专利名称：蒸镀装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及蒸镀技术领域，尤其涉及一种蒸镀装置。
背景技术：
蒸镀是一种物理气相沉积技术，即以物理的方式进行薄膜沉积。具体地，其通过离子束 或电子束对蒸镀材料进行加热，使蒸镀材料变成气态或离子态，而沉积在待镀工件表面以形 成一蒸镀材料膜层。蒸镀技术因成膜过程简单、工艺易控制而得到广泛应用，例如光学元件 表面反射膜层、装饰件表面的金、银膜层等。
蒸镀过程需要在一蒸镀装置中进行，此蒸镀装置通常包括一蒸镀腔室以及一用以提供蒸 镀时所需的真空度的抽气系统，蒸镀腔室中具有一容置有蒸镀材料的坩埚、 一与坩埚相对设 置的待镀工件承载架。当蒸镀材料被加热蒸发时，蒸发的蒸镀材料粒子以一定能量冲向待镀 工件承载架，并沉积在待镀工件表面上。
然而，无论在预融材料或是镀膜制程中，当电子束或离子束轰击材料时，常会出现材料 飞溅出坩埚外，导致材料镀率降低，而且对于蒸镀腔室内的洁净度影响甚大，进而影响光学 薄膜的品质。
发明内容
有鉴于此，提供一种可防止蒸镀腔室被污染的蒸镀装置实为必要。
一种蒸镀装置，包括一用于容置一蒸镀材料的坩埚，所述坩埚顶部具有一开口。所述蒸 镀装置还包括一套设在所述坩埚开口上的遮罩，所述遮罩的底部具有一与所述坩埚顶部开口 相配合的开口，所述遮罩的顶部具有多个气流通孔，所述遮罩的侧壁具有一入口，所述入口 用于供加热所述坩埚内蒸镀材料用的能量束入射到坩埚内的蒸镀材料上。
相对于现有技术，所述蒸镀装置具有一套设于其坩埚顶部开口上的遮罩，所述遮罩的侧 壁具有一入口，用于供加热所述坩埚内蒸镀材料用的能量束入射至坩埚内的蒸镀材料上，所 述遮罩的顶部平面具有多个气流通孔。如此，可有效防止蒸镀时蒸镀材料飞溅出坩埚，从而 可以防止蒸镀腔室被污染，避免影响蒸镀品质，且蒸镀材料形成的气态或离子态粒子流可从 遮罩顶部的多个气流通孔中均匀地蒸发出去，从而保证光学薄膜的品质。
图l是本发明实施例提供的蒸镀装置的局部剖示图。图2是图1中提供的蒸镀装置的坩埚及遮罩的立体结构示意图。
具体实施例方式
下面将结合附图，对本发明实施例作进一步地详细说明。
请一并参阅图1及图2，本发明实施例提供的蒸镀装置100包括一蒸镀腔室10、 一抽气系 统20以及一加热蒸镀材料用的能量束的产生装置30。
所述蒸镀腔室10内部设置有一坩埚11、 一遮罩12以及一待镀工件承载架13。
所述坩埚ll的材料可以选自钨、钼、钽、铜、石墨、氧化铝、碳化硼、氮化硼等高熔点 材料。所述坩埚ll的形状可以为柱状、锥台状、舟状或其它多边形形状。所述坩埚ll具有一 蒸镀材料容置部111及一位于顶部的开口112。另外，所述坩埚ll可设置一投料口 (图未示) 以方便对坩埚ll进行投料，以实现连续蒸镀作业。
所述遮罩12套设在所述坩埚11顶部的开口112上并可通过若干螺钉固定。所述遮罩12的 底部具有一与所述坩埚ll顶部的开口 112相配合的开口 121 ，所述遮罩12的顶部具有多个气流 通孔122，所述遮罩12的侧壁具有一入口123，所述入口123用于供加热所述坩埚11内蒸镀材 料用的能量束入射到坩埚ll内的蒸镀材料上。所述遮罩12也可选自钨、钼、钽、铜、石墨、 氧化铝、碳化硼、氮化硼等高熔点金属。所述遮罩12的形状也可为柱状、锥台状、舟状或其 它多边形形状，只要所述遮罩12底部的开口 121形状与所述坩埚1 l顶部的开口 112形状相配合 即可。优选地，所述坩埚ll的形状为倒锥台状，而所述遮罩12的形状为圆筒状。所述坩埚 11顶部的开口112与所述遮罩12底部的开口121均为圆形，所述遮罩12套设于坩埚11顶部的开 口112上，开口121与开口112相对，此时，开口121的外径与所述开口112的外径相当，这样 ，可以保证遮罩12刚好可以套设在坩埚11上。所述遮罩12侧壁的入口123位于靠近所述遮罩 12底部的开口121的位置，且入口123与所述遮罩12底部的开口121相连通。所述多个气流通 孔122在所述遮罩12的顶部平面为均匀排布。在本实施例中，所述多个气流通孔122在遮罩12 的顶部圆周面上呈行列且为对称排布。这种设置，使得蒸镀材料蒸发后经由该多个气流通孔 122出去时的浓度和空间分布更加均匀。所述多个气流通孔122的大小相同，其形状可以为圆 形、方形、菱形、三角形或多边形等。
所述待镀工件承载架13与所述坩埚11的气流出口112相对设置，所述待镀工件承载架13 中可以放置一个或多个待镀工件131。优选地，所述待镀工件承载架13还可以连接一待镀工 件预热装置以使待镀工件表面预热，达到更好的蒸镀效果，以及一待镀工件翻面装置以自动 翻面待镀工件，实现连续蒸镀作业。
所述抽气系统20用以提供蒸镀腔室10蒸镀时所需的真空度。所述能量束的产生装置30用于产生一能量束，能量束经由遮罩12侧壁的入口123进入坩 埚ll中而射至坩埚ll中的蒸镀材料上。蒸镀材料从而被加热并蒸发成为气态或者离子态，蒸 发的蒸镀材料粒子经由遮罩12顶部的多个气流通孔122冲出，并以一定能量冲向待镀工件承 载架13 ，并沉积在待镀工件131的表面上，从而在待镀工件131表面上形成一蒸镀材料薄膜。 在本实施例中，所述能量束的产生装置30为一电子枪301，该电子枪301发射出一电子束，电 子束经过转向磁场302而集中至坩埚11中的蒸镀材料上。该电子束经转向磁场偏转角度为 270度，如此设计，可使电子束垂直击打在蒸镀材料上，可有效地利用蒸镀材料。
