，此 时该至少一种空穴导体材料的带隙通常大于所用发射体材料的带隙。在本申请上下文 中，带隙应理解为指三线态能量。合适的碳烯配合物例如为本发明通式（I)的卡宾配合 物，如WO2005/019373A2,WO2006/056418A2,WO2005/113704,WO2007/115970,WO 2007/115981和WO2008/000727以及W02012121936中所述的碳烯配合物。合适碳烯配合
[0155] 还可以将空穴传输层进行电子掺杂以改善所用材料的传输性能，首先使层厚更大 (避免针孔/短路），其次使器件的操作电压最小。电子掺杂对本领域熟练技术人员是已知 的且例如公开于16 &〇，六.1(&1111，1六?？1.?1^.，第94卷，第1期，2003年7月1日（?-掺杂 的有机层）；A.G.Werner,F.Li,K.Harada,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett., 第 82 卷，第 25 期，2003 年 6 月 23 日和Pfeiffer等，OrganicElectronics2003,4,89-103 以及K.Walzer，B.Maennig，M.Pfeiffer，K.Leo,Chem.Soc.Rev. 2007,107,1233。例如可以 在空穴传输层中使用混合物，尤其是导致该空穴传输层的电P-掺杂的混合物。P-掺杂通过 加入氧化材料实现。这些混合物例如可以是下列混合物：上述空穴传输材料与至少一种金 属氧化物，例如M〇02、M〇03、W0X、Re0#P/或V205，优选此03和/或ReO3，更优选1^03的混合 物，或包含上述空穴传输材料和一种或多种选自如下的化合物的混合物：7, 7, 8, 8-四氰基 对苯醌二甲烷（TCNQ)、2, 3, 5, 6-四氟-7, 7, 8, 8-四氰基对苯醌二甲烷（F4-TCNQ)、2, 5-二 (2-羟基乙氧基）-7, 7, 8, 8-四氰基对苯醌二甲烷、双（四正丁基铵）四氰基二苯酚醌二 甲烧（bis(tetra-n-butylammonium)tetracycanodiphenoquinodimethane)，2,5_ 二甲 基-7, 7, 8, 8-四氰基对苯醌二甲烧，四氰基乙烯，11，11，12, 12-四氰基萘-2, 6-醌二甲烷， 2-氟-7, 7, 8, 8-四氰基对苯醌二甲烷，2, 5-二氟-7, 7, 8, 8-四氰基对苯醌二甲烷，二氰基 亚甲基-1，3, 4, 5, 7, 8_ 六氣-6H-蔡 _2_ 亚基）丙二臆（F6-TNAP)，Mo(tfd)3(来自Kahn等， J.Am.Chem.Soc. 2009,131 (35)，12530-12531)，EP1988587 和EP2180029 中所述的化合物 以及EP2401254中所提及的醌化合物。
[0156] 电子传输层（g)
[0157] 电子传输层可包括能够传输电子的材料。电子传输层可为固有的（未掺杂的） 或掺杂的。掺杂可用于提高导电性。用于本发明OLED的层（g)的合适电子传输材料包 括与oxinoid化合物螯合的金属如三（8-羟基喹啉根合）错（Alq3),基于菲略啉的化合 物如2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉（DDPA=BCP)、4, 7-二苯基-1，10-菲咯 啉（Bphen)、2, 4, 7, 9-四苯基-1，10-菲咯啉、4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉（DPA)或公开于 EP1786050、EP1970371或EP1097981中的菲咯啉衍生物以及唑类化合物如2-(4-联苯 基）-5- (4-叔丁基苯基）-1，3, 4- 3基,二唑（PBD)和3- (4-联苯基）-4-苯基-5- (4-叔丁基 苯基）-1，2, 4-三唑（TAZ)。层（g)可以同时用于促进电子传输和用作缓冲层或阻挡层以 防止激子在OLED各层的界面处的猝灭。层（g)优选改善电子的迀移性并降低激子的猝灭。 上述电子传输材料可市购和/或通过本领域熟练技术人员已知的方法制备。
[0158] 同样可以在电子传输层中使用至少两种材料的混合物，此时至少一种材料是电 子传导的。优选在该混合电子传输层中使用至少一种菲咯啉化合物，优选BCP(与Cs2CO3 组合），或至少一种根据下式（VIII)的吡啶化合物，优选下式（VIIIaa)化合物。更优选 在混合电子传输层中除了至少一种菲咯啉化合物使用碱土金属或碱金属羟基喹啉盐配合 物，例如Liq。合适的碱土金属或碱金属羟基喹啉盐配合物描述在下文中（式VII)。参考 W02011/157779。
