专利名称：半导体发光元件的安装方法和安装装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及将半导体发光元件安装到安装基板上的安装方法和安装装置。
背景技术：
近年来，随着半导体发光元件的高亮度化、高效率化，半导体发光元件更加薄型化、脆弱化。另外，作为将半导体发光元件的裸芯片安装到安装基板上的技术，可以利用倒装芯片安装。所谓倒装芯片安装，是指在半导体发光元件的电极部上形成金属电极、将半导体发光元件与安装基板上的金属电极进行电接合的技术。倒装芯片安装的工艺复杂，不能直接观察接合面。因此，在专利文献1中，提出有以下技术即，通过使探针直接与倒装芯片安装前的半导体发光元件相接触，从而能够对安装前的状态下的半导体发光元件的光学特性、电学特性进行评价。另外，在专利文献2中，揭示了以下技术即，使用X射线摄像装置或红外线显微镜对进行了倒装芯片安装后的半导体元件和安装基板进行评价。该检测装置如图10所示那样构成。在图10中，从X射线发生器100照射出的X射线透射过电路基板102和倒装芯片 103，在X射线传感器104的传感器面转换为光而形成图像。此处，倒装芯片103是通过倒装芯片而接合于电路基板102上的芯片。在倒装芯片接合的接合部中使用对X射线的吸收率较高的铅或金等重金属材料。因此，在X射线图像中，倒装芯片接合的接合部比周边要黑， 能够容易地确定其位置。接着，利用激光聚焦位移计105对倒装芯片103的背面位于接合部的上部的位置的高度进行测定。激光聚焦位移计105采用以下结构即，能够经由透射过 X射线的反射镜106从横向进行测定，使得不对X射线摄像产生影响。在专利文献3中，记载了以下芯片焊接方法S卩，在光学头部组装时，在组装中对发光元件通电，来校正发光元件的位置偏移。在专利文献4中，记载了以下技术即，将安装前的发光元件进行吸附保持，对所保持的发光元件通电，通过测定亮度来进行分选。在专利文献5中记载了以下技术即，对于利用焊接工具吸附保持的半导体元件， 一边检测利用焊接工具产生的按压力，一边将半导体元件安装到印刷基板上。现有技术文献专利文献专利文献1专利文献2专利文献3专利文献4专利文献
发明内容
4日本国专利特开2005-158932号公报 日本国专利特开平11-183406号公报 日本国专利特开平6-45652号公报 日本国专利特开平9-拟699号公报 日本国专利特开平7-161770号公报
然而，在专利文献1的技术中，只能保证安装前的半导体发光元件的特性。另外，在专利文献2的技术中，只能保证安装后的半导体发光元件的最终的接合可靠性。即，在专利文献2的技术中，无法保证光学特性，在光学特性不好的情况下，需要更换半导体发光元件。因此，可能会产生额外的损失。另外，由于一般的安装技术是开环控制，因此，尽管接合已结束，但可能会对半导体发光元件施加接合能量。另外，由于是开环控制，因此，可能会在接合不充分的状态下就结束半导体发光元件的安装工序。其结果是，可能会发生因半导体发光元件的破裂、半导体发光元件的内部的发光层的损坏而引起的不合格。本发明的目的在于提供一种以更高可靠性将半导体发光元件安装到安装基板上的技术。本发明的半导体发光元件的安装方法的特征在于，在使半导体发光元件的电极部与安装基板的电极部进行接合的过程中，向上述安装基板的电极部供电，来使上述半导体发光元件发光，对发光的上述半导体发光元件的光学特性进行检测，基于检测出的上述光学特性来控制上述半导体发光元件的电极部和上述安装基板的电极部的接合。