溶液的蚀刻。然后，形成将金属端子27的表面覆盖的表面处理层28。作为表面处理层28的形成方法，能够使用例如无电解电镀法、电解电镀法。
[0053]接着，说明上述的布线基板10的作用。
[0054]另外，在此说明基于现有方法的金属端子的形成。
[0055]在现有方法中，形成阻焊层，在该阻焊层上形成将最外侧的布线层的上表面露出的开口部。然后，在阻焊层上形成晶种层，形成覆盖晶种层且在预定位置具有开口部的抗电镀层，通过将晶种层作为供电层使用的电解镀铜法，在抗电镀层的开口部形成金属端子。在这种方法中，对应于抗电镀层相对于阻焊层的位置对准精度，金属端子的大小变得大于阻焊层的开口部的大小。另外，根据阻焊层和抗电镀层的位置对准精度，有可能在金属端子上产生偏移。另外，通过阻焊层的上表面的晶种层的残渣，有可能发生短路等不良。
[0056]本实施方式的布线基板10是在布线层25a上形成了金属端子27之后，将覆盖金属端子27的树脂层110薄膜化，形成阻焊层41，所以能够与阻焊层41的位置精度无关地，高精度地形成金属端子27。另外，能够将金属端子27形成为柱状。另外，能够形成具有比基于现有方法的金属端子小的上表面的金属端子27。因此，能够与狭间距化的半导体元件对应地形成小直径的金属端子27。
[0057]另外，由于在去除了不必要的晶种层26a之后形成阻焊层41，所以不会在阻焊层41的上表面41a产生残渣。因此，能够防止发生上述不良。
[0058]如上所述，根据本实施方式，发挥以下的效果。
[0059](1)用于安装半导体元件60的布线基板10具有布线层25a、以及形成于该布线层25a上的金属端子27。布线层25a被阻焊层41覆盖，金属端子27的上端27c从阻焊层41的上表面41a突出。在金属端子27上通过焊料71连接有半导体元件60的连接端子(焊盘60b)，半导体元件60被倒装。若金属端子27的上表面比阻焊层41的上表面41a低，则需要增高用于焊料71的凸点等的高度。但是，若增高焊料等的凸点，则相邻的凸点有可能通过接触等而短路。因此，通过使金属端子27从阻焊层41的上表面41a突出，从而能够在不增大用于连接半导体元件60的凸点的情况下，将该半导体元件60安装。因此，能够对以狭间距形成有焊盘60b的半导体元件60进行安装。
[0060](2)布线层25a包括:形成于绝缘层24上的晶种层26a ;以及形成于该晶种层26a上，俯视时的形状与晶种层26a相同的金属镀层26b。金属镀层26b通过将晶种层26a作为供电层使用的电解镀铜法形成。此外，布线层25a上的金属端子27通过将晶种层26a作为供电层使用的电解镀铜法形成。然后，将该金属镀层26b用作掩模，去除不必要的晶种层的部分。因此，通过在形成金属端子27后去除不必要的晶种层的部分，从而能够形成不与其他布线层连接的、也就是说电气地孤立的布线层25a以及金属端子27。像这样电气地孤立的布线层25a以及金属端子27例如对应于半导体元件60的未连接端子(NC端子)而设定。通过形成像这样电气地孤立的布线层25a以及金属端子27，从而与只设置电气连接的金属端子27的情况相比，能够增多布线基板10和半导体元件60之间的连接数量，能够实现半导体元件60的安装状态稳定化。
[0061](3)金属端子27的上端27c从阻焊层41的上表面41a突出。因此，能够在不增大用于连接半导体元件60的凸点的情况下，确保托起(Standoff)。通过像这样确保的托起，能够容易地将填充树脂72填充，能够抑制半导体元件60与布线基板10之间的断线、半导体元件60的脱落等不良的产生。
[0062](4)在布线基板10的制造工序中，在将晶种层26a和金属镀层26b覆盖的抗电镀层102的开口部102X形成金属端子27。而且，在将金属端子27覆盖的树脂层110薄膜化之后，将树脂层110固化而形成了阻焊层41。在现有方法中，在阻焊层41上形成晶种层，在将该晶种层覆盖的抗电镀层的开口部上形成金属端子。在这种情况下，基于抗电镀层相对于阻焊层的位置对准精度，金属端子的大小要比阻焊层的开口部的大小大。另外，基于阻焊层和抗电镀层的位置对准精度，有可能在金属端子上产生偏移。然而，在本实施方式中，在布线层25a上形成了金属端子27之后，将覆盖金属端子27的树脂层110薄膜化而形成阻焊层41，所以能够与阻焊层41的位置精度无关地，高精度地形成金属端子。另外，能够将金属端子27形成为柱状。另外，能够形成上表面比基于现有方法的金属端子小的金属端子27。因此，能够与被狭间距化的半导体元件对应地形成小直径的金属端子27。
