例如厚度为0.1?Iym左右的无电解镀铜即可。在第I镀覆掩膜22，形成与半导体元件连接焊盘10相对应的第I开口部22a。这样的第I镀覆掩膜22通过如下方式来形成:例如将厚度为20?50 μ m左右的感光性的干膜抗蚀剂贴附在基底金属层21上之后，进行曝光以及显影使得具有第I开口部22a。
[0042]接着，如图4B所示，在第I开口部22a内露出的基底金属层21上粘附用于形成半导体元件连接焊盘10的第I镀覆金属层23。第I镀覆金属层23的厚度为10?30 μ m左右。作为这样的第I镀覆金属层23，优选使用电解镀铜。
[0043]接着，如图4C所示，在第I镀覆掩膜22上以及第I镀覆金属层23上形成第2镀覆掩膜24。在镀覆掩膜24，形成使第I开口部22a内的第I镀覆金属层23的上表面中央部露出与导体柱11相应的大小的第2开口部24a。这样的镀覆掩膜24只要通过如下方式就能得到:例如将厚度为50?75 μ m左右的感光性的干膜抗蚀剂贴附在第I镀覆掩膜22上以及第I镀覆金属层23上之后，进行曝光以及显影使得具有第2开口部24a。
[0044]接着，如图4D所示，在第2开口部24a内露出的第I镀覆金属层23上粘附用于形成导体柱11的第2镀覆金属层25。第2镀覆金属层25的厚度为40?55 μ m左右。作为这样的第2镀覆金属层25，优选使用电解镀铜。
[0045]接着，如图4E所示，将第I镀覆掩膜22以及第2镀覆掩膜24剥离去除。
[0046]接着，如图4F所示，将从第I镀覆金属层23露出的基底金属层21蚀刻去除。由此，在绝缘基板I的上表面形成由第I镀覆金属层23构成的半导体元件连接焊盘10、以及在半导体元件连接焊盘10上形成由第2镀覆金属层25构成的导体柱11。
[0047]通过进行以上工序，能够形成半导体元件连接焊盘10以及导体柱11。
[0048]接着，如图3B所示，在形成了半导体元件连接焊盘10以及导体柱11的绝缘基板I的上表面粘附阻焊层6用的感光性树脂层26。感光性树脂层26通过如下方式来形成:在绝缘基板I的上表面覆盖半导体元件连接焊盘10以及导体柱11地涂敷感光性的树脂膏之后，使其干燥。感光性树脂层26的厚度在最上层的布线导体5上为25?50 μ m左右。作为感光性的树脂膏，使用例如由丙烯酸改性环氧树脂构成的树脂膏。作为涂敷的方法而使用例如丝网印刷法。
[0049]接着，如图3C所示，通过将对上述布线基板50中的第I区域所对应的部分进行遮光的曝光掩膜27配置于绝缘基板I的上方，从其上方照射紫外线(UV)，从而选择性地进行曝光，使得搭载部IA及其附近的感光性树脂层26留下作为未曝光部26A，其余部分的感光性树脂层26被感光。
[0050]接着，如图3D所示，直到成为埋设半导体元件连接焊盘10以及导体柱11的下端部并且使导体柱11的上端部如上述那样从阻焊层6的上表面起突出35 μ m以上的高度的厚度为止，将未曝光部26A从上表面侧向下表面侧显影到中途而部分地去除。此时，上述布线基板50中的第2区域6B所对应的部分的感光性树脂层26保留原来的厚度。另外，为了将未曝光部26A显影到中途而部分地去除，只要例如通过调整显影时间等对显影进行控制即可。
[0051]接着，如图3E所示，通过从绝缘基板I的上表面侧整面照射紫外线来进行曝光使得未曝光部26A感光。然后，根据需要进行加热处理，由此使感光性树脂层26完全硬化而成为上表面侧的阻焊层6。最后通过利用常法来形成下表面侧的阻焊层6，从而图1所示的布线基板50完成。另外，下表面侧的阻焊层6也可以在形成上表面侧的阻焊层6之前形成于绝缘基板I的下表面。
[0052]这样，根据上述的布线基板50的制造方法，能够形成具有第I区域6A以及第2区域6B的阻焊层6，其中该第I区域6A具有使导体柱11的上端部从阻焊层6的上表面起突出的厚度，该第2区域6B以比所述第I区域6A的厚度更厚的厚度包围第I区域6A。因此，在半导体元件S与阻焊层6之间填充底部填料F变得容易。而且，能够提供一种布线基板50，即使在降低了底部填料F的填充时的粘度，或者提高了填充压力的情况下，也能够有效地防止底部填料F在半导体元件S的周围的阻焊层6上过度地溢出。