另外，本发明的半导体发光元件的安装方法的特征在于，在使半导体发光元件的电极部与安装基板的电极部进行接合的过程中，向上述安装基板的电极部供电，来使上述半导体发光元件发光，对发光的上述半导体发光元件的光学特性进行检测，在基于检测出的上述光学特性来控制上述半导体发光元件的电极部和上述安装基板的电极部的接合时， 利用按压力对上述接合进行控制，之后，利用超声波对上述接合进行控制。另外，本发明的半导体发光元件的安装方法的特征在于，在使半导体发光元件的电极部与安装基板的电极部进行接合的过程中，向上述安装基板的电极部供电，来使上述半导体发光元件发光，对发光的上述半导体发光元件的光学特性进行检测，在检测出上述光学特性的色度在规定色度范围内、且上述光学特性的亮度在规定亮度以上时，结束接合。本发明的半导体发光元件的安装装置的特征在于，设置有按压机构，该按压机构在其内部形成有用于吸附半导体发光元件的吸附孔，将所吸附的半导体发光元件进行按压；平台，该平台保持住安装基板；供电部，该供电部向保持于上述平台的上述安装基板的电极部供电；光学特性检测器，该光学特性检测器对来自上述吸附孔的光的光学特性进行检测；以及处理控制部，该处理控制部基于上述光学特性检测器的检测值来控制上述按压机构施加的按压。另外，本发明的半导体发光元件的安装装置的特征在于，设置有按压机构，该按压机构在其内部形成有用于吸附半导体发光元件的吸附孔，将所吸附的半导体发光元件进行按压；超声波施加机构，该超声波施加机构对上述半导体发光元件施加超声波；平台，该平台保持住安装基板；供电部，该供电部向保持于上述平台的上述安装基板的电极部供电； 光学特性检测器，该光学特性检测器对来自上述吸附孔的光的光学特性进行检测；以及处理控制部，该处理控制部基于上述光学特性检测器的检测值来控制上述按压机构施加的按压或上述超声波施加机构施加的超声波。另外，本发明的半导体发光元件的安装装置的特征在于，设置有按压机构，该按压机构在其内部形成有用于吸附半导体发光元件的吸附孔，并沿着上述吸附孔的内周配置有光波导，将所吸附的半导体发光元件进行按压；平台，该平台保持住安装基板；供电部，该供电部向保持于上述平台的上述安装基板的电极部供电；第一光学特性检测器，该第一光学特性检测器对来自上述吸附孔的光的光学特性进行检测；第二光学特性检测器，该第二光学特性检测器对来自上述光波导的光的光学特性进行检测；以及处理控制部，该处理控制部基于上述第一光学特性检测器及上述第二光学特性检测器的检测值来控制上述按压机构施加的按压。根据本发明，能够获得半导体发光元件的电极和安装基板的电极部之间的稳定且良好的接合，能够以更高可靠性将半导体发光元件安装到安装基板上。
图1是本发明的实施方式1的半导体发光元件的安装装置的结构图。图2是实施方式1的头部和其周边的主要部分剖视图。图3(a)是本实施方式1的第一工序图，(b)是本实施方式1的第二工序图，(c)是本实施方式1的第三工序图，(d)是本实施方式的1第四工序图，(e)是本实施方式1的第五工序图。图4是本实施方式1的处理控制的流程图。图5是检测光学特性值和安装状态的关系图。图6是示出本实施方式1的按压力的控制例的图。图7是本发明的实施方式2的半导体发光元件的安装装置的主要部分结构图。图8是本发明的实施方式3的半导体发光元件的安装装置的结构图。图9是本发明的实施方式3的半导体发光元件的安装装置的主要部分的检测信号波形图。图10是现有的安装装置的结构图。附图标记1安装装置2半导体发光元件3安装基板4 头部5 平台6供电部7光学特性测定部8处理控制
9按压机构10、18移动机构11吸附孔12负压源13吸引用通路14光学特性检测器15处理部16涂布材料
