[0132]需要说明的是，若镀膜腔室和第一蒸发源腔室之间的密封组件为打开的状态，则可以不执行本步骤。
[0133]在步骤504中，通过基片移动组件将基片放置组件移动至第一蒸发源腔室中。
[0134]在打开了镀膜腔室和第一蒸发源腔室之间的密封组件之后，可以通过基片移动组件将基片放置组件移动至第一蒸发源腔室中。以图2-2所示的蒸镀设备为例，通过基片移动组件112将基片放置组件111移动至第一蒸发源腔室后可以如图5-2所示，在图5-2中各标号的含义与图2-2相同。
[0135]在步骤505中，在第一蒸发源腔室中加热第一蒸发源至基片上形成第一膜层。
[0136]在将基片放置组件移动至第一蒸发源腔室中后，可以在第一蒸发源腔室中加热第一蒸发源至基片放置组件上的基片上形成第一膜层。
[0137]如图5-3所示，本步骤可以包括下面3个子步骤:
[0138]在子步骤5051中，关闭第一蒸发源腔室与镀膜腔室间的密封组件。
[0139]在将基片放置组件移动至第一蒸发源腔室中后，首先可以关闭第一蒸发源腔室与镀膜腔室间的密封组件，这样可以避免后续蒸发源析出后，大量析出物逸散到镀膜腔室中，可能较低基片上薄膜的形成速度，从而造成蒸发源的浪费。
[0140]在子步骤5052中，在第一蒸发源腔室中加热第一蒸发源至基片上形成第一膜层。
[0141]在关闭了第一蒸发源腔室与镀膜腔室间的密封组件之后，可以在第一蒸发源腔室中加热第一蒸发源至基片上形成第一膜层。例如，可以通过蒸发源放置组件加热第一蒸发源，或者，还可以通过电子束枪或激光器(电子束枪或激光器可以设置在第一蒸发源腔室)来加热第一蒸发源，本发明实施例不作出限制。而第一膜层的成膜过程可以参考相关技术，本发明实施例不再赘述。
[0142]在子步骤5053中，打开第一蒸发源腔室与镀膜腔室间的密封组件。
[0143]在基片上形成第一膜层后，可以打开第一蒸发源腔室与镀膜腔室间的密封组件，以便后续移出基片放置组件。
[0144]在步骤506中，通过基片移动组件将基片放置组件移动至镀膜腔室中。
[0145]在第一蒸发源腔室中加热第一蒸发源至基片上形成第一膜层后，可以通过基片移动组件将基片放置组件移动至镀膜腔室中。
[0146]在步骤507中，关闭密封组件。
[0147]在将基片放置组件移动至镀膜腔室后，可以关闭密封组件，隔断第一蒸发源腔室和镀膜腔室。
[0148]在关闭密封组件之后，如果已经完成镀膜，则可以打开镀膜腔室取出基片，如果还需要在基片上形成其它膜层，则可以继续执行后续步骤，后续步骤可以参考图4-1所示实施例中的步骤408至410，在此不再赘述。
[0149]需要补充说明的是，本发明实施例提供的蒸镀方法，通过设置基片移动组件，使基片放置组件能够在基片移动组件的带动下移动至第一蒸发源腔室中，达到了能够在第一蒸发源腔室中进行镀膜的效果。
[0150]综上所述，本发明实施例提供的蒸镀方法，通过设置至少一个用于放置蒸发源的蒸发源腔室，且通过蒸发源腔室和镀膜腔室间设置的密封组件可以连通或隔断蒸发源腔室和镀膜腔室，解决了相关技术中的蒸镀设备在完成一次镀膜后，更换基片时需要打开镀膜腔室，此时空气会接触到蒸发源，并对蒸发源造成污染的问题；达到了在完成镀膜后可以通过密封组件隔断蒸发源腔室和镀膜腔室，避免了空气污染蒸发源的效果。
[0151] 以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种蒸镀设备，其特征在于，所述蒸镀设备包括: 镀膜腔室和至少一个蒸发源腔室，所述镀膜腔室中设置有基片放置组件，所述基片放置组件用于放置基片，第一蒸发源腔室中设置有蒸发源放置组件，所述蒸发源放置组件用于放置蒸发源，所述第一蒸发源腔室为所述至少一个蒸发源腔室中任一蒸发源腔室； 所述镀膜腔室和所述第一蒸发源腔室之间设置有密封组件，所述密封组件打开时，所述镀膜腔室和所述第一蒸发源腔室连通，所述密封组件关闭时，所述镀膜腔室和所述第一蒸发源腔室隔断。2.根据权利要求1所述的蒸镀设备，其特征在于，所述第一蒸发源腔室中还设置有蒸发源移动组件， 所述蒸发源移动组件与所述蒸发源放置组件连接，且能够在所述密封组件打开时，带动所述蒸发源放置组件移动到所述镀膜腔室中。3.根据权利要求1所述的蒸镀设备，其特征在于，所述镀膜腔室中还设置有基片移动组件， 所述基片移动组件与所述基片放置组件连接，且能够在所述密封组件打开时，带动所述基片放置组件移动到所述第一蒸发源腔室中。