[0053]本发明并不限定于上述的实施方式，在权利要求所述的范围内能够进行各种变更(以上描述了本发明的优选实施方式，但同时应该理解的是，在不脱离本发明权利要求的宗旨或范围的情况下，能进行各种变更和变形)。
【主权项】
1.一种布线基板，其特征在于，具备: 绝缘基板，其在上表面具有搭载半导体元件的搭载部； 半导体元件连接焊盘，其形成于所述搭载部； 导体柱，其形成在该半导体元件连接焊盘上；以及 阻焊层，其粘附在所述绝缘基板上， 所述阻焊层具有: 第I区域，其具有埋设所述半导体元件连接焊盘以及所述导体柱的下端部并且使所述导体柱的上端部突出的厚度；以及 第2区域，其以比所述第I区域的厚度更厚的厚度包围所述第I区域。
2.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于， 所述第2区域的上表面比导体柱的上端面低5?30 μ m。
3.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于， 所述导体柱为圆柱状。
4.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于， 所述导体柱的上端面从所述第I区域中的所述阻焊层的上表面起突出35 μ m以上的高度。
5.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于， 在所述导体柱上连接半导体元件，在所述第I区域中的半导体元件与阻焊层之间填充底部填料。
6.—种布线基板的制造方法,其特征在于,包含: 第I工序，在上表面具有搭载半导体元件的搭载部的绝缘基板的所述搭载部，形成由镀覆金属构成的半导体元件连接焊盘； 第2工序，在所述半导体元件连接焊盘的上表面形成由镀覆金属构成的导体柱； 第3工序，在所述绝缘基板的上表面，粘附对所述半导体元件连接焊盘以及所述导体柱进行覆盖的阻焊用的感光性树脂层； 第4工序，选择性地进行曝光，使得所述搭载部及其附近的所述感光性树脂层留作未曝光部，其余部分的所述感光性树脂层被感光； 第5工序，直到成为埋设所述半导体元件连接焊盘以及所述导体柱的下端部并且使所述导体柱的上端部突出的厚度为止，将所述未曝光部从上表面侧向下表面侧显影到中途而部分地去除；以及 第6工序，使进行了显影的所述感光性树脂层硬化而形成阻焊层。
7.根据权利要求6所述的布线基板的制造方法，其中， 在所述第2工序中，形成圆柱状的导体柱。
8.根据权利要求6所述的布线基板的制造方法，其中， 在所述第2工序中，导体柱从所述半导体元件连接焊盘的上表面起的高度为40μπι以上。
【专利摘要】本发明的布线基板(50)具备：绝缘基板(1)，其在上表面具有搭载半导体元件(S)的搭载部(1A)；半导体元件连接焊盘(10)，其形成于搭载部(1A)；导体柱(11)，其形成在半导体元件连接焊盘(10)上；以及阻焊层(6)，其粘附在所述绝缘基板上，其中，所述阻焊层(6)具有：第1区域(6A)，其具有埋设所述半导体元件连接焊盘(10)以及所述导体柱(11)的下端部并且使所述导体柱(11)的上端部突出的厚度；以及第2区域(6B)，其以比所述第1区域(6A)的厚度更厚的厚度包围所述第1区域(6A)。
【IPC分类】H05K3-30, H05K1-18
【公开号】CN104602459
【申请号】CN201410571887
【发明人】横山满三
【申请人】京瓷电路科技株式会社
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年10月23日
【公告号】US20150116967