当然，所述能量束的产生装置30可以为电子束的产生装置，也可以为离子束的产生装置 。亦即，该能量束的产生装置30并不局限于上述利用电子枪发射电子束的形式，也可使用离 子束，或其它粒子照射形式等。
相对于现有技术，所述蒸镀装置具有一套设于其坩埚顶部开口上的遮罩，所述遮罩的侧 壁具有一入口，用于供加热所述坩埚内蒸镀材料用的能量束入射至坩埚内的蒸镀材料上，所 述遮罩的顶部平面具有多个气流通孔。如此，可有效防止蒸镀时蒸镀材料飞溅出坩埚，从而 可以防止蒸镀腔室被污染，避免影响蒸镀品质，且蒸镀材料形成的气态或离子态粒子流可从 遮罩顶部的多个气流通孔中均匀地蒸发出去，从而保证光学薄膜的品质。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它 各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
权利要求
权利要求1一种蒸镀装置，包括一用于容置一蒸镀材料的坩埚，所述坩埚顶部具有一开口，其特征在于所述蒸镀装置还包括一套设在所述坩埚开口上的遮罩，所述遮罩的底部具有一与所述坩埚顶部开口相配合的开口，所述遮罩的顶部具有多个气流通孔，所述遮罩的侧壁具有一入口，所述入口用于供加热所述坩埚内蒸镀材料用的能量束入射到坩埚内的蒸镀材料上。权利要求2如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀装置进一步包括一蒸镀腔室以及一与所述蒸镀腔室相连的抽气系统，所述坩埚及所述遮罩均置于所述蒸镀腔室中。权利要求3如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀装置进一步包括一能量束的产生装置，所述能量束的产生装置用于产生一加热所述坩埚内蒸镀材料的能量束。权利要求4如权利要求3所述的蒸镀装置，其特征在于，所述能量束的产生装置为电子束的产生装置或者离子束的产生装置。权利要求5如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述遮罩侧壁的入口与所述遮罩底部的开口相连通。权利要求6如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述遮罩顶部的多个气流通孔沿所述遮罩顶部平面均匀排布。权利要求7如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述遮罩顶部的多个气流通孔沿所述遮罩顶部平面呈行列排布。权利要求8如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述遮罩顶部的多个气流通孔的形状为圆形、方形、菱形、三角形或多边形。权利要求9如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述遮罩底部的开口与所述坩埚顶部的开口均为圆形。权利要求10如权利要求9所述的蒸镀装置，其特征在于，所述遮罩底部的开口的外径与所述坩埚顶部的开口的外径相当。
2 如权利要求l所述的蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀装置进一 步包括一蒸镀腔室以及一与所述蒸镀腔室相连的抽气系统，所述坩埚及所述遮罩均置于所述 蒸镀腔室中。
3 如权利要求l所述的蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀装置进一步包括一能量束的产生装置，所述能量束的产生装置用于产生一加热所述坩埚内蒸镀材料的 能量束。
4 如权利要求3所述的蒸镀装置，其特征在于，所述能量束的产生 装置为电子束的产生装置或者离子束的产生装置。
5 如权利要求l所述的蒸镀装置，其特征在于，所述遮罩侧壁的入 口与所述遮罩底部的开口相连通。
6 如权利要求l所述的蒸镀装置，其特征在于，所述遮罩顶部的多 个气流通孔沿所述遮罩顶部平面均匀排布。
7 如权利要求l所述的蒸镀装置，其特征在于，所述遮罩顶部的多 个气流通孔沿所述遮罩顶部平面呈行列排布。
8 如权利要求l所述的蒸镀装置，其特征在于，所述遮罩顶部的多 个气流通孔的形状为圆形、方形、菱形、三角形或多边形。
9 如权利要求l所述的蒸镀装置，其特征在于，所述遮罩底部的开 口与所述坩埚顶部的开口均为圆形。
10 如权利要求9所述的蒸镀装置，其特征在于，所述遮罩底部的开口的外径与所述坩埚顶部的开口的外径相当。
全文摘要
本发明提供了一种蒸镀装置，包括一用于容置一蒸镀材料的坩埚，所述坩埚顶部具有一开口。所述蒸镀装置还包括一套设在所述坩埚开口上的遮罩，所述遮罩的底部具有一与所述坩埚顶部开口相配合的开口，所述遮罩的顶部具有多个气流通孔，所述遮罩的侧壁具有一入口，所述入口用于供加热所述坩埚内蒸镀材料用的能量束入射到坩埚内的蒸镀材料上。本发明提供的蒸镀装置可有效防止蒸镀腔室被污染。
文档编号C23C14/24GK101445907SQ200710202698
公开日2009年6月3日 申请日期2007年11月27日 优先权日2007年11月27日
发明者王仲培 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司