一种单层MoS₂纳米片溶液的制备方法

专利名称：一种单层MoS₂纳米片溶液的制备方法
技术领域：
本发明属于纳米材料领域，具体涉及ー种以水热反应预处理，超声液相剥离合成单层MoS2纳米片溶液的制备方法。
背景技术：
过渡金属硫化物MoS2为层状结构，层内为强的化学键，层间为极弱的范德华力，通过破坏层间的范德华力可得到单层MoS2纳米片，这种ニ维结构的MoS2纳米片在纳米电子学、摩擦、催化、能源和高性能的复合材料等领域具有广泛的应用前景。目前制备单层MoS2 纳米片的方法有机械剥离法，液相剥离法。机械剥离法制备量较小，很难满足エ业化要求。 相比较液相剥离法可以得到较高产量的单层纳米片产物，而且液相剥离过程容易与其它金属化合物形成纳米复合材料，大大提升单层MoS2的性能和应用领域(江雪婭等，重新堆积和钴离子掺杂的MoS2负极材料的合成和性能研究，湖南大学学报(自然科学版)，2011， 33(3) =288-292 ;贾太轩等，磷改性Ni/MoS2复合材料的制备及其催化性能，化工新型材料， 2009, 33 (3) 47-49)。目前液相剥离方法都是采用MoS2和烧基锂进行插成反应后,然后超声剥离得到(王廷梅等，单层MoS2悬浊液的制备及其摩擦学行为研究，摩擦学学报，2003， 23(3) =192-196 ;胡坤宏等，ニ硫化钥纳米微粒及其单层悬浮液的制备，安徽化工，2007， 33(1) :38-40)。MoS2与烷基锂的反应时间周期较长，同时烷基锂具有强的化学活性，对环境极为敏感，需要惰性溶剂保护。该反应条件苛刻，成本较高，不易エ业化。同时反应中采用的烷基锂化合物与很多溶剂不相客，这使得在制备单层MoS2纳米片与其它金属形成纳米复合材料时，需要更复杂的エ艺。另外，目前使用液相剥离方法制备出的单层MoS2溶液的稳定性并没有明确的报道。胡坤宏(胡坤宏等，ニ硫化钥纳米微粒及其单层悬浮液的制备，安徽化工，2007，33 (I) 38-40)等人研究发现制备的单层MoS2溶液有一定的团聚现象。因此， 需求ー种エ艺简单，成本低廉的制备能稳定放置的单层MoS2纳米片溶液的方法具有十分重要的意义。

发明内容
本发明的目的在于解决现有技术中的问题，而提供ー种エ艺简单，成本低廉，对空气和水等外界环境不敏感，并且易于エ业化的单层MoS2纳米片溶液的制备方法。本发明通过水热反应对MoS2粉末进行分散处理，选取的溶剂在水热条件下对MoS2 粉末有更好的分散性和溶解性。经过水热处理后的MoS2溶液，向其中加入表面活性剤，再经过超声剥离，即可得到单层MoS2纳米片溶液。具体包括以下步骤I)选取N-甲基吡咯烷酮、N-こ烯基吡咯烷酮、N-辛基吡咯烷酮、N-十二烷基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮、ニ甲基咪唑烷酮其中ー种作为溶剂，向所选择的溶剂中加入MoS2 粉体，其中MoS2粉体在溶剂的浓度为0. 5 I. 5mg/mL，然后将混合的溶液磁力搅拌30min， 移入水热反应釜；2)将上述反应釜置于烘箱80 120°C，反应时间6 8h，得到前驱体溶液；
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3)取出经过水热处理的前驱体溶液，向前驱体溶液中加入表面活性剂，其中表面活性剂与前驱体溶液的质量百分比为1% 4%，然后将加入表面活性剂的前驱体溶液采用超声粉碎机进行超声粉碎，超声功率180 300w，超声时间I 2h ;4)将经过超声剥离的溶液进行离心处理I 2h，离心机转速800 1500rpm/h，取上层清液即可得到单层MoS2纳米片溶液。其中，本发明的进ー步的特点在于，加入的MoS2粉体的浓度为0. 5 I. 5mg/mL。其中，本发明的进ー步的特点在于，所述的表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵， 十六烷基三甲基氯化铵，十八胺或者三こ醇胺。