17安装基板保持部19直流电源20电压测定器21电极部22、23 探头24按压控制部25存储器26凸点电极33 光纤34第二光学特性检测器35超声波施加机构
具体实施例方式下面，参照附图，说明本发明的实施方式。(实施方式1)图1是本发明的实施方式1的半导体发光元件的安装装置的结构图。图2是实施方式1的头部和其周边的放大主要部分剖视图。图3(a) (e)是本实施方式1的第1 第5工序图。图2是在头部4中、仅表示按压机构9及移动机构10的剖面的图。在图3(a) 中，对于从上下夹持住安装基板3及半导体发光元件2的周边部分，在上下空开间隔进行图
7J\ ο图1所示的安装装置1包括头部4、平台5、供电部6、光学特性测定部7、及处理控制部8。头部4将包括作为电极部的凸点电极沈的半导体发光元件2如图3(b)那样进行保持并进行安装。平台5上载放有安装半导体发光元件2的安装基板3。供电部6对安装中的半导体发光元件2供电。光学特性测定部7对安装中的半导体发光元件2的光学特性值进行测定。处理控制部8对安装装置1的动作进行控制。如图2所示，头部4包括按压机构9、移动机构10。按压机构9将所保持的半导体发光元件2向下方按压。移动机构10使按压机构9移动到安装基板3的规定的安装位置。 按压机构9的整体形状是在其内部形成有吸附孔11的筒状。按压机构9的直径是半导体发光元件2的对角直径的1. 0倍以上1. 5倍以下。吸附孔11的直径是0. 05mm以上，且是半导体发光元件2的对角直径的0. 2倍以下。此外，一般的半导体发光元件2的对角直径为0. 3mm 1. Omm左右。吸附孔11与连通负压源12的吸引用通路13相连接。通过吸附孔11及吸引用通路13，利用由负压源12产生的吸附动作来保持半导体发光元件2。在按压机构9的前端开口的吸附孔11的终端，如图2所示那样设置有光学特性检测器(第一光学特性检测器)14。光学特性检测器14对进入吸附孔11的光进行检测。然后，光学特性检测器14通过光学特性测定部7，向处理控制部8的处理部15发送对应于所检测出的光的波长单位的强度信息。此外，在吸附孔11的内周面(表面)，利用能高效地反射光或传送光的物质、且低折射率的涂布材料16进行涂布。该涂布材料16使进入的光以低衰减率有效地传导至光学特性检测器14。利用该涂布材料16，即使在仅有微弱的光进
7入吸附孔11的情况下，也能用光学特性检测器14检测出光。优选涂布材料16使用折射率 1.5左右的Si02、MgF2。另外，还可对吸附孔11的内周面(表面)进行加工，使其成为镜面状。在将吸附孔11的内周面(光波导的表面)加工成镜面状的情况下，尽管反射率会稍微下降，但是能易于形成反射面。平台5包括安装基板保持部17和移动机构18。安装基板保持部17吸引吸附所载放的安装基板3。移动机构18使安装基板保持部17在水平面内移动。供电部6包括供电的直流电源19、探头22、用于测定电压的电压测定器20、及探头23。探头22与安装基板3的电极部21相接触，将直流电源19和电极部21进行电连接。 探头23与安装基板3的电极部21相接触，与电压测定器20进行电连接。光学特性测定部7对光学特性检测器14的输出进行处理，并输出到处理控制部8 的处理部15。处理控制部8具有进行运算处理的电路及各种驱动电路。处理控制部8对头部4、 平台5、供电部6、及光学特性测定部7进行控制。在图1中，作为处理控制部8的主要部分的构成要素，仅图示了处理部15、按压控制部M、及存储器25。处理部15对来自光学特性测定部7的测定值进行处理。按压控制部M对按压机构9进行力控制。存储器25中存储有用于阈值ΦΛ判定的数据等。