专利名称：二芳基乙烯类化合物的新用途的制作方法
技术领域：
本发明涉及化合物的新用途，特别是涉及二芳基乙烯类化合物在近场存储中的应用。
背景技术：
光存储技术具有存储寿命长、非接触式读/写和擦、信息的载噪比高和信息位的价格低等优点。光存储技术的发展趋势是由远场光存储到近场光存储，由二维光存储到多维光存储，由光热存储到光子存储。从光的远场记录发展到近场记录是超高密度光存储技术的主要途径。另外，提高存储密度和数据传输速率也一直是光存储技术的主要发展目标，同时性能的多功能性，即不仅能读出、记录，而且能实现可擦重写，也是其发展方向。
目前，用于近场光记录的存储介质包括磁光和相变介质、共轭聚合物等。在这些记录介质中，磁光和相变介质大多属于热质模式的无机材料，用得最多的可重写相变记录材料可分为两类GeSbTe和AgInSbTe合金，它们同属于半导体硫化物系。尽管许多硫族化合物薄膜都可以在热的作用下产生相变，推向应用的首先是玻璃转换温度低和导热系数低的材料。相变材料在记录信号时并不发生材料的宏观机械位移，便于应用密封层，同时也易于控制光斑的尺寸。在热致模式记录过程中，光的特征性质，如频率、相或偏振，不能被有效地利用。对于记录介质方面，在用磁光或相变介质的热致模式记录中，由于介质的不规则热性质，被记录的极小光斑也是呈不规则形状，从而导致热致模式记录介质存在一个分辨率极限。
(式I)二芳基乙烯类化合物结构式如式I所示，其中，X1、Y1、X2、Y2可以为C，S，N等；R1、R2可以为烷基、烯烃基、醛基、氨基、甲氧基、羧基、冠醚基、芳基等供电和吸电基团。这类化合物可以参考中国发明专利申请(02100500.1、02100681.4、02100682.2、02125937.2、02125272.6)进行制备合成，这类化合物目前主要应用于多阶多波长以及全息三维存储等方面。
发明内容
本发明的目的是提供二芳基乙烯类化合物的新用途。
本发明发明人通过实验证实，采用结构式如式I的二芳基乙烯类化合物作为近场光存储介质，当在适当波长的激光照射下，被辐照区域有色的闭环态分子立即发生开环反应生成无色开环态分子，未被辐照区域的分子依然保持其结构和颜色，从而留下具有较高对比度的约为300～500nm近场记录光斑，表明该类化合物能在近场光存储中的应用， (式I)其中，X1、Y1、X2、Y2为C，S或N；R1、R2为烷基、烯烃基、醛基、氨基、甲氧基、羧基、冠醚基或芳基。
更具体的，这些化合物为1、取代基直接连接在噻吩环上的全氟二芳烯(对称取代，R1、R2相同)X1＝X2＝CY1＝Y2＝SDTL-0-HDTL-1-CH3 DTL-3-CHODTL-5-CH2OH DTL-11-CH＝CH-C-COOC2H5
2、取代基连接在苯环上的全氟二芳烯(对称取代)1)噻吩2位取代X1＝X2＝SY1＝Y2＝C DTL-15-HDTL-16-CH3OH2)噻吩3位取代X1＝X2＝CY1＝Y2＝S DLT-17-H DTL-20-CH2OHDTL-21-N(CH3)2DTL-22-OMeDLT-19-CHO DTL-23-OC2H5
3、不对称取代全氟二芳烯X1＝X2＝SY1＝Y2＝C 1)噻吩2位取代2)噻吩3位取代X1＝X2＝CY1＝Y2＝S DTL-26R3＝-CH3 DTL-30R3＝-CH3 DTL-31R3＝-CH3R4＝-Ph-CHODTL-27R3＝-CH3R4＝-CHODTI-32R3＝-CH3R4＝-Ph-CH2OHDTL-28R3＝-CH3 DTL-29R3＝-CH3R4＝-CH2OH R4＝-CHO R4＝-CH2OH3)噻吩2，3位取代X1＝X2＝SY1＝Y2＝C
其中，当所述X1和X2为C，而Y1和Y2为S；R1和R2为烷基、醛基、芳基时，该二芳基乙烯类化合物的存储效果比较好。
本发明近场存储基于存储介质光子激发的光致模式记录，在分辨率、写入速度和复合记录能力方面都要优于热致模式记录，具有高分辨率和高灵敏度等优点。
图1为二芳基乙烯类化合物的近场光存储示意图。
具体实施例方式
实施例1、一、制备近场存储膜片采用真空蒸镀(Vacuum evaporation)法制备近场存储膜片。
