本发明涉及发光器件技术，特别是涉及一种有机电致发光器件。
背景技术：
有机电致发光器件oled通常包括多个像素，每个像素由若干子像素组成。目前，在中小尺寸中广泛应用的是由红、绿、蓝三种像素组成一个像素。相应的，有机电致发光器件的结构中通常包括并排设置的红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层。其中，红光发光层对应红光像素区域，绿光发光层对应绿光像素区域，蓝光发光层对应蓝光像素区域。
由于红光、绿光和蓝光的波长不同，为了保证发光器件的显示效果，需要在发光器件中对绿光发光层和红光发光层进行光学补偿。传统的对绿光发光层和红光发光层进行光学补偿时，通常是采用氧化物，如：ito(indiumtinoxide，掺锡氧化铟)或者有机材料来实现。但是，采用有机材料进行红光发光层和绿光发光层的光学补偿时需要采用精密mask(掩膜板)进行蒸镀以形成光学补偿层，并且红光补偿层的厚度通常大于60nm。而采用精密mask进行蒸镀形成光学补偿层时，当量产线长时间蒸镀时很容易在蒸镀过程中阻塞精密mask，从而影响有机电致发光器件的性能，降低所制备的有机电致发光器件的良率。
技术实现要素：
基于此，有必要针对传统的采用精密mask蒸镀形成光学补偿层时容易导致精密mask阻塞从而降低有机发光器件的良率的问题，提供一种有机电致发光器件。
为实现本发明目的提供的一种有机电致发光器件，包括：
阳极；
第一有机功能层，形成于所述阳极上；
发光层，形成于所述第一有机功能层上；
第二有机功能层，形成于所述发光层上；
阴极，形成于所述第二有机功能层上；
其中，所述发光层包括红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层；
所述红光发光层的厚度大于所述绿光发光层的厚度，且所述红光发光层的厚度大于所述蓝光发光层的厚度。
在其中一个实施例中，所述红光发光层的结构为双主体结构。
在其中一个实施例中，所述红光发光层的双主体结构通过在所述红光发光层的单主体中增加空穴型第二主体实现；或通过在所述红光发光层的单主体中增加空穴传输材料实现。
在其中一个实施例中，所述红光发光层的厚度大于所述绿光发光层的厚度，且所述红光发光层与所述绿光发光层之间的厚度差为第一预设值；
所述红光发光层的厚度大于所述蓝光发光层的厚度，且所述红光发光层与所述蓝光发光层之间的厚度为第二预设值；
所述第一预设值小于所述第二预设值。
在其中一个实施例中，所述第一预设值的取值范围和所述第二预设值的取值范围均为：20nm-80nm。
在其中一个实施例中，所述红光发光层的厚度为：40nm-100nm；所述绿光发光层的厚度为：10nm-60nm；所述蓝光发光层的厚度为：10nm-40nm。
在其中一个实施例中，所述红光发光层的厚度为60nm-100nm；所述绿光发光层的厚度为30nm-40nm。
在其中一个实施例中，所述第一有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、绿光补偿层和红光补偿层；
所述空穴注入层直接形成于所述阳极上；
所述空穴传输层形成于所述空穴注入层上；
所述绿光补偿层与所述红光补偿层均形成于所述空穴传输层上并相邻设置；且
所述绿光补偿层与所述绿光发光层相对应，所述红光补偿层与所述红光发光层相对应。
在其中一个实施例中，所述红光发光层形成于所述红光补偿层上；所述绿光发光层形成于所述绿光补偿层上；所述蓝光发光层形成于未被所述绿光补偿层和所述红光补偿层覆盖的所述空穴传输层上。
在其中一个实施例中，所述绿光补偿层的材料与所述红光补偿层的材料相同；且
所述绿光补偿层的厚度与所述红光补偿层的厚度相同。
上述有机电致发光器件，通过设置形成在第一有机功能层上的红光发光层的厚度大于绿光发光层的厚度，并且红光发光层的厚度还大于蓝光发光层的厚度，从而使得增加的红光发光层能够作为红光发光层的部分光学补偿层，以此来减少红光补偿层的厚度，从而降低传统的采用精密mask蒸镀形成红光补偿层时，由于红光补偿层厚度较厚而导致精密mask阻塞的概率，最终有效解决了传统的采用精密mask蒸镀形成光学补偿层时容易导致精密mask阻塞从而降低有机发光器件的良率的问题。