接着，参考图4的流程图，来说明处理控制部8的具体结构。在步骤Sl中，如图3(b)所示，用头部4的按压机构9吸附保持住半导体发光元件 2。另外，将安装基板3载放于安装基板保持部17上，并被吸附保持。即，装入半导体发光元件、安装基板。在步骤S2中，如图3(c)所示，利用移动机构10、18将半导体发光元件2和安装基板3移动到安装规定位置，对它们进行位置对准。在步骤S3中，如图2所示，探头22、23与安装基板3的电极部21相接触，利用直流电源19、电压测定器20对安装基板3的电学特性值进行测量。此处，所谓电学特性值，是指阻抗值、电容量等物理量。在步骤S4中，基于步骤S3的测定结果，对安装基板3中是否存在电极短路等异常进行判定。在步骤S4的判定结果为检测出异常的情况下(步骤S4中的无异常为“否”的情况下)，前进至后述的步骤Sl 1。在确认步骤S4中不存在异常的情况下(步骤S4中的无异常为“是”的情况下)， 重复执行步骤S5 步骤S8的程序，直至在步骤S7中判定为接合结束。在步骤S5中，按压控制部M对按压机构9进行控制，将半导体发光元件2对安装基板3进行按压。在步骤S6中，在持续对半导体发光元件2进行按压的期间(步骤S5的按压工序的期间)，利用供电部6对半导体发光元件2进行供电，使半导体发光元件2发光。然后，在步骤S6中，在半导体发光元件2进行发光的同时，利用光学特性检测器14来测定安装基板 3的光学特性值。此处，所谓光学特性，是指发光亮度、色度等物理量。在步骤S7中，基于步骤S6的测定结果，处理部15对接合是否结束进行判定。具体而言，处理部15比较由光学特性测定部7测定的光学特性值和存储在存储器 25中的阈值Φ ，在测定结果大于阈值Φ 的情况下，判定为接合结束。根据图5，详细说明该阈值oth。图5表示以一定压力将半导体发光元件2的凸点电极沈对安装基板3的电极部 21进行持续按压的情况下的光学特性值的转变。此处，将半导体发光元件2的凸点电极沈与安装基板3的电极部21相接触的时间设为Tl。基于该图5可知，在Tl之后的一定期间中，半导体发光元件2的发光部的光学特性值上升，之后，大致成为一个定值。所谓半导体发光元件2的发光部的光学特性值在上升后大致成为一个定值的情况，无论是在接合正常的情况下、还是在接合异常的情况下都会发生。即使在接合正常时(图5的30的情况)，在以一定压力持续按压的情况下，之后， 因多余的能量会引起半导体发光元件2的发光部的损坏、凸点电极沈的短路或断路，有时还会发生发光部的破裂。此处，图5的30a的时刻表示发光部发生破裂的状态。在接合异常的情况下(图5的31、32的情况)，即使以一定压力将半导体发光元件2的凸点电极沈对安装基板3的电极部21进行持续按压，安装中的半导体发光元件2的光学特性值也不会到达阈值。th。由于在正常安装时光学特性值会上升到一个定值(图5的Φ )以上，因此，通过以阈值Φ th为基准对安装中的半导体发光元件2的光学特性值进行判定，从而能够不进行破坏就判定安装中的接合状态。若在步骤S7中判定为接合未结束(步骤S7中的接合结束为“否”)，则前进至步骤S8。然后，在步骤S8中处理部15对接合中是否存在异常进行判定，若判定为无异常(在步骤S8中的无异常为“是”)，则返回步骤S5，执行步骤S5 S7。在步骤S7中判定为接合结束的情况下(步骤S7中的接合结束为“是”的情况)， 执行步骤S9。 在步骤S9中，处理部15将接合结束通知信号发送到按压控制部M，接收到该信号的按压控制部M停止按压机构9对半导体发光元件2的按压。接下来，在步骤SlO中，在解除了安装基板保持部17所产生的吸附保持的状态下， 头部4如图3(d)所示那样上升，卸载带有半导体发光元件2的安装基板3。