一种双介晶基元液晶化合物的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种双介晶基元液晶化合物，其结构通式如(1)所示：其中R为碳数为3～12的直链烷基，n＝3、5、7、9、11、13，L＝H或F。本发明具有液晶相区间宽、低熔点的优点，适合于挠曲电液晶显示器件。
【专利说明】一种双介晶基元液晶化合物
【技术领域】
[0001] 本发明属于液晶材料【技术领域】，具体涉及一种双介晶基兀液晶化合物。
【背景技术】
[0002] 为了进一步提高液晶显示器件的响应速度，近年来，开发出了基于液晶挠曲 电效应的显示模式。液晶的挠曲电效应具有非常快的响应速度，一般在10微秒?100 微秒之间，比传统的液晶显示模式响应速度快1?2个数量级。如Applied Physics Letters, 2012, 100,063501报道了基于液晶挠曲电效应的显示模式，在该显示器件中，液 晶分子以"均勻卧式螺旋"（Uniformly Lying Helix, ULH)的方式排列，这种模式也称之 为ULH模式。采用ULH模式的液晶器件响应速度达到100微秒。随后在ULH模式基础上， 又提出了"均匀坚立螺旋"（Uniformly Standing Helix, USH)，与ULH模式相比，USH模式 可以达到更佳的暗态，同时还能获得宽的可视角范围。传统的液晶显示模式要求液晶材 料具有大的介电各向异性值（Λ ε)，以降低显示器的驱动电压。而ULH/USH模式不同，为 了防止液晶的螺旋结构在电场下解开，往往要求液晶材料具有尽可能小的介电各向异性 值；同时为了降低驱动电压，还需要液晶材料具有大的挠曲电系数。Journal of Applied Physics，1994, 76, 3762的论文研究结果表明，分子中包含两个液晶基元的化合物具有大的 挠曲电系数，可用于挠曲电效应的显示模式。该类液晶也称之为双介晶基元液晶化合物。 此外，为了获得低的介电各向异性值，分子一般应为对称结构；同时，为了获得较佳的挠曲 电-光效应，双介晶基元液晶化合物的中心桥键一般为奇数原子。
[0003] 迄今为止，已经开发出多种双介晶基元液晶化合物，并已在挠曲电液晶显示模式 中得到应用，如专利W02013004333A1所报道的。但一般都存在液晶相区间窄，熔点高的缺 点，不能满足ULH和USH显示模式的实际使用需要，因此需要开发熔点低、液晶相范围宽的 双介晶基兀型液晶材料。
【发明内容】
[0004] 为克服【背景技术】中存在的缺陷或不足，本发明提供一种液晶相温度范围宽、低熔 点的双介晶基元液晶化合物。
[0005] 为了实现上述目的，本发明采用如下的技术解决方案：
[0006] -种双介晶基元液晶化合物，其特征在于，其结构通式如（I)所示：
【权利要求】
2.如权利要求1所述的双介晶基元液晶化合物，其特征在于，所述的R为碳数5?9的 直链烷基；η为5、7、9或11。
【文档编号】C09K19/20GK104087311SQ201410347100
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年7月21日 优先权日:2014年7月21日
【发明者】安忠维, 胡明刚, 李建, 杨志, 李娟利, 杨晓哲, 车昭毅, 莫玲超, 杨诚, 史凤娇 申请人:西安近代化学研究所