其中，本发明的进ー步的特点在于，所述的表面活性剂与前驱体溶液的质量百分比为1% 4%与现有技术相比，本发明所采用将MoS2粉末通过有机溶剂进行水热预处理，在水热反应条件下，将整个体系置于高温高压环境，使用的有机溶剂对MoS2粉末的溶解度和分散度都大大提高，有机小分子更容易进入MoS2粉末的层间，从而将MoS2结构中的层间距拓宽，进ー步减小层间的范德华作用力。水热预处理后，向得到的溶液加入适量的阳离子表面活性剤，然后进行超声剥离。在超声作用下，经过水热预处理后的MoS2粉末易于发生脱落成单层MoS2纳米片，脱落产生的单层MoS2纳米片带有负电荷，与其中阳离子表面活性剂容易结合，表面活性剂同时又可以有效分散MoS2纳米片，使得超声剥离的单层MoS2纳米片不容易团聚，在溶液体系能稳定地存在。即可得到稳定性较好的单层MoS2纳米片溶液。与现有技术使用MoS2与烷基锂反应后进行超声剥离得到单层MoS2纳米片溶液相比较，本发明中使用的有机溶剂对环境不敏感，而且整个制备周期短，得到的单层MoS2纳米片分散性与稳定性更好，成本也较低。


图I本发明制得的MoS2纳米片的XRD图。图2本发明制得的MoS2纳米片的透射电子显微镜(TEM)形貌图。图3是实施例I-实施例6条件下制得的MoS2纳米片溶液的浓度随时间变化的曲线图。
具体实施例方式下面通过具体实施例对本发明的具体内容作进ー步详细说明。实施例I取IOOml N-甲基吡咯烷酮溶剤，向其中加入50mg MoS2粉末，置于磁力搅拌器上搅拌30min，将溶液移入150ml水热反应釜中，置于烘箱中，设定反应温度为120°C，反应时间为6h。反应结束后，取出溶液置于烧杯中，井向溶液中加入0. 5克十六烷基三甲基溴化铵，置于磁力搅拌器上搅拌30min。然后将烧杯置于超声粉碎机进行超声剥离，设定超声粉碎机的功率为180 ，超声时间为2h。将经过超声粉碎机处理的溶液进行离心2h，离心机转速800rpm/h。取上层清液即可得到单层MoS2纳米片溶液。实施例2取IOOml N-こ烯基吡咯烷酮，向其中加入IOOmg MoS2粉末，置于磁力搅拌器上搅拌30min，将溶液移入150ml水热反应釜中，置于烘箱中，设定反应温度为100°C，反应时间为7h。反应结束后，取出溶液置于烧杯中，井向溶液中加入I. 0克十六烷基三甲基氯化铵， 置于磁力搅拌器上搅拌30min。然后将烧杯置于超声粉碎机进行超声剥离，设定超声粉碎机的功率为200 ，超声时间为lh。将经过超声粉碎机处理的溶液进行离心lh，离心机转速 1400rpm/ho取上层清液即可得到单层MoS2纳米片溶液。实施例3取50ml N-十二烷基吡咯烷酮，向其中加入60mg MoS2粉末，置于磁力搅拌器上搅拌30min，将溶液移入150ml水热反应釜中，置于烘箱中，设定反应温度为80°C，反应时间为8h。反应结束后，取出溶液置于烧杯中，井向溶液中加入1.0克十六烷基三甲基溴化铵， 置于磁力搅拌器上搅拌30min。然后将烧杯置于超声粉碎机进行超声剥离，设定超声粉碎机的功率为200 ，超声时间为lh。将经过超声粉碎机处理的溶液进行离心2h，离心机转速 1000rpm/ho取上层清液即可得到单层MoS2纳米片溶液。实施例4取100ml N-辛基吡咯烷酮，向其中加入120mg MoS2粉末，置于磁力搅拌器上搅拌 30min，将溶液移入150ml水热反应釜中，置于烘箱中，设定反应温度为100°C，反应时间为 7h。反应结束后,取出溶液置于烧杯中，并向溶液中加入I. 25克十八胺,置于磁力搅拌器上搅拌30min。然后将烧杯置于超声粉碎机进行超声剥离，设定超声粉碎机的功率为180w，超声时间为2h。将经过超声粉碎机处理的溶液进行离心2h，离心机转速800rpm/h。取上层清液即可得到单层MoS2纳米片溶液。实施例5取50ml N-环己基吡咯烷酮，向其中加入25mg MoS2粉末，置于磁力搅拌器上搅拌 30min，将溶液移入150ml水热反应釜中，置于烘箱中，设定反应温度为120°C，反应时间为 6h。反应结束后，取出溶液置于烧杯中，井向溶液中加入0. 75克十六烷基三甲基溴化铵， 置于磁力搅拌器上搅拌30min。然后将烧杯置于超声粉碎机进行超声剥离，设定超声粉碎机的功率为280 ，超声时间为lh。将经过超声粉碎机处理的溶液进行离心2h，离心机转速 800rpm/ho取上层清液即可得到单层MoS2纳米片溶液。