通过卸载安装基板3，解除按压机构9对半导体发光元件2的吸附保持，从而能够如图3(e)所示的那样， 结束半导体发光元件的安装处理。在步骤S8中，例如，即使进行了一定时间的按压处理，但半导体发光元件2的光学特性值也不会上升到阈值ΦΛ的情况下(步骤S8中的无异常为“否”的情况下)，前进至步骤S11。此时，作为步骤S8的无异常“否”，判定半导体发光元件2的发光部中具有裂纹、 损坏、凸点电极26中具有短路、断路等异常。在步骤Sll中，将异常通知信号发送到按压控制部M。接收到步骤Sll中的异常通知信号的按压控制部M，在步骤S9中，停止按压机构 9对半导体发光元件2的按压。由此，在本实施方式1的安装装置中，在将半导体发光元件2与安装基板3进行接合的按压工序中，利用光学特性测定部7来测定半导体发光元件2的光学特性值。然后，基于该光学特性值的测定结果，对半导体发光元件2和安装基板3的接合是否结束进行判定。 由此，能够防止即使光学特性值不达到要求也结束接合动作的情况，能够获得更稳定的接合强度及光学特性。另外，还能够防止在光学特性值已足够的情况下仍进行过度的接合动作。因此，能
9够抑制半导体发光元件2的发光部的裂纹、损坏、凸点电极沈的损伤(短路、断路等)。此外，在本实施方式1中，是根据所检测出的光学特性值来控制按压工序的结束时刻，但是本发明并不限于此。即，也可以并不仅控制按压工序的结束时刻，还能根据所检测出的光学特性值来对按压工序所涉及的任意的参数实时地进行控制。作为控制对象参数的一个例子，能列举出按压工序中的按压力。图6示出了对应于所检测出的光学特性值的按压力的控制例。图6是举例示出了在所检测出的光学特性值较低的期间增大按压力、随着所检测出的光学特性值的上升而减小按压力的图。在这种情况下，将表示图6所示的光学特性值和按压力的关系的数据作为判定用数据预先存储在存储器25中。然后，只需基于该判定用数据来将对应于按压力的控制信号从处理部15发送到按压控制部24。当然，图6 的控制例只不过是一个简单的例子，能够采用对应于实际的安装条件的适当的控制。另外，在本实施方式1中，为了使装置小型化，在按压机构9中设置有光学特性检测器14。但是，本发明并不限于此，还能采用以下结构即，例如，在按压机构9的外部设置光学特性检测器14，利用光纤等将入射到吸附孔11的光导入光学特性检测器14。(实施方式2)图7是本发明的实施方式2的半导体发光元件的安装装置的主要部分结构图。在上述实施方式1中，吸附孔11是空气通路，利用光学特性检测器14对由吸附孔11传送的光进行检测，处理控制部8通过光学特性测定部7对接合的按压力进行控制。但是，由于吸附孔11的传送频率特性受涂布材料16的反射特性的影响，因此，处理控制部8为了测定大范围的色度的亮度来控制接合的按压力，优选使检测光的传送频率特性更为平坦化。因此，在本实施方式2中，将多根光纤33沿吸附孔11的内周面呈环状配置。该光纤33是具有芯材的光波导，该芯材的前端位于吸附孔11的半导体发光元件2的一侧，其另一端位于光学特性检测器14的一侧。另外，在本实施方式2中，除了光学特性检测器14之外，还设置有第二光学特性检测器34。利用第二光学特性检测器34对由多根光纤33的芯材中传送的光进行检测。在这种情况下，光学特性检测器14仅对由配置成环状的光纤33 包围的空气通路中传送的光进行检测。还可考虑利用涂布材料16对光纤33的外周面进行涂布。由光学特性检测器14检测出的输出(以下，作为第一检测输出)和由第二光学特性检测器34检测出的输出(以下，作为第二检测输出)分别通过光学特性测定部7输入到处理控制部8。