布线基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及布线基板及其制造方法，更详细来说，涉及例如适于通过倒装芯片式连接来搭载半导体元件的布线基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]一直以来，作为半导体集成电路元件等半导体元件，已知所谓的区域阵列(areaarray)型的半导体元件。区域阵列型的半导体元件是在其下表面的大致整个面以格子状的排列的方式配设有许多电极端子而成的。
[0003]作为将区域阵列型的半导体元件搭载于布线基板的方法，正在采用倒装芯片式连接。用于倒装芯片式连接的布线基板在其上表面具有许多半导体元件连接焊盘。半导体元件连接焊盘是与半导体元件的电极端子连接的端子，以与半导体元件的电极端子的配置相对应的排列方式进行配设。在倒装芯片式连接中，使布线基板上表面的半导体元件连接焊盘与半导体元件下表面的电极端子彼此对置，通过焊料将它们电连接以及机械连接。进而，在搭载于布线基板的半导体元件与布线基板之间，填充被称作底部填料(underfill)的密封树脂来对半导体元件进行密封。
[0004]近来，也采用了如下方法(JP特开2012-54295号公报):在布线基板的半导体元件连接焊盘的上表面设置圆柱状的导体柱，将该导体柱与半导体元件的电极端子连接。在此，基于图5对具备这样的导体柱的现有的布线基板进行说明。如图5所示，现有的布线基板100具有在绝缘基板101上表面搭载半导体元件S的搭载部101A。在搭载部101A，配设有多个半导体元件连接焊盘110、以及具有突起部112a的导体柱112。
[0005]在绝缘基板101中，在核心用的绝缘板102的上下表面层叠有积层(build-up)用的多个绝缘树脂层103。从绝缘板102的上表面一直到下表面，形成有多个通孔107。在绝缘板102的上下表面以及通孔107的内壁，粘附形成有核心用的布线导体104。在各绝缘树脂层103，形成有多个通孔109。在各绝缘树脂层103的表面以及通孔109内，粘附形成有积层用的布线导体105。布线导体105的一部分在绝缘基板101的上表面形成了半导体元件连接焊盘110。布线导体105的另一部分在绝缘基板101的下表面形成了外部连接焊盘111。在半导体元件连接焊盘110上形成了导体柱112。导体柱112在圆柱状的基部的上端具有小径的突起部112a。而且，在绝缘基板101的上下表面，粘附有阻焊层106。上表面侧的阻焊层106按照埋设半导体元件连接焊盘110以及导体柱112的基部并且使突起部112a突出5?20 μ m的方式进行粘附。下表面侧的阻焊层106按照具有使外部连接焊盘111露出的开口部106a的方式进行粘附。
[0006]而且，如图6A所示，使半导体元件S的电极端子T与导体柱112的上端上表面彼此对置地连接。然后，如图6B所示，通过在半导体元件S和上表面侧的阻焊层106之间填充底部填料F，从而将半导体元件S安装在布线基板100上。
[0007]基于图7对这样的现有的布线基板100中的导体柱112的形成方法进行说明。
[0008]首先，如图7A所示，在形成了半导体元件连接焊盘110的最上层的绝缘树脂层103的上表面粘附阻焊层106。阻焊层106覆盖半导体元件连接焊盘110的外周部，并且具有使半导体元件连接焊盘110的上表面中央部露出的开口部106a。
[0009]接着，如图7B所示，在阻焊层106的表面以及开口部106a内露出的半导体元件连接焊盘I1的上表面粘附基底金属层121。
[0010]接着，如图7C所示，在基底金属层121上形成镀覆掩膜122。镀覆掩膜122在阻焊层106的开口部106a上，具有直径比开口部106a的直径更小的开口部122a。