[0159] 还可以将电子传输层进行电子掺杂以改善所用材料的传输性能，首先使层厚更大 (避免针孔/短路），其次使器件的操作电压最小。电子掺杂对本领域熟练技术人员是已知 的且例如公开于16 &〇，六.1(&1111，1六?？1.?1^.，第94卷，第1期，2003年7月1日（?-掺杂 有机层）；A.G.Werner,F.Li,K.Harada,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett. ,% 82 卷，第 25 期，2003 年 6 月 23 日和Pfeiffer等，OrganicElectronics2003,4,89-103 以 及K.Walzer，B.Maennig，M.Pfeiffer，K.Leo，Chem.Soc.Rev. 2007,107,1233。例如，可以使 用导致电子传输层的电n-掺杂的混合物。n-掺杂通过加入还原材料实现。这些混合物例 如可以为上述电子传输材料与碱金属/碱土金属或碱金属/碱土金属盐，例如Li、Cs、Ca、 Sr、Cs2CO3，碱金属配合物，以及Y、Ce、Sm、Gd、Tb、Er、Tm、Yb、Li3N、Rb2CO3、邻苯二甲酸二钾、 来自EP1786050 的W(hpp)4SEP1837926B1、EP1837927、EP2246862 和W02010132236 中 所述化合物的混合物。
[0160] 在一个优选实施方案中，电子传输层包含至少一种通式（VII)的化合物：
[0161]
[0162] 其中
[0163] R32和R33各自独立地为F，C「Cs烷基或任选被一个或多个C「Cs烷基取代的C6_C14 芳基，或者
[0164] 两个R32和/或R33取代基一起形成任选被一个或多个C^心烷基取代的稠合苯环；
[0165] a和b各自独立地为0,或1、2或3，
[0166] M1为碱金属原子或碱土金属原子，
[0167] 当M1为碱金属原子时p为1，当M1为碱金属原子时p为2。
或者以其他形式如其中g为整数的LigQg，例如Li6Q6存在。Q为8-羟基喹啉盐配体或8-羟 基喹啉盐衍生物。
[0169] 在另一优选的实施方案中，电子传输层包含至少一种式（VIII)化合物：
[0170]
[0171] 其中
[0172] R34、R35、R36、R37、R34'、R35'、R36' 和R37' 各自独立地为H，C1-C18烷基，被E取代和/或被 D间隔的C1-C18烷基，C6-C24芳基，被G取代的C6-C24芳基，C2-C2。杂芳基或被G取代的C2-C2。 杂芳基，
[0173] Q为亚芳基或亚杂芳基，它们各自任选被G取代；
[0174] D为-⑶-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-0-、-NR40-、-SiR45R46-' -POR47-、-CR38 = CR39-或-C=C-;
[0175] E为-OR44、-SR44、-NR4〇R41、-COR43、-C00R42、-C0NR4〇R41、-CN或F;
[0176] G为E，C1-C18烷基，被D间隔的C「C1S烷基，C「C1S全氟烷基，C「C1S烷氧基或被E 取代和/或被D间隔的C1-C1J^氧基，
[0177] 其中
[0178] R38和R39各自独立地为H，C6_C1S芳基，被C「C1S烷基或C「C1S烷氧基取代的C6_C1S 芳基，C1-Clf^基或被-O-间隔的C「C1S烷基；
[0179]R40和R41各自独立地为C6_C1S芳基，被C「C1S烷基或C「C1S烷氧基取代的C6_(：18芳 基，C1-Clf^jl基或被-〇-间隔的C^C18烷基；或
[0180] R40和R41-起形成6员环；
[0181]R42和R43各自独立地为C6_C1S芳基，被C「C1S烷基或C「C1S烷氧基取代的C6_(：18芳 基，C1-C1JjI基或被-0-间隔的C「C1S烷基，
[0182] 妒为C6_C1S芳基，被C「C1S烷基或C「C1S烷氧基取代的C6_C1S芳基，C「C1S烷基或 被_〇_间隔的C1-C18烷基，
[0183]R45和R46各自独立地为C「C1S烷基，C6_(：18芳基或被C「C1S烷基取代的C6_C1S芳基，