具体而言，光学特性测定部7是分光器，对光的每一频率的强度进行测定并输出。对于通过光学特性测定部7输入到处理控制部8的第一检测输出和第二检测输出，在处理部15中进行加权，使得即使光学特性检测器14和第二光学特性检测器34的入射面积不同，但每单位面积的比例也相同。由此，进行加权，使得每单位面积的比例相同，之后，将第一检测输出和第二检测输出相加，输出到按压控制部对。详细说明处理部15的加权。设第一检测输出为Al，设光学特性检测器14的入射面积为Ni，设第二检测输出为A2，设第二光学特性检测器34的入射面积为N2。在上述情况下，将处理部15的输出设为例如Al · N2+A2 · Nl来进行输出。在本实施方式2中，由于其他数值和计算都与实施方式1相同，因此省略其说明。在本实施方式2中，通过采用上述结构，能够使通过光学特性测定部7输入到处理控制部8的检测信号的频率特性比实施方式1的情况更平坦。因此，能够实现减少亮度和色度的偏差的安装状态。(实施方式3)图8和图9表示本发明的实施方式3的半导体发光元件的安装装置。此处，说明半导体发光元件的一个例子，即举出从背面对液晶显示屏进行照明的背光源的情况的例子进行说明。在背光源的情况下，需要将发光色为白色的多个发光元件在纵向和横向上隔开规定间隔进行安装。而且，在背光源的情况下，除此之外，在相邻的发光元件之间，要求亮度的偏差较小，且发光色的偏差较小。对发生亮度和发光色的偏差的原因进行探讨。通过将形成于发光元件的电极部的凸点电极对安装基板3的电极部21进行按压来进行安装。此处，即使通过按压进行安装前的发光元件的亮度和发光色不存在偏差，但若按压力产生偏差，则对凸点电极沈的挤压也产生偏差，作为结果，凸点电极沈的与电极部 21的接触面积也产生偏差。具体而言，在凸点电极沈的与电极部21的接触面积较大的情况下，伴随着通电所产生的发光元件的发热会通过凸点电极沈很好地向电极部21散热。与之相反，在凸点电极26的与电极部21的接触面积较小的情况下，伴随着通电所产生的发光元件的发热不易通过凸点电极26向电极部21散热。因此，在接触面积较小的情况下，发光元件的温度上升， 随着通电时间增加而亮度降低。而且，即使凸点电极沈的与电极部21的接触面积相同，但根据凸点电极沈与电极部21的界面状态，发光色的色度也会发生稍许变动。因此，在该实施方式3中，不仅使亮度接近目标亮度，还使色度接近目标色度。为此，在本实施方式3中，在安装基板3的正下方、且在安装基板保持部17和移动机构18之间，安装有超声波施加机构35。而且，处理控制部8采用能够执行图9(a)所示的控制的结构。由于其他结构与实施方式2相同，因此省略说明。图9 (a)的横轴表示时间，左侧的纵轴表示由按压控制部M控制的、按压机构9将半导体发光元件2对安装基板3进行按压的载荷，右侧的纵轴表示使半导体发光元件2在与安装基板3的基板面平行的方向即横向进行振动的超声波的强度。另外，图9(b)的横轴表示时间，纵轴表示安装中的半导体发光元件2的检测亮度。另外，图9(c)的横轴表示时间，纵轴表示安装中的半导体发光元件2的检测色度。此外，图9(a) (c)中分别表示时间t0、tl、t2，明确时刻的对应关系。如图9(a)所示，实施方式3的处理控制部8利用按压机构9将半导体发光元件2 对安装基板3进行按压，直至所检测出的亮度成为图9(b)所示的目标亮度值k。检测出检测亮度成为图9(b)所示的目标亮度值k的处理控制部8，如图9(a)所示，维持此时的按压机构9所施加的载荷。