一种用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置的制作方法

文档序号:12415320阅读:397来源:国知局
一种用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置的制作方法

本实用新型涉及化学实验领域,更具体地,涉及一种用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置。



背景技术:

在采用现有实验装置制备吲哚并吡咯类化合物的过程中,需要将烧瓶置于冰浴中,由于冰块的融化,需要不断加冰,而且还需要将冰浴装置中的低温水排放掉,而用于制冰的水通常情况下温度会比冰浴装置中的低温水的温度高,这就造成了实验过程中的能耗增加。并且在实验进行时,由于冰块的消耗,需要不断地向冰水浴中增添冰块,一旦增添冰块时间较晚,就可能导致实验失败或者产物产率较低。



技术实现要素:

有鉴于于此,本实用新型目的在于是提供一种无需增添或更换冰块且减少实验能耗的用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置,利用半导体制冷器和冷媒流体循环流动,保证冰浴池内的低温,减缓或消除冰块的融化,从而避免因增添或更换冰块不及时导致的实验失败。

为达到上述目的,本实用新型采用下述技术方案:一种用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置,包括磁力搅拌器、冰浴装置、三口圆底烧瓶、恒压漏斗和温度计;所述冰浴装置包括冰浴池、微型泵、冷媒流体储存池、半导体制冷器和冷媒流体流通管路,所述冷媒流体储存池的出液口与所述微型泵的进液口通过导液管流体导通连接,所述微型泵的出液口与所述冷媒流体流通管路的进液口通过导液管流体导通连接,所述冷媒流体流通管路的出液口与所述冷媒流体储存池的进液口通过导液管流体导通连接,所述冷媒流体流通管路设在所述冰浴池内,所述半导体制冷器的制冷端设在所述冷媒流体储存池内;所述恒压漏斗的出液口与所述三口圆底烧瓶的一个瓶口密封连接,所述三口圆底烧瓶设在所述冰浴池内,所述冰浴装置设在所述磁力搅拌器上;所述温度计的下端设在所述三口圆底烧瓶内,所述三口圆底烧瓶内设有磁转子。

上述用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置,所述半导体制冷器的制热端设在循环水池内。

上述用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置,所述冷媒流体储存池与所述冰浴池之间设有隔热板。

上述用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置,所述冰浴池的侧壁为中空玻璃板。

上述用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置,所述冰浴池内设有LED冷光灯。

上述用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置,所述冷媒流体流通管路为翅片管路。

上述用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置,所述导液管的内壁上设有扰流片。

上述用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置,所述微型泵为无刷微型水泵。

上述用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置,所述冰浴池的侧壁上设有排水管。

本实用新型的有益效果如下:

1.本实用新型将制冷设备与冰浴联用,使得在制备吲哚并吡咯类化合物时在添加一次冰块之后无需再次添加冰块,同时还减少因更换冰块对实验的影响,并减少了实验能耗。

2.本实用新型可以减少实验人员的劳动量,无需反复制冰和碎冰。

附图说明

图1为本实用新型用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置的结构示意图;

图2为本实用新型用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置的冰浴装置的结构示意图;

图3为本实用新型用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置的导液管的结构示意图。

图中:1-磁力搅拌器;2-冰浴装置;3-三口圆底烧瓶;4-恒压漏斗;5-温度计;6-半导体制冷器;7-微型泵;8-冷媒流体储存池;9-冰浴池;10-冷媒流体流通管路;11-导液管;12-隔热板;13-循环水池;14-扰流片;15-排水管;16-LED冷光灯。

具体实施方式

为了更清楚地说明本实用新型,下面结合优选实施例和附图对本实用新型做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解,下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的,不应以此限制本实用新型的保护范围。

如图1和图2所示,本实用新型用于制备吲哚并吡咯类化合物的反应装置,包括磁力搅拌器1、冰浴装置2、三口圆底烧瓶3、恒压漏斗4和温度计5;所述冰浴装置2包括冰浴池9、微型泵7、冷媒流体储存池8、半导体制冷器6和冷媒流体流通管路10,所述冷媒流体储存池8的出液口与所述微型泵7的进液口通过导液管11流体导通连接,所述微型泵7的出液口与所述冷媒流体流通管路10的进液口通过导液管11流体导通连接,所述冷媒流体流通管路10的出液口与所述冷媒流体储存池8的进液口通过导液管11流体导通连接,所述冷媒流体流通管路10设在所述冰浴池9内,所述半导体制冷器6的制冷端设在所述冷媒流体储存池8内;所述恒压漏斗4的出液口与所述三口圆底烧瓶3的一个瓶口密封连接,所述三口圆底烧瓶3设在所述冰浴池9内,所述冰浴装置2设在所述磁力搅拌器1上;所述温度计5的下端设在所述三口圆底烧瓶3内,所述三口圆底烧瓶3内设有磁转子。本实施例中,采用无刷微型水泵作为所述微型泵7使用。

其中,为了使所述半导体制冷器6在制冷时其制冷端的温度能够比较低,同时避免所述半导体制冷器6的制热端的温度过高,本实施例中,将所述半导体制冷器6的制热端设在循环水池13内。为了避免或减少所述冷媒流体储存池8与所述冰浴池9之间的热交换或热对流,在所述冷媒流体储存池8与所述冰浴池9之间设有隔热板12,如图2所示。

为了便于观察所述三口圆底烧瓶3内的反应状况,本实施例中,采用中空玻璃板作为所述冰浴池9的侧壁,并在所述冰浴池9内设有LED冷光灯16。并为了提高所述冷媒流体流通管路10的换热效率,采用翅片管路作为所述冷媒流体流通管路10使用,同时为了避免冷媒流体内部温度不均匀带来的制冷效果差异,本实施例中,在所述导液管11的内壁上设有扰流片14,如图3所示。

为了便于在实验结束之后能够将所述冰浴池9内的低温水排出,本实施例中,在所述冰浴池9的侧壁上设有排水管15,且所述排水管15上设有截止阀。

利用本实用新型制备吲哚并吡咯类化合物时,先按照图1所示搭建好本实用新型,然后将预先制备好的冰块放入所述冰浴池9内,接着将反应原料分别放入所述三口圆底烧瓶3和所述恒压漏斗4中,然后开启所述磁力搅拌器1即可开始反应。此时可以开启所述半导体制冷器6和所述无刷微型水泵,并将所述循环水池13内通入水,此时可以保证所述冰浴池9内处于低温的状态。为了便于对所述冰浴池9内的温度进行控制,同时避免反应温度过低,可以通过对所述无刷微型水泵的输出功率进行调整以保证所述冰浴池9内的温度稳定。

本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例,而并非是对本实用新型的实施方式的限定,对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动,这里无法对所有的实施方式予以穷举,凡是属于本实用新型的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之列。

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