[0184] 俨为C「C1S烷基，C6_C1S芳基或被C「C1S烷基取代的C6_C1S芳基。
[0185] 优选的式（VIII)化合物是式（Villa)化合物：
[0193] 在一个优选实施方案中，电子传输层以99-1重量％，优选75-25重量％，更优选约 50重量％的量包含式（VII)化合物，其中式（VII)化合物的量和式（VIII)化合物的量加起 来总共为100重量％。
[0194]式（VIII)化合物的制备描述于J.Kido等，Chem.Commun. (2008)5821-5823， J.Kido等，Chem.Mater. 20 (2008) 5951-5953 和JP2008-127326 中，或者这些化合物可以类 似于上述文献中所公开的方法制备。
[0195] 在电子传输层中同样可以使用碱金属羟基喹啉盐配合物，优选Liq，和二 苯并呋喃化合物的混合物。参考W02011/157790。优选描述于W02011/157790中 的二苯并呋喃化合物A-I至A-36和B-I至B-22,其中最优选二苯并呋喃化合物
[0196] 在一个优选实施方案中，电子传输层包含量为99-1重量％，优选75-25重量％，更 优选约50重量％的Liq，其中Liq量和二苯并呋喃化合物，尤其是化合物A-IO的量加起来 总共为100重量％。
[0197] 在一个优选实施方案中，本发明涉及本发明的0LED，其中电子传输层包含至少一 种菲咯啉衍生物和/或吡啶衍生物。
[0198] 在另一优选实施方案中，本发明涉及本发明的OLED，其中电子传输层包含至少一 种菲咯啉衍生物和/或吡啶衍生物和至少一种碱金属羟基喹啉盐配合物。
[0199] 在另一优选实施方案中，本发明涉及本发明的OLED，其中电子传输层包含至少一 种菲咯啉衍生物和/或吡啶衍生物和8-羟基喹啉根合锂。
[0200] 在另一优选实施方案中，电子传输层包含至少一种描述于W02011/157790的二苯 并呋喃化合物A-I至A-36和B-I至B-22,尤其是A-10。
[0201] 在另一优选实施方案中，电子传输层包含描述于 WO20 12/ 1 1 1462、WO20 1 2/147397 和US20 12/026 1654 (例如式
[0202] -些上面作为空穴传输材料和电子传输材料提及的材料可以满足几种功能。例 如，一些电子传输材料在具有低位HOMO时同时为空穴阻挡材料。
[0203] 阴极⑴
[0204] 阴极（i)是用于引入电子或负电荷载流子的电极。阴极可以是具有比阳极低的功 函的任何金属或非金属。合适的阴极材料选自元素周期表第1族碱金属，如Li、Cs，第2族 碱土金属，第12族金属，其包括稀土金属以及镧系和锕系元素。此外，还可以使用金属如 铝、铟、钙、钡、钐和镁及其组合。上述阴极材料可市购和/或通过本领域熟练技术人员已知 的方法制备。
[0205] 空穴注入层（b)
[0206] 通常注入层包含可改善电荷载流子由一个层如电极或电荷产生层注入相邻有机 层的材料。注入层还可具有电荷传输功能。空穴注入层（b)可为改善空穴由阳极注入相邻 有机层的任意层。空穴注入层可包含溶液沉积材料如旋涂聚合物，或者其可为蒸发沉积的 小分子材料如CuPc或MTDATA。可使用聚合的空穴注入材料如聚（N-乙烯基咔唑）（PVK)、 聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、自掺杂聚合物如磺化聚（噻吩-3-[2[(2-甲氧基乙氧基）乙氧 基]-2, 5-二基）（Plexcure愈OCConductingInks，可由Plextronics市购），和共聚物 如聚（3, 4-亚乙基二氧噻吩）/聚（4-苯乙烯磺酸酯），还称为PED0T/PSS。
[0207] 上述空穴注入材料可市购和/或通过本领域熟练技术人员已知的方法制备。
[0208] 电子注入层（h)
[0209] 电子注入层（h)可为改善电子注入相邻有机层的任意层。还可以在电子传输层 (g)和阴极（i)之间施加含锂的有机金属化合物如8-羟基喹啉根合锂（Liq)、CsF、NaF、KF、 Cs2CO3SLiF作为电子注入层以降低操作电压。
[0210] 上述电子注入材料可市购和/或通过本领域熟练技术人员已知的方法制备。
[0211] 本领域熟练技术人员知道如何选择合适的材料（例如基于电化学研究）。适合各 层的材料对本领域熟练技术人员是已知的且例如公开于WO00/70655中。
[0212] 此外，层（b)至（h)中的一些或所