进行曝光，使得搭载部及其附近的感光性树脂层留作未曝光部，其余部分被感光。接着直到成为埋设半导体元件连接焊盘以及导体柱的下端部并且使导体柱的上端部突出的厚度为止将未曝光部从上表面侧向下表面侧显影到中途而部分地去除。最后，使进行了显影的感光性树脂层硬化而得到阻焊层。由此，能够形成具有使导体柱的上端部例如从所述阻焊层的上表面起突出35μπι以上的高度的厚度的第I区域、以及以比第I区域厚的厚度包围第I区域的第2区域的阻焊层。因此，在半导体元件与阻焊层之间填充底部填料变得容易。而且，能够提供一种布线基板，即使在使底部填料的填充时的粘度较低，或者使填充压力较高的情况下，也能够有效地防止底部填料在半导体集成电路元件的周围的阻焊层上过度地溢出。
【附图说明】
[0021]图1是表示本发明的一实施方式所涉及的布线基板的示意剖面图。
[0022]图2Α以及2Β是用于说明在图1所示的布线基板安装半导体元件的工序的示意剖面图。
[0023]图3Α?3Ε是用于说明本发明的一实施方式所涉及的布线基板的制造方法的主要部分剖面图。
[0024]图4Α?4F是用于说明本发明的一实施方式所涉及的布线基板的制造方法的主要部分剖面图。
[0025]图5是表示现有的布线基板的示意剖面图。
[0026]图6Α以及6Β是用于说明在图5所示的布线基板安装半导体元件的工序的示意剖面图。
[0027]图7Α?图7F是用于说明现有的布线基板的制造方法的主要部分剖面图。
【具体实施方式】
[0028]以下，参照附图对本发明所涉及的布线基板及其制造方法进行详细说明。图1所示的布线基板50是本发明的一实施方式所涉及的布线基板。布线基板50通过倒装芯片式连接来搭载区域阵列型的半导体元件S。
[0029]如图1所示，布线基板50在绝缘基板I的上表面具有搭载半导体元件S的搭载部1A。在搭载部1Α，形成有许多半导体元件连接焊盘10。在半导体元件连接焊盘10的上表面中央部形成有圆柱状的导体柱11。导体柱11按与半导体元件S的电极端子T的排列相应的排列方式排列。绝缘基板I的下表面是用于与外部的电路基板连接的外部连接面。在绝缘基板I的上下表面粘附有阻焊层6。
[0030]绝缘基板I是在核心用的绝缘板2的上下表面层叠多个积层用的绝缘树脂层3而形成的。绝缘板2的厚度为200?800 μ m左右。绝缘板2例如由使双马来酰亚胺三嗪树月旨、环氧树脂等的热硬化性树脂浸溃在将玻璃纤维束纵横交叉而织成的玻璃布中而得到的电绝缘材料构成。从绝缘板2的上表面一直到下表面，形成有多个通孔7。通孔7的直径为50?200 μ m左右。通孔7通过对绝缘板2实施钻孔加工、激光加工而形成。在绝缘板2的上下表面以及通孔7的内壁，粘附形成了核心用的布线导体4。绝缘板2上下表面的布线导体4由铜箔等的金属箔及其上的镀铜等的镀覆金属构成。通孔7内的布线导体4由镀铜等的镀覆金属构成。布线导体4的厚度为10?30 μ m左右。布线导体4通过公知的减成法而形成。在粘附了布线导体4的通孔7的内部填充有嵌入树脂8。嵌入树脂8例如由环氧树脂等的热硬化性树脂构成。
[0031]对于积层用的绝缘树脂层3,其厚度为20?50 μ m左右,例如由环氧树脂等的热硬化性树脂构成。在绝缘树脂层3，分别形成了多个通孔9。通孔9的直径为35?ΙΟΟμπι左右。通孔9通过激光加工而形成。在绝缘树脂层3的表面以及通孔9内，粘附形成有积层用的布线导体5。布线导体5由镀铜等的镀覆金属构成。布线导体5的厚度为10?30 μ m左右。布线导体5通过公知的半加成法而形成。
[0032]积层用的布线导体5中，粘附在布线基板50的上表面侧的最外层的绝缘树脂层3上的一部分形成了圆形的半导体元件连接焊盘10。半导体元件连接焊盘10的直径为50?200μπι左右。在各半导体元件连接焊盘10的上表面形成了导体柱11。导体柱11由镀铜等的镀覆金属构成。导体柱11为直径比半导体元件连接焊盘10的直径小的圆柱状。导体柱11的直径为30?150 μ m左右，高度为40?55 μ m左右。在导体柱11的上端连接半导体元件S的电极端子T。
