技术特征：
技术总结
一种SRAM包括SRAM阵列，该SRAM阵列包括布置为矩阵的多个SRAM单元。SRAM单元中的每一个都包括六个垂直场效应晶体管。SRAM阵列包括在列方向上延伸的多组导电区域。多组导电区域中的每一组都包括在行方向上顺序布置的第一至第四导电区域，并且第一至第四导电区域通过绝缘区域彼此分离。第一、第二和第三导电区域耦合至第一导电类型VFET的源极，并且第四导电区域耦合至第二导电类型VFET的源极。多组导电区域布置在行方向上，使得一组导电区域中的第四导电区域邻近相邻的一组导电区域中的第一导电区域。本发明还提供了一种具有垂直FET器件的静态随机存取存储器件。
技术研发人员：包家豪;张峰铭;杨昌达;王屏薇
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.10.19
技术公布日：2017.08.04