4.根据权利要求1至3任一所述的蒸镀设备，其特征在于，所述蒸发源腔室有至少两个。5.根据权利要求1至3任一所述的蒸镀设备，其特征在于， 所述镀膜腔室设置有第一闸门，所述第一闸门用于隔断或连通所述镀膜腔室与外界环境; 所述第一蒸发源腔室设置有第二闸门，所述第二闸门用于隔断或连通所述第一蒸发源腔室与外界环境。6.一种蒸镀方法，其特征在于，用于权利要求1至5任一所述的蒸镀设备，所述蒸镀设备包括:镀膜腔室和至少一个蒸发源腔室，所述镀膜腔室中设置有基片放置组件，第一蒸发源腔室中设置有蒸发源放置组件，所述第一蒸发源腔室为所述至少一个蒸发源腔室中的任意一个蒸发源腔室，所述镀膜腔室和所述第一蒸发源腔室之间设置有密封组件，所述方法包括: 在所述基片放置组件上放置基片； 在所述第一蒸发源腔室中的所述蒸发源放置组件上放置第一蒸发源； 打开所述镀膜腔室和所述第一蒸发源腔室之间的密封组件； 加热所述第一蒸发源至所述基片上形成第一膜层； 关闭所述密封组件。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一蒸发源腔室中还设置有蒸发源移动组件， 所述加热所述第一蒸发源至所述基片上形成第一膜层，包括: 通过所述蒸发源移动组件将所述蒸发源放置组件移动至所述镀膜腔室中； 在所述镀膜腔室中加热所述第一蒸发源至所述基片上形成所述第一膜层； 通过所述蒸发源移动组件将所述蒸发源放置组件移动至所述第一蒸发源腔室中。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述镀膜腔室中加热所述第一蒸发源完成对所述基片的镀膜，包括: 关闭所述第一蒸发源腔室与所述镀膜腔室间的密封组件； 在所述镀膜腔室中加热所述第一蒸发源至所述基片上形成所述第一膜层； 打开所述第一蒸发源腔室与所述镀膜腔室间的密封组件。9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述镀膜腔室中还设置有基片移动组件， 所述加热所述第一蒸发源至所述基片上形成所述第一膜层，包括: 通过所述基片移动组件将所述基片放置组件移动至所述第一蒸发源腔室中； 在所述第一蒸发源腔室中加热所述第一蒸发源至所述基片上形成所述第一膜层； 通过所述基片移动组件将所述基片放置组件移动至所述镀膜腔室中。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述第一蒸发源腔室中加热所述第一蒸发源至所述基片上形成所述第一膜层，包括: 关闭所述第一蒸发源腔室与所述镀膜腔室间的密封组件； 在所述第一蒸发源腔室中加热所述第一蒸发源至所述基片上形成所述第一膜层； 打开所述第一蒸发源腔室与所述镀膜腔室间的密封组件。11.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述蒸发源腔室有至少两个，所述关闭所述密封组件之后，所述方法还包括: 在第二蒸发源腔室中的蒸发源放置组件上放置第二蒸发源，所述第二蒸发源腔室为至少两个所述蒸发源腔室中除所述第一蒸发源腔室外的任一蒸发源腔室； 加热所述第二蒸发源至所述基片上形成第二膜层； 关闭所述第二蒸发源腔室与所述镀膜腔室之间的密封组件。
【专利摘要】本发明是关于一种蒸镀设备和蒸镀方法，属于镀膜技术领域。蒸镀设备包括：镀膜腔室和至少一个蒸发源腔室，镀膜腔室中设置有基片放置组件，第一蒸发源腔室中设置有蒸发源放置组件，蒸发源放置组件用于放置蒸发源，第一蒸发源腔室为至少一个蒸发源腔室中任一蒸发源腔室；镀膜腔室和第一蒸发源腔室之间设置有密封组件，密封组件打开时，镀膜腔室和第一蒸发源腔室连通，密封组件关闭时，镀膜腔室和第一蒸发源腔室隔断。本发明通过设置至少一个用于放置蒸发源的蒸发源腔室，且通过密封组件可以连通或隔断蒸发源腔室和镀膜腔室，解决了相关技术中，更换基片时空气会对蒸发源造成污染的问题；达到了避免空气污染蒸发源的效果。
【IPC分类】C23C14/24
【公开号】CN105154832
【申请号】CN201510666908
【发明人】张鑫狄, 孙俊民
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年10月15日