专利名称：真空蒸镀制合金薄膜用SiO<sub>2</sub>基片清洗方法
技术领域：
本发明属于光学薄膜制备技术领域，具体是一种真空蒸镀制合金薄膜
用Si02基片清洗方法。
背景技术：
目前，具有良好的巨磁效应的多层合金薄膜(如:FeSiB、 Cu、 FeSiB多 层膨被普遍看好，对它的生产成本的斷氏及巨磁效应特征的进一步研究可 以对传感理论的研究和应用研究领域产生深远的影响。但目前制备这种多 层膜的通病是层间附着力弱、致密性和均匀性差，这种缺点特别在真空 蒸镀时表现得尤其明显。据有关文献报导，溅射镀膜法可改善附着力弱的 问题，但溅射镀膜机价格昂贵，目前国内拥有镀膜机的企业或研究单位绝 大部分都是采用真空蒸镀法(普通蒸镀法及电子束蒸镀法)的，所以探索 利用真空蒸镀法制备能克服以上通病的该种多层膜有着极为重要的意义。 但是，目前蒸镀合金时普遍存在Si02基片表面附着力差、成膜不牢固等问 题，究其原因是Si02基片表面处理达不到要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能使制得的FeSiB薄膜均匀、稳定、牢固 的真空蒸镀制合金薄膜用Si02基片清洗方法。 实现本发明目的的技术方案是这样的
(1) 将基片用稀土抛光粉打磨。
(2) 将基片放置于玻璃或石英杯中，加入配比为:氨水:双氧水:去离子 水为1 1. 2:2 3:5 6的清洗液，放在电炉上加热煮沸10 20分钟，然后 用去离子水冲洗干净。
(3)在杯中加入配比为盐酸:双氧水:去离子水为1 1. 2:2 3:8 10的清洗液，同样煮沸10 12 ^H中后用去离子水冲洗干净。
(4) 将基片放入超声波清洗机的清洗槽中，在常温下进行超声波抛动清 洗3 10女H中、关闭超声波，常温下对玻璃继续抛动清洗3 5 ^H中、开启 超声波，水温控帝赃50。C 75。C，对基片抛动清洗3 8射中左右，关闭超 声波后再对基片抛动清洗3 5么H中。清洗介质采用去离子水。
(5) 放入氮气炉中烘干待用。
(6) 最后的清洗工作是镀前在真空舱内进行。用放置在真空舱内的离子 枪轰击基片的表面5 10辦中。
所述的步骤(l)中的抛光粉可以是氧化铈抛光粉。 所述的步骤(2)中的清洗液配比可以为氨水:双氧水:去离子水为1:2 2.5:5 6。
所述的步骤(3)中的清洗液配比可以为盐酸:双氧水:去离子水为l 1.2:2 2. 5:8 10。
所述的步骤(4)可以是将基片放入超声波清洗机的清洗槽中，在常温下 进行超声波抛动清洗3 10分钟、关闭超声波，常温下对玻璃继续抛动清 洗3 5iH中、开启超声波，水温控制在55。C 65。C，对基片抛动清洗3 8 分钟左右，关闭超声波后再对基片抛动清洗3 5併中。清洗介质采用去离 子水。
所述的步骤中(5)中方JCA氮气炉中烘干的时间可以为10 20分钟。 本发明的真空蒸镀制合金薄膜用Si02基片清洗方法，解决了 Si02基片
普遍存在的表面附着力差、，不牢固等问题，能使制得的FeSiB薄膜均
匀、稳定、牢固。
具体实施例方式
实施例
取真空蒸镀制合金薄膜用Si02基片
(l)将基片用抛光粉打磨，打磨基片的抛光粉宜用稀土抛光粉。建议用 氧化铈抛光粉，它粒度细，磨削力强，抛光速度快，亮度好且易清洗。氧
4化铈之所以是极有效的抛光用化合物，是因为它能用化学分解和机械摩擦
二种形式同时抛光基片。
(2)将基片放置于石英或玻璃杯中，加入配比为:氨水:双氧水:去离子 水二1 L 2:2 2. 2:5 6的清洗液，放在电炉上加热煮沸10 20辦中，然后 用去离子水冲洗干净,氨水:双氧水:去离子水的比例可以是1:2:5或1:3:6; 放在电炉上加热煮沸的时间15 ^H中左右，不宜少于10分钟，否则会影响 效果。
(3)在杯中加入配比为盐酸:双氧水:去离子水=1 1. 2:2 2. 5:8 10 的清洗液，同样煮沸10 12辦中后用去离子水冲洗干净，盐酸:双氧水:去 离子水的比例可以是1:2:8或1:3:8;放在电炉上加热煮沸的时间15么H中 左右，不宜少于10分钟(同(2))。