[0033]另一方面，粘附在布线基板50的下表面侧的最外层的绝缘树脂层3上的一部分形成了与外部电路基板的布线导体电连接的圆形的外部连接焊盘12。外部连接焊盘12的直径为300?1000 μ m左右。外部连接焊盘12与未图示的外部的电路基板的布线导体电连接。
[0034]粘附在绝缘基板I的上下表面的阻焊层6例如由丙烯酸改性环氧树脂等具有感光性的热硬化性树脂构成。上表面侧的阻焊层6具有厚度各不相同的2个区域、即第I区域6A和第2区域6B。第I区域6A包含搭载部IA及其附近，具有如下厚度:埋设半导体元件连接焊盘10以及导体柱11的下端部，并且使导体柱11的上端部从阻焊层6的上表面突出35 μ m以上的厚度。第2区域6B包含搭载部IA的周围，以比第I区域的厚度更厚的厚度包围第I区域6A。
[0035]导体柱11从阻焊层6的上表面起的突出高度如上所述为35 μ m以上，是在半导体元件S与阻焊层6之间容易填充底部填料方面比较合适的。此外，导体柱11的突出高度最好为70 μ m以下。
[0036]第I区域6A中的最上层的布线导体5上的阻焊层6的厚度为5?20 μ m左右。第2区域6B中的最上层的布线导体5上的阻焊层6的厚度为25?50 μ m左右。另一方面，下表面侧的阻焊层6具有使外部连接焊盘12的中央部露出的开口部6b。下表面侧的阻焊层6的厚度在最下层的布线导体5上为10?50 μ m左右。
[0037]在布线基板50中，如图2A所示，在导体柱11的上端连接半导体元件S的电极端子T之后，如图2B所示，在半导体元件S与上表面侧的阻焊层6之间填充底部填料F。由此将半导体元件S安装在布线基板50上。此时，上表面侧的阻焊层6在搭载部IA及其附近，具有第I区域6A，该第I区域6A具有使圆柱状的导体柱11的上端部从阻焊层6上表面突出35 μ m以上的高度的厚度。此外，在搭载部IA的周围，具有以比第I区域6A的厚度更厚的厚度包围第I区域6A的第2区域6B。由此，在导体柱11上连接了半导体元件S的电极端子T的情况下，在半导体元件S与上表面侧的阻焊层6之间形成35 μ m以上的间隙。因此，在半导体元件S与上表面侧的阻焊层6之间填充底部填料F变得容易。而且，即使在使底部填料F的填充时的粘度较低，或者使填充压力较高的情况下，也能够通过第2区域6B的内周有效地防止底部填料F在半导体元件S的周围的阻焊层6上过度地溢出。
[0038]如上所述，第I区域6A包含搭载部IA及其附近。所谓搭载部IA的附近指的是如下区域:能够在半导体元件S与阻焊层6之间容易填充底部填料F、即能够不受第2区域6B的阻焊层6妨碍地填充底部填料F，并且通过底部填料F能够可靠地密封半导体元件。一般来说，所谓搭载部IA的附近指的是，距搭载部IA的端部I?3mm的区域。
[0039]优选在第2区域6B中，阻焊层6的上表面的高度比导体柱11的上端的高度低5?30 μ m。由此，能够更容易地在半导体元件S与上表面侧的阻焊层6之间填充底部填料F。
[0040]接着，对上述布线基板50的制造方法的一实施方式进行说明。首先，如图3A所示，在绝缘基板I的搭载部IA形成由布线导体5构成的半导体元件连接焊盘10，并且在半导体元件连接焊盘10的上表面中央部形成导体柱11。
[0041]为了形成半导体元件连接焊盘10以及导体柱11,只要采用例如图4A?图4F所示的方法即可。即，首先如图4A所示，在最上层的绝缘树脂层3上的整个面粘附基底金属层21，并且在该基底金属层21上形成第I镀覆掩膜22。作为基底金属层21，只要使用