附图说明
图1为本发明的有机电致发光器件的一具体实施例的纵截面结构示意图；
图2为本发明的有机电致发光器件的另一具体实施例的纵截面结构示意图。
具体实施方式
为使本发明技术方案更加清楚，以下结合附图及具体实施例对本发明作进一步详细说明。
首先，需要说明的是，为了保证附图能够清晰的表现本发明的有机电致发光器件的结构，说明书附图中每一个具体实施例对应的附图会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。也就是说，在本发明的有机电致发光器件中，说明书附图所提供的具体实施例的结构图仅起辅助说明的作用，实际所制备的有机电致发光器件每一层的厚度与面积并不完全以附图中所示的实施例为准。
参见图1，作为本发明的有机电致发光器件100的一具体实施例，其包括阳极110、第一有机功能层120、发光层130、第二有机功能层140和阴极150。其中，阳极110可直接形成于基板上，也可采用具有导电性能的基板直接作为阳极110。第一有机功能层120则直接形成于阳极110上，发光层130形成于第一有机功能层120上，第二有机功能层140形成于发光层130上，阴极150则直接形成于第二有机功能层140上。
同时，发光层130包括红光发光层131、绿光发光层132和蓝光发光层133。红光发光层131、绿光发光层132和蓝光发光层133均形成于第一有机功能层120上并相邻设置。具体的，参见图1，在本发明的有机电致发光器件100的一具体实施例中，绿光发光层132位于红光发光层131与蓝光发光层133之间。并且，红光发光层131的厚度最厚，绿光发光层132的厚度次之，蓝光发光层133的厚度最薄。由此，红光发光层131、绿光发光层132和蓝光发光层133形成台阶状。
其通过设置红光发光层131的厚度大于绿光发光层132的厚度，同时还大于蓝光发光层133的厚度，使得将增厚的部分红光发光层131作为红光发光层131的部分光学补偿层，从而减少了红光补偿层123的厚度，由此也就有效降低了采用精密mask蒸镀红光补偿层123时精密mask阻塞的概率，最终有效提高了有机电致发光器件100的良率。
其中，作为一种可实施方式，红光发光层131的厚度可通过将红光发光层131的结构设置为双主体结构来实现。优选的，在本发明的有机电致发光器件100的一具体实施例中，红光发光层131的双主体结构可通过在红光发光层131的单主体中增加空穴型第二主体来实现，也可通过在红光发光层131的单主体中增加空穴传输材料来实现。
此处，需要说明的是，空穴型第二主体指的是不同于红光发光层131的单主体材料的偏空穴型的材料。空穴传输材料则指的是空穴传输(p型)的有机电荷传输材料。其中，有机电荷传输材料指的是一类当有载流子(电子或空穴)注入时，在电场作用下可以实现载流子的定向有序的可控迁移从而达到传输电荷的有机半导体材料。
进一步的，参见图1，在本发明的有机电致发光器件100的一具体实施例中，第一有机功能层120包括空穴注入层121、空穴传输层122、绿光补偿层124和红光补偿层123。其中，空穴注入层121直接形成于阳极110上。空穴传输层122形成于空穴注入层121上。绿光补偿层124与红光补偿层123均形成于空穴传输层122上并相邻设置。并且，绿光补偿层124与绿光发光层132相对应，红光补偿层123与红光发光层131相对应。
相应的，红光发光层131则形成于红光补偿层123上；绿光发光层132形成于绿光补偿层124上；蓝光发光层133形成于未被绿光补偿层124和红光补偿层123覆盖的空穴传输层122上。
