如层叠3 8对(pair)由 l 3nm的In0.17Ga0.83N构成的晶片层和由10 20nm的InzGai.zN(0兰z $0.05)构成的阻挡层的多重量子阱构造)的活性层4。接着，使生长 装置内的温度上升至大约600 1200°C，例如大约1000°C的温度，生 长约0.01 0.5Mm的由掺杂有Mg的GaN构成的p型层5。
此外，当生长上述各半导体层时，与载流气体的H2—起供给三甲
基镓(TMG)、氨(NH3)、三甲基铝(TMA)、三甲基铟(TMIn)等 反应气体和作为形成n型时的掺杂剂气体的SiH4、作为形成p型时的 掺杂剂气体的环戊二烯基镁(Cp2Mg)等必要气体，能够以希望的组 成形成希望厚度的希望的导电型半导体层。
此后，更希望的是，如图1 (b)所示，利用CVD法等在半导体层 叠部6的表面设置约0.1 lpm的Si02等的保护膜12，如上述那样， 照射激光(图中的箭头表示激光的照射)。因为通过设置该保护膜12， 能够防止氮化物半导体层的N脱落，所以是优选的，但是如上述那样， 冈为即便由于激光的照射氮化物半导体层的温度也不上升，所以即便 没有保护膜12也没有关系。对于该激光照射而言，如上述那样若不进 行会聚并且能够一次照射晶片的整个面，则照射大约15分钟，当不能 够一次照射晶片的整个面时， 一面进行扫描， 一面在相同的地方照射 大约上述的时间。
此后，如图1 (c)的概念图所示的那样，例如将晶片11载置在 MOCVD装置13等加热装置内的试料台14上， 一面流过氮气， 一面 接通加热器15使晶片11的温度达到大约300 400°C，进行约1 10 分钟的热处理。在图1 (c)中EXH.指的是气体排出口。此外，在该例 子中，使激光照射和热处理顺序地连续进行，但是如果以能够在加热 装置内直接照射激光的方式构成加热装置，则能够同时进行激光照射 和加热处理，能够将通过激光照射分离出来的H直接从氮化物半导体 放出。
此后，如图1 (d)所示，除去保护膜12，在半导体层叠部6的表 面设置例如约0.01 5pm的由ZnO等构成的、能够与p型半导体层5 成为欧姆接触(ohmic contact)的透光性导电层7。该透光性导电层7 并不限定于ZnO，即便是ITO、 Ni和Au的约2 100nm的薄合金层， 也能够一面透过光一面使电流在整个芯片中扩散。
而且，如图1 (e)所示，为了形成n侧电极，通过干蚀刻除去透 光性导电层7和半导体层叠部的一部分而露出n型层3，在透光性导电 层7上的一部分上利用剥离(liftoff)法等形成具有Ti和Au的层叠构 造的p侧电极8，在露出的n型层3上由Ti-Al合金等形成欧姆接触用
的n侧电极9。此后，通过分割各芯片，得到图2所示的LED芯片。
此外，在上述例子中，是用GaN的单层形成p型层5的例子，但 是例如也能够在活性层侧形成AlGaN系化合物那样的禁带(band gap) 较大的层。这时也能够利用与上述相同波长的激光分离Mg和H的结 合。此外，也能够将n型层3作为这种两种以上的复合层。而且，在 本例中，是使用n型层14和p型层16夹持活性层15的双异质结 (Double-Heterojunction)构造，但是也可以是直接结合n型层和p型 层的pn结合构造。而且，在上述例子中，是LED的例子，但是也能 够通过形成带状的发光区域同样地形成激光二极管。
这样形成的氮化物半导体发光元件，如上所述，为了进行p型层 的活性化，利用激光离解受主Mg和H等的结合，此后通过热处理放 出离解的H，所以，能够一面在非常低的温度下在短时间内完成热处 理，可靠地实现p型层的活性化， 一面能够抑制氮从半导体层叠部表 面的离解，能够抑制氮空位的生成，并且因为不需要高温热处理，所 以能够抑制掺杂剂等在层叠的半导体层之间的移动，得到非常稳定的 高特性的LED、半导体激光器等半导体发光元件。
在上述的例子中，在蓝宝石基板上直接形成GaN等的低温缓冲层， 在其上层叠n型层等，但是蓝宝石基板是与GaN等氮化物半导体层的 晶格常数相差约18%的晶格不匹配的基板。当在这种晶格不匹配的基 板上层叠氮化物半导体层时，容易生成位错等的结晶缺陷，因为这种 位错在层叠的半导体层叠部上方成为贯通位错而使结晶缺陷延伸，所 以存在着即便正确地除去由低温热处理产生的氮空位等的弊害，也不 能够充分地提高载流子浓度的情形。即便在这种晶格不匹配的基板上 层叠氮化物半导体层的情形中，也能够抑制氮化物半导体层的结晶缺 陷而能够使p型层的电阻率更小的方法如图3所示。