另外，检测出检测的亮度(以下，作为检测亮度) 成为图9 (b)所示的目标亮度值Xs的处理控制部8，利用超声波施加机构35产生如图9 (a) 所示那样的超声波的振动，并对半导体发光元件2施加该横向振动。对于利用该超声波产生的横向振动进行的接合，凸点电极沈的与电极部21的接触面积不会发生显著的变化，半导体发光元件2的散热特性的变化也较少。因此，如图9 (b) 所示，与达到目标亮度值k之前的由载荷所引起的变化率相比，检测亮度的变动极小。但是，如图9(c)所示，所检测出的色度(以下，作为检测色度)因超声波振动产生的横向振动而呈单方向变化。若处理控制部8检测出检测亮度成为目标亮度值k以上、并检测出检测色度成为目标色度Cs，则判定为接合结束。然后，处理控制部8指示超声波施加机构35不输出超声波，指示按压机构9不施加载荷。根据本实施方式3的结构，能够使检测亮度为目标亮度以上，并使检测色度也接近目标色度。因此，在制造从背面对液晶显示屏进行照明的背光源时特别有效。工业中的应用本发明能够应用于需要将半导体发光元件安装到基板上的各种电子设备的制造
直ο
权利要求
1.一种半导体发光元件的安装方法，其特征在于，在使半导体发光元件的电极部与安装基板的电极部进行接合的过程中，向所述安装基板的电极部供电，来使所述半导体发光元件发光，对发光的所述半导体发光元件的光学特性进行检测，基于检测出的所述光学特性来控制所述半导体发光元件的电极部和所述安装基板的电极部的接合。
2.一种半导体发光元件的安装方法，其特征在于，在使半导体发光元件的电极部与安装基板的电极部进行接合的过程中，向所述安装基板的电极部供电，来使所述半导体发光元件发光，对发光的所述半导体发光元件的光学特性进行检测，在基于检测出的所述光学特性来控制所述半导体发光元件的电极部和所述安装基板的电极部的接合时， 利用按压对所述接合进行控制，之后，利用超声波对所述接合进行控制。
3.一种半导体发光元件的安装方法，其特征在于，在使半导体发光元件的电极部与安装基板的电极部进行接合的过程中，向所述安装基板的电极部供电，来使所述半导体发光元件发光，对发光的所述半导体发光元件的光学特性进行检测，在检测出所述光学特性的色度在规定色度范围内、且所述光学特性的亮度在规定亮度以上时，结束接合。
4.如权利要求1 3的任一项所述的半导体发光元件的安装方法，其特征在于， 通过形成于将所述半导体发光元件对所述安装基板进行按压的按压机构的内部的吸附孔来将所述半导体发光元件进行吸附保持，通过所述吸附孔来检测所述半导体发光元件的光学特性。
5.如权利要求1 3的任一项所述的半导体发光元件的安装方法，其特征在于， 通过形成于将所述半导体发光元件对所述安装基板进行按压的按压机构的内部的吸附孔来将所述半导体发光元件进行吸附保持，基于受光面积之比对所述半导体发光元件的第一光学特性和所述半导体发光元件的第二光学特性进行加权处理，基于进行了加权处理后获得的加法计算值来控制所述半导体发光元件的电极部和所述安装基板的电极部的接合，所述半导体发光元件的第一光学特性是通过所述吸附孔而检测出的，所述半导体发光元件的第二光学特性是通过沿所述吸附孔的内周而配置有透光性芯材的光波导而检测出的。
6.如权利要求1 3、5的任一项所述的半导体发光元件的安装方法，其特征在于， 在所检测出的所述光学特性超过预先输入的阈值的情况下，判定为接合结束。
7.如权利要求1或2所述的半导体发光元件的安装方法，其特征在于，在所检测出的所述光学特性超过预先输入的阈值一次后、又下降到所述阈值以下的情况下，判定为接合过度。
