断而得到的剖面图，图5是将凸状壁部56沿着与该凸状壁部56的长边方向正交的方向(短边方向)切断而得到的剖面图。如图3和图4所示，凸状壁部56具有15 μ m左右的宽度，以与多个布线区域52垂直交叉的方式延伸设置。该凸状壁部56发挥软钎料堤坝的作用，即用于防止软钎料在各连接端子41内自连接区域51向布线区域52的流出。在本实施方式中，在阻焊剂层25中，凸状壁部56形成为高度与使连接端子部41暴露的开口部43的周围部分的高度相同(参照图5)。
[0053]接着，说明本实施方式的有机布线基板10的制造方法。
[0054]首先，准备在由环氧玻璃材料构成的基材的两面粘贴铜箔而成的覆铜箔层压板。之后，利用穿孔机进行穿孔加工，预先在规定位置形成贯通覆铜箔层压板61的表背面的贯通孔62 (参照图6)。之后，对覆铜箔层压板61的贯通孔62的内表面进行化学镀铜和电解镀铜，从而在贯通孔62内形成通孔导体16。
[0055]之后，利用绝缘树脂材料(环氧树脂)填埋通孔导体16的空洞部，而形成闭塞体17。而且，利用例如减成法使覆铜箔层压板61的铜箔和形成在该铜箔之上的铜镀层形成图案。其结果，如图7所示那样，得到形成有导体层19和通孔导体16的芯基板13。
[0056]之后，进行积层工序，从而在芯基板13的芯主表面14之上形成第I积层31，并且在芯基板13的芯背面15之上形成第2积层32。
[0057]详细而言，在芯基板13的芯主表面14之上配置并粘贴由环氧树脂构成的片状的树脂绝缘层21，在芯背面15之上配置并粘贴由环氧树脂构成的片状的树脂绝缘层26。之后，利用例如准分子激光、UV激光、CO2激光等实施激光加工，在树脂绝缘层21、26的规定位置形成通孔33(参照图8)。接着，进行去污工序，在该去污工序中利用高锰酸钾溶液等蚀刻液将各通孔33内的污物去除。其中，作为去污工序，除了使用蚀刻液的处理以外，也可以例如利用O2等离子体进行等离子体灰化处理。
[0058]在去污工序之后，按照以往公知的方法进行化学镀铜和电解镀铜，从而在各通孔33内形成通路导体34。而且，利用以往公知的方法(例如部分加成法)进行蚀刻，而在树脂绝缘层21、26上以图案的方式形成导体层24(参照图9)。
[0059]利用与形成所述树脂绝缘层21、26和导体层24的方法相同的方法形成其他的树脂绝缘层22、27和导体层24，并将其他的树脂绝缘层22和导体层24层叠在树脂绝缘层21之上，将其他的树脂绝缘层27和导体层24层叠在树脂绝缘层26之上。其中，在此，作为树脂绝缘层22之上的导体层24，形成有多个具有连接区域51和布线区域52的连接端子部41 (导体层形成工序)。并且，作为树脂绝缘层27之上的导体层24，形成有多个外部连接端子45 (图10参照)。
[0060]接着，进行阻焊剂层形成工序，形成第I积层31的阻焊剂层25。更详细而言，首先，在树脂绝缘层22之上以覆盖连接端子部41的侧面和上表面的方式粘贴用于形成阻焊剂层25的具有感光性的绝缘膜71 (例如，由感光性环氧树脂等树脂绝缘材料构成的膜)(参照图11)。之后，为了确保表面的平坦性而沿绝缘膜71的厚度方向按压该绝缘膜71。之后，如图12所示那样，将掩模72配置在绝缘膜71之上，借助该掩模72使要成为开口部43周围的区域和要成为凸状壁部56的区域曝光，之后进行显影。通过该显影，在各连接端子部41之间残留有侧面覆盖部55的部分，并且形成开口部43而使连接端子部41的表面暴露，并且形成与侧面覆盖部55连成一体的凸状壁部56。进而，使残留在各连接端子部41之间的侧面覆盖部55的部分曝光。像这样，反复进行曝光和显影之后，实施由热量、紫外线进行的固化处理，从而形成在开口部43内具有侧面覆盖部55和凸状壁部56的阻焊剂层25 (参照图13)。其中，侧面覆盖部55的部分也可以不进行曝光而仅进行固化处理。
[0061]另外，对于第2积层32的阻焊剂层28而言，也是在配置有规定掩模的状态下进行曝光和显影，在阻焊剂层28上以图案方式形成开口部47之后，实施固化处理(参照图13)。