艮P，首先将与氮化物半导体晶格不匹配的，例如蓝宝石基板1放 入到PLD (Plasma Laser Deposition (等离子激光蒸涂)装置中，在大 约600 800°C的温度下对蓝宝石基板1进行热清洁处理。而且，例如 使用KrF激光对GaN靶进行烧蚀，在蓝宝石基板1上生长GaN单晶 缓冲层IO。而且，将晶片装入到MOCVD装置中，与上述图l所示的 例子相同，顺次生长n型层3等的半导体层叠部6。此后，与上述例子
i相同，利用激光分离受主的Mg和H等的结合，此后通过进行大约300 400。C的热处理，从氮化物半导体层放出分离的H，能够得到载流子浓 度非常大、电阻率非常小的p型层，能够得到高特性的半导体发光元 件。即便作为半导体激光器，也能够得到阈值电流小的半导体激光器， 并且延长它的寿命。
本发明者另外发现并在日本专利申请2005-19522中揭示有在蓝宝 石基板1上形成这种GaN的a轴和c轴定向的单结晶层的技术，艮P， 在PLD法中，以一面使升华的飞散物自由地飞散一面附着在基板表面 上，例如以使飞散的原子能够自由运动的方式将基板温度上升到约 500 1000°C，生长不仅具有c轴而且也具有a轴的单晶层那样的性质 为基础。即，对于PLD法而言，因为与溅射法比较耙组成和薄嫫组成 的偏差小，而且与溅射法不同，由于自偏压(bias)不产生具有高能量 的粒子，所以具有能够生长晶体薄膜的性质。而且，对于PLD法而言， 是与物理蒸涂接近的方法，因为在升华材料中也存在GaN分子，所以 即便在蓝宝石等对GaN湿润性不好的材料上也能够容易成膜，因为也 能够将装置保持在高真空中地进行生长，所以能够在与氮化物半导体 晶格不匹配的基板表面上，不形成低温缓冲层地直接单晶生长氮化物 半导体层。
此外，单晶缓冲层10的组成，不限定于上述的GaN， 一般地，通 过将由AlxGayIni_x—yN (02x^1， 0SySl， O^x + y^l)表示的化合 物用作靶，能够形成该组成的单晶缓冲层10。因此，优选与层叠在其 上的氮化物半导体层的组成相应地形成所要组成的单晶缓冲层10。
而且，在上述的各例中，因为是作为基板为绝缘性基板的蓝宝石 基板的例子，所以为了形成n侧电极9，而蚀刻半导体层叠部6的一部 分露出n型层3，但是即便在基板为SiC那样的半导体基板的情形中， 同样通过从半导体层叠部6的表面侧照射激光进行约300 400°C的热 处理，能够得到电阻非常低的p型层。本例中如图4所示。在本例中， 因为基板不是绝缘性基板，而是半导体，所以不在通过蚀刻并除去半 导体层叠部的一部分露出的n型层3上形成电极，只在由半导体构成 的基板1的背面形成n侧电极9，以后的与上述例子相同。
艮口，在由SiC构成的基板1上，生长高温的AlGaN系化合物缓冲
(buffer)层2a，此后与上述同样，形成由n型层3、活性层4、 p型层 5构成的半导体层叠部6，在p型层5的活性化后在其表面上形成透光 性导电层7。这时，利用上述材料在芯片的大致中央部分的表面形成p 侧电极8，通过在由SiC构成的基板1背面的整个面上形成例如Ni薄 膜而形成n型电极9。当然，因为这时SiC基板和氮化物半导体层其晶 格也不匹配，所以如上述图3所示，通过首先利用PLD法在SiC基板 上生长由AlxGayIni—x.yN构成的单晶缓冲层，在其上利用MOCVD法层 叠各氮化物半导体层，能够得到晶体性更卓越的低电阻的p型层。