[0011]接着，如图7D所示，向粘附有基底金属层121的阻焊层106的开口部106a内填充镀覆金属，形成镀覆金属层123，并且粘附从阻焊层106的上表面起以5?20 μ m的高度突出至镀覆掩膜122的开口部122a内的镀覆金属层123。
[0012]接着，如图7E所示，将镀覆掩膜122剥离去除。最后，如图7F所示，将阻焊层106上的基底金属层121蚀刻去除。
[0013]由此，形成如下的导体柱112:基部被阻焊层106覆盖，并且在基部的上表面的中央部具有从阻焊层106的上表面向上方突出5?20 μ m的小径的突起部112a。
[0014]根据该布线基板100，从阻焊层106突出的小径的突起部112a的高度为5?20 μ m。在该突起部112a处连接了半导体元件S的电极端子T的情况下,在半导体元件S与上表面侧的阻焊层106之间，难以形成例如35μπι以上的较大的间隙。其结果，难以在半导体元件S与阻焊层106之间填充底部填料F。此外，还存在如下的问题:若为了提高底部填料F的填充性而使底部填料F的填充时的粘度较低，或者使填充压力较高，则底部填料F容易在半导体元件S的周围的阻焊层106上过度地溢出。
[0015]在现有的布线基板100的制造方法中，为了使突起部112a的高度成为例如35 μ m以上的高度，需要使镀覆掩膜122的厚度增厚相应的量。但是，在使镀覆掩膜122的厚度增厚的情况下，在使镀覆金属层123粘附在阻焊层106的开口部106a内时，通过镀覆掩膜122的开口部122a进入到开口部106a内的镀覆液的环流变差，不能良好地形成导体柱112。
【发明内容】
[0016]本发明的课题在于，提供一种易于向半导体元件与阻焊层之间填充底部填料、且在半导体元件的周围的阻焊层上不会过度地溢出底部填料的布线基板及其制造方法。
[0017]本发明的布线基板具备:绝缘基板，其在上表面具有搭载半导体元件的搭载部；半导体元件连接焊盘，其形成于所述搭载部；导体柱，其形成在该半导体元件连接焊盘的上表面；以及阻焊层，其粘附在所述绝缘基板上，所述阻焊层具有??第I区域，其具有埋设所述半导体元件连接焊盘以及所述导体柱的下端部并且使所述导体柱的上端部突出的厚度；以及第2区域，其以比所述第I区域的厚度更厚的厚度包围所述第I区域。
[0018]此外，本发明的布线基板的制造方法包含:第I工序，在上表面具有搭载半导体元件的搭载部的绝缘基板的所述搭载部形成由镀覆金属构成的半导体元件连接焊盘；第2工序，在所述半导体元件连接焊盘的上表面形成由镀覆金属构成的导体柱；第3工序，在所述绝缘基板的上表面，粘附对所述半导体元件连接焊盘以及所述导体柱进行覆盖的阻焊用的感光性树脂层;第4工序，选择性地进行曝光，使得所述搭载部及其附近的所述感光性树脂层留作未曝光部，其余部分的所述感光性树脂层被感光；第5工序，直到成为埋设所述半导体元件连接焊盘以及所述导体柱的下端部并且使所述导体柱的上端部突出的厚度为止，将所述未曝光部从上表面侧向下表面侧显影到中途而部分地去除；以及第6工序，使进行了显影的所述感光性树脂层硬化而形成阻焊层。
[0019]根据本发明的布线基板，绝缘基板上表面的阻焊层具有:第I区域，其具有使导体柱的上端部例如从阻焊层的上表面起突出35 μ m以上的高度的厚度；以及第2区域，其以比第I区域厚的厚度包围第I区域。由此，在导体柱上连接了半导体元件的电极端子的情况下，在半导体元件与阻焊层之间可靠地形成35 μ m以上的间隙。因此，在半导体元件与阻焊层之间填充底部填料变得容易。此外，即使在使底部填料的填充时的粘度较低，或者使填充压力较高的情况下，也能够通过第2区域的内周来有效地防止底部填料在半导体集成电路元件的周围的阻焊层上过度地溢出。
[0020]此外，根据本发明的布线基板的制造方法，在绝缘基板上的半导体元件连接焊盘上形成导体柱之后，在绝缘基板上粘附对半导体元件连接焊盘以及导体柱进行覆盖的阻焊用的感光性树脂层。接着