[0113] 接着，以下利用附图对作为本发明的显示器用元件的制造方法的一种实施方式的 有机EL元件的制造方法的一种实施方式进行说明。
[0114] 图2的有机EL元件1的制造方法包括固定工序、阻气层制作工序、薄膜晶体管制 作工序、有机EL层制作工序、封装工序以及剥离工序。以下，对各工序进行详细说明。
[0115] 1、固定工序
[0116] 在固定工序中，透明树脂基板100被固定于支撑材500上。固定的方法没有特别 的限定，可以举出在支撑材500与透明树脂基板100之间涂布粘合剂的方法、使透明树脂基 板100的一部分熔接于支撑材500的方法等。另外，作为支撑的材料，例如使用玻璃、金属、 硅或树脂等。这些可以单独使用，也可以适时组合两种以上的材料使用。而且，也可以将脱 模剂等涂布于支撑材500,在其上粘贴透明树脂基板100进行固定。在一种或多种实施方式 中，将本发明的聚酰胺溶液涂布在支撑材500上，通过干燥等形成聚酰胺膜100。
[0117] 2、阻气层制作工序
[0118] 在阻气层制作工序中，在透明树脂基板100上制作阻气层101。制作的方法没有特 别的限定，可以使用公知的方法。
[0119] 3、薄膜晶体管制作工序
[0120] 在薄膜晶体管制作工序中，在阻气层上制作薄膜晶体管B。制作的方法没有特别的 限定，可以使用公知的方法。
[0121] 4、有机EL层制作工序
[0122] 有机EL层制作工序包括第1工序和第2工序。在第1工序中，形成平坦化层301。 作为形成平坦化层301的方法，对感光性透明树脂，可以举出旋涂法、狭缝涂布法、喷墨法 等。此时，为了在第2工序中形成连接部300,需要预先在平坦化层301上设置开口部。平 坦化层的膜厚通常为l〇〇nm~2 μ m左右，但是并不限定于此。
[0123] 在第2工序中，首先同时形成连接部300和下部电极302。作为形成这些的方法， 可以举出溅射法、真空蒸镀法、离子镀法等。这些电极的膜厚，通常为50nm~200nm左右， 但是，并不限定于此。此后，形成空穴输送层303、发光层304、电子输送层305、以及作为有 机EL元件1的阴极的上部电极306。作为形成这些的方法，可以使用真空蒸镀法或涂布法 等、适合所使用的材料和叠层结构的方法。另外，有机EL元件1的有机层的构成，不限于本 实施例的记载，也可以取舍选择其他空穴注入层、电子输送层、空穴阻挡层、电子阻挡层等、 公知的有机层。
[0124] 5、封装工序
[0125] 在封装工序中，有机EL层C通过封装部件307从上部电极306上被封装。作为封 装部件307,可以由玻璃、树脂、陶瓷、金属、金属化合物或者它们的复合体等形成，可以适时 选择最佳的材料。
[0126] 6、剥离工序
[0127] 在剥离工序中，将制作的有机EL元件1从支撑材500上剥离。作为实现剥离工序 的方法，可以举出例如物理性地从支撑材500上剥离的方法。此时，也可以在支撑材500上 设置剥离层，也可以在支撑材500与显示元件之间插入金属线（wire)进行剥离。另外，作 为其它方法，可以举出：并非仅在支撑材500的端部设置剥离层，而是在元件制作后从端部 切断内侧，取出元件的方法；在支撑材500与元件之间设置由硅层等形成的层，通过照射激 光进行剥离的方法；对支撑材500加热，将支撑材500与透明基板分离的方法；利用溶剂除 去支撑材500的方法等。这些方法可以单独使用，也可以组合任意的多种方法使用。在一 种或多种实施方式中，聚酰胺膜与支撑材之间的粘接能够利用硅烷偶联剂进行控制，由此 有机EL元件1能够物理性地剥离，而不使用上述复杂工序。
[0128] [显示装置、光学装置、照明装置]
[0129] 本发明在其方式中，涉及使用了显示器用元件、光学用元件或照明用元件的显示 装置、光学装置或照明装置，另外也涉及了它们的制造方法。并不限定于这些，作为上述显 示装置，可以举出摄像元件等，作为光学装置，可以举出光/电复合电路等，作为照明装置， 可以举出TFT-LCD、OEL照明等。
[0130] [传感器元件]
[0131] 在本发明中，"传感器元件"是能够用于输入设备的传感器元件。作为"传感器元 件"，在未被限定的一种或多种实施方式中，可以举出能够接受电磁波的传感器元件、能够 检测出磁场的传感器元件，在一种或多种实施方式中，可以举出摄像元件、放射线传感器元 件、光传感器元件或磁传感器元件。作为上述放射线传感器元件，在一种或多种实施方式 中，可以举出X射线传感器元件。本发明中的传感器元件，在一种或多种实施方式中，包括 使用本发明的聚酰胺溶液制造的传感器元件、和/或、使用本发明的叠层复合材制造的传 感器元件、和/或、通过本发明中的元件的制造方法制造的传感器元件。另外，本发明中的 传感器元件的形成，在一种或多种实施方式中，包括形成光电转换元件及其驱动元件。