(4)将基片放入超声波清洗机的清洗槽中，在常温下进行超声波抛动清 洗3 10分钟、关闭超声波，常温下对玻璃继续抛动清洗3 5分钟、开启 超声波,水温控制在5(TC 75'C,对基片抛动清洗3 8力H中左右，关闭超 声波后再对基片抛动清洗3 5辦中。清洗介质采用去离子水将玻璃方M超 声波清洗机的清洗槽中，在常温下进行超声波抛动清洗5分钟左右、关闭 超声波，常温下对玻璃继续抛动清洗5併中左右、开启超声波，水温控制 在6(TC左右，对基片抛动清洗5射巾左右，关闭超声波后再对玻璃抛动清 洗5，左右、仍保持水温6(TC左右，基片由慢拉提升装置进行慢拉，慢 拉提升的时间为5分钟左右。
(5) 放入氮气炉中烘干待用，烘干的时间为10分钟左右。
(6) 最后的清洗工作是镀前在真空舱内进行。用放置在真空舱内的离子 枪轰击基片的表面5 10分钟，特另赃意的是把基片方爐真空舱内的过程 中要避免空气中的灰尘和垃圾再黏附在镜片表面。用放置在真空舱内的离 子枪轰击基片的表面(用氩离子)，使玻璃基片表面吸附的异物产生脱附 或分解，最后被真空泵抽走，达到清洗目的。
权利要求
1、一种真空蒸镀制合金薄膜用SiO2基片清洗方法，其特征在于包括下列工序和步骤(1)将基片用稀土抛光粉打磨；(2)将基片放置于容器中加入配比为氨水∶双氧水∶去离子水为1～1.2∶2～3∶5～6的清洗液，加热煮沸10～20分钟，然后用去离子水冲洗干净；(3)再置于容器中加入配比为盐酸∶双氧水∶去离子水为1～1.2∶2～3∶8～10的清洗液，同样煮沸10～12分钟后用去离子水冲洗干净；(4)将基片放入超声波清洗机的清洗槽中，在常温下进行超声波抛动清洗3～10分钟、关闭超声波，常温下对玻璃继续抛动清洗3～5分钟、开启超声波，水温控制在50℃～75℃，对基片抛动清洗3～8分钟左右，关闭超声波后再对基片抛动清洗3～5分钟。清洗介质采用去离子水；(5)放入氮气炉中烘干待用；(6)蒸镀前在真空舱内，用离子枪轰击基片的表面5～10分钟。
2 、如权利要求1所述的真空蒸镀制合金薄膜用Si02基片清洗方法， 其特征在于步骤(l)中的抛光粉是氧化铈抛光粉。
3、 如权利要求1或2所述的真空蒸镀制合金薄膜用Si02基片清洗方 法，其特征在于步骤(2)中的清洗液配比为氨水:双氧水:去离子水为 1:2 2. 5:5 6。
4、 如权利要求3所述的真空蒸镀制合金薄膜用Si02基片清洗方法， 其特征在于步骤(3)中的清洗液配比为盐酸:双氧水:去离子水为l 1.2:2 2. 5:8 10。
5、 如权利要求4所述的真空蒸镀制合金薄膜用Si02基片清洗方法， 其特征在于步骤(4)中将基片放入超声波清洗机的清洗槽中，在常温下 进行超声波抛动清洗3 10分钟、关闭超声波，常温下对玻璃继续抛动 清洗3 5分钟、开启超声波，水温控制在55'C 65X:，对基片抛动清洗 3 8分钟左右，关闭超声波后再对基片抛动清洗3 5分钟。清洗介质 采用去离子水。
6、 如权利要求5所述的真空蒸镀制合金薄膜用Si02基片清洗方法， 其特征在于步骤中(5)中放入氮气炉中烘干的时间为10 20分钟。
全文摘要
本发明涉及一种真空蒸镀制合金薄膜用SiO<sub>2</sub>基片清洗方法。它是(1)将基片抛光粉打磨；(2)放置于配比为氨水∶双氧水∶去离子水为1～1.2∶2～3∶5～6的清洗液，煮沸10～20分钟，再用去离子水冲洗干净；(3)再置于容器中加入比为盐酸∶双氧水∶去离子水为1～1.2∶2～3∶8～10的清洗液中，同样煮沸10～12分钟后用去离子水冲洗干净；(4)再放入超声波清洗机中，用去离子水为清洗介质，采用常温和控制在50～75℃超声波抛动清洗和无超声波抛动清洗3～10分钟左右；(5)放入氮气炉中烘干待用；(6)蒸镀前在真空舱内，用离子枪轰击基片的表面5～10分钟，经这样清洗的SiO<sub>2</sub>基片能使制得的FeSiB薄膜均匀、稳定、牢固。
文档编号C23C14/24GK101665910SQ200810120429
公开日2010年3月10日 申请日期2008年9月4日 优先权日2008年9月4日
发明者旭 万, 刘蕴涛, 晶 叶, 应朝福, 彭保进 申请人:浙江师范大学