专利名称：一种真空蒸镀装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及薄膜形成技术领域，特别涉及一种真空蒸镀装置。
背景技术：
目前，在光电及显示领域，特别是有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，0LED)、有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor, 0TFT)等器件制造领域， 有机小分子真空蒸镀的不均勻性、蒸镀掩模板(Mask)强度及精确度的要求等因素制约了 OLED显示技术往基板大尺化方向的发展。现有技术的真空蒸镀装置中，蒸发源无论采用点蒸发源、线蒸发源、或面蒸发源等，一般均为一步式真空蒸镀，即各层薄膜均一次性蒸镀到整个基板上。图1为现有技术的真空蒸镀装置的剖面结构示意图，包括用于移动及承载基板1 的基板驱动机构(图未示)，基板1表面形成有图形区2 ；用于移动及承载掩膜板3的掩模板驱动机构(图未示)；用于对基板1和掩模板3进行对位的对位机构(图未示)；蒸发源 4。其中，待蒸镀基板1膜面朝下，掩膜板3位于基板1下方，蒸发源4位于掩膜板3下方。图2为现有技术的基板结构的俯视图，包括基板1 ；形成在基板1表面的图形区 2 ；基板上对位标记(Mark)5。其中，基板上对位标记5位于图形区2外侧。图3为现有技术的掩膜板结构的俯视图，包括掩膜板图形区6 ；掩膜板边框区7 ； 掩膜板上对位标记8。其中，掩膜板上对位标记8位于掩膜板边框区7，掩膜板图形区6与基板图形区2尺寸相同。蒸镀时，基板驱动机构将基板1移动至掩模板3上方；掩膜板上对位标记8与基板上对位标记5通过对位机构进行对位；打开蒸发源4，蒸镀气体向上蒸发至基板1表面，并沉积为与掩模板开口区图形一致的薄膜。现有技术的一步式真空蒸镀装置主要存在以下缺陷随着基板的大尺寸化，一步式真空蒸镀难以在大尺寸范围内保证薄膜厚度的均勻性；一步式真空蒸镀要求掩模板图形区与基板的图形区尺寸一致，由于掩模板强度及精确度的要求，随着基板的大尺寸化，掩模板的制作难度不断加大。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种真空蒸镀装置，可提高蒸镀薄膜厚度的均勻性、降低掩模板尺寸，从而实现对大尺寸基板的真空蒸镀。为实现上述目的，本实用新型提供了一种真空蒸镀装置，包括蒸发源；用于移动及承载基板的基板驱动机构，所述基板的表面分成若干个蒸镀子区域；用于移动及承载掩模板的掩模板驱动机构，所述掩模板位于所述基板下方，所述掩模板的图形区尺寸与所述蒸镀子区域尺寸相同；[0015]蒸镀挡板，位于所述掩模板下方，能够形成与所述掩模板结构相匹配的蒸镀气体透过区；用于移动及承载所述蒸镀挡板的挡板驱动机构。上述的真空蒸镀装置，其中，所述蒸镀挡板包括4个可独立驱动的子挡板，所述4 个子挡板能够围成所述蒸镀气体透过区。上述的真空蒸镀装置，其中，还包括用于对所述掩模板和待蒸镀的蒸镀子区域进行对位的对位机构。上述的真空蒸镀装置，其中，所述蒸镀子区域外侧设有第一对位标记，所述掩模板边框区设有第二对位标记，所述对位机构通过所述第一对位标记和第二对位标记对所述掩模板和待蒸镀的蒸镀子区域进行对位。