1.一种保护量子点的量子产率新提纯方法，其特征在于，将合成量子点后的母液用乙醇沉淀出来，在使用含有带有高分子树脂作为量子点的溶剂将量子点溶解后再用乙醇沉淀出来，离心干燥后比常规提纯方法高10--45%量子产率的量子点。
2.根据权利要求1所述的量子点材料为元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、或IV族半导体化合物制得的量子点或其对应的核壳结构量子点；所述II-VI族半导体化合物为CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，ZnO，HgS，HgSe，HgTe，CdSeS，CdSeTe，CdSTe，ZnSeS，ZnSeTe，ZnSTe，HgSeS，HgSeTe，HgSTe，CdZnS，CdZnSe，CdZnTe，CdHgS，CdHgSe，CdHgTe，HgZnS，HgZnSeCdZnSeS，CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe，HgZnSeS，HgZnSeTe或HgZnSTe；所述III-V族半导体化合物为GaN，GaP，GaAs，GaSb，AlN，AlP，AlAs，AlSb，InN，InP，InAs，InSb，GaNP，GaNAs，GaNSb，GaPAs，GaPSb，AlNP，AlNAs，AlNSb，AlPAs，AlPSb，InNP，InNAs，InNSb，InPAs，InPSb，GaAlNPGaAlNAs，GaAlNSb，GaAlPAs，GaAlPSb，GaInNP，GaInNAs，GaInNSb，GaInPAs，GaInPSb，InAlNP，InAlNAs，InAlNSb，InAlPAs或InAlPSb；所述IV-VI族半导体化合物为SnS，SnSe，SnTe，PbS，PbSe，PbTe，SnSeS，SnSeTe，SnSTe，PbSeS，PbSeTe，PbSTe，SnPbS，SnPbSe，SnPbTe，SnPbSSe，SnPbSeTe或SnPbSTe；所述IV族半导体化合物为Si，Ge，SiC或SiGe；所述核壳结构量子点为以所述的II-VI族、III-V族、IV-VI族、IV族半导体化合物为核，以CdSe，CdS，ZnSe，ZnS，CdO，ZnO，SiO2中的一种或多种为壳的核壳结构量子点。
3.根据权利要求1所述的一种保护量子点的量子产率新提纯方法，其特征在于：量子点母液与乙醇用量的体积比应为1:1-30，优化为1:1-15，进一步优化为1:1-8之间。
4.根据权利要求1所述的一种保护量子点的量子产率新提纯方法，其特征在于：所述量子点母液处理时，温度应在0-35℃，优化为0-20℃，进一步优化为0-10℃。
5.根据权利要求1所述的一种保护量子点的量子产率新提纯方法，其特征在于：所述量子点母液处理时，沉淀静置时间应在3-20分钟，优化为5-10分钟之间。
6.根据权利要求1所述的一种保护量子点的量子产率新提纯方法，其特征在于离心的转速应在3000---6000转/分钟，优化为3500-5000转/分钟，优选3500转/分钟，离心2-10分钟，优选2-5分钟。
7.根据权利要求1所述的一种保护量子点的量子产率新提纯方法，其特征在于：高分子树脂作为量子点的溶剂，如环氧树脂，醛酮树脂，丙烯酸树脂，聚氨酯树脂，有机硅树脂，进一步优化为丙烯酸树脂如：双季戊四醇六丙烯酸酯，异冰片基丙烯酸酯，硬脂酸丙烯酸酯，硬脂酸甲基丙烯酸酯，月桂酸甲基丙烯酸酯，C8-C10甲基丙烯酸酯，月桂酸丙烯酸酯，，甲基丙烯酸异冰片酯，异丁酸异冰片酯，甲基丙烯酸四氢呋喃甲酯，甲基丙烯酸缩水甘油酯的任意一种或几种，更优选异冰片基丙烯酸酯，甲基丙烯酸异冰片酯，甲基丙烯酸缩水甘油酯的任意一种或几种。
8.根据权利要求1所述的一种保护量子点的量子产率新提纯方法，其特征在于：树脂的粘度应该在1-1000cps，进一步优化为1-100cps，更进一步1-10cps。
9.根据权利要求1所述的一种保护量子点的量子产率新提纯方法，其特征在于：所述树脂与湿重量子点的混合质量体积比例为1g:1-50ml优选为1g:5-30ml，更优选为1g:10-20ml，树脂与乙醇用量的体积比应为1:0.5-10优选1:1-2.5之间。
10.根据权利要求1所述的一种保护量子点的量子产率新提纯方法，其特征在于：所述量子点在0.01MPa真空条件下干燥30-60分钟，温度1-100℃，优选30-60℃，最后将量子点封存在惰性气体保护的玻璃瓶中或树脂中。
11.根据权利要求1所述的一种保护量子点的量子产率新提纯方法，其特征在于：所述提纯方法最大程度保护了量子点，提高了提纯的效率。