技术特征：
技术总结
本发明提供了一种氮化物纳米带的制备方法，包括：刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底；在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层；对粘连在一起的图形化硅衬底与氮化物外延层结构，进行腐蚀去除图形化硅衬底，得到氮化物纳米带。本发明对Si衬底的晶向没有苛刻的要求，在Si(100)和Si(111)衬底上皆可进行降低生产成本，采用图形化衬底生长氮化物，生长氮化物的尺寸可控。
技术研发人员：袁国栋;王琦;张璐;刘文强;王军喜
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2017.01.26
技术公布日：2017.07.14