一种真空蒸镀装置，包括蒸发源；用于移动及承载基板的基板驱动机构；用于移动及承载掩模板的掩模板驱动机构，所述掩模板位于所述基板下方，所述掩模板的图形区尺寸小于所述基板的图形区尺寸；蒸镀挡板，位于所述掩模板下方，能够形成蒸镀气体透过区；挡板驱动机构，能够移动及承载所述蒸镀挡板，使得所述蒸镀气体透过区与所述基板的当前蒸镀区域相对应。相对于现有技术，本实用新型提供了一种分步式真空蒸镀装置，根据基板表面图形区的特征，将基板表面分成若干个蒸镀子区域(例如2至10个)，使用小于基板面积若干倍的掩模板分步完成各个蒸镀子区域的蒸镀。在面积较小的蒸镀子区域上进行蒸镀，提高了蒸镀均勻性；并可使用小于基板面积若干倍的掩模板进行蒸镀，降低了掩模板的制作难度，从而可实现大尺寸基板的真空蒸镀。
图1为现有技术的真空蒸镀装置的剖面结构示意图；图2为现有技术的基板结构的俯视图；图3为现有技术的掩膜板结构的俯视图；[0030]图4为本实用新型实施例的真空蒸镀装置的剖面结构示意图；图5为本实用新型实施例中蒸镀挡板结构的俯视图；图6为本实用新型实施例中基板结构的俯视图。附图标记1-基板；2-图形区；3-掩膜板；4-蒸发源；5-基板上对位标记；6_掩膜板图形区； 7-掩膜板边框区；8-掩膜板上对位标记；9-蒸镀挡板；10-蒸镀子区域。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本实用新型进行详细描述。图4为本实用新型实施例的真空蒸镀装置的剖面结构示意图。参照图4，所述真空
4蒸镀装置包括用于移动及承载基板1的基板驱动机构(图未示)，基板1表面形成有图形区2， 图形区2分成若干个大小相同的蒸镀子区域10 ；用于移动及承载掩膜板3的掩模板驱动机构(图未示)，掩模板3的图形区尺寸与蒸镀子区域10的尺寸相同；用于对掩模板3和待蒸镀的蒸镀子区域10进行对位的对位机构(图未示)；蒸镀挡板(Smtter) 9，能够形成与掩模板3结构相匹配的蒸镀气体透过区；用于移动及承载蒸镀挡板9的挡板驱动机构(图未示)，所述挡板驱动机构通过移动所述蒸镀挡板9形成所述蒸镀气体透过区，并使得所述蒸镀气体透过区与待蒸镀的蒸镀子区域相对应(即遮挡基板的非蒸镀区域，仅将待蒸镀的蒸镀子区域暴露在蒸镀气体透过区)；蒸发源4。其中，待蒸镀基板1膜面朝下，掩膜板3位于基板1下方，蒸镀挡板9位于掩膜板 3下方，蒸发源4位于蒸镀挡板9下方。图5为本实用新型实施例中蒸镀挡板结构的俯视图。参照图5，在本实施例中，蒸镀挡板9包括4个可独立驱动的子挡板，所述4个子挡板能够围成所述蒸镀气体透过区。需要说明的是，子挡板的数目可以根据需要设置，例如，还可以设置为1个或2个等。图6为本实用新型实施例中基板结构的俯视图，包括基板1 ；形成在基板1表面的图形区2，图形区2分成若干个大小相同的蒸镀子区域10 ；基板上对位标记5。在本实施例中，将图形区2分为四个蒸镀子区域10，每个蒸镀子区域10外侧均包括左右对称的2个基板上对位标记5。本实用新型实施例中的掩模板结构与图3类似，包括掩膜板图形区6 ；掩膜板边框区7 ；掩膜板上对位标记8。其中，掩膜板上对位标记8有2个，左右对称的设置在掩膜板边框区7，掩膜板图形区6的尺寸与一个蒸镀子区域10的尺寸相同。所述对位机构通过基板上对位标记5和掩膜板上对位标记8对所述掩模板和待蒸镀的蒸镀子区域进行对位，具体地，通过移动基板和/或掩模板，使得基板上相应的对位标记5与掩膜板上相应的对位标记8在视野中重合，从而完成对位。