图5是利用由上述方法形成的p型层，构成晶体管的剖面说明图。 与发光元件的情形相同，将基板1放入到MOCVD装置中，与上述相 同导入必要的有机金属气体，顺次生长GaN缓冲层2、大约4jim的未 掺杂GaN23层、大约10nm的p型GaN电子渡越层24，照射激光离解 受主和H等的结合，在大约300 400°C的温度下进行热处理，放出该 离解的H，能够得到低电阻的p型GaN电子渡越层(动作层)24。此 后，以生长约为5nm的n型的GaN层25，设置形成栅极长度约为1.5|am 的预定间隔的方式，蚀刻除去n型GaN层25的一部分露出电子渡越 层24。然后，形成约为10nm的由AlN或SiN构成的绝缘膜29，通过 蚀刻n型的GaN层25的一部分使其露出来。此后，在露出的n型GaN 层25上例如利用Ti膜和Au膜形成源电极26和漏电极27。通过在它 们之间的绝缘膜29的表面上例如由Pt膜和Au膜的层叠形成栅电极 28，能够构成n沟道的晶体管。这时，也能够在基板表面上形成单晶 缓冲层，通过在其上生长GaN层，能够得到晶体性非常卓越的氮化物 半导体层，能够得到漏电流小，耐压卓越的高速晶体管(HEMT)。
根据本发明，能够提高用氮化物半导体的LED和激光二极管等的 发光元件、HEMT等的晶体管元件等的特性，能够用于利用这些半导 体元件的各种电子设备中。
权利要求
1.一种氮化物半导体元件的制造方法，其利用MOCVD法在基板上生长氮化物半导体层，使得至少在表面侧具有p型氮化物半导体层，其特征在于通过对掺杂有受主的氮化物半导体层照射能量比作为该氮化物半导体层的受主的Mg和H的结合能大的激光，切断所述Mg和H的结合，接着通过在300～400℃的温度下进行热处理，将所述切离的H从所述氮化物半导体层放出，使所述受主活性化，从而形成所述p型层。
2. 根据权利要求1所述的氮化物半导体元件的制造方法，其特征 在于所述激光是具有X二h c/E以下能量的激光，其中，X表示激光的振荡波长，h表示普朗克常数，c表示光速，E 表示能够切断Mg和H的结合的能量。
3. 根据权利要求2所述的氮化物半导体元件的制造方法，其特征 在于所述激光是具有0.067eV以上且3.39eV以下的能量的激光。
4. 根据权利要求2所述的氮化物半导体元件的制造方法，其特征 在于所述激光是具有18Mm以下且365nm以上的波长的激光。
5. 根据权利要求2所述的氮化物半导体元件的制造方法，其特征所述激光是添加有Nd的YAG激光、C02激光和波长为0.8|am的半导体激光中的任一种。
6. 根据权利要求1所述的氮化物半导体元件的制造方法，其特征 在于所述激光以不会聚的方式直接对所述半导体层进行照射。
7. 根据权利要求1所述的氮化物半导体元件的制造方法，其特征 在于进行1 10分钟所述热处理。
8. 根据权利要求1所述的氮化物半导体元件的制造方法，其特征 同时进行所述激光照射和热处理。
9. 根据权利要求1所述的氮化物半导体元件的制造方法，其特征在于以利用MOCVD法在基板上顺次外延生长由氮化物半导体构成的 n型层、活性层和p型层而形成发光层的方式形成半导体层叠部，由此 形成发光元件。
10. 根据权利要求1所述的氮化物半导体元件的制造方法，其特征在于以构成p型层作为动作层的晶体管的方式生长所述氮化物半导体层。
11. 根据权利要求1所述的氮化物半导体元件的制造方法，其特征在于利用PLD法在不与氮化物半导体晶格匹配的基板表面上生长由 AlxGayln!.x.yN (O^x^l, O^y^l, O^x + y^l)构成、并且该 AlxGayIni.x.yN的a轴和c轴已定向的单晶缓冲层，利用MOCVD法在 该单晶缓冲层上生长氮化物半导体结晶层。
全文摘要
本发明提供一种氮化物半导体元件的制造方法，不发生因长时间进行高温退火处理所引起的形成氮空位的问题来进行受主的活性化，该氮化物半导体元件具有载流子浓度高(低电阻)的p型氮化物半导体层。在基板(1)上形成由氮化物半导体构成的半导体层叠部(6)，从该半导体层叠部的表面侧照射λ＝h·c/E以下(E为能够切断Mg和H结合的能量)波长λ的激光。此后，在300～400℃的温度下进行热处理。而且，与通常氮化物半导体LED的制造步骤相同来设置透光性导电层(7)，并在通过蚀刻除去半导体层叠部的一部分露出的n型层(3)上形成n侧电极(9)，在透光性导电层的表面形成p侧电极(8)。
文档编号H01L21/324GK101176213SQ20068001606
公开日2008年5月7日 申请日期2006年5月8日 优先权日2005年5月9日
发明者中原健 申请人:罗姆股份有限公司