面和上表面的方式配置具有感光性的树脂绝缘材料，该树脂绝缘材料用于形成所述阻焊剂层，通过分阶段地反复进行多次所述树脂绝缘材料的局部曝光和显影，从而形成所述开口部，并且形成所述阻焊剂层，所述阻焊剂层在该开口部内具有:侧面覆盖部，其用于覆盖所述连接端子部的侧面；以及凸状壁部，其与所述侧面覆盖部一体地形成，以与所述连接端子部的所述连接区域相交叉的方式突出设置。
[0024]采用技术方案2所述的发明，对于阻焊剂层而言，在开口部内形成有用于覆盖连接端子部侧面的侧面覆盖部，并且形成有与该侧面覆盖部一体地形成的凸状壁部，该凸状壁部以与连接端子部的连接区域相交叉的方式突出设置。若像这样形成阻焊剂层，则能够充分确保凸状壁部的强度，因此能够避免出现凸状壁部的抗蚀图案发生剥离这样的问题。并且，在将半导体芯片的连接端子软钎焊于连接区域时，凸状壁部作为软钎料堤坝发挥作用，从而能够避免出现连接区域内的软钎料向布线区域流出这样的问题。因此，能够提高布线基板与半导体芯片之间的连接可靠性。
[0025]也可以是，用于形成阻焊剂层的树脂绝缘材料为绝缘膜，在阻焊剂层形成工序中，将绝缘膜配置在连接端子部之上，为了确保表面的平坦性而沿膜的厚度方向按压膜，之后进行曝光和显影。如此一来，能够确保凸状壁部的表面的平坦性、侧面覆盖部的表面的平坦性，能够提高布线基板的连接可靠性。
【附图说明】
[0026]图1是表不一实施方式的有机布线基板的俯视图。
[0027]图2是表示一实施方式的有机布线基板的主要部分的放大剖面图。
[0028]图3是表示开口部内的各连接端子部、侧面覆盖部以及凸状壁部的放大俯视图。
[0029]图4是表示各连接端子部和凸状壁部的放大剖面图。
[0030]图5是表示侧面覆盖部和凸状壁部的放大剖面图。
[0031]图6是表示一实施方式的有机布线基板的制造方法的说明图。
[0032]图7是表示一实施方式的有机布线基板的制造方法的说明图。
[0033]图8是表示一实施方式的有机布线基板的制造方法的说明图。
[0034]图9是表示一实施方式的有机布线基板的制造方法的说明图。
[0035]图10是表示一实施方式的有机布线基板的制造方法的说明图。
[0036]图11是表示一实施方式的有机布线基板的制造方法的说明图。
[0037]图12是表示一实施方式的有机布线基板的制造方法的说明图。
[0038]图13是表示一实施方式的有机布线基板的制造方法的说明图。
[0039]图14是表示另一实施方式的凸状壁部的放大剖面图。
[0040]图15是表不另一实施方式的凸状壁部的放大剖面图。
[0041]图16是表不另一实施方式的凸状壁部的放大剖面图。
【具体实施方式】
[0042]以下，基于附图详细地说明将本发明具体化为作为布线基板的有机布线基板的一实施方式。图1是本实施方式的有机布线基板的俯视图，图2是表示有机布线基板的主要部分的放大剖面图。
[0043]如图1和图2所示，本实施方式的有机布线基板10具有作为半导体芯片搭载面的基板主表面11和与该基板主表面11所处侧相反的一侧的基板背面12。详细而言，有机布线基板10由如下部分构成，即:芯基板13，其为矩形板状；第I积层31，其形成在芯基板13的芯主表面14 (在图2中为上表面)之上；以及第2积层32，其形成在芯基板13的芯背面15 (在图2中为下表面)之上。
[0044]本实施方式的芯基板13例如由使环氧树脂含溃于作为增强材料的玻璃布而成的树脂绝缘材料(环氧玻璃材料)构成。在芯基板13上以贯通芯主表面14和芯背面15的方式形成有多个通孔导体16。其中，通孔导体16的内部被例如环氧树脂等闭塞体17填埋。另外，在芯基板13的芯主表面14和芯背面15以图案的方式形成有由铜构成的导体层19，各导体层19与通孔导体16电连接。
