降低功函数的方法、倒置有机发光器件及制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及发光器件领域，尤其涉及降低功函数的方法、倒置有机发光器件及制作方法。
【背景技术】
[0002]近些年有机发光器件(Organic Light Emitting Devices，0LED)作为新一代显示器件，受到研究人员的广泛关注。有机发光器件与液晶显示器件(LCD)相比，具有亮度高，主动发光，视角宽，响应速度快等特点，是平板显示领域的后起之秀，呈现出良好的发展和应用前景。
[0003]有机发光器件根据驱动方式的差异分为无源驱动有机发光器件(Passive Matrix0LED，PM0LED)和有源驱动有机发光器件(Active Matrix OLED.AM0LED)。PMOLED 具有结构简单、成本低的特点，但若对显示器的信息含量要求较高时，应该选用AM0LED，因为它不仅响应速度快、对比度高，并且在工作时对瞬态亮度要求也低，这些特性有利于其制备高信息含量的显示器。目前的0LED有源驱动技术主要有非晶硅薄膜晶体管(Amorphous SiliconThin Film Transistor, a-Si TFT)技术和低温多晶娃(Low Temperature Poly SiliconThin Film Transistor，LTPS TFT)技术。与 a_Si TFT 技术相比，LTPS TFT 技术具有速度快、产品轻薄、成本低、分辨率高、省电和可靠性高等一系列的优点，并且可以克服a-Si TFT技术所不能克服的缺点与限制。尽管LTPS TFT技术有着许多的优越性，但是由于a-Si TFT技术起步较早，并且已经广泛应用于液晶显示设备上，因此与LTPS TFT相比其具有较为成熟的技术，也正是因为如此，目前a-Si TFT技术仍有很多的应用。
[0004]在AM0LED驱动技术中，控制0LED的薄膜晶体管(TFT)通常制作于阳极一侧，这就要求TFT必须是P型。而非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)与低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)的载流子迀移率很低，而且其空穴迀移率比电子迀移率低很多，因此a-Si TFT和LTPS-TFT只能使用η沟道场效应晶体管制作驱动电路。当用η沟道场效应晶体管作驱动电路时，为了保证其工作在饱和区，必须将有机发光器件接到η沟道场效应晶体管的漏极，即将有机发光器件的阴极与η沟道场效应晶体管的漏极相接，这就要求有机发光器件具有底电极为阴极的倒置结构；同时为了更好地实现有源驱动，0LED要求接在TFT漏极与电源之间，这也需要0LED是底电极为阴极的倒置结构。
[0005]ΙΤ0具有很高的透光率，在通常结构的有机发光器件中，常常用ΙΤ0玻璃作为阳极，但是在倒置结构的器件中，如果ΙΤ0要溅射生长在有机薄膜层上，在溅射ΙΤ0的时候会破坏有机薄膜层材料，因此该结构的顶电极是通过热蒸镀沉积的，避免了 ΙΤ0阳极溅射时对有机薄膜材料造成的损伤，同时也不会产生较强的微腔效应。因为若倒置0LED的微腔效应比较强，会使观察者从不同的角度观察发光的倒置0LED时，发光颜色随角度的不同而变化。
[0006]ΙΤ0功函数约为4.7eV，作为阴极时使得电子从ΙΤ0输运到有机材料层时需要克服非常大的势皇，因此需要发展能将倒置0LED中ΙΤ0功函数降低的技术。
【发明内容】
[0007]鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供降低功函数的方法、倒置有机发光器件及制作方法，旨在解决现有的倒置0LED中ΙΤ0功函数高的问题。
[0008]本发明的技术方案如下:
一种降低ΙΤ0衬底功函数的方法，其中，包括步骤:
A、先对ΙΤ0衬底进行清洗处理；
B、再采用电化学处理来修饰ΙΤ0衬底的表面；
C、冲洗干净ΙΤ0衬底，然后吹干。
[0009]所述的降低ΙΤ0衬底功函数的方法，其中，所述步骤B中，将ΝΗ3.H20溶液作为电解液进行电化学处理。
[0010]所述的降低ΙΤ0衬底功函数的方法，其中，所述步骤B中，将ΙΤ0衬底作为阴极以及将钼片作为阳极，ΙΤ0衬底尺寸为10cm*10cm。
[0011]所述的降低ΙΤ0衬底功函数的方法，其中，所述步骤B中，将ΙΤ0衬底与钼片平行放置。
[0012]所述的降低ΙΤ0衬底功函数的方法，其中，所述步骤B中，采用直流电源持续提供恒定电压。
[0013]所述的降低ΙΤ0衬底功函数的方法，其中，所述步骤B中，电压的大小为3~8V。
[0014]所述的降低ΙΤ0衬底功函数的方法，其中，所述步骤B中，电化学处理的时间为3?8min0
[0015]所述的降低ΙΤ0衬底功函数的方法，其中，所述ΝΗ3.H20溶液的浓度为3 xlO 4~4xlO4mol/L。
[0016]—种倒置有机发光器件的制作方法，其中，包括步骤:
A、先对IT0衬底进行清洗处理；
B、再采用电化学处理来修饰IT0衬底的表面；
C、冲洗干净IT0衬底，然后吹干；
D、在IT0衬底上打印墨水形成倒置有机发光器件。
[0017]—种倒置有机发光器件，其特征在于，采用如上所述的制作方法制成。
[0018]有益效果:本发明的方法工序简单，重复性好，使用的溶剂易于获得且成本低廉；而且能非常好的改善IT0的表面特性，具有较高的应用价值，会使其在光电器件中的应用更广泛。
【附图说明】
[0019]图1为本发明一实施例降低IT0衬底功函数的方法的流程图。
[0020]图2为一实施例电化学处理前后的ΙΤ0能级图。
[0021]图3为一实施例电化学处理后的ΙΤ0表面偶极层不意图。
[0022]图4为一实施例电化学处理后的ΙΤ0表面的结构。
[0023]图5为本发明一实施例倒置有机发光器件的制作方法的流程图。
【具体实施方式】
[0024]本发明提供降低功函数的方法、倒置有机发光器件及制作方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0025]请参阅图1，图1为本发明一种降低ΙΤ0衬底功函数的方法的流程图，如图所示，其包括步骤:
51、先对ΙΤ0衬底进行清洗处理；
52、再采用电化学处理来修饰ΙΤ0衬底的表面；
53、冲洗干净ΙΤ0衬底，然后吹干。
[0026]本发明针对倒置有机发光器件中ΙΤ0 (即ΙΤ0衬底)作为阴极功函数较高的缺点，采用操作简单、成本低廉、环保、可重复的电化学方法来处理ΙΤ0，本发明中，采用电化学处理不仅可使得ΙΤ0表面的功函数降低，而且对ΙΤ0表面平整度和在可见光区的透光率影响不大。所以可在以ΙΤ0作为阴极的倒置型有机电致发光器件中，降低电子注入势皇，提高电子的注入能力，进而有效提尚器件的效率和发光稳定性。
[0027]进一步，所述步骤S2中，本发明是采用碱溶液对ΙΤ0进行电化学处理，例如nh3.H20溶液，以不引入其它金属离子为目的。
[0028]ΙΤ0是一种η型简并半导体，在η型半导体中，当施主浓度下降时，其费米能级下降。对于ΙΤ0来说，氧空位和Sn间隙被视为施主，向导带提供电子。本发明中采用碱溶液(