由此，红光发光层131的光学补偿层包括：增厚部分的红光发光层131和红光补偿层123。并且，红光发光层131和红光补偿层123以及与红光发光层131和红光补偿层123相对应的第一有机功能层120和第二有机功能层140作为本发明的有机电致发光器件100的红光子像素。绿光发光层132和绿光补偿层124以及与绿光发光层132和绿光补偿层124相对应的第一有机功能层120和第二有机功能层140作为本发明的有机电致发光器件100的绿光子像素。蓝光发光层133以及与蓝光发光层133相对应的第一有机功能层120和第二有机功能层140作为本发明的有机电致发光器件100的蓝光子像素。
优选的，红光发光层131的厚度大于绿光发光层132的厚度，且红光发光层131与绿光发光层132之间的厚度差为第一预设值；红光发光层131的厚度大于蓝光发光层133的厚度，且红光发光层131与蓝光发光层133之间的厚度差为第二预设值。并且，第一预设值小于第二预设值。也就是说，红光发光层131的上表面、绿光发光层132的上表面和蓝光发光层133的上表面(以图1所示方向为准)形成台阶状。
其中，第一预设值和第二预设值的取值范围均为20nm-80nm。并且，第一预设值与第二预设值优选为不同的取值。其通过设置红光发光层131的厚度大于绿光发光层132的厚度20nm-80nm，同时还设置红光发光层131的厚度大于蓝光发光层133的厚度20nm-80nm，使得形成于红光发光层131与空穴传输层122之间的红光补偿层123的厚度能够减少至60nm以下，由此，其有效减少了红光补偿层123的厚度，进而减少了红光补偿层123的蒸镀时间，最终降低了采用精密mask蒸镀红光补偿层123时精密mask阻塞的概率。
具体的，红光发光层131的厚度可为：40nm-100nm，优选为60nm-100nm。绿光发光层132的厚度可为：10nm-60nm，优选为30nm-40nm。蓝光发光层133的厚度可为：10nm-40nm。由此，在该结构中，红光发光层131厚度的增加能够减少红光补偿层123的厚度至60nm以下，从而有效减少了红光补偿层123的蒸镀时间，最终有效降低了精密mask阻塞的概率。
更进一步的，参见图2，在本发明的有机电致发光器件100的另一具体实施例中，红光补偿层123的材料与绿光补偿层124的材料优选为相同材料，并且红光补偿层123的厚度与绿光补偿层124的厚度相同。由此，增厚的部分红光发光层131可用于补偿红绿光学长度差异，从而减少精密mask的使用。即，在进行红光补偿层123和绿光补偿层124的蒸镀时，可以采用不太精密的mask进行统一蒸镀。由此，其既降低了蒸镀难度，同时还有效节省了红光补偿层123和绿光补偿层124的蒸镀工艺，简化了有机电致发光器件100的制备工艺。
另外，还需要说明的是，参见图1和图2，在本发明的有机电致发光器件100中，第二有机功能层140包括空穴阻挡层141、电子传输层142和电子注入层143。其中，空穴阻挡层141形成于红光发光层131、绿光发光层132和蓝光发光层133上。电子传输层142形成于空穴阻挡层141上。电子注入层143形成于电子传输层142上。
进一步的，阴极150则直接形成于电子注入层143上。同时，在阴极150表面还可形成有耦合层160，以进一步提高有机电致发光器件100的性能。
另外，还需要说明的是，在本发明的有机电致发光器件100中，其各个膜层均可采用金属光罩制程的蒸镀工艺制备形成，也可采用本领域所公知的其他镀膜工艺，如：磁控溅射沉积工艺、涂覆工艺等制备形成。由于其制备各个膜层的工艺为本领域所公知的，因此，此处不再赘述。
为了更加清楚的说明采用本发明的有机电致发光器件100在有效降低精密mask阻塞概率的同时，还能够保证器件的良好性能，以下分别以四种具有不同厚度的红光发光层131的有机电致发光器件100进行性能测试。
具体实施例，器件基本结构如下：ito/ag/ito/hat-cn
表1
并且，x为红光发光层131的厚度，具体可参见表2。其中，编号为a的有机电致发光器件100中，红光发光层131的厚度为
表2
由表2可知，在适当条件下，通过增厚红光发光层131可以提高红光效率和寿命。即，红光发光层131增厚的部分可以作为红光发光层131的部分光学补偿层。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。