[0063](5)在布线基板10的制造工序中，在形成了晶种层26a、金属镀层26b、金属端子27之后，形成了阻焊层41。以往，最外侧的布线层形成于阻焊层的开口部。在该方法中，通过阻焊层的上表面的晶种层的残渣，有可能产生短路等不良。但是，在本实施方式中，由于在去除了不必要的晶种层26a之后形成阻焊层41，所以不会在阻焊层41的上表面41a产生残渣。因此，能够防止发生上述不良。
[0064](6)用树脂层110覆盖金属端子27，将该树脂层110薄膜化并固化，从而形成了阻焊层41。因此，阻焊层41具有从上表面41a至金属端子27的侧面27b且朝向金属端子27的上端面27a的角焊缝部41b。这种角焊缝部41b抑制例如在填充树脂72中产生空隙。由此，能够抑制填充树脂72的破裂或剥离，能够将半导体元件60稳定地固定。另外，角焊缝部41b抑制由布线基板10的清洗、表面处理中的药品而产生残渣。
[0065](7)通过将金属端子27以及布线层25a的表面形成为粗化面，从而能够提高阻焊层41与金属端子27以及布线层25a的密合性。由此，例如，能够抑制阻焊层41从金属端子27的侧面剥离。若阻焊层41从金属端子27的侧面剥离，则有可能导致金属端子27的基端27d、布线层25a腐蚀。因此，通过抑制剥离，从而能够抑制上述腐蚀的产生。由此，能够提高电气信赖性。
[0066](8)通过将阻焊层41的表面粗化，从而能够在安装半导体元件60时，提高填充树脂72与阻焊层41的润湿性、密合性。由此，能够提高半导体元件60的连接信赖性。
[0067](9)用表面处理层28覆盖从阻焊层41露出的金属端子27的上表面27a以及侧面27b，从而能够提高金属端子27的耐腐蚀性。由此，能够提高半导体元件60的连接信赖性。
[0068]另外，上述各实施方式也可以采用如下方式实施。
[0069]?在上述实施方式中，作为电子部件，将半导体元件60安装到布线基板10上，但也可以安装其他布线基板、包括半导体元件的半导体模块(半导体封装体)。也就是说，也可以将金属端子27用于搭载其他布线基板或半导体模块(半导体封装体)。
[0070].也可以针对上述实施方式变更形状或增加部件。
[0071]例如，图4(a)所示，也可以在阻焊层41上形成开口部41X。开口部41X能够通过例如光刻法而形成于图3(c)所示的树脂层110。例如，形成具有感光性的树脂层110，通过对该树脂层110进行曝光、显影而形成开口部41X。
[0072]该开口部41X使绝缘层24的上表面24a露出。这种开口部41X例如有利于布线基板的切断。也就是说，在将多个布线基板10排版而成的布线基板中，根据单片化的布线基板10的俯视形状而形成例如角部，从而能够得到可确认用虚线表示的切割部位的确认、减少阻焊层41在切割中使用的工具上的附着等效果。
[0073]另外，如图4(b)所示，也可以形成将布线层25的上表面露出的开口部41Y。通过这种开口部41Y露出的布线层25的表面能够用于例如用于位置对准的标记(对准标记)、布线基板10的品种或品号的表不D
[0074]另外，能够将通过开口部41Y露出的布线层25用作连接用的焊盘。
[0075]也就是说，图5所示的半导体装置200具有被层积的多个(图5中为2个)半导体封装体(半导体装置)201、202c3也就是说，该半导体装置200是PoP(Package on Package)
τ?: 口广PR ο
[0076]半导体封装体201具有布线基板210和半导体元件220。布线基板210以与上述实施方式的布线基板10同样的方式形成。详细地说，布线基板210具有基板主体211、布线层212，212a，216、金属端子213、表面处理层214、阻焊层215，217。基板主体211具有将上表面的布线层212，212a和下表面的布线层216相互电气连接的部件。因此，可以在基