8.一种半导体发光元件的安装装置，其特征在于，设置有按压机构，该按压机构在其内部形成有用于吸附半导体发光元件的吸附孔，将所吸附的半导体发光元件进行按压；平台，该平台保持住安装基板；供电部，该供电部向保持于所述平台的所述安装基板的电极部供电； 光学特性检测器，该光学特性检测器对来自所述吸附孔的光的光学特性进行检测；以及处理控制部，该处理控制部基于所述光学特性检测器的检测值来控制所述按压机构施加的按压。
9.一种半导体发光元件的安装装置，其特征在于，设置有按压机构，该按压机构在其内部形成有用于吸附半导体发光元件的吸附孔，将所吸附的半导体发光元件进行按压；超声波施加机构，该超声波施加机构对所述半导体发光元件施加超声波； 平台，该平台保持住安装基板；供电部，该供电部向保持于所述平台的所述安装基板的电极部供电；光学特性检测器，该光学特性检测器对来自所述吸附孔的光的光学特性进行检测；以及处理控制部，该处理控制部基于所述光学特性检测器的检测值来控制所述按压机构施加的按压或所述超声波施加机构施加的超声波。
10.一种半导体发光元件的安装装置，其特征在于，设置有按压机构，该按压机构在其内部形成有用于吸附半导体发光元件的吸附孔，并沿着所述吸附孔的内周配置有光波导，将所吸附的半导体发光元件进行按压； 平台，该平台保持住安装基板；供电部，该供电部向保持于所述平台的所述安装基板的电极部供电； 第一光学特性检测器，该第一光学特性检测器对来自所述吸附孔的光的光学特性进行检测；第二光学特性检测器，该第二光学特性检测器对来自所述光波导的光的光学特性进行检测；以及处理控制部，该处理控制部基于所述第一光学特性检测器及所述第二光学特性检测器的检测值来控制所述按压机构施加的按压。
11.如权利要求10所述的半导体发光元件的安装装置，其特征在于，所述处理控制部基于受光面积之比对由所述第一光学特性检测器检测出的检测值和由所述第二光学特性检测器检测出的检测值进行加权处理，并基于进行了加权处理后获得的加法计算值，来控制所述按压机构施加的按压。
12.如权利要求8 10的任一项所述的半导体发光元件的安装装置，其特征在于， 所述吸附孔的直径为0. 05mm以上。
13.如权利要求8 10的任一项所述的半导体发光元件的安装装置，其特征在于， 所述吸附孔的直径为所述半导体发光元件的对角直径的0. 2倍以下。
14.如权利要求8 10的任一项所述的半导体发光元件的安装装置，其特征在于， 对所述吸附孔的表面用涂布材料进行了涂布。
15.如权利要求14所述的半导体发光元件的安装装置，其特征在于， 所述涂布材料为SiO2或MgF2。
16.如权利要求8 10的任一项所述的半导体发光元件的安装装置，其特征在于， 将所述吸附孔的表面加工成镜面状。
全文摘要
本发明的目的在于提供一种半导体发光元件的安装方法和安装装置。在使半导体发光元件(2)的凸点电极(26)与安装基板(3)的电极部(21)进行接合时，由于在使半导体发光元件(2)的凸点电极(26)与安装基板(3)的电极部(21)进行接合时向安装基板(3)的电极部(21)供电，使半导体发光元件(2)以其功率发光，对发光的半导体发光元件(2)的光学特性进行检测，对该光学特性的检测值进行处理，获取半导体发光元件(2)的凸点电极(26)和安装基板(3)的电极部(21)的接合状态，来对接合是否结束进行判定，因此，能够通过形成于半导体发光元件上的金属电极来将半导体发光元件很好地与安装基板上的电极部进行接合。
文档编号H01L21/60GK102449787SQ20118000227
公开日2012年5月9日 申请日期2011年4月26日 优先权日2010年5月19日
发明者丰田香, 伊藤知规, 川端毅, 池内宏树 申请人:松下电器产业株式会社