[0132] [输入设备]
[0133] 在本发明中，作为使用"传感器元件"的输入设备，在一种或多种实施方式中，可以 举出光学的、摄像或磁性的输入设备。作为该输入设备，在未被限定的一种或多种实施方式 中，可以举出放射线的摄像装置、可见光的摄像装置、磁性传感器设置。作为上述放射线的 摄像装置，在一种或多种实施方式中，可以举出X射线的摄像装置。另外，本发明中的输入 设备，在未被限定的一种或多种实施方式中，也可以具有作为显示器功能等的输出设备的 功能。因此，本发明在其它方式中，涉及使用了通过本方式的制造方法制造的传感器元件的 输入设备、及其制造方法。
[0134] 〈传感器元件的未被限定的一种实施方式〉
[0135] 以下使用图3对能够利用本方式的制造方法制造的传感器元件的一种实施方式 进行说明。
[0136] 图3是表示一种实施方式的传感器元件1的截面示意图。传感器元件1具有多像 素。该传感器元件10,在基板2的表面上形成包括多个光电二极管11A(光电转换元件）和 作为该光电二极管11A的驱动元件的薄膜晶体管（TFT :Thin Film Transistor) 11B的像素 电路。该基板2为通过本方式的制造方法的工序（A)在支撑材（未图示）上形成的聚酰胺 膜。并且，在本发明的制造方法的工序（B)中，形成光电二极管11A(光电转换元件）和作 为该光电二极管11A的驱动元件的薄膜晶体管11B。
[0137] 栅极绝缘膜21设置在基板2上，例如利用由氧化硅（Si02)膜、氧氮化硅（SiON)膜 以及氮化硅膜（SiN)中的一种形成的单层膜或由它们中的两种以上形成的叠层膜构成。第 1层间绝缘膜12A设置在栅极绝缘膜21上，例如由氧化硅膜或氮化硅膜等绝缘膜形成。该 第1层间绝缘膜12A还起到作为后述的覆盖薄膜晶体管11B上的保护膜（钝化膜）的功能。
[0138] (光电二极管11A)
[0139] 光电二极管11A经由栅极绝缘膜21和第1层间绝缘膜12A设置在基板2上的选择 性的区域。具体而言，光电二极管11A中，在第1层间绝缘膜12A上依次叠层下部电极24、n 型半导体层25N、i型半导体层25I、p型半导体层25P和上部电极26。上部电极26例如为 用于将光电转换时的基准电位（偏置电位）向上述的光电转换层供给的电极，与作为基准 电位供给用的电源配线的配线层27连接。该上部电极26例如由IT0(Indium Tin Oxide) 等透明导电膜构成。
[0140] (薄膜晶体管11B)
[0141] 薄膜晶体管11B例如由场效应晶体管（FET :Field Effect Transistor)构成。在 该薄膜晶体管11B中，在基板2上形成有例如由钛（Ti)、Α1、Μο、钨（W)、铬（Cr)等形成的栅 电极20,在该栅电极20上形成有上述的栅极绝缘膜21。另外，在栅极绝缘膜21上形成有 半导体层22,该半导体层22具有沟道区域。在该半导体层22上形成有源电极23S和漏电 极23D。具体而言，在此，漏电极23D与光电二极管11A中的下部电极24连接，源电极23S 与中继电极28连接。
[0142] 在传感器元件1中，在这样的光电二极管11A和薄膜晶体管11B的上层还依次设 置有第2层间绝缘膜12B、第1平坦化膜13A、保护膜14和第2平坦化膜13B。另外，在该第 1平坦化膜13A上，与光电二极管11A的形成区域附近对应，形成有开口部3。
[0143] 在传感器元件1上，例如，能够通过形成波长转换部件，制作放射线摄像装置。
[0144] 关于上述的实施方式，本发明还公开了以下的组合物、制造方法或用途。
[0145] 〈1>包括下述工序（a)~（c)的聚酰胺的制造方法。
[0146] 工序（a):将二酰氯溶解于非酰胺系有机溶剂中；
[0147] 工序（b):将二胺添加到工序（a)中得到的溶液中，使二酰氯和二胺反应，得到聚 酰胺；
[0148] 工序（c):在工序（b)之前、与工序（b)的开始同时、以及工序（b)期间中的至少 任一时刻添加能够捕集盐酸的捕集试剂。
[0149] 〈2>如〈1>所述的制造方法，其中，非酰胺系有机溶剂