实施例6取50ml ニ甲基咪唑烷酮，向其中加入50mg MoS2粉末，置于磁力搅拌器上搅拌 30min，将溶液移入150ml水热反应釜中，置于烘箱中，设定反应温度为80°C，反应时间为 8h。反应结束后,取出溶液置于烧杯中，并向溶液中加入2. 5克三こ醇胺,置于磁力搅拌器上搅拌30min。然后将烧杯置于超声粉碎机进行超声剥离，设定超声粉碎机的功率为200w， 超声时间为2h。将经过超声粉碎机处理的溶液进行离心2h，离心机转速1000rpm/h。取上层清液即可得到单层MoS2纳米片溶液。參见图I为遵循本发明技术方案制得的MoS2纳米片的XRD图。所使用的X射线衍射设备为日本理学Rigaku D/Max-2400型X射线衍射仪，X射线源为Cu靶。图中所有的衍射峰均为六方结构的MoS2,没有其它的杂相成分。图2为遵循本发明技术方案制得的MoS2纳米片的透射电子显微镜(TEM)形貌图。 所使用的透射电镜设备为荷兰FEI公司Tecnai F30型透射电镜，加速电压为300kV。图中可以看出制备的MoS2纳米片确实是单层结构。
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图3是实施例I-实施例6条件下制得的MoS2纳米片溶液的浓度随时间变化的曲线图。横坐标表示的是放置时间(单位为小时)，纵坐标表示的是MoS2纳米片溶液的浓度 (单位为mg/mL)。从图中可以看出经过长时间的放置后，本发明所制备的MoS2纳米片溶液的浓度并没有明显的变化，显示出良好的稳定性。
权利要求
1.一种单层MoS2纳米片溶液的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤1)选取N-甲基吡咯烷酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-辛基吡咯烷酮、N-十二烷基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮、二甲基咪唑烷酮其中一种作为溶剂，向所选择的溶剂中加入此&粉体，其中MoS2粉体在溶剂的浓度为O. 5 I. 5mg/mL，然后将混合的溶液磁力搅拌30min，移入水热反应釜；2)将上述反应釜置于烘箱80 120°C，反应时间6 8h，得到前驱体溶液；3)取出经过水热处理的前驱体溶液，向前驱体溶液中加入表面活性剂，其中表面活性剂与前驱体溶液的质量百分比为1% 4%，然后将加入表面活性剂的前驱体溶液采用超声粉碎机进行超声粉碎，超声功率180 300w，超声时间I 2h ;4)将经过超声剥离的溶液进行离心处理I 2h,离心机转速800 1500rpm/h,取上层清液即可得到单层MoS2纳米片溶液。
2.根据权利要求I所述的一种制备单层MoS2纳米片溶液的方法，其特征在于，加入的 MoS2粉体的浓度为O. 5 I. 5mg/mL。
3.根据权利要求I所述的一种制备单层MoS2纳米片溶液的方法，其特征在于，所述的表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵，十六烷基三甲基氯化铵，十八胺或者三乙醇胺。
4.根据权利要求I所述的一种制备单层MoS2纳米片溶液的方法，其特征在于，所述的表面活性剂与前驱体溶液的质量百分比为1% 4%。
全文摘要
本发明公开了一种单层MoS2纳米片溶液的制备方法，该方法包括以下步骤称量MoS2粉末置于吡咯烷酮类溶剂中，磁力搅拌后，转入水热反应釜中进行水热预处理；向经过水热预处理的溶液加入表面活性剂，通过超声粉碎机进行超声剥离，然后将得到的溶液进行离心处理；取上层清液即为单层MoS2纳米片溶液。与现有技术使用MoS2与烷基锂反应后进行超声剥离得到单层MoS2纳米片溶液相比较，本发明中使用的有机溶剂对环境不敏感，而且整个制备周期短，得到的单层MoS2纳米片分散性与稳定性更好，成本也较低。
文档编号C01G39/06GK102583547SQ20121005775
公开日2012年7月18日 申请日期2012年3月7日 优先权日2012年3月7日
发明者艾涛, 赵鹏, 阎鑫 申请人:长安大学