蒸镀时，通过基板驱动机构将基板上第一个蒸镀子区域移动至掩模板上方；借助对位机构，并通过掩模板驱动机构微调掩模板位置，完成相应基板上对位标记与掩模板上对位标记之间的对位；通过挡板驱动机构分别将四块蒸镀挡板在水平方向上移动至指定位置，遮挡基板待蒸镀子区域以外的区域；打开蒸发源，蒸镀气体向上蒸发至基板表面，并沉积为与掩模板开口区图形一致的薄膜；完成第一个蒸镀子区域的蒸镀后，重复上述动作完成第二个蒸镀子区域的真空蒸镀；依次类推，直至完成整个基板的真空蒸镀。需要说明的是，在上述实施例中，各蒸镀子区域面积均相同。在其他实施例中，也可以将蒸镀子区域面积设计为不相同，此时需要移动蒸镀挡板位置，遮挡部分掩膜板图形区。综上所述，本实用新型提供的分步式真空蒸镀装置，根据基板表面图形区的特征， 将基板表面分成若干个蒸镀子区域(例如2至10个)，使用小于基板面积若干倍的掩模板分步完成各个蒸镀子区域的蒸镀。在面积较小的蒸镀子区域上进行蒸镀，提高了蒸镀均勻性；并可使用小于基板面积若干倍的掩模板进行蒸镀，降低了掩模板的制作难度，从而可实现大尺寸基板的真空蒸镀。 最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的精神范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
权利要求1.一种真空蒸镀装置，其特征在于，包括 蒸发源；用于移动及承载基板的基板驱动机构，所述基板的表面分成若干个蒸镀子区域； 用于移动及承载掩模板的掩模板驱动机构，所述掩模板位于所述基板下方，所述掩模板的图形区尺寸与所述蒸镀子区域尺寸相同；蒸镀挡板，位于所述掩模板下方，能够形成与所述掩模板结构相匹配的蒸镀气体透过区；用于移动及承载所述蒸镀挡板的挡板驱动机构。
2.如权利要求1所述的真空蒸镀装置，其特征在于所述蒸镀挡板包括4个可独立驱动的子挡板，所述4个子挡板能够围成所述蒸镀气体透过区。
3.如权利要求1所述的真空蒸镀装置，其特征在于，还包括用于对所述掩模板和待蒸镀的蒸镀子区域进行对位的对位机构。
4.如权利要求3所述的真空蒸镀装置，其特征在于所述蒸镀子区域外侧设有第一对位标记，所述掩模板边框区设有第二对位标记，所述对位机构通过所述第一对位标记和第二对位标记对所述掩模板和待蒸镀的蒸镀子区域进行对位。
5.一种真空蒸镀装置，其特征在于，包括 蒸发源；用于移动及承载基板的基板驱动机构；用于移动及承载掩模板的掩模板驱动机构，所述掩模板位于所述基板下方，所述掩模板的图形区尺寸小于所述基板的图形区尺寸；蒸镀挡板，位于所述掩模板下方，能够形成蒸镀气体透过区；挡板驱动机构，能够移动及承载所述蒸镀挡板，使得所述蒸镀气体透过区与所述基板的当前蒸镀区域相对应。
专利摘要本实用新型提供一种真空蒸镀装置，包括蒸发源；用于移动及承载基板的基板驱动机构，所述基板的表面分成若干个蒸镀子区域；用于移动及承载掩模板的掩模板驱动机构，所述掩模板位于所述基板下方，所述掩模板的图形区尺寸与所述蒸镀子区域尺寸相同；蒸镀挡板，位于所述掩模板下方，能够形成与所述掩模板结构相匹配的蒸镀气体透过区；用于移动及承载所述蒸镀挡板的挡板驱动机构。本实用新型可提高蒸镀薄膜厚度的均匀性、降低掩模板尺寸，从而实现对大尺寸基板的真空蒸镀。
文档编号C23C14/24GK202139291SQ201120238890
公开日2012年2月8日 申请日期2011年7月7日 优先权日2011年7月7日
发明者刘光海, 沐俊应 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 合肥京东方光电科技有限公司