真空蒸镀的方法是将二芳基乙烯类光致变色化合物放置在石英管中，并将预先镀有铝反射膜的空白CD光盘或玻璃基片固定在石英管的上方，石英管外面缠着与控制电源相连的钨丝；蒸镀装置内真空度调至约4×10-3Pa以下，调节电压使钨丝温度慢慢升高，逐渐加热石英管中的样品。当温度升高到蒸镀样品在此真空度下的升华温度时，管中的样品迅速升华，并在空白光盘表面骤然降温形成细小颗粒而均匀分布在光盘表面，通过控制辅助装置显示的样品溅射速度和膜片厚度即可获得所需近场存储盘片。控制待蒸镀材料的用量和蒸镀条件，即可获得所需厚度的均匀膜层。
二、进行近场存储在上述近场存储盘片进行近场存储的方法可按照文献(刘学东，蒲守智，张复实.有机近场存储材料的合成及其应用.2004，31(12)，1460-1464)，近场结果的记录可采用固体透镜(SIL)近场记录系统进行，该系统用输出功率为30mW，波长为633nm的氦氖激光器作为光源，使用观察和调整都比较方便的Leica倒置显微镜，携带一个长工作距离的显微物镜，数值孔径为0.8；SIL透镜为半球形，其材料的折射率为1.8，半径为1.5mm。近场存储盘片被放置于一个三维的扫描台上，扫描范围为70×70×70μm，其扫描精度可以达到纳米量级，以保证近场存储盘片的精密移动和SIL系统中严格的间距控制的要求。实验前，采用由光轴失调导致的象散最小方法对聚焦物镜和SIL透镜光轴的调整。
根据上述方法，使用如下的几种二芳基乙烯类化合物制作近场光存储盘片进行近场光存储，其结果分别如图1A-图1F所示，结果表明采用二芳基乙烯作为近场光存储介质，当在适当波长的激光照射下，被辐照区域有色的闭环态分子立即发生开环反应生成无色开环态分子，未被辐照区域的分子依然保持其结构和颜色，从而留下具有较高对比度的近场记录光斑。
DTL-1X1、X2均为C，Y1、Y2均为S，R1、R2均为甲基。
DTL-4X1、X2均为C，Y1、Y2均为S，R1、R2均为-C＝C(CN)2。
DTL-19X1、X2均为C，Y1、Y2均为S，R1、R2均为 DTL-21X1、X2均为C，Y1、Y2均为S，R1、R2均为 DTL-27X1、X2均为C，Y1、Y2均为S，R1为甲基、R2为-CH2OH。
DTL-29X1、X2均为C，Y1、Y2均为S，R1为甲基、R2为 以DTL-1，DTL-4，DTL-19，DTL-21，DTL-27和DTL-29六种代表性的二芳烯分子作为进场存储材料，存储结果如图1A-图1F所示。
权利要求
1.式I二芳基乙烯类化合物在近场存储中的应用， (式I)其中，X1、Y1、X2、Y2为C，S或N；R1、R2为烷基、烯烃基、醛基、氨基、甲氧基、羧基、冠醚基或芳基。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于所述X1和X2为C，Y1和Y2为S，所述R1和R2为烷基、醛基或芳基。
3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于所述二芳基乙烯类化合物为1)X1和X2为C；Y1和Y2为S；R1、R2相同，是下述基团中的一种-H-CH3 -CHO -CH2OH -CH＝CH-C-COOC2H5 2)式II化合物 (式II)其中，R3为H或-CH3OH；3)X1和X2为C；Y1和Y2为S；R1、R2相同，是 其中R4是下述基团中的一种-H -CH2OH -N(CH3)2-OMe-CHO-OC2H54)式III化合物 (式III)5)X1和X2为C；Y1和Y2为S；R1和R2选自下列组合方式R1 -CH3 R1 -CH3R2-CHO；R1 -CH3 R1 -CH3R2 -CH2OH；R1 -CH3 R1 -CH3R2 -Ph-CHO；R1 -CH3R2 -Ph-CH2OH； R2 -CHO或 R2 -CH2OH；6)式IV化合物 (式IV)其中，R5为 或
全文摘要
本发明公开了二芳基乙烯类化合物的新用途。本发明发明人通过实验证实，采用结构式如式I的二芳基乙烯类化合物作为近场光存储介质，当在适当波长的激光照射下，被辐照区域有色的闭环态分子立即发生开环反应生成无色开环态分子，未被辐照区域的分子依然保持其结构和颜色，从而留下具有较高对比度的约为300～500nm近场记录光斑，表明该类化合物能在近场光存储中的应用，其中，X
文档编号C07D333/00GK1801359SQ200510105178
公开日2006年7月12日 申请日期2005年9月30日 优先权日2005年6月10日
发明者张复实, 刘学东, 赵福群, 石明 申请人:清华大学