[0045]形成在芯基板13的芯主表面14上的第I积层31是具有层叠多个树脂绝缘层21、22 (绝缘层)和多个导体层24而成的构造的层叠体，该多个树脂绝缘层21、22由热固化性树脂(环氧树脂)构成，该多个导体层24由铜构成。在第I积层31中，最外层的导体层24包括多个沿着半导体芯片(未图示)的搭载区域Rl的外周配置的多个连接端子部41，以供半导体芯片以倒装芯片的方式安装。另外，设置阻焊剂层25作为第I积层31的最外层的绝缘层。在阻焊剂层25的与半导体芯片的搭载区域Rl的四边相对应的位置形成有多个狭缝状的开口部43。并且，在阻焊剂层25的开口部43内形成有多个连接端子部41。
[0046]在本实施方式中，多个连接端子部41设于树脂绝缘层22的上表面。并且，在树脂绝缘层21、22上均形成有通孔33和填孔的通路导体34。各通路导体34与各导体层19、24以及连接端子部41电连接。
[0047]要安装于本实施方式的布线基板10的半导体芯片能够使用例如具有Cu柱构造的连接端子的半导体芯片。需要说明的是，除Cu柱构造以外，也可以以倒装芯片的方式安装具有镀Au凸点构造、Au柱(Au stud)构造的连接端子的半导体芯片。
[0048]形成在芯基板13的芯背面15上的第2积层32具有与所述第I积层31大致相同的构造。即，第2积层32具有层叠树脂绝缘层26、27和导体层24而成的构造。在第2积层32中，作为最外层的导体层24，形成有用于与母板(未图示)连接的多个外部连接端子45。并且，在树脂绝缘层26、27上也形成有通孔33和通路导体34。各通路导体34与导体层19、24以及外部连接端子45电连接。而且，在第2积层32的最外层设有阻焊剂层28。在阻焊剂层28的规定部位设有用于使外部连接端子45暴露的开口部47。并且，对于外部连接端子45而言，其在开口部47内暴露的下表面由镀层48(例如，锡镀层)覆盖。在该外部连接端子45的下表面配置有多个能够与未图示的母板电连接的软钎料凸点49。于是，有机布线基板10能够利用各软钎料凸点49安装在未图示的母板之上。
[0049]接着，详细说明形成于基板主表面11侧的第I积层31上的连接端子部41的具体结构。
[0050]如图2和图3所示，各连接端子部41具有:连接区域51 (在图3中，由虚线圆表示的区域)，其是供半导体芯片的连接端子借助软钎料连接的区域；以及布线区域52，其从连接区域51的两侧(在图3中的上侧和下侧)沿平面方向延伸设置。各连接端子部41(连接区域51和布线区域52)以铜为主体构成，在各连接端子部41的表面之上形成有镀层53 (例如，锡镀层)。需要说明的是，对于该连接端子部41的镀层53和所述外部连接端子45的镀层48而言，除锡镀层以外，也可以是包括镍镀层、钯镀层、金镀层中的至少任意一层的镀层。并且，可以在连接端子部41的表面、外部连接端子45的表面进行防锈用0SP(0rganicSolderability Preservative)处理,也可以在连接端子部41的表面、外部连接端子45的表面进行软钎料涂敷处理，来代替镀层53、48。
[0051]对于在阻焊剂层25的开口部43内排列的多个连接端子部41，各布线区域52以各布线区域52的延伸设置方向相互平行的方式设置，各连接区域51配置在交错的位置。即，对于在排列方向上相邻的连接端子部41而言，各连接区域51配置于在与连接端子部41的排列方向正交的方向(布线区域52的延伸设置方向)上错开的位置，以使连接区域51的位置在连接端子部41的排列方向上不重叠。若像这样形成连接端子部41，则能够缩小各连接端子部41之间的端子间距。其中，本实施方式的端子间距例如为40μπι。
[0052]阻焊剂层25在开口部43内具有:侧面覆盖部55，其用于覆盖连接端子部41的侧面；以及凸状壁部56，其以与连接端子部41的连接区域51相交叉的方式突出设置。凸状壁部56以将开口部43的短边方向的中央部分截断的方式沿该开口部43的长边方向呈直线状设置。在本实施方式中，在阻焊剂层25中，凸状壁部56与侧面覆盖部55 —体地形成(参照图4和图5)。而且，凸状壁部56与阻焊剂层25的用于形成开口部43的内壁面58 (参照图3) —体地形成。其中，图4是将图3所示的凸状壁部56沿着该凸状壁部56的长边方向切