[0062]之后，通过对连接端子部41的自开口部43暴露的表面(上表面)实施化学镀锡，从而形成镀层53。
[0063]并且，通过该化学镀锡，在外部连接端子45的自开口部47暴露的表面(下表面)形成锻层48。
[0064]经过以上的工序而制造出图1和图2所示的有机布线基板10。
[0065]之后，利用未图示的软钎料球搭载装置在将软钎料球配置在各外部连接端子45之上的状态下进行回流焊工序，对软钎料球进行加热，从而还能够在各外部连接端子45之上形成软钎料凸点49。
[0066]因而，采用本实施方式能够得到以下的效果。
[0067](I)在本实施方式的有机布线基板10中，在阻焊剂层25的开口部43内，与用于覆盖连接端子部41侧面的侧面覆盖部55 —体地形成有凸状壁部56。若形成为这样，则能够充分确保凸状壁部56的强度，能够避免出现凸状壁部56发生剥离这样的问题。并且，凸状壁部56以与连接端子部41的连接区域51相交叉的方式突出设置，因此在安装半导体芯片时，凸状壁部56作为软钎料堤坝发挥作用。其结果，能够防止出现连接区域51内的软钎料向布线区域52内流出这样的问题，能够可靠地保持连接区域51内的软钎料。因此，能够提高有机布线基板10与半导体芯片之间的连接可靠性。
[0068](2)在本实施方式的有机布线基板10中，凸状壁部56与阻焊剂层25的用于形成开口部43的内壁面58 —体地形成。如此一来，凸状壁部56的强度增大，因此能够可靠地避免出现凸状壁部56发生剥离这样的问题。
[0069](3)在本实施方式中，在阻焊剂层形成工序中，将绝缘膜71配置在连接端子部41之上，为了确保表面的平坦性而沿绝缘膜71的厚度方向按压该绝缘膜71，之后进行曝光和显影。如此一来，能够充分确保侧面覆盖部55的表面的平坦性、凸状壁部56的表面的平坦性，能够提闻有机布线基板10的连接可罪性。
[0070](4)在本实施方式的有机布线基板10中，多个连接端子部41以布线区域52的延伸设置方向相互平行的方式排列。并且，对于在排列方向上相邻的连接端子部41，连接区域51设于在与各连接端子部41的排列方向正交的方向(布线区域52的延伸设置方向)上错开的位置，以使连接区域51的位置在各连接端子部41的排列方向上不重叠。如此一来，能够缩小多个连接端子部41之间的端子间距，能够谋求有机布线基板10的高密度化。
[0071](5)在本实施方式的有机布线基板10中，连接端子部41的侧面由阻焊剂层25的侧面覆盖部55覆盖。如此一来，能够利用侧面覆盖部55可靠地保持宽度较窄的连接端子部41，因此能够谋求有机布线基板10的高密度化并且提高有机布线基板10的连接可靠性。
[0072]另外，本发明的实施方式也可以如以下那样变更。
[0073]?在所述实施方式的有机布线基板10中，在阻焊剂层25中，凸状壁部56形成为高度与开口部43的周围部分的高度相同，但并不限定于此，例如也可以根据连接芯片时软钎料的种类、使用量来适当地变更。具体而言，既可以如图14所示那样在阻焊剂层25形成高度大于开口部43的周围部分的高度的凸状壁部56A，也可以如图15所示那样形成高度小于开口部43的周围部分的高度的凸状壁部56B。与所述实施方式同样，所述凸状壁部56A、56B也是通过分阶段地反复进行多次绝缘膜71的局部曝光和显影而与侧面覆盖部55 —体地形成的。
[0074]具体而言，在要在阻焊剂层25形成图14中的凸状壁部56A的情况下，对绝缘膜71的要成为开口部43周围的区域进行曝光，之后进行显影，略微减薄与开口部43相对应的部位。之后，对要成为凸状壁部56A的区域进行曝光，之后进行显影，在阻焊剂层25形成开口部43，并且形成侧面覆盖部55和凸状壁部56A。另外，在要在阻焊剂层25形成图15中的凸状壁部56B的情况下，对绝缘膜71的要成为凸状壁部56B的区域进行曝光，之后进行显影，略微减薄除凸状壁部56B以外的区域。之后，对要成为开口部43周围的区域进行曝光，之后进行显影，在阻焊剂层25形成开口部43，并且形成侧面覆盖部55和凸状壁部56